「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A laminated anti-reflective film 104 of the TiN 4 and ARL-SiON 5 as well as the metallic film 3 are continuously dry etched in an identical processing chamber.例文帳に追加

ＴｉＮ、ＡＲＬ−ＳｉＯＮによる積層反射防止膜と、その下の金属積層膜を連続して同一処理室にてドライエッチングする。 - 特許庁

An inert gas is supplied into the processing chamber 52 using a third supply system 63, while the residual second reactive substance is exhausted from the exhaust system 64.例文帳に追加

第３供給系６３を用いて処理室５２内に不活性ガスを供給して残留した第２反応物質を排気系６４から排除する。 - 特許庁

An inert gas is supplied into the processing chamber 52 using a third supply system 63, while the residual first reactive substance is exhausted from the exhaust system 64.例文帳に追加

第３供給系６３を用いて処理室５２内に不活性ガスを供給して残留した第１反応物質を排気系６４から排除する。 - 特許庁

The displacement difference allows gas flow (plasma flow) inside the processing chamber PC to be appropriately controlled so that uniform plasma can be introduced to a workpiece W to be processed.例文帳に追加

この排気量差により，処理室ＰＣ内のガス流（プラズマ流）を適宜調整して，被処理体Ｗに均一なプラズマを導入することができる。 - 特許庁

Furthermore, a coating chamber comprises an edge exclusion projecting over portion of the surface of the stored substrate in order to prevent processing of a portion of the substrate surface.例文帳に追加

コーティングチャンバは収容された基板表面の一部の上に張り出し、基板表面の一部が処理されるのを防止するための側端除外部を備える。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a post-treatment method which can prevent etching not only in a processing chamber, but also surely in a carrier system.例文帳に追加

処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁

A suction tube 76 connected to the suction nozzle 70 extends to the outside of a processing chamber 2, and its distal end is connected to a vacuum generator 60.例文帳に追加

吸引ノズル７０に接続された吸引管７６は、処理室２の外部へ延びており、その先端は、真空発生装置６０に接続されている。 - 特許庁

The controller control the substrate processing chamber 201 so that He plasma is replaced by Ne plasma, in advance prior to the opening of the gate valve 244.例文帳に追加

制御部は、さらにゲートバルブ２４４を開く前に、基板処理室２０１内を予めＨｅプラズマまたはＮｅプラズマに置換しておくよう制御する。 - 特許庁

Following the stoppage of introduction of the organic acid vapor or mist, a raw material gas for film-formation is introduced into the processing chamber to form a thin film on the board.例文帳に追加

有機酸の蒸気またはミストの導入を停止し、続いて成膜用の原料ガスを、処理チャンバ内に導入して、基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor wafer W is disposed within a processing chamber 1 facing down, so that a surface Wa of the wafer is counterposed to an inner bottom surface 1a of the container 1.例文帳に追加

半導体ウエハＷは、処理容器１内に下向きに配置され、表面Ｗａが処理容器１の内底面１ａに対向させられる。 - 特許庁

To provide a gas diffuser plate for distributing gas for producing improved uniformities of film thickness and film properties, as a substrate size increases inside a processing chamber.例文帳に追加

基板サイズが大きくなるに従って膜厚や膜特性を均一にするためのガスを処理チャンバ内に分散させるガスディフューザプレートを提供する。 - 特許庁

A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.例文帳に追加

ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁

In the separation processing chamber 90, a composite material 98 bonded by an adhesive is exposed to the superheated vapor having a large heat capacity and a heat transfer coefficient.例文帳に追加

分離処理室９０では、熱容量及び熱伝達係数が大きい過熱蒸気中に、接着剤によって接着された複合材９８が曝される。 - 特許庁

A heating apparatus comprises: a processing chamber arranged in a cylindrical side wall where substrates are processed; and a heating element 20 which is supported by the side wall and heats the substrates.例文帳に追加

筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。 - 特許庁

The gas for exposure processing introduced in a chamber 101 is blown to a substrate 1 through openings 211 formed in a gas blowing plate 21.例文帳に追加

チャンバー１０１内に導入された暴露処理用ガス３３は、ガス吹き出し板２１に形成された開口２１１を通って基板１に吹き付けられる。 - 特許庁

The hydrofluoric acid vapor supplied into the processing chamber C1 is dissolved into the deionized water on the substrate W, and the liquid film of the deionized water changes to a fluorine acid liquid film.例文帳に追加

処理室Ｃ１内に供給されたフッ酸の蒸気は、基板Ｗ上の純水に溶け込んでいき、純水の液膜がフッ酸の液膜に変化する。 - 特許庁

The fixed plate is attached detachably to the outer wall surface which forms a processing chamber 11 via a vacuum flange 52 fitted to an opening 51 of the fixed plate 5.例文帳に追加

固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。 - 特許庁

To provide a forklift capable of suppressing jumping-out of a battery case upward from a battery storage chamber, without applying any processing to the battery case.例文帳に追加

バッテリケースに何ら加工を施すことなく、バッテリケースがバッテリ収納室から上方へ飛び出すのを抑止することができるフォークリフトを提供する。 - 特許庁

To provide a low-temperature steam cooker which carries out uniform treatment of a number of processing objects, attempting generation of low-temperature steam and homogeneous diffusion in the steaming treatment chamber.例文帳に追加

低温蒸気の生成とその蒸し処理室内の均質拡散を図って、多数の処理対象物を均等処理する低温蒸し器を提供する。 - 特許庁

To overcome a problem that a substrate is not always located at a conveying position from its processing chamber when rocking is ended, as a substrate conveying speed at the time of rocking is fixed.例文帳に追加

揺動時の基板搬送速度が固定されているので、揺動終了時に基板がその処理室からの搬出位置に位置するとは限らない。 - 特許庁

Labeling processing is applied to heart chamber tomographs corresponding to the respective cross sections, and the position of a separate face is recognized at the changing time of labeling number.例文帳に追加

各切断面に対応する心腔断層像に対してラベリング処理を適応し、ラベリング数の変化時点をもって分離面の位置が認識される。 - 特許庁

To provide a vacuum processor which facilitates maintenance in a processing chamber and mounting as well as dismounting of loads in the lid.例文帳に追加

処理チャンバー内のメンテナンスや蓋体内の重量物の取り付けおよび取り外しを容易に行うことができる真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

There is disclosed a lamp assembly adapted for use in heating a substrate to temperatures up to at least about 1,100°C in a substrate thermal processing chamber.例文帳に追加

基板熱処理チャンバにおいて基板を少なくとも約１１００℃までの温度に加熱するのに使用するよう適応されるランプアセンブリが開示されている。 - 特許庁

To prevent electric discharge in the gas supply hole of a shower plate for supplying gas in the shape of a shower to a plasma processing chamber and to achieve the stable operation of equipment.例文帳に追加

プラズマ処理室へシャワー状にガスを供給するシャワープレートのガス供給孔内での放電を防止し、装置の安定稼動を実現する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of both reduction of foreign particles in a vacuum chamber in which a vacuum atmosphere and an air atmosphere are switched, and increasing of a throughput.例文帳に追加

真空雰囲気と大気雰囲気とを切り替える真空室内における異物低減とスループット向上を両立できる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

By this setup, an air flow formed inside the processing chamber S ramifies uniformly to pass through the vent holes 96 and is exhausted through the exhaust vent 90c.例文帳に追加

これによって，処理室Ｓ内に形成される気流は，各通気孔９６を均等に分流されて通過し，排気口９０ｃから排気される。 - 特許庁

To provide an apparatus high in performance in manufacturing workpieces in each installation area by optimizing the arrangement of vacuum processing chambers installed in a vacuum transport chamber.例文帳に追加

真空搬送室に備えられた真空処理室の配置を最適化し、設置面積あたりの被処理物の生産能力の高い装置を提供する。 - 特許庁

Also, a quartz member 120 is disposed so that at least the inner wall surface of the chamber 6 in an upper direction than a holding portion 7 of the processing position is covered.例文帳に追加

また、少なくとも処理位置の保持部７よりも上方におけるチャンバー６の内壁面を覆うように石英部材１２０を設けている。 - 特許庁

To provide a housing structure of a lighter fuel chamber having desired pressure-resisting air-tight performance and being easily assembled and disassembled without performing welding or brazing processing.例文帳に追加

溶接やロウ付け加工によることなく、所望の耐圧気密性能を有する組み立てと分解が容易なライター燃料室のハウジング構造を提供する。 - 特許庁

The hot-plate-type substrate heating device, in which a processing chamber is partitioned, has an auxiliary heater 8 provided in a top plate 3.例文帳に追加

処理室を仕切ったホットプレート型の基板加熱装置であって、天板３に補助ヒーター８を設けることを特徴とする基板加熱装置である。 - 特許庁

A cooling apparatus 43 has a cooling plate 60 for cooling the wafer W placed thereon, and a cover 66 forming a processing chamber S with the cooling plate 60.例文帳に追加

クーリング装置４３内に，ウェハＷを載置し冷却する冷却板６０と，冷却板６０と共に処理室Ｓを形成する蓋体６６を設ける。 - 特許庁

To prevent the overshoot phenomenon of a flow rate, that the gas of not less than a set flow rate flows at the time of starting supplying reaction gas to a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理室に反応ガスを供給し始める際に、設定流量以上のガスが流れ込む流量のオーバーシュート現象を防止すること。 - 特許庁

In the cleaning processing chamber 4, the attitude of the substrate S is converted from the temporarily inclined attitude to the above fully inclined attitude for cleaning the substrate S.例文帳に追加

そして、洗浄処理室４において、基板Ｓの姿勢を仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換して洗浄処理を行うようにした。 - 特許庁

A transfer means 6 for transferring in and out a wafer W in the processing chambers 1a and 1b, and storage chambers 2a and 2b is disposed in the transfer chamber 4.例文帳に追加

搬送室４内に、処理室１ａ，１ｂ及び収納室２ａ，２ｂ内のウエハＷの搬出・搬入を司る搬送手段６を配設する。 - 特許庁

To quickly adjust the pressure of a depressurized processing chamber to a desired pressure irrespective of the kind of a gas, gas flow rate, and target pressure only by setting a constant to an optimum value.例文帳に追加

定数を最適な値に設定するのみで、ガス種、ガス流量、目標圧力に関わらず、減圧処理室を速やかに所望圧力に調整する。 - 特許庁

The heat treating apparatus 1 comprises a heating plate P, which is heated by heating means 20 and cooled by a plurality of heat pipes 3 in a processing chamber 11.例文帳に追加

熱処理装置１は、処理容器１１内に、加熱手段２０により加熱され、ヒートパイプ３により冷却される加熱プレートＰを備えて構成されている。 - 特許庁

To detect foreign matters, floating in a processing chamber by an optical system constituted of one observation window and one unit and to accurately detect weak light scattered by foreign matters.例文帳に追加

処理室内に浮遊した異物の検出を、１つの観測用窓と１つのユニットで構成された光学系によって行えるようにすること。 - 特許庁

First group-III and nitrogen precursors are flowed into a first processing chamber to deposit a first layer over a substrate with a thermal chemical-vapor-deposition process.例文帳に追加

III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。 - 特許庁

The carrier 110 having the arms 114 holds a substrate spaced apart from a platform 120, such as a susceptor, etc., during loading and unloading of a processing chamber.例文帳に追加

上方延伸アーム１１４を有する基板キャリア１１０は、処理チャンバの搬入出の間、サセプタ等のプラットフォーム１２０と間隔をあけて基板を保持する。 - 特許庁

A method and an apparatus are provided for holding the substrate having a holding frame 54 capable of minimizing deformation during thermal expanding in a processing chamber.例文帳に追加

プロセス室における熱膨張中に受ける変形を最小にする支持フレーム５４を有する、基板支持のための方法及び装置を提供している。 - 特許庁

To provide a hot isotropic pressurization method in which the uniform heat property of a processing chamber in each stage which is arranged like multistage can be maintained with a simple constitution.例文帳に追加

容易な構成で多段状に配備された各段の処理室の均熱性を維持することが可能である熱間等方圧加圧方法を提供する。 - 特許庁

A gas introduction system 2 introduces gas into a plasma forming area in a processing chamber 1, and a plasma forming means 3 gives energy to form plasma P.例文帳に追加

処理チャンバー１内のプラズマ形成領域にガス導入系２がガスを導入し、プラズマ形成手段３がエネルギーを与えてプラズマＰを形成する。 - 特許庁

The plastic substrate 2 located in the rise position P3 in the step formation area 30 is sent to the second liquid chamber 21 and is lowered to a second processing position.例文帳に追加

段差形成エリア３０において上昇位置Ｐ３をとるプラスチック基材２は、その後第２液室２１へ送られて第２処理位置Ｐ２まで降下する。 - 特許庁

To apply uniform plasma processing to the surface of a substrate by controlling the quantity of plasma and radical so as to uniformly supply the radical to a chamber.例文帳に追加

プラズマやラジカルの量を制御することによって、チャンバに均一にラジカルを供給して、基板表面に対する均一なプラズマ処理を可能とする。 - 特許庁

A coarse-grained titanium or titanium-alloy material typically is heated and forced under constant pressure through a friction stir processing tooling device containing a stirring chamber and a stirring rod.例文帳に追加

粗い粒のチタンまたはチタン合金材料は、典型的には加熱され、一定圧力下で攪拌室と攪拌ロッドとを含む摩擦攪拌処理ツーリング装置を通される。 - 特許庁