「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

A material to be deposited is subjected to deposition processing when the carrier is positioned in the process chamber PC1(PC2) by the transferring device and the material to be deposited is replaced when the carrier is positioned in the load-lock chamber LL1(LL2, LL3) by the transferring device.例文帳に追加

搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）内に位置するとき被成膜材が交換される。 - 特許庁

This vapor-phase growth device includes a reaction chamber 50 for holding substrates 15 being processing objects, and a gas introduction part 21 for supplying a reaction gas to the reaction chamber 50.例文帳に追加

当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。 - 特許庁

A substrate W loaded into a cleaning chamber 10 through a substrate inlet 11 located at the upper part of the chamber 10 is dipped by a substrate transfer mechanism 70 into a processing tank 30 where pure water is kept.例文帳に追加

まず、洗浄室１０上部の基板搬入口１１から搬入した基板Ｗを、基板搬送機構７０により純水を貯留した処理槽３０に浸漬する。 - 特許庁

A photographic material is passed through a chamber holding a processing solution and is processed by raising the temperature of the solution when the material is passed through the chamber.例文帳に追加

処理溶液を保持しているチャンバーに写真材料を通し、上記チャンバーに上記材料を通す際に、上記溶液の温度を上昇させることによって写真材料を処理する。 - 特許庁

A chamber 10, which is a container for a semiconductor processing apparatus, comprises a shield 1 constituting the outer walls of a vacuum chamber 9, and insulating members 5a and 5b attached to the shield 1.例文帳に追加

半導体処理装置用容器であるチャンバー１０が、真空室９の外壁を構成するシールド１と、シールド１に取り付けられた絶縁部材５ａおよび５ｂとから構成される。 - 特許庁

An apparatus for heat treating the substrate comprises a DCC processing unit 13 for curing a coating liquid coating a wafer W, capable of forming two treating chambers of a high-temperature heating chamber 23 and a temperature-lowering chamber 24.例文帳に追加

ウェハＷ上に塗布された塗布液を硬化させるためのＤＣＣ処理ユニット１３を高温加熱室２３と降温室２４の２つの処理室が形成できるように構成する。 - 特許庁

As a section for optically stimulating gas, a processing gas supply chamber 11 formed by a UV-ray transmitting window 5 is provided outside a reaction chamber 2 for containing a wafer W.例文帳に追加

処理ガスを光励起する光励起部として、紫外線透過窓５により画成される処理ガス供給室１１を、ウェハＷが収容される反応チャンバ２の外部に設ける。 - 特許庁

A vacuum processing system 50 has a common transfer chamber 51 constituted as a load-lock chamber wherein transfer apparatuses 20a-20c for transferring the processed substrates can be moved inside.例文帳に追加

真空処理システム５０は、被処理基板を搬送するための搬送装置２０ａ〜２０ｃが内部を移動可能なロードロック室として構成された共通搬送室５１を有する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a processing chamber for performing prescribed plasma processing operations to an object to be processed, a gas supply mechanism for supplying a gas for processing of the object, a first vacuum pump connected to the processing chamber and having a vacuum state kept therein, and a second vacuum pump connected to the gas supply mechanism for evacuating the gas supply mechanism.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記被処理体を処理するためのガスを供給するガス供給機構と、前記処理室に接続されて当該処理室内を減圧状態に維持する第１の真空ポンプと、前記ガス供給機構に接続されて当該ガス供給機構を排気する第２の真空ポンプを有する。 - 特許庁

In the processing chamber 10, the substrate 1 placed on rollers 4 is transferred in the depthwise direction in a front view of the figure, and a processing liquid is supplied from a nozzle 2 to the surface of the substrate 1.例文帳に追加

処理室１０内で、ローラ４に搭載された基板１が図面奥行き方向へ移動され、ノズル２から基板１の表面へ処理液が供給される。 - 特許庁

The processing chamber 5 is equipped with movable chambers 6 and 11, and the movable chambers 6 and 11 are each brought into close contact with the transfer trays 2 to form plasma processing chambers 7 and 12.例文帳に追加

処理室５には複数の可動チャンバー６，１１を備え、可動チャンバー６，１１と搬送トレー２とを密着させることで複数のプラズマ処理室７，１２を構成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can efficiently remove attached substances even in an area within a processing chamber that is hard to be exposed to plasma, and to provide a cleaning method therefor.例文帳に追加

プラズマに暴露されにくい処理室内の領域においても、効率的に付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

A determination processing part 25 determines that the inside of an airtight chamber reaches a prescribed degree of vacuum, if the mean value calculated by the mean value calculation processing part 24 is below a prescribed threshold.例文帳に追加

判定処理部２５は、平均値算出処理部２４が算出した平均値が、所定の閾値以下であれば、前記気密室内が所定の真空度に達したと判定する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of securing a retreat place for wafers before and after processing without increasing the scale of the mechanism of a delivery chamber nor making it complicated.例文帳に追加

受け渡しチャンバ室の機構を大型化、複雑化させることなく、処理前後のウェハの退避場所を確保できる、真空処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The processing for decompressing the pressure chamber and changing the condition into vacuum condition is made to be performed at the timing under recording operation before the processing for ejecting the ink or the timing under recording standby.例文帳に追加

圧力室を減圧して負圧状態にする処理を、インクを排出させる処理に先立つ記録動作中または記録待機中のタイミングで行うようにする。 - 特許庁

In such a plasma processing device, a circular truncated vacuum vessel 23 of dielectrics is provided, and the plasma processing chamber 26 is formed in the vacuum vessel 23.例文帳に追加

このようなプラズマ処理装置において、誘電体からなる円錐台形状の真空容器２３を設け、真空容器２３内にプラズマ処理室２６を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which is easy in handling and is capable of guiding the side surfaces of a substrate for supplying a process fluid 14 to a flat and fragile substrate 2 in a processing chamber.例文帳に追加

処理室で平坦な壊れやすい基板（２）に処理液（１４）を供給するために、取扱いが容易で側面案内が可能である処理装置を提供する。 - 特許庁

This method further comprises a step of removing the first wafer and processing another wafer using the same process without cleaning the inside of the processing chamber between wafers.例文帳に追加

この方法は第１のウエハを除去し、かつウエハ間で処理室内を清掃することなく同じ工程を用いてさらなるウエハを処理する工程をさらに含む。 - 特許庁

To suppress sticking of particles onto a wafer due to the variation in exhaust pressure while preventing large variation in exhaust pressure caused depending upon a processing state of one processing chamber.例文帳に追加

１つの処理室における処理状況によりは排気圧が大きく変動することはなく、排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 - 特許庁

To improve productivity by making a film thickness of a thin film formed on an inner wall of a processing chamber thin in precoat processing performed after cleaning to prolong a cleaning cycle.例文帳に追加

クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。 - 特許庁

To enhance throughput in a vacuum processing apparatus for vacuum-processing a wafer being a semiconductor substrate in a vacuum chamber after orienting the wafer in a predetermined direction.例文帳に追加

半導体基板であるウエハに対して、ウエハの向きを所定の向きに合わせた後、真空処理室にて真空処理を行うに装置において、スループットを高めること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus able to prolong its life by preventing abnormal discharge at a shower plate that is a gas introducing means into a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室へのガス導入手段となるシャワープレートにおける異常放電を防止し、その寿命を延ばすことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a gas processing apparatus that reduces variation in gas processing from one processed body to another without having to run a dummy, even when a gas is used that adsorbs to the chamber.例文帳に追加

チャンバーに吸着するガスを用いた場合でもダミーを流すことなく、被処理体間のガス処理のばらつきを低減することができるガス処理装置を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, the processing gas (a second gas) formed of a compound including nitrogen is introduced to the vacuum chamber, and the semiconductor substrate 10 is irradiated with the plasma thereof (nitrogen plasma processing step).例文帳に追加

続いて、真空チャンバに窒素含有化合物からなる処理ガス（第２のガス）を導入し、そのプラズマを半導体基板１０に照射する（窒素プラズマ処理工程）。 - 特許庁

To address, in the present invention, a problem how to prevent contamination of a wafer and a chamber in a plasma processing apparatus and a plasma processing method suitable for usage, in the case of wafer plasma etching.例文帳に追加

本発明はウェハをプラズマエッチングする際に用いて好適なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、ウェハやチャンバの汚染を防止することを課題とする。 - 特許庁

Embodiments generally provide an apparatus and a method for processing substrates using a multi-chamber processing system (e.g., a cluster tool) that has increased throughput and increased system reliability.例文帳に追加

実施形態は、一般的に、スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system, a method, and a medium for controlling a wafer processing chamber using two or more processors (within one or more computer processing systems), wherein specified functions are assigned to each processor.例文帳に追加

それぞれに関数が割り当てられる２つ以上のプロセッサ（一つ以上のコンピュータ処理システム内）を用いてウエハ処理チャンバを制御するためのシステム、方法及び媒体。 - 特許庁

To provide a substrate processing device capable of suppressing chemical reaction of a by-product produced in substrate processing as it comes into contact with water remaining in a load lock chamber.例文帳に追加

基板処理時に生成する副生成物がロードロック室に残留する水分と接触し化学反応することを抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method of thermally processing a substrate inside a processing chamber with a radiation source for heating the substrate which extracts information through low-temperature measurement by a pyrometer.例文帳に追加

高温計による低温測定によって情報を抽出する基板過熱用放射源付き処理チャンバ内で基板を熱処理する装置と方法を提供する。 - 特許庁

In an apparatus for plasma etching, no high-frequency discharge occurs when no processing gas is supplied to the processing space of a chamber 10, and no load substantially exists for plasma generation.例文帳に追加

このプラズマエッチング装置において、チャンバ１０の処理空間に処理ガスを供給しない時は高周波放電が起こらず、プラズマ生成用負荷は実質的に存在しない。 - 特許庁

After the formation of a lubricant layer, the substrate 9 is conveyed to a post- processing chamber 26, and post-processing for adjusting the adhesion and lubrication of the lubricant film is carried out in vacuum.例文帳に追加

潤滑層形成後に基板９は後処理チャンバー２６に搬送され、潤滑層の付着性及び潤滑性を調節する後処理が真空中で行われる。 - 特許庁

To improve uniformity of substrate processing between a plurality of substrates when the substrates are continuously processed by irradiating the inside of a processing chamber housing a substrate with light.例文帳に追加

基板が収容された処理室内に光を照射して複数枚の基板を連続的に処理する際に、基板間における基板処理の均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a stripping apparatus which is capable of easily changing a processing time for a substrate, corresponding to the state of a film regardless of the size of a processing chamber and a transfer speed.例文帳に追加

処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる剥離装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the increase of the temperature of a process chamber, to stabilize processing quantity, to realize continuous processing on a substrate to be treated in a long time, and to improve through-put.例文帳に追加

プロセスチャンバの温度上昇を抑制し、処理品質の安定、長時間に亘る被処理基板への連続処理を可能とし、スループットの向上を図るものである。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, along with a method of controlling the same, for stabilizing wafer processing characteristics, by measuring the temperature of a plasma resistant wall material so as to carry out temperature control, even in such arrangement that the materials of the same quality are in a line without changing the plasma resistant wall material in a processing chamber of the plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の処理室内の耐プラズマ壁材を変えず、同材質が並ぶ配置のままでも耐プラズマ壁材温度を測定し温度制御を行ってウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置及び制御方法とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus, wherein a film of good quality can be obtained by minimizing an impurity concentration of a thin film formed by a microwave plasma processing apparatus including a dielectric for introducing an electromagnetic wave into a processing chamber.例文帳に追加

電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The substrate processing equipment has a system for supplying first processing gas containing trimethyl aluminum and second processing gas containing oxygen (O) alternately into a chamber for processing a wafer, and an exhaust system 250 and forms a thin film of aluminum oxide on the wafer.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェハを処理する処理室内に、トリメチルアルミニウムを含む第１の処理ガスと、酸素（Ｏ）を含む第２の処理ガスとを交互に供給するガス供給系と、排気系２５０とを有し、ウェハ上に酸化アルミニウムの薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which a plurality of processing chambers to perform processing on substrates are connected to a vacuum conveyance chamber and which can suppress increase in an installation area (footprint) by suppressing the increase of apparatus size due to attachment/detachment of the lid of the processing chambers.例文帳に追加

基板に対して処理を行うための処理室を真空搬送室に複数接続した基板処理装置において、処理室の蓋体の着脱に伴う装置の大型化を抑えてフットプリントの増大を抑制できる技術を提供すること。 - 特許庁

To rovide plasma processing equipment which can perform various plasma processing even in a process where the conditions of plasma processing are limited by its device configuration when at least two plasma processing steps are performed in the same plasma reaction chamber.例文帳に追加

同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The apparatus includes at least one semiconductor workpiece processing chamber provided with a plurality of processing stations 1, 1, and executes processing for one semiconductor workpiece for each semiconductor workpiece processing station 1.例文帳に追加

複数の処理ステーション１、１が設置されている半導体ワークピースの処理チャンバーを少なくとも一つ含み、各半導体ワークピースの処理ステーション１毎に一つの半導体ワークピースに対して処理を行う半導体ワークピースの処理装置である。 - 特許庁

In this pressure controlling method of a precision machining chamber 8 and a processing machine 1 disposed in the precision machining chamber 8 and having the air hydrostatic bearing, the processing machine 1 is driven while settling a pressure difference between the pressure of the machining atmosphere in the precision machining chamber 8 and the air pressure supplied into the air hydrostatic bearing.例文帳に追加

精密加工室８と、精密加工室８内に配置され空気静圧軸受けを有する加工機１との気圧制御方法において、精密加工室８の加工雰囲気の気圧と、空気静圧軸受けに供給される空気圧との圧力差を一定に保ちながら加工機１を駆動する。 - 特許庁

Frequency of transfer to a processing chamber is increased and the number of successive transfers to the processing chamber is minimized for a farther transfer robot as seen from a load lock, and the transfer operation is performed based on a transfer destination determining means and an operation control rule to make the number of successive transfers to an intermediate chamber an odd number as much as possible.例文帳に追加

ロードロックからみて、より遠い搬送ロボットほど処理室搬送の回数を多くし、又、処理室搬送の連続回数を出来るだけ少なくし、かつ、中間室搬送の連続回数を出来るだけ奇数回にする搬送先決定手段及び動作制御ルールをもとに搬送動作が行われることを特徴とする。 - 特許庁

A photosensitive material A is subjected to submerged conveyance by a sealing member 32 located between the processing chamber 16 for development and the processing chamber 18 for desilvering adjacent to the chamber 16 to prevent increase of yellow stain and soil of the photosensitive material A due to production of tar by air oxidation of a developing agent.例文帳に追加

現像処理用の処理室１６と、これに隣接して配置された脱銀処理用の処理室１８との間に設けたシール手段３２によって、感光材料Ａを液中搬送し、現像主薬が空気酸化してタールが生成しイエローステインの悪化や感光材料Ａに汚れが生じることを防止する。 - 特許庁

In a charged particle beam plotter system for drawing patterns on a substrate by using a charged particle beam, there are provided a vacuum processing chamber 100 for applying patterns to the substrate, an auxiliary vacuumizing chamber 200 connected with the vacuum processing chamber 100 via a gate valve GV1, and a heating means 9 for heating the substrate by projecting light on the substrate put in the auxiliary chamber 200.例文帳に追加

荷電粒子線を用いて基板上に描画パターンを描画する荷電粒子線描画装置において、基板を描画処理する為の真空の処理室１００と、処理室１００にゲートバルブＧＶ１を介して接続された真空可能な予備室２００と、予備室２００内に載置された基板に光を照射して基板を加熱する加熱手段９とを有する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that performs selenization or sulfurization process for forming a light absorbing layer of a CIS-based solar cell, which includes a furnace body whose machining is easier than that of a quartz chamber, and also provide a chamber whose handling is easier than that of the quartz chamber.例文帳に追加

ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層形成のためのセレン化又は硫化処理を行う基板処理装置において、石英製のチャンバーと比較して、加工が容易な炉体を有する基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁