「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A draw bar 240 retreats the piston member 204, and the piston member 160 advances by the inflow to the liquid chamber 168 of a working liquid in the liquid chamber 218, and the clamp claw 80 grips a processing tool.例文帳に追加

ドローバー２４０がピストン部材２０４を後退させ、液室２１８内の作動液の液室１６８への流入によりピストン部材１６０が前進し、クランプ爪８０が加工工具を把持する。 - 特許庁

The cooling chamber is divided into at least two cooling chamber parts in which bi-component filament or multi-component filament is contacted with processing air having each different convectively heat-exhausting ability.例文帳に追加

この冷却室は少なくとも二つの冷却室部分に分割され、それらには双成分フィラメント或いは多成分フィラメントがそれぞれ異なる対流排熱力をもつ処理空気と接触している。 - 特許庁

This extracting apparatus for processing the liquid containing suspended solid and meltage includes an inlet chamber (4) which is caught by an automatic sampler, to conduct liquid communication with an outlet chamber (6) via an integrated duct (8).例文帳に追加

懸濁固体と溶解物とを含む液体を処理するための装置は、オートサンプラによって受け止められ、一体化された流路（８）を介して出口チャンバ（６）と液連通する入口チャンバ（４）を含む。 - 特許庁

To prevent a substrate from being shaved off and from dimensional variation due to deposits in a reaction chamber in batch processing which performs a plurality of processes successively in an identical reaction chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a chamber 1 for housing a substrate 11, a high-frequency power supply 5 for generating a microwave, and an antenna 3 for radiating the microwave in the chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板１１を収容するためのチャンバ１と、マイクロ波を発生するため高周波電源５と、マイクロ波をチャンバ１内に放射するためのアンテナ部３とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of operating a plasma processing apparatus having an excellent mass production stability by suppressing peeling off of a reactive product deposited on inner walls (mainly, inner walls of the chamber) of a vacuum chamber other than a Faraday shield effective range.例文帳に追加

真空容器内のファラデーシールド有効範囲外（主に、チャンバー内壁）に付着した反応生成物の剥がれを抑制し、量産安定性に優れたプラズマ処理装置の運転方法を提供する。 - 特許庁

A substrate processing device 103 is connected in common to process chambers 104A-104D and a measurement process chamber 400, and comprises a common transfer chamber 102 for delivery of wafers to/from the process chambers.例文帳に追加

基板処理装置１０３は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，測定処理室４００に共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。 - 特許庁

To provide a semi-conductor device manufacturing method capable of selecting and growing a silicon epitaxial film in a processing chamber in which a substrate storage area in the chamber is set to be a substantially uniform high-temperature atmosphere.例文帳に追加

室内の基板収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室で、シリコンのエピタキシャル膜を選択成長させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate B which is the array substrate of a liquid crystal panel is inserted into a processing chamber 37a of an excimer laser anneal chamber 37 by a robot 35, and the substrate B is annealed by the eximer laser so that a polycrystalline film can be formed.例文帳に追加

液晶表示パネルのアレイ基板である基板Ｂを、ロボット35により、エキシマ・レーザ・アニール室37の処理チャンバー37a へ挿入し、エキシマ・レーザにより基板Ｂをアニールして多結晶膜を形成する。 - 特許庁

A sterilization processing apparatus (workpiece processing apparatus) including a plasma generating unit PU to make plasma of a supplied processing gas and apply it as a plume includes a sterilization processing unit SU to apply the sterilization processing to the workpieces to be processed in a chamber 510 by applying the plume P, and a control unit CU to control the action of the sterilization processing unit SU.例文帳に追加

滅菌処理装置Ｓ（ワーク処理装置）は、供給される処理ガスをプラズマ化してプルームＰとして照射するプラズマ発生ユニットＰＵを含み、処理対象であるチャンバー５１０内のワークにプルームＰの照射による滅菌処理を施与する滅菌処理ユニットＳＵと、滅菌処理ユニットＳＵの動作を制御する制御ユニットＣＵとを備えている。 - 特許庁

In a plasma processing chamber 152 of a reactor 150, plasma exposed surfaces of a plasma confinement ring (not shown), chamber wall 172, a chamber liner (not shown) and/or showerhead 154 can be provided with a plasma sprayed coating 160 with surface roughness characteristics that promote polymer adhesion.例文帳に追加

反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。 - 特許庁

This process step is preferably implemented in an integrated processing system having a long-throw PVD chamber 36, where a target 64 is separated from the substrate 66 by a long-throw distance of at least 100 mm and a hot metal PVD chamber which serves also as a reflow chamber.例文帳に追加

プロセスは、ターゲット６４と基板６６が少なくとも１００ｍｍのロングスロー距離によって分離されるロングスローＰＶＤ３６チャンバ及びリフローチャンバとしても働く熱い金属ＰＶＤを有する一体化された処理システム内で達成されるのが好ましい。 - 特許庁

For the air trap chamber upper cap, in an air trap chamber 1 installed in the middle of a blood circuit for extracorporeally circulating and processing the blood, a plurality of connection parts 7 provided on the top surface outer side of the upper cap 4 of the chamber are fixed by a wall 8.例文帳に追加

本発明のエアトラップチャンバ上部キャップは、血液を体外循環させて処理する血液回路の途中に設置されるエアトラップチャンバ１において、該チャンバの上部キャップ４の天面外側に有する複数の接続部７が壁８で固定されている。 - 特許庁

Since an IPA water vapor can be supplied in the chamber 5 or the chamber 5 can be decompressed, ozone treatment, surface treatment with a process liquid, and a dry process are carried out in a single chamber 5, resulting in a smaller footprint of the substrate processing equipment 1.例文帳に追加

さらに、チャンバ５内へのＩＰＡ蒸気供給やチャンバ５内の減圧を行うこともできるため、オゾン処理、処理液による表面処理、乾燥処理を一つのチャンバ５内にて行うことができ、基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。 - 特許庁

A peculiar vibration frequency sensor 10 is provided in a plasma processing chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and detects a shaving amount by an etching, a sputter, or the like and a change of a peculiar vibration frequency caused by a deposition, to detect a timing of the maintenance of the processing chamber.例文帳に追加

固有振動数センサ１０を半導体製造装置のプラズマ処理室内に設け、エッチング又はスパッタ等による削れ量、及びデポジションによる堆積によって生じる固有振動数の変化を検知して、処理室のメンテナンスのタイミングを検出する。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing apparatus capable of suppressing a bent of a partition structure for partitioning between a processing chamber and an antenna chamber including a dielectric wall without the need for upsizing a support part of the dielectric wall and thickening the dielectric wall.例文帳に追加

誘電体壁の支持部分を大きくすることなく、しかも誘電体壁を厚くすることなく、誘電体壁を含む、処理室とアンテナ室との間を仕切る仕切構造の撓みを抑制することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

This film forming device 10 is connected to a material supply source 30, and provided with a nozzle 14 for emitting material into a processing chamber 12 where the substrate 11 is disposed, and a pressure control system 13 for controlling the interior of the processing chamber 12 to have a lower pressure than the inside of the nozzle 14.例文帳に追加

膜形成装置１０は、材料供給源３０に接続され、基体１１が配置される処理室１２内に材料を放出するノズル１４と、処理室１２内をノズル１４内よりも低い圧力に制御する圧力制御系１３とを備える。 - 特許庁

After a developer is supplied to a substrate in a horizontal attitude in a development processing chamber 3 for developing the substrate, a cleaning fluid is supplied to a substrate S in an inclined attitude in a cleaning processing chamber 4 for cleaning the substrate S.例文帳に追加

現像処理室３において水平姿勢の基板に対して現像液を供給することにより現像処理を施した後、洗浄処理室４において傾斜姿勢の基板Ｓに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を行う。 - 特許庁

An image processing unit housing chamber 9 is formed behind the film surface under the optical system 67, and an image processing unit 22 equipped with an LCD monitor 33 together with a circuit board 76 and a non-volatile memory 59 is housed in the chamber 9.例文帳に追加

ファインダ光学系６７の下方であってフィルム面の後方に画像処理ユニット収容室９を形成し、この画像処理ユニット収容室９に、回路基板７６、不揮発性メモリ５９とともにＬＣＤモニタ３３を備えた画像処理ユニット２２を収容する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the electrolytic capacitor, this impregnation device 1 and this assembly machine, a depressurization process of depressurizing the inside of a processing chamber 2 is executed in a state where an impregnated capacitor element 11 is extracted from an electrolyte 12, and thereafter the processing chamber 2 is restored to atmospheric pressure in a pressure restoration process.例文帳に追加

電解コンデンサの製造方法、含浸装置１および組立機において、含浸済みのコンデンサ素子１１を電解液１２から出した状態で処理室２内を減圧する減圧工程を行い、その後、復圧工程で処理室２を大気圧に戻す。 - 特許庁

To provide a method for enabling detection of foreign matters for the entire part of a substrate to be processed without influence of the reflected scattering light beam generated from the internal wall of a plasma processing chamber and also for monitoring contaminating condition of the internal wall of the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室の内壁から発生する反射散乱光の影響を受けることなく、被処理基板全面にわたり異物検出が可能になると同時に、プラズマ処理室の内壁の汚染状況をモニタリングできる技術を提供することにある。 - 特許庁

On the side face 211s of an intermediate block 211 and the side face 20s of a substrate processing chamber 20a, a slide assist mechanism 30a for drawing out the substrate processing chamber 20a from a housing 11 (shelf board 112a) in the direction of a traveling route 2 by doubling an applied force is provided.例文帳に追加

中間ブロック２１１の側面２１１ｓおよび基板処理室２０ａの側面２０ｓには、与えられた力を倍力して、筐体１１（棚板１１２ａ）から基板処理室２０ａを搬送路２の方向へ引き出すスライドアシスト機構３０ａが設けられる。 - 特許庁

To provide a defective factor estimating method capable of estimating the defective factor without overlooking a processing chamber which causes a defective product even if a manufacturing device uses a plurality of processing chambers.例文帳に追加

製造装置が複数の処理室を用いていても、不良品発生要因となっている処理室を見逃すことなく推定できる不良要因推定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein mixing of boron into a high dielectric constant film is suppressed while damage to an internal wall of a processing chamber etc., and a substrate processing apparatus is suppressed.例文帳に追加

処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and method improved in uniformity of a film thickness across the principal surface of two or more substrates (including wafers) in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内にある複数の基板（ウエハを含む）の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing method capable of preventing deformation of a container caused by local overheat in a plasma processing chamber, and depositing a thin film layer of excellent adhesiveness and gas barrier property.例文帳に追加

プラズマ処理室内の局所的過熱による容器の変形を防止し、密着性及びガスバリア性に優れる薄膜層を形成できるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

This method includes a step of performing the plasma pre-heating of at least one processing volume structure in a processing volume surrounding the substrate when the substrate is present in the deposition chamber.例文帳に追加

本方法は、堆積チャンバ内に基板が存在する場合に、基板を取り囲んでいる処理容積内の少なくとも１つの処理容積構造体をプラズマ予熱することを含んでいる。 - 特許庁

The food processing machine is so constituted that air whose oxygen concentration is controlled by an oxygen enriching device 5 is supplied into processed foods 2a in a food processing chamber 2 which processes the foods into liquid.例文帳に追加

酸素富化デバイス５によって酸素濃度を調整した空気を、食品を液状加工する食品加工室２内の加工食品２ａ中に供給するようにしたものである。 - 特許庁

To provide a microwave introduction apparatus wherein microwaves can be uniformly introduced into a plasma processing chamber, and to provide a SWP (Surface Wave Plasma) processing apparatus which can carry out a process uniformly without any damages by plasmas.例文帳に追加

マイクロ波を均一にプラズマ処理室内に導入できるマイクロ波導入装置、およびプラズマダメージのない均一な処理ができるＳＷＰプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To enable batch processing of a larger number of substrates to be processed by loading a larger number of substrates to be processed with respect to a reaction chamber of a limited volume in a vertical type substrate processing apparatus.例文帳に追加

縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。 - 特許庁

One end of this rotary mechanism 12 is provided at the bottom surface of the processing chamber 11, while the other end is provided with a placement tray 13 for placing a semiconductor wafer W as the processing object.例文帳に追加

この回転機構１２の一端は、処理室１１の底面に取り付けられており、他端には被処理体である半導体ウエハＷを載置する載置台１３が取り付けられている。 - 特許庁

As shown in Fig.1, a vapor-phase processing apparatus 1 includes a processing chamber 4, a reactant gas supply section (reactant gas supply member 9), a gas inlet section (gas guide section 2), and a temperature control section 3.例文帳に追加

気相処理装置１は、図１に示すように、処理室４と、反応ガス供給部（反応ガス供給部材９）と、ガス導入部（導入部２）と、温度制御部３とを備える。 - 特許庁

In the cleaning apparatus configured in such a manner, there is no chance that the leaked processing solvent can leak to the outside of the chamber 1 even in the event of leakage of the processing solvent from the first rotation sealing part 43.例文帳に追加

このように構成される洗浄装置では、第１回転シール部４３から処理液が漏れたとしても、漏れた処理液がチャンバ１の外部に漏れるおそれがない。 - 特許庁

The buffer unit 4 is temporarily store the substance, which is supplied from an external supply source 20 and is required for substrate processing, and supplies the stored substance to a processing chamber 2.例文帳に追加

バッファユニット４は、外部供給源２０から供給される、基板処理に必要な物質を一時的に貯留し、この貯留された物質を処理室２に供給可能である。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a semiconductor device that performs substrate processing with sufficient reproducibility, even if a surface state of an inner wall of a processing chamber fluctuates.例文帳に追加

処理室内壁の表面状態が変動しても、再現性よく基板処理を実施できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device capable of suppressing the generation of gas or particles in a vacuum chamber as compared with prior art, and capable of performing good vacuum processing.例文帳に追加

従来に較べて真空チャンバ内におけるガスの発生やパーティクルの発生を抑制することができ、良好な真空処理を行うことのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

Infrared light having a wavelength corresponding to an absorption band of moisture contained in medicine in processing fluid introduced into a processing chamber 11 of a pressure vessel 1 is irradiated.例文帳に追加

圧力容器１の処理チャンバー１１内に導入された処理流体中の薬剤に含有される水分の吸収帯に対応した波長を有する赤外光を照射する。 - 特許庁

The equipment for producing a semiconductor substrate comprises a processing chamber for containing at least one semiconductor substrate and processing the semiconductor substrate by using processing liquid, and a section for activating the processing liquid by forming an electric field in a processing liquid channel.例文帳に追加

半導体基板を製造する装置であって、少なくとも一つの半導体基板を収容し、処理液を使用して半導体基板上に処理を実行する処理室と、前記処理液が流れる流路に電場を形成して前記処理液を活性化させる電場形成部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 特許庁

To obtain a substrate processing system having a plurality of chambers for processing substrates continuously in which cross contamination is prevented by separating the atmosphere among the substrate processing chambers and the quality of a semiconductor film and the substrate processing capacity are prevented from deteriorating due to mixing of a different gas species with a material gas in the substrate processing chamber.例文帳に追加

基板を連続して処理する複数の基板処理室を備えた基板処理装置において、基板処理室間の雰囲気分離を行い、クロスコンタミネーションを防止し、原料ガスと異なるガス種が基板処理室内に混入することによる半導体膜の膜質悪化及び基板処理能力の悪化を防止する。 - 特許庁

To improve process quality and yield by suppressing heat radiation from a furnace port in the processing furnace, and improving uniformity of temperature distribution within the substrate surface simultaneously with increase of uniform temperature length in the processing chamber in the substrate processing apparatus.例文帳に追加

基板処理装置に於いて、処理炉に於ける炉口部からの放熱を抑制し、処理室の均熱長を増大させると共に基板面内の温度分布の均一性を向上して、処理品質、歩留りの向上を図る。 - 特許庁

To provide the method of processing a substrate which can remove chlorine efficiently and certainly without adding a chamber dedicated to removing remained chlorine on the substrate to an apparatus for processing the substrate which performs substrate processing such as dry etching using chlorine-based gas.例文帳に追加

ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To detect sticking of a substrate in a reaction chamber for processing the substrate placed on a surface of a holding body for processing which includes a lift pin for elevating the substrate from the surface of the holding body for processing.例文帳に追加

処理用支持体であって、該処理用支持体の表面から基板を昇降させるためのリフトピンを含む処理用支持体の表面上に置かれた基板を加工する反応チャンバにおいて、基板の貼り付きの発生を検出する。 - 特許庁

A substrate conveying mechanism 3 conveys the substrate subjected to water cleaning processing by being dipped in pure water in a processing chamber equipped on a cleaning processing unit 1 in a state where a water film adheres on the surface of the substrate.例文帳に追加

洗浄処理ユニット１に装備された処理槽内の純水中に浸漬されることで水洗処理された基板は、その表面に水膜を付着させた状態で基板搬送機構３によりスピン処理ユニット２に搬送される。 - 特許庁

The semiconductor workpiece processing apparatus has a sealing member for sealing the inside of the semiconductor workpiece processing chamber when the semiconductor workpiece processing station 1 operates; and a cooling device for ensuring a normal operation of the sealing member.例文帳に追加

半導体ワークピースの処理装置は、半導体ワークピースの処理ステーション１が動作する場合、半導体ワークピースの処理チャンバー内部をシールするためのシール部材と、シール部材の正常動作を確保するための冷却装置とを有する。 - 特許庁

To provide a waste gas processing method for a semiconductor manufacturing device so as to inexpensively and easily remove harmful polyfluoride compound gas used for a cleaning or etching processing inside a processing chamber in a plasma CVD device and a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を提供する。 - 特許庁