「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The carbon dioxide fluid contaminated containing the nonvolatile organic residue thus extracted is then taken out from the processing chamber so that the organic residue is not deposited on the component made of a polymer material by reducing the pressure in the processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバを減圧することにより、有機残渣がポリマー材料製構成部品上に堆積しないように、抽出された不揮発性有機残渣を含む汚染された二酸化炭素流体を処理チャンバから取り出す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of avoiding contamination of the inside of a processing chamber and a substrate by preventing etching of a high purity SiC film formed on the surface of a substrate support composed of a carbon base or Si-impregnated SiC base, when cleaning the processing chamber.例文帳に追加

カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。 - 特許庁

A processing chamber S is formed between the lid 41 and the mounting pad 40 by the first step of the descending motion of the lid 41, and the processing chamber S becomes smaller in volume, when the lower end of the lid 41 is fitted into the groove 42 by the second step of the descending motion of the lid 41.例文帳に追加

蓋体４１は１段階目の下降で載置台４０との間に処理室Ｓを形成し，２段階目の下降で蓋体４１の下端部が溝４２に挿入され，処理室Ｓの容積が小さくなる。 - 特許庁

When the washing water is replenished to the fifth processing chamber 98, excess washing water is discharged from an upper end of the second piping part 100B to the first piping part 100A and flows into the fourth processing chamber 96.例文帳に追加

第５処理室９８に水洗水を補充すると、余剰の水洗水が第２の配管部分１００Ｂの上端から第１の配管部分１００Ａへと排出され、第４処理室９６へ流れ込む。 - 特許庁

The method further includes the step of, after that, in the same processing chamber, or after disposing the base material on which the Co film is deposited in another processing chamber, annealing this base material in a mixture gas atmosphere containing ammonia gas and hydrogen gas at another predetermined temperature.例文帳に追加

その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor using the apparatus, the control valve discharges a part of the pressure recovering gas supplied to the processing chamber to the outside when the pressure recovering gas is supplied to the processing chamber under the pressure reduced state.例文帳に追加

この装置を用いた半導体製造方法においては、制御バルブは減圧状態の処理チャンバに復圧ガスを供給する際に処理チャンバに供給された復圧ガスの一部を外部に排出する。 - 特許庁

To suppress metallic contamination in a processing chamber and a breakage of a quartz member, while suppressing decrease in film formation rate in a thin film formation process immediately after dry cleaning of the inside of the processing chamber, and to enhance the operation rate of the apparatus.例文帳に追加

処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる。 - 特許庁

In the hydrogen-storing step, the temperature in the processing chamber is heated to at least a first processing-chamber temperature T_1 so that the temperature of the alloy is not lowered from a maximum temperature of T_max by ≤100°C after reaching to the maximum temperature of T_max.例文帳に追加

水素吸蔵工程では、合金の温度が最高温度Ｔ_maxに到達した後、最高温度Ｔ_maxから１００℃以上低下しないように処理室内の温度を第１処理室温度Ｔ_1以上に加熱する。 - 特許庁

Inside a processing chamber 51 in a heating processing unit (HP), a plate 52 for heating a wafer W at the temperature of 200-800°C, for instance, is arranged.例文帳に追加

加熱処理ユニット（ＨＰ）における処理室５１内には、ウエハＷを例えば２００〜８００℃の温度で加熱処理するためのプレート５２が配置されている。 - 特許庁

To provide a showerhead electrode assembly for a semiconductor substrate processing device and a thermal control plate for supporting a showerhead electrode in a semiconductor substrate processing chamber.例文帳に追加

半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリ、および半導体基板処理室内のシャワーヘッド電極を支持するための熱制御板を提供する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of particles at a higher accuracy, without being damaged to the inside of a film-forming chamber (particularly, the mounting tray of a processing substrate) by a precoating processing.例文帳に追加

プリコーティング処理により成膜室内（特に被処理基板の載置台）にダメージを与えることなくパーティクルの発生を更に高精度で抑える。 - 特許庁

An exhaustion system 19 exhausts so that the pressure in the vacuum waveguide 13 becomes lower than that in a processing chamber in which the plasma processing is carried out.例文帳に追加

排気システム１９は、真空導波管１３内の圧力がプラズマ処理を行う処理チャンバ１内の圧力よりも低い圧力に排気する。 - 特許庁

A dustproof cover 13 to surround a relative region between the two processing devices 2 is situated at the central part of the whole cover 1 and a processing chamber 14 is formed inside the dust cover.例文帳に追加

全体カバー１の中心部に２台の加工装置２の相対領域を包囲する防塵カバー１３を設け、その内側に加工室１４を形成する。 - 特許庁

The emission intensity of a processing gas correlated with the surface temperature of inner wall of the vacuum processing chamber is measured to control the intermittent generation of plasma 402.例文帳に追加

また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。 - 特許庁

The thermal processing section 32 of this apparatus has a hot air supply unit 140 for supplying hot air into the processing chamber of a pre-baking unit (PRE-BAKE) 48.例文帳に追加

この熱的処理部３２は、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８の処理室内に温風を供給するための温風供給部１４０を備えている。 - 特許庁

To provide a substrate processing device that excellently replaces the atmosphere in a processing chamber without requiring large exhausting capability for exhaustion from an exhaust port.例文帳に追加

排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a particle detector capable of acquiring accurate information concerning a distribution of particles floating in a processing chamber of a semiconductor processing device.例文帳に追加

半導体処理装置の処理室内を浮遊するパーティクルの分布に関する正確な情報を取得することができるパーティクル検出装置を提供する。 - 特許庁

Microwave and plasma-produced gas are introduced into a processing chamber 2, and high frequency voltage is applied to a sample bed 3 for plasma processing on the sample W.例文帳に追加

処理室２内にマイクロ波及びプラズマ生成ガスが導入され、試料台３に高周波電圧が印加されて試料Ｗにプラズマ処理が施される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which allows the removal of attachments out of a processing chamber while the apparatus is kept in operation, and to provide its controlling method.例文帳に追加

稼動状態を維持したまま処理室内から付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, where a plurality of discharge spaces exist in one chamber and power can be equally introduced to each electrode, and to provide a semiconductor element manufactured by the plasma processing device.例文帳に追加

放電空間が１つのチャンバー内に複数あり、それぞれの電極に均等に電力を導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The vapor-phase processing apparatus 1 includes a processing chamber 4 for circulating a reaction gas, gas inlets (gas supply ports 13), and rectifying plates 20.例文帳に追加

この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。 - 特許庁

To provide a technique for improving space efficiency in a sheet type vacuum processing device composed by combining a common carrying chamber with a plurality of vacuum processing chambers.例文帳に追加

複数の真空処理室に共通の搬送室を組み合わせてなる枚葉式の真空処理装置において、スペース効率を高める技術を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature control mechanism capable of performing the temperature control of a chamber wall or the like of a processing device with high accuracy, and to provide a processing device using the same.例文帳に追加

処理装置のチャンバ壁等の温度制御を高精度で行うことができる温度制御機構およびそれを用いた処理装置を提供すること。 - 特許庁

In this case, the semiconductor manufacturing system is provided at least with a processing chamber, a film thickness measuring unit, a terminal detecting unit, a data base, and a central operation processing unit.例文帳に追加

また、半導体製造システムは、処理室と、膜厚測定ユニットと、終点検出ユニットと、データベースと、中央演算処理ユニットとを少なくとも備えている。 - 特許庁

The plasma processing is performed in the plasma processing chamber by supplying high frequency output of a high frequency power source through an impedance matching device.例文帳に追加

高周波電源の高周波出力をインピーダンス整合器を介してプラズマ処理室に供給し、このプラズマ処理室でプラズマ加工を行う構成とする。 - 特許庁

The vertical CVD apparatus includes supply systems 42 and 44 for feeding processing gas into a processing chamber 8 and a control unit 5 for controlling the operations of the apparatus.例文帳に追加

縦型ＣＶＤ装置は、処理室８内に処理ガスを供給する供給系４２、４４と、装置の動作を制御する制御部５とを含む。 - 特許庁

To provide a substrate processing chamber for processing substrates such as semiconductor wafers, flat panel substrates, solar panels, etc., including mechanism for in-situ plasma cleaning.例文帳に追加

半導体ウェーハ、フラットパネル基板、ソーラーパネル等の基板を処理するための、ｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄機構を含む基板処理チャンバを提供する。 - 特許庁

The microwave plasma processing device has a waveguide 30 having a branch portion BP, a slot antenna having a plurality of slots, a dielectric window, and a processing chamber.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置は、分岐部分ＢＰを有する導波管３０、複数のスロットを有するスロットアンテナ、誘電体窓および処理室を有している。 - 特許庁

To provide a base board processing device capable of maintaining certain airtightness of a cover with respect to a processing chamber despite its simple configuration.例文帳に追加

簡易な構成でありながら、処理チャンバーとカバーとの気密状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a post-treating method which can prevent etching not only in a processing chamber but also in a carrier system certainly.例文帳に追加

処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁

A washing processing unit 100 which is one embodiment of a processing unit comprises a career placing part 1 for placing a career C wherein wafers are accommodated, a chamber 21 for washing processing of the wafers, and a wafer conveyance 3 for conveying the wafers between a career placing part 1 and the chamber 21.例文帳に追加

処理装置の一実施形態である洗浄処理装置１００は、ウエハが収容されたキャリアＣを載置するキャリア載置部１と、ウエハを洗浄処理するチャンバ２１と、キャリア載置部１とチャンバ２１との間でウエハを搬送するウエハ搬送部３を有している。 - 特許庁

Further, it includes a boat stand 221 serving as a placing means where the boat 217 is placed in the processing chamber 201, and the activating means 250 that is equipped with rod-shaped electrodes 269 and 270 which are provided inside or along the processing chamber 201 to excite the processing gas.例文帳に追加

さらに、ボート２１７を処理室２０１内で載置する載置手段となるボート台２２１と、処理室２０１内または処理室２０１に沿って設けられた処理ガスを励起するための棒状電極２６９、２７０を有する活性化手段２５０とを備える。 - 特許庁

After the substrate W is cleaned in the processing chamber 30, the substrate W is pulled up by the substrate transfer mechanism 70 and transferred into a drying chamber 20 through an opening 80.例文帳に追加

処理槽３０内における洗浄処理終了後、基板搬送機構７０により基板Ｗを引き揚げ、開口部８０を経由して乾燥室２０内へ搬送する。 - 特許庁

A chamber 100 for processing a wafer 102 has a ring 104 to separate the inner space of the chamber 100 into an upper portion 106 and a lower portion 108.例文帳に追加

ウエハ１０２を処理するためのチャンバ１００は、チャンバ１００の内部空間を上側部分１０６と下側部分１０８とに分離するためのリング１０４を有している。 - 特許庁

Since the vaporization chamber 70 has a higher pressure than a vacuum processing chamber 26 of the radiation source, the liquid target material can be condensed into the target filament by a stable method.例文帳に追加

気化室は７０、放射線源の真空加工室２６よりも高圧であるため、液体標的物質を凝縮し、安定的方法で標的フィラメントにできる。 - 特許庁

The gas-feeding device has a gas container 11 installed in the neighborhood of a processing chamber 2, and this container 11 is connected to the chamber 2 through a gas piping 12.例文帳に追加

ガス供給装置１０は、処理チャンバ２の近傍に設置されたガス容器１１を有し、このガス容器１１は、ガス配管１２により処理チャンバ２と接続されている。 - 特許庁

In another aspect, the volume of the processing chamber can be adjusted by removing or inserting at least one removable sidewall section from or into the chamber lid.例文帳に追加

他の態様では、チャンバ蓋から少なくとも１つの取外し可能な側壁部を取り除いて、または挿入して、処理チャンバの体積を調整することができる。 - 特許庁

To provide a processing apparatus of a substrate allowing the atmosphere in a chamber to be uniformly exhausted to the widthwise direction and lengthwise direction of this chamber.例文帳に追加

この発明はチャンバ内の雰囲気をこのチャンバの幅方向と長手方向に対して均一に排気できるようにした基板の処理装置を提供することにある。 - 特許庁

The body houses at least a portion of a robot 205 adapted to transport a substrate between the processing chamber and the load lock chamber.例文帳に追加

本体部は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボット２０５の少なくとも一部を収容している。 - 特許庁

By providing a bypass line 50 which allows the cleaning gas to be exhausted without passing a processing chamber 10, an efficient cleaning can be performed, while the contamination of the chamber or the like is prevented.例文帳に追加

処理チャンバ１０を介さずにクリーニングガスを排出できるバイパスライン５０を設けることにより、チャンバなどの汚染を防ぎつつ効率的なクリーニングが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device of a batch processing form has a radical-supplying device 40 for supplying the radical into a load lock chamber 31 at a position adjacent to the load lock chamber 31.例文帳に追加

バッチ処理形の半導体製造装置は、ロードロックチャンバ３１に隣接する位置に、ロードロックチャンバ３１内にラジカルを供給するラジカル供給装置４０を有する。 - 特許庁

To provide a conveyance chamber capable of surely detecting abnormality, such as a position shift and chipping, of a large-sized rectangular substrate, and to provide a substrate processing apparatus having such a conveyance chamber.例文帳に追加

大型の矩形基板の位置ずれや欠けなどの異常を確実に検出できる搬送室およびそのような搬送室を備えた基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum chamber in which strength as a vacuum container can be ensured while employing a division structure, and to provide a vacuum processing device equipped with the vacuum chamber.例文帳に追加

分割構造を採用しながら真空容器としての強度を確保することが可能な真空チャンバおよび該真空チャンバを備えた真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To adjust the direction of an orientation mark of a semiconductor substrate 2, in a conveyance chamber 1 without using a new driving system nor a dedicated processing chamber.例文帳に追加

新たな駆動系や専用の処理室を用いることなく、半導体基板２のオリエンテーションマークの向きを搬送室１内で調整することができるようにする。 - 特許庁

A processing chamber 40 for secondary combusting ash 22 discharged from combustibles 20 after combustion is provided at the upper end of a combustion chamber 10 through a heat resistant plate 30.例文帳に追加

燃焼させた可燃物２０から排出される灰２２を２次燃焼させる処理室４０を、燃焼室１０の上端に耐熱板３０を介して設ける。 - 特許庁