「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The interior of the processing chamber 12 where the substrate 11 is disposed is controlled to have a lower pressure than the interior of the nozzle 14, and material is emitted from the nozzle 14 to the substrate 11 in the pressure-controlled processing chamber 12.例文帳に追加

基体１１が配置される処理室１２内をノズル１４内よりも低い圧力に制御し、圧力制御された処理室１２内でノズル１４から基体１１に向けて材料を放出する。 - 特許庁

Atmospheric gas 7, introduced into a processing chamber 1, is controlled so as to realize quick rise or quick drop in the temperature, and especially, a cooled gas is introduced into the processing chamber 1 in a temperature drop process.例文帳に追加

高速昇降温を実現するため処理室１に導入する雰囲気ガス７の温度調節を行って、とくに降温過程において冷却したガス７をチャンバーに導入できるようにする。 - 特許庁

A gas inlet port 10 introducing process gas into a processing chamber 1 in a vacuum vessel 2, and an exhaust port 13 exhausting the inner part of the processing chamber 1 are arranged oppositely across the substrate to be processed S.例文帳に追加

真空容器２内の処理室１にプロセスガスを導入するガス導入口１０と処理室１内部を排気する排気口１３とを被処理基板Ｓを間に挟んで対向配置する。 - 特許庁

The ion supply unit 21 reduces by-products produced in a processing chamber 51 by supplying the hydride ions so taken out into the processing chamber 51 with the aid of carrier gas that is inactive gas.例文帳に追加

イオン供給ユニット２１は、取り出した水素化物イオンを、不活性ガスであるキャリアガスによって処理チャンバ５１内に供給することにより、処理チャンバ５１内で発生した副生成物を還元する。 - 特許庁

The HMDS processing apparatus 1 is constituted by installing a vapor scattering part 30 which vaporizes HMDS vapor from liquid HMDS 101 in an HMDS processing chamber 10, and HMDS processing is performed by generating an HMDS processing atmosphere in the HMDS processing chamber by saturating the inside with the HMDS vapor.例文帳に追加

液体状ＨＭＤＳ１０１からＨＭＤＳ蒸気を揮発させる蒸気散逸部３０をＨＭＤＳ処理室１０の内部に備えてＨＭＤＳ処理装置１を構成し、このＨＭＤＳ処理室１０内にＨＭＤＳ蒸気を飽和させてなるＨＭＤＳ処理雰囲気を形成させてＨＭＤＳ処理を行う。 - 特許庁

Out of a pair of chambers of the batch type vacuum processing apparatus 11 provided with the pair of chambers vertically constituted so as to be connected in the vertical direction, the upper chamber is used as a heat chamber 13 and the lower chamber is used as a process chamber 12.例文帳に追加

上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備えるバッチ式真空処理装置１１の一対のチャンバのうち、上側チャンバを加熱チャンバ１３として用い、下側チャンバをプロセスチャンバ１２として用いる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes processing chambers belonging to a first group for executing a first processing method, processing chambers belonging to a second group for executing a second processing method, and a transportation means for transporting a substrate to the processing chamber.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、第一の処理方法を実行する第一のグループに属する処理室と、第二の処理方法を実行する第二のグループに属する処理室と、処理室に基板を搬送する搬送手段とを備える。 - 特許庁

A liquid processing apparatus 10 includes: a processing chamber 20; nozzles 82a for supplying a fluid to a substrate W held by a substrate holding part 21; nozzle support arms 82 supporting the nozzles 82a; and an arm standby part 80 provided adjacent to the processing chamber 20 and used as a place in which the nozzle support arms 82 withdrawn from the processing chamber 20 stand by.例文帳に追加

液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。 - 特許庁

A resist denaturation processing unit (VOS) 15a for oxidating a resist film formed on a wafer W with a processing gas including vapor and ozone comprises a hermetically sealed chamber 30 housing the wafer W, a processing gas supplying unit 16 for supplying the processing gas including vapor and ozone to the chamber 30, and an exhaust unit 32 for exhausting from the chamber 30.例文帳に追加

水蒸気とオゾンを含む処理ガスによりウエハＷに形成されたレジスト膜を酸化処理するレジスト変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａは、ウエハＷを収容する密閉式のチャンバ３０と、チャンバ３０に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガス供給装置１６と、チャンバ３０からの排気を行う排気装置３２と、を具備する。 - 特許庁

Since the supply flow rate of the processing gas is set smaller than the discharge flow rate in the processing gas discharging path, the negative pressure in the processing chamber 20 generated by a flow rate difference causes the purge gas in the buffer chamber 7 to be supplied to the processing chamber 20 via a purge gas supply hole 74 which is a gap between the container body 2 and the lid member 3.例文帳に追加

前記処理ガスの供給流量は、前記処理ガス排気路における排気流量よりも小さく設定されているので、これらの流量の差により生じた処理室２０内の負圧により、バッファ室７内のパージガスが、前記容器本体２と蓋体３との隙間よりなるパージガス供給孔７４を介して処理室２０に引き込まれる。 - 特許庁

In the substrate processing system comprising substrate processing chambers 301, 303, and a buffering chamber 302 having an exhaust system 306b independently from the substrate processing chambers, connecting pipes 304a, 304b are provided between the substrate processing chambers and the buffering chamber and the connecting pipe is provided with a gas introduction opening.例文帳に追加

基板処理室301、303と、基板処理室とは独立した排気系306bを持つ緩衝室302を設けた基板処理装置において、基板処理室と緩衝室の間は、接続管304a、304bを設け、接続管にガス導入口を設けたことを特徴とした基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 2 for processing the substrate, a support base 4 for supporting the substrate 3 in the processing chamber; a heating means 6 for heating the substrate 3, a first cover member 48 for covering the circumference edge of the substrate placed on the support base, and a second cover member 49 placed on the first cover member.例文帳に追加

基板を処理する処理室２と、該処理室内で基板３を支持する支持台４と、基板を加熱する加熱手段６と、前記支持台に載置された基板の周縁部を覆う第１カバー部材４８と、該第１カバー部材上に載置される第２カバー部材４９とを具備する。 - 特許庁

To provide a substrate-processing apparatus for assuring space enough to perform the pulling-out operation of a processing chamber 21 in performing its maintenance, and at the same time disposing a scaffold for the maintenance, in the substrate-processing apparatus 1 equipped with the processing chamber 21 disposed to be stacked in a multi-stage structure.例文帳に追加

多段に積層配置された処理室２１を備える基板処理装置１において、処理室２１のメンテナンスを行う際に処理室２１の引き出し作業が可能となる空間を確保しつつ、メンテナンス用の足場を配置可能な基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A vapor-phase growth device includes a processing chamber 10 for holding a substrate 12 to be processed inside, exhaust members, more specifically, an exhaust gas introduction port 15 and an exhaust gas line 16 which are connected to the processing chamber 10 for exhausting the gas from the processing chamber 10, and a pressure loss generation member 18 provided in an exhaust path from the substrate 12 disposed in the processing chamber 10 to the exhaust member.例文帳に追加

処理対象物である基板１２を内部に保持する処理室１０と、上記処理室１０からガスを排気するため上記処理室１０に接続された排気部材すなわち排気ガス導入口１５および排気ガスライン１６と、処理室１０に配置された基板１２から上記排気部材までの排気経路に設置された、圧力損失発生部材１８と、を備える気相成長装置とする。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing device includes a load lock chamber 40 having a lid 31 and a body 32 into which a substrate to be processed is carried, a reaction chamber 40 to which the substrate is carried from the load lock chamber 30 for processing the substrate, and a buffer chamber 1 for connecting the load lock chamber 30 with the reaction chamber 40 permitting the substrate being carried to pass through inside.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、被処理基板が搬入され、蓋３１と本体３２とを有するロードロック室４０と、ロードロック室３０から被処理基板が搬送され、該被処理基板に処理を行う反応室４０と、ロードロック室３０と反応室４０を繋ぎ、搬送中の被処理基板が内部を通るバッファー室１とを具備する。 - 特許庁

Processing gas consisting of a gaseous mixture of N2, H2 and Ar, whose flow rate ratio (Ar/(N2+H2+Ar)) is 0.7-0.8, is introduced to the inside the processing chamber 102, and a pressure atmosphere inside the processing chamber 102 is set to 5 mTorr-15 mTorr.例文帳に追加

処理室１０２内に流量比（Ａｒ／（Ｎ_2＋Ｈ_2＋Ａｒ））が０．７〜０．８のＮ_2とＨ_2とＡｒの混合ガスから成る処理ガスを導入し，処理室１０２内の圧力雰囲気を５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒに設定する。 - 特許庁

Start (step S3) of cleaning with a processing fluid supplying an etchant mixed into SCCO2 to a processing chamber makes methanol to be included in the etchant, and puts the inside of the processing chamber in high relative permittivity environments.例文帳に追加

エッチャントをＳＣＣＯ2に混合させた処理流体を処理チャンバーに供給して洗浄処理を開始する（ステップＳ３）が、エッチャント内にメタノールを含有させて洗浄処理の開始時点より処理チャンバー内を高比誘電率環境に整えている。 - 特許庁

To provide a processing system for processing a substrate with a plasma which comprises a processing chamber 12 configured so as to contain plasma, a substrate support 20 inside the chamber, and a plurality of electrode 44, 46 coupled to the substrate support 20.例文帳に追加

プラズマを含むように構成された処理チャンバ１２と、チャンバ内部の基板支持体２０と、基板支持体２０に結合された複数の電極４４、４６とを備える、プラズマを用いて基板を処理するための処理システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a transfer device which can accurately transfer parts placed in a processing chamber without undergoing effects of heat transfer even when processing at a relatively high temperature is performed in the processing chamber under a reduced pressure, and has good assembling workability of component parts.例文帳に追加

減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。 - 特許庁

To enable various steam annealing processings, depending on purposes by significantly expanding the control scope of steam concentration in a processing atmosphere, and to enable safe steam supply to a processing chamber, even when the processing chamber becomes high in pressure.例文帳に追加

処理雰囲気における水蒸気濃度の制御範囲を大幅に拡大することにより目的に応じて種々の水蒸気アニール処理を可能とする共に、処理室が高圧となる場合でも処理室への安全な水蒸気供給を可能とする。 - 特許庁

A reactor 10 for processing a semiconductor substrate is equipped with a reactor housing 14 demarcating a processing chamber 22, and a platform 28 supported in a rotatable manner in the reactor housing 14 to support a substrate in a rotatable manner in the processing chamber 22.例文帳に追加

半導体基板を処理する反応器１０は、処理チャンバ２２を画成する反応器ハウジング１４と、反応器ハウジング内に回転可能に支持されたプラットフォーム２８であって、処理チャンバ内で基板を回転可能に支持するプラットフォームとを備える。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus, which generates plasma by supplying a microwave into a processing chamber and processes the object based on the plasma, at least one antenna which is passed through the sidewall or top board of the processing chamber is arranged on the sidewall or top board.例文帳に追加

処理チャンバ内にマイクロ波を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、チャンバ壁、またはチャンバ天板に、該チャンバ壁または天板を貫通しする少なくとも１つのアンテナを配置する。 - 特許庁

The electron beam irradiation surface reforming device 1 is provided with an electron beam generation chamber 25, an electron beam housing 10 which forms the electron beam generation chamber 25 and has an emitting mouth 13a, and a processing housing 30 which forms a processing chamber 31 and has an incident mouth 30a.例文帳に追加

電子ビーム照射表面改質装置１が、電子ビーム発生室２５と、電子ビーム発生室２５を形成し出射口１３ａを有する電子ビームハウジング１０と、加工室３１を形成し入射口３０ａを有する加工ハウジング３０とを備える。 - 特許庁

In the case of the dangerous bomb, it is temporarily processed with the emergency processing robot 67, and then conveyed into a danger bomb processing chamber 9.例文帳に追加

危険弾の場合には応急処理用ロボット６７で応急処理した後に取り出して危険弾処理室９内に搬送して処理する。 - 特許庁

The nozzle 20 is made to face the treatment space 19 via an installation port 13 of the processing chamber 10, and a processing gas is supplied to the treatment space 19.例文帳に追加

ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and its controlling method, which removes a deposition from a processing chamber even during operation.例文帳に追加

稼動状態を維持したまま処理室内から付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the estimation processing of the cetane number is executed while temperature in a combustion chamber is made to be generally constant, and the correct estimation processing is enabled.例文帳に追加

これにより、燃焼室内の温度をほぼ一定とした状態でセタン価推定処理が実行され、正確な推定処理が可能となる。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which can substitute the inside of a processing chamber by a low oxygen concentration atmosphere in a short time, and an atmosphere substituting method.例文帳に追加

短時間にて処理室内を低酸素濃度雰囲気に置換することができる基板処理装置および雰囲気置換方法を提供する。 - 特許庁

To quickly and highly precisely transfer a substrate to a predetermined location with respect to a mount table in a processing chamber while simplifying the structure of a substrate processing system.例文帳に追加

基板処理システムの構成を簡素化しつつ、処理チャンバ内の載置台に対して基板を所定位置に高精度かつ迅速に搬送する。 - 特許庁

An induction coupled plasma generation source and an antenna shape are important elements for determining plasma in a processing chamber and the uniformity of processing.例文帳に追加

誘導結合プラズマ発生源及びアンテナ形状は、処理室内部のプラズマ及び処理均一性を決定する際の重要な要素である。 - 特許庁

The wafers 200 are processed by supplying a plurality processing gases GAS1 to GAS3 from gas introducing tubes 241a to 241c into the processing chamber 201.例文帳に追加

ガス導入管２４１ａ〜２４１ｃから処理室２０１内に複数種の処理ガスＧＡＳ１〜ＧＡＳ３を供給してウェハ２００を処理する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which by-products adhering to the inner wall of a processing chamber can be removed while minimizing drop in throughput.例文帳に追加

スループットの低下を抑制しつつ、処理室内壁に付着した副生成物を除去することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In the substrate processing method, after a predetermined number of processings are performed, power is turned on without the substrate W being put into the chamber 10, and a flushing processing is performed.例文帳に追加

処理を所定回数行った後には、チャンバー１０内に基板Ｗを入れないで電源を投入してフラッシング処理を行う。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment that suppresses damages to a processing chamber that causes contamination over samples and mixing of foreign matter with improved operating ratio.例文帳に追加

試料への汚染及び異物混入の原因となる処理室の損傷を抑制し、稼働率の向上したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which is capable of efficiently decomposing waste gas with a plasma without affecting a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理チャンバに影響を与えることなく、排ガスをプラズマにより効率よく分解することのできる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The processing chamber is machined from a single aluminum piece and cylinders are crossed each other to form a processing cavity and a pump cavity.例文帳に追加

前記処理チャンバは、単一のアルミニウム片から機械加工され、円筒同士を交差させることにより、処理キャビティ及びポンプキャビティが作成される。 - 特許庁

To make a processing facility compact without generating a failure such as dust adhesion inside a combustion chamber in an exhaust gas processing process of an ash melting furnace.例文帳に追加

灰溶融炉の排ガス処理過程で燃焼室内でのダスト付着などの障害を発生させことなく、処理設備のコンパクト化を図る。 - 特許庁

A zinc crucible 3 for generating zinc vapor as a P-type impurity is disposed below a group of a processing containers 1 within a processing chamber 5.例文帳に追加

処理室５内の処理容器１群の下方には、Ｐ型不純物である亜鉛の蒸気を発生させる亜鉛壺３が配置されている。 - 特許庁

Since temperature rise of the radiation thermometer is prevented, the temperature in the processing chamber is measured adequately.例文帳に追加

放射温度計の温度上昇を防止できるので処理室内の温度を適正に測定できる。 - 特許庁

Any impurity in the metal melt is separated physically or chemically in a processing chamber 13.例文帳に追加

処理室１３でその金属溶湯中の不純物を物理的又は化学的処理により分離させる。 - 特許庁

Thereafter, a high-frequency voltage is applied between a shower head 12 arranged inside the processing chamber 2 and an electrode 5 while a second cleaning gas containing NF_3 and Ar is supplied into the processing chamber 2, F radical and Ar ion are generated, and remaining HfO_2 or the like is removed out of the processing chamber 2.例文帳に追加

その後、処理チャンバ２内にＮＦ_３及びＡｒを含んだ第２のクリーニングガスを供給するとともに処理チャンバ２内に配設されたシャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧を印加し、Ｆラジカル及びＡｒイオンを発生させて、残りのＨｆＯ_２等を処理チャンバ２内から取り除く。 - 特許庁

There is provided a drain buffer tank 16 arranged below a processing chamber 14 through a first drain valve 30, the first drain valve 30 is opened under a state in which inside portions in the processing chamber 14 and in the drain buffer tank 16 are reduced to the same pressure as a predetermined pressure to cause pure water in the processing chamber 14 to be discharged into the drain buffer tank 16.例文帳に追加

処理チャンバ１４の下方に第１ドレンバルブ３０を介して設けられるドレンバッファタンク１６を備え、処理チャンバ１４内及びドレンバッファタンク１６内を同じ所定圧に減圧した状態で、第１ドレンバルブ３０を開いて、処理チャンバ１４内の純水をドレンバッファタンク１６に排出する。 - 特許庁

When deciding the presence of foreign matters in a processing chamber, by projecting a laser beam on the inside of the processing chamber and by detecting the scattering lights emitted from the foreign matters present in the processing chamber, the detections of the scattering lights are performed over a wide range with nearly equal sensitivities, by using a detecting lens having a wide field angle and a deep focal depth.例文帳に追加

レーザ光を処理室内に照射し、処理室内の異物からの散乱光を検出することで処理室内の異物の有無を判定する際に、散乱光の検出を、広い画角と深い焦点深度を持つ検出レンズにより行うことで、広範囲に亘り、ほぼ同じ感度で行えるようにする。 - 特許庁

An infrared lamp 35 is housed in the laser processing chamber 37.例文帳に追加

赤外線ランプ３５は、レーザ処理チャンバ３７内に収納されて、ガラス基板３２を赤外線で照射する。 - 特許庁

According to this method, the plasma is generated in the plasma chamber 41 to apply the plasma processing on a semiconductor wafer W.例文帳に追加

これにより、プラズマ室４１内にプラズマを発生させ、半導体ウエハＷにプラズマ処理を施す。 - 特許庁