「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To more accurately measure the volume of bubble that contacts an inner wall surface of a liquid receiving chamber without requiring complex image processing.例文帳に追加

液体収容室の内側壁面に接触している気泡の体積を、複雑な画像処理を必要とすることなくより正確に計測する。 - 特許庁

To efficiently and optionally control a plasma density profile in doughnut-shaped plasma formed in a chamber in inductively coupled plasma processing.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。 - 特許庁

To process a substrate comprising a resist layer overlying a dielectric feature, in a substrate processing chamber comprising an antenna, and first and second process electrodes.例文帳に追加

誘電体フィーチャを覆うレジスト層を備える基板を、アンテナ、第１及び第２処理電極を備える基板処理チャンバ内で処理する。 - 特許庁

Since air is not captured in the depth side of the toner chamber between the separation blades 11p when the processing cartridge falls, the toner is prevented from a disturbance.例文帳に追加

プロセスカートリッジを落下した場合に仕切り板１１ｐ間のトナー室の奥へ空気が閉じ込められないので、トナーのかく乱を抑制できる。 - 特許庁

To supply gas at a specified rate of flow stably into a reaction chamber, in a semiconductor manufacturing device which performs processing making use of a plasma.例文帳に追加

プラズマを利用した処理を行なう半導体製造装置において、反応室内に所望の流量のガスを安定して供給する。 - 特許庁

To provide an improved load lock structure for a vacuum chamber used for processing articles, such as integrated circuit wafers, display panels, and the like.例文帳に追加

物品、例えば集積回路用ウェーハやディスプレイパネル等を処理するために使用される真空チャンバの改良型ロードロック構造を提供する。 - 特許庁

The semiconductor wafer is dried by discharging the carbon dioxide fluid in the supercritical state or liquid state from the processing chamber.例文帳に追加

上記半導体ウェハーは、超臨界状態または液体状態の二酸化炭素の流体を処理チャンバーから排気することにより乾燥される。 - 特許庁

A vacuum pump 31, a pressure gauge 30 and a MFC 20 are provided in the processing chamber 10, and a gas cylinder 21 is provided in the MFC 20.例文帳に追加

処理室１０には真空ポンプ３１、圧力計３０およびＭＦＣ２０が設けられており、ＭＦＣ２０にはボンベ２１が設けられている。 - 特許庁

Inside its processing chamber, there is formed a downward airflow that passed from the air sucking port 42 to the surface of the substrate 1 so as to proceed to the air exhausting port 32.例文帳に追加

処理室内では、吸気口４２から基板１の表面を通り排気口３２へ向かう下向きの空気の流れが形成される。 - 特許庁

A replaceable ring 1253 at the lower opening of the processing chamber 1204 allows process pumping speed to be tailored for different processes by replacing the ring 1253.例文帳に追加

処理チャンバ１２０４の下部開口にある取り替え可能なリング１２５３により、プロセス排気速度を異なるプロセスに合わせることができる。 - 特許庁

The Chamber of Commerce and Industry established a counter for inquiries and consolidated the acceptance of orders. The business establishment with the most appropriate technology performs processing.例文帳に追加

商工会議所内に問い合わせ窓口を設置して受注を一本化し、最適な技術を有する事業所が加工を行っている。 - 経済産業省

In the above cure unit(a cure unit 3), the wafer W on which the application liquid is applied is put on a heat plate 32 in a first processing chamber S1 and bake processing is conducted by heating the wafer at a first temperature.例文帳に追加

前記硬化処理装置（キュアユニット３）において、第１の処理室Ｓ１の加熱プレート３２に塗布液が塗布されたウエハＷを載置して、第１の温度に加熱することによりベーク処理を行う。 - 特許庁

To provide a hot air circulating oven in which batch processing time of a substance to be processed is shortened without sacrificing a service life of a heating chamber even when continuously performing the batch processing of the substance to be processed.例文帳に追加

被処理物を連続してバッチ処理する場合でも、加熱室の寿命を損なうことなく被処理物のバッチ処理時間を短くすることができる熱風循環式オーブンを提供する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 1 has a liquid knife 16 which discharges a rinse liquid in a belt-like shape in order from a conveyance-directional upstream side of the substrate S and shower nozzles 18a and 18b in a processing chamber 10.例文帳に追加

基板処理装置１は、処理室１０の内部に、基板Ｓの搬送方向上流側から順に帯状にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、シャワーノズル１８ａ，１８ｂとを有している。 - 特許庁

In the processing chamber 2 of the processing container 1, the body 5 to be processed is floated by liquid and also rotated on the container axis by the liquid.例文帳に追加

処理容器１の処理室２において、被処理体５を支持している支持体４を流体によって浮上させるとともに、流体によって支持体４を容器軸心廻りに回転するようにしている。 - 特許庁

Alternatively, the temperature of the sample 6 surface is monitored and when the temperature of the sample 6 surface has become nearly the same as the temperature in a vacuum chamber, focused charged particle beam etching processing or deposition processing is started.例文帳に追加

あるいはサンプル6表面の温度をモニターし、サンプル6表面の温度が真空内の温度とほぼ同じになってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を開始する。 - 特許庁

To provide a method of processing while monitoring the state of deposits on an inner wall of a processing chamber, the inside of plasma, or the like in real time and managing at all times in order to manufacture a semiconductor device stably and efficiently.例文帳に追加

半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。 - 特許庁

A gas supply path, through which active gas is supplied to the processing chamber 16 from a supply source 21, is set to have substantially the same length as with the supply paths to the processing chambers.例文帳に追加

活性ガスの供給源２１につていは、処理チャンバ１６に供給するガスの供給経路が、複数の処理チャンバのそれぞれに対して実質的に同一の長さとなるように設置されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can easily carry out alignment between a substrate holding jig and a processing chamber, and can make adjustment without disassembling or reassembling even for disalignment occurred later.例文帳に追加

基板保持具と処理室の芯合せが簡単に行えると共に後発的に生じた芯ずれに対しても、分解、再組立てを行うことなく簡単に調整が行える基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can stably and accurately measure plasma emission in a processing chamber for an extended period of time, without lowering the transmittance of a measurement port that measures plasma emission.例文帳に追加

プラズマ発光を計測する計測ポートの透過率を低下させることなく、長時間にわたり安定して精度よく処理室内のプラズマ発光を計測できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A glass workpiece 32 is dechucked from a monopolar electrostatic chuck by gradually reducing the chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece in a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ加工チャンバ中でガラス工作物３２を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャックからデチャッキングされる。 - 特許庁

The processing apparatus has vertically carrying means attached to a process chamber composed of a vacuum container, capable of carrying works between a processing zone and work entering/ejecting regions.例文帳に追加

真空容器により構成されたプロセスチャンバに垂直搬送手段を設けてワークをプロセス処理領域とワーク出入領域間を垂直移送可能としてなる真空プロセス処理装置である。 - 特許庁

According to the present substrate processing method, when measuring a front surface profile before processing, a first feedforward computation is performed at first, and judgement is made as to a process chamber where a processed parameter value obtained thereby is within an allowable range (S140).例文帳に追加

処理前の表面プロファイルを測定したときに先ず第１回目のフィードフォワード計算を実行し，その結果得られた処理パラメータの値が許容範囲内となる処理室の判定を行う。 - 特許庁

To provide a substrate processor and a substrate processing method in which a position of a substrate is detected with a low-priced structure and high precision, and the substrate can be stably in reciprocating movement within a processing chamber, while processed.例文帳に追加

安価な構成で精度良く基板の位置を検出し処理室内で基板を安定して往復運動させつつ処理を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device whereby foreign matter can be prevented from being adsorbed on the substrate, by suppressing agitation of foreign matter present in the processing chamber.例文帳に追加

処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制することが可能な基板処理装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of surely and inexpensively preventing adhesion of foreign matter to an inside wall surface or the like of a chamber, and thereby capable of efficiently executing excellent plasma processing to a workpiece.例文帳に追加

チャンバーの内壁面等に異物が付着するのを確実かつ低コストで抑制し、これにより、ワークに対する良好なプラズマ処理を効率よく行い得るプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The electrostatic attraction mechanism for processing a substrate, which holds a substrate 9 by electrostatic attraction in a processing chamber 1, comprises an electrostatic attraction stage 2 comprising a temperature control means and an attraction power source 23.例文帳に追加

処理チャンバー１内で基板９を静電吸着して保持する基板処理用静電吸着機構は、温度制御手段を有する静電吸着ステージ２と吸着電源２３とから成る。 - 特許庁

Moisture and/or inert gas is added to process gas in a surface processing method where the surfaces of the processed member are subjected to plasma processing in the presence of process gas in a chamber.例文帳に追加

プロセスガスの存在下のチャンバ内で被処理部材の各面をプラズマ処理にて加工する表面処理方法において、上記プロセスガスに水分及び不活性ガスのうち少なくともいずれかをを添加する。 - 特許庁

In an etching processing apparatus having an upper electrode 21 and a susceptor 5 serving as a lower electrode within an evacuatable processing chamber 2, at least part of the electrode 21 is made of SiO2.例文帳に追加

減圧自在な処理室２内に上部電極２１と下部電極となるサセプタ５を有するエッチング処理装置１において、上部電極２１の少なくとも一部をＳｉＯ_２で構成する。 - 特許庁

To provide the conveying method of a workpiece, which is capable of surely preventing the contamination of a processing chamber, processing a treatment highly hating the contamination of an atmosphere upon applying a predetermined treatment for a workpiece.例文帳に追加

被処理体に対して所定の処理を行う時に雰囲気の汚染を高度に嫌う処理を行う処理室の汚染を確実に防止することが可能な被処理体の搬送方法を提供する。 - 特許庁

In a heating processing apparatus 341 of a low-oxygen cure cooling processing station, vent holes 346a are provided to a ring shutter 346 in the thickness direction of a wafer W, heated inert gas is fed into the heating processing chamber 341 via the vent holes 346a, so that both the surfaces of the wafer W can be heated while substituting an atmosphere inside the heating processing chamber 341 with inert gas.例文帳に追加

低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）の加熱処理装置３４１において、リングシャッター３４６にウエハＷの厚さ方向に沿って複数の通気口３４６ａが設けられ、これら通気口３４６ａを介して加熱された不活性ガスが加熱処理室３４１の中へ供給されるので、加熱処理室３４１内を不活性ガスに置換しつつウエハＷの両面を加熱することができる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, or the like capable of preventing a functional module from being adversely affected by fine particles and corrosive gas generated when a processed substrate comes into contact with the atmosphere; in the substrate processing apparatus having a processing vessel for processing the substrate, an atmosphere conveyance chamber, and the functional module installed on the conveyance path of the substrate by a conveyance means in the atmosphere conveyance chamber.例文帳に追加

基板に対して処理を行う処理容器と大気搬送室と大気搬送室内の搬送手段による基板の搬送経路上に設置された機能モジュールとを備えた基板処理装置において、処理後の基板が大気に接することにより生じる微粒子や腐食性のガスによって機能モジュールが悪影響を受けないようにすることが可能な基板処理装置等を提供する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 1 equipped with the transfer chamber 13 connected to a treatment furnace 21 for processing the substrate 10 includes: a temperature measurement unit 34 measuring a temperature in the transfer chamber; a lock mechanism 20 locking and unlocking the door 19 of the transfer chamber; and a control unit controlling the lock mechanism 20 based on the temperature measured by the temperature measurement unit 34.例文帳に追加

基板１０の処理を行う処理炉２１に連設される移載室１３を備えた基板処理装置１であって、移載室内の温度を測定する温度測定手段３４と、移載室の扉１９の施錠及び解錠を行うロック機構２０と、温度測定手段３４で測定された温度に基づいてロック機構２０を制御する制御手段とを具備する。 - 特許庁

Cutting processing is performed by arranging a workpiece in a vacuum chamber and irradiating the top surface of the workpiece with a laser beam from a laser source through a window set up in the vacuum chamber, in a state where pressure in the vacuum chamber is decompressed below to pressure at a triple point of the material constituting the workpiece when performing cutting processing of this workpiece.例文帳に追加

真空チャンバ内に被加工物を配置して、レーザ光源より前記真空チャンバに設けられた窓を通じて前記被加工物の上面にレーザ光を照射し、該被加工物の切断加工を行う際に、前記真空チャンバ内の圧力を前記被加工物を構成する材料の三重点における圧力以下に減圧した状態で切断加工を行う。 - 特許庁

The equipment 1 for producing a semiconductor comprises a vacuum processing chamber 4 or 6, having a mechanism for charging a semiconductor wafer and depositing a film on the semiconductor wafer, a vacuum conveyance chamber 3 for conveying the semiconductor wafer, a means of generating negative ions, and a means of supplying negative ions generated from the ion-generating means to the vacuum processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体製造装置１は、半導体ウェハを帯電させる帯電機構を有し半導体ウェハ上に成膜するための真空処理室４あるいは６、半導体ウェハを搬送するための真空搬送室３、マイナスイオンを発生させるイオン発生手段、イオン発生手段が発生させたマイナスイオンを真空処理室に供給するイオン供給手段を有する。 - 特許庁

A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light.例文帳に追加

基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。 - 特許庁

A shower plate 7 is disposed so as to close the upper opening of a processing vessel comprising a chamber 1, a spacer 1b, and an upper plate 1a, and gas for plasma excitation is discharged into the chamber 1 from the opening portion 9 of the shower plate 7.例文帳に追加

チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。 - 特許庁

To improve both reliability of processing quality and productivity, reduce a device price and miniaturize a device by maintaining a highly cleaned atmosphere even if an interior of an airtight chamber is in a high temperature state in a semiconductor manufacturing device with an airtight chamber.例文帳に追加

気密室を有する半導体製造装置に於いて、気密室内が高温状態でも高清浄雰囲気に維持し、処理品質の信頼性を向上すると共に生産性の向上、装置価格低減、装置の小型化を図る。 - 特許庁

To make a plate temperature promptly reach and be set at a new target temperature even when transient heat exchange is generated between a chamber and a plate at the time of changing the target temperature of a temperature adjustment plate inside a semiconductor processing chamber.例文帳に追加

半導体処理チャンバ内の温度調節プレートの目標温度を変更したときに、チャンバとプレートとの間に過渡的な熱交換が生じても、プレート温度を速やかに新しい目標温度に到達させて整定させる。 - 特許庁

To provide a device for saving gas in a semiconductor manufacture process, which enables reduction of the quantity of consumed gas by enabling the stop of the supply of processing gas while a semiconductor wafer is carried from a load lock chamber to a reactor chamber.例文帳に追加

半導体ウェハーがロードロックチャンバーからリアクターチャンバーに搬送される間、処理ガスの供給を停止できるようにして処理ガスの消費量削減を可能にした半導体製造プロセスにおける省ガス装置を提供する。 - 特許庁

To control the pressure in a back pressure chamber without increasing the processing accuracy of a valve stopper for damping valve or a backup collar when back pressure chamber is provided at the back face of the damping valve, by installing the backup collar at the periphery of the valve stopper.例文帳に追加

減衰バルブのためのバルブストッパの外周にバックアップカラーを設け、減衰バルブの背面側に背圧室を設けるに際し、バルブストッパやバックアップカラーの加工精度を上げることなく、背圧室の圧力を制御可能にすること。 - 特許庁

The application of the AD method to the formation of the pressure chamber 52 improves the machining precision of the pressure chamber 52 and permits dimensional precision difficult to attain by other processing methods such as etching and realizes a variety of shapes of pressure chambers.例文帳に追加

圧力室５２の形成にＡＤ法を適用すると、圧力室５２の加工精度を上げることができると共にエッチングなど他の加工方法では困難な寸法精度が可能になり、様々な圧力室形状を実現できる。 - 特許庁

The substrate processor has a reaction chamber 10 for processing a substrate 41, process-gas feeding means 11, 12, 13 for feeding a process gas into the reaction chamber 10, and heat sources 20 for activating the process gas to generate active species in it.例文帳に追加

基板４１に処理を施す反応室１０と、反応室１０内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段１１、１２、１３と、処理用ガスを活性化して活性種を生成するための熱源２０とを備える。 - 特許庁

To solve problems wherein a device constituting member in a chamber directly collided with abrasive coating is worn in a short period of time and parts have to be exchanged, when a membrane adhered on a processing object surface is scratched and removed by spraying abrasive coating in the chamber.例文帳に追加

チャンバー内で砥粒を吹き付けて、処理物表面に付着した皮膜を研創除去するに際し、砥粒が直接衝突するチャンバー内の装置構成部材が短期間で磨滅し、部材交換を余儀なくされる。 - 特許庁

To provide a vent method and a substrate processing device for a vacuum preliminary chamber capable of certainly preventing a pressure application of a vacuum preliminary chamber at the time of venting even if a relief valve is not used and a particle deposition to the substrate.例文帳に追加

リリーフ弁を用いなくてもベント時の真空予備室の加圧を確実に防止することができ、しかも基板へのパーティクル付着を防止することができる真空予備室のベント方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁