「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate processing apparatus comprises a process chamber for processing a substrate, a heating device for heating the process chamber, a power supply line which is connected to the heating device, a transformer provided on the power supply line, and a transformer housing chamber for housing the transformer.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室を加熱する加熱装置と、加熱装置に接続される電源供給ラインと、電源供給ラインに設けられる変圧器と、変圧器を収納する変圧器収納室とを備える。 - 特許庁

The sample processing apparatus has a processing chamber equipped with a part for fixing the particulate sample processing/retaining material, an FIB irradiation system for irradiating the particulate sample processing/retaining material with FIB, and a vacuum decompression system.例文帳に追加

前記の微粒子試料加工保持材の固定部、微粒子試料加工保持材にＦＩＢを照射するＦＩＢ照射系および真空減圧系を備えた加工室を具備した試料加工装置。 - 特許庁

To provide a processing system device of a workpiece with which a difference between devices is eliminated and the same processing result can be obtained even if a processing is performed in a different processing chamber by using the same process recipe.例文帳に追加

同一のプロセスレシピを用いて異なる処理チャンバで処理を行っても装置間差をなくして同一の処理結果を得ることが可能な被処理体の処理システム装置を提供する。 - 特許庁

Under the same pressure conditions as upon plasma processing operation of a plasma processing apparatus 1, a projected deformation is made to be generated toward the interior of a chamber 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１でのプラズマ処理時と同じ圧力条件下で、チャンバ２の内部に向けて凸状の撓みを発生させる。 - 特許庁

The processing solvent supply-pipes 20, 21, 22 respectively supply the first and the second processing solvents to the chamber 10.例文帳に追加

この処理液供給管２０，２１，２２からそれぞれ第１の処理液および第２の処理液をチャンバー１０内に送るようになっている。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal oxide film, whereby the reforming processing and crystallizing processing can be conducted continuously in the same chamber.例文帳に追加

改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なうことができる金属酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device, along with a substrate processing apparatus, capable of efficiently vaporizing a liquid raw material supplied into a processing chamber.例文帳に追加

処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus capable of monitoring the number of particles so as to highly correlate with the actual amount of particles in a processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバー内の実際のパーティクル量と高い相関関係でパーティクル数をモニタすることができる処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus that supplies a processing gas into a cylindrical processing chamber 12 accommodating the workpiece W to generate plasma and performs the plasma processing on the workpiece W with the generated plasma includes a first light irradiator of irradiating a nearly center portion in the processing chamber 12 with light and a second light irradiator of irradiating a region in the processing chamber 12 on the side of a peripheral wall with light.例文帳に追加

被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of specifying a hand to be used for conveying a substrate to a specified part such as a processing chamber by a user.例文帳に追加

ユーザが処理チャンバなどの所定部に対する基板の搬送に用いるべきハンドを指定可能な基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus in which a substrate processing chamber is small and substrates can be easily delivered, and moreover, the substrates can be protected from being contaminated.例文帳に追加

基板処理室が小型で，基板の受け渡しを簡単に行うことができ，しかも基板を汚染させない処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of preventing leakage of a processing liquid from an inspection cover provided liquid-tightly on a chamber.例文帳に追加

チャンバに液密に設けられた点検用カバーの箇所から処理液が漏れ出るのを防止した処理装置を提供することにある。 - 特許庁

A vapor phase processing apparatus 1 includes a processing chamber 4, a susceptor 2, a heater 5, a wall part cooling member 52, and a reactive gas supply member 9.例文帳に追加

気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。 - 特許庁

A processing chamber can be configured as a thermal stack module within a wafer track cell for exposing a semiconductor wafer surface to a processing plasma.例文帳に追加

処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。 - 特許庁

A showerhead electrode and wafer chuck assembly may be positioned within the processing chamber for effecting plasma-enhanced processing of the semiconductor wafer.例文帳に追加

シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 1 for dry-processing a substrate is furnished with a chamber 2, a vapor feed unit 4, an opening/closing valve 6, and a control unit 7.例文帳に追加

基板を乾燥処理する基板処理装置１に、チャンバ２、蒸気供給部４、開閉バルブ６、および制御部７を設ける。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of both improving the uniformity of processings by a processing solution and efficiently substituting the processing liquid stored in the processing chamber by the other processing solution.例文帳に追加

処理の状況に応じて、処理液による処理の均一性を向上させることも、処理槽の内部に貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることもできる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

At least one removable sidewall is eliminated from the chamber cover or inserted in another mode, and the volume of the processing chamber can be adjusted.例文帳に追加

他の態様では、チャンバ蓋から少なくとも１つの取外し可能な側壁部を取り除いて、または挿入して、処理チャンバの体積を調整することができる。 - 特許庁

The condensed target filament is discharged from the vaporization chamber 70 to the processing chamber 26 as a stable filament 62 toward a target region 20.例文帳に追加

凝縮した標的フィラメントを気化室７０から加工室２６内に安定したフィラメント６２として標的領域２０に向かって放出する。 - 特許庁

The high frequency antenna 13 is disposed inside the antenna chamber 4, a mounting base 22 for mounting an LCD glass substrate LS is disposed inside a processing chamber 5.例文帳に追加

アンテナ室４内には高周波アンテナ１３が配設され、処理室５内にはＬＣＤガラス基板ＬＳを載置するための載置台２２が配設される。 - 特許庁

In another embodiment, the volume of the processing chamber is adjusted by removing/inserting at least one removable sidewall from/into the chamber lid.例文帳に追加

他の態様では、チャンバ蓋から少なくとも１つの取外し可能な側壁部を取り除いて、または挿入して、処理チャンバの体積を調整することができる。 - 特許庁

By providing a bypass line capable of exhausting a cleaning gas without passing a processing chamber, efficient cleaning can be performed, preventing contamination of the chamber or the like.例文帳に追加

処理チャンバを介さずにクリーニングガスを排出できるバイパスラインを設けることにより、チャンバなどの汚染を防ぎつつ効率的なクリーニングが可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma processing system where sticking of deposits to the inner wall of a chamber or an in-chamber member, such as an insulator, can be prevented.例文帳に追加

チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a chamber (etching processing chamber) capable of stopping production of particles (foreign matter) when particles not smaller than 2.0 μm are produced.例文帳に追加

２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To improve cleanliness level of the entire carrying route from a coater developer or the like for performing the pre- and post-processings of a water to processing chamber, such as a vacuum alignment chamber.例文帳に追加

ウエハの前後処理を行なうコーターディベロッパー等から減圧露光室等の処理室に到る搬送経路全体のクリーン度を向上させる。 - 特許庁

The thermal processing apparatus includes a storage chamber which contains the object and an atmospheric gas, and a capacity changing means of changing the capacity of the storage chamber.例文帳に追加

その熱処理装置は、対象物と雰囲気ガスを収容する収容室と、収容室の容積を変更する容積変更手段を備えている。 - 特許庁

Next, the pressure in the vacuum chamber is reduced to the pressure lower than that in the chamber immediately before the start of silicon processing step (evacuating step).例文帳に追加

次に、真空チャンバ内の圧力を、シリコン処理工程を開始する直前のチャンバ内の圧力よりも低い圧力まで減圧する（減圧工程）。 - 特許庁

Gas in the plurality of vacuum processing chambers is discharged to a common relaxation chamber by a turbo pump, and the relaxation chamber is kept at a pressure lower than the atmospheric pressure by a backing pump.例文帳に追加

複数の真空処理チャンバは、ターボポンプによって、共通の緩和チャンバに排気され、緩和チャンバは、バッキングポンプによって大気圧より低圧に維持される。 - 特許庁

This equipment is configured in a way that two wafers, one unprocessed wafer and one processed wafer, can be carried together between the load lock chamber and processing chamber.例文帳に追加

この装置は、ロードロックチャンバと処理チャンバとの間で、二つのウエハ、即ち、一つの未処理ウエハ及び一つの処理済みウエハを同時に運ぶように適合される。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer in a plasma reactor chamber by controlling a plurality of chamber parameters in accordance with desired values of a plurality of plasma parameters.例文帳に追加

複数のプラズマパラメータの所望の値に従って複数のチャンバパラメータを制御することによる、プラズマリアクタチャンバ内でのウェハ処理法に関する。 - 特許庁

To prevent trouble such that a cartridge chamber cover closed again is locked and is not opened from occurring even when inadvertently opening the cartridge chamber cover in the midst of VEI processing.例文帳に追加

ＶＥＩ処理中にカートリッジ室蓋を誤って開放した場合でも再び閉じたカートリッジ室蓋がロックして開かなくなる事故を未然に防止する。 - 特許庁

Further, an exhaust part 56 for exhausting the atmosphere of the processing chamber 20 is provided at the outer side of the cup outer peripheral cylinder 50 in the process chamber 20.例文帳に追加

また、処理室２０内の雰囲気の排気を行うための排気部５６が処理室２０内においてカップ外周筒５０の外側に設けられている。 - 特許庁

The internal capacity of a relaxation device forms a buffer for reducing the influence of the pressure change in one processing chamber on the pressure in another chamber.例文帳に追加

緩和装置の内部容量は、１つの処理チャンバにおける圧力変化が別のチャンバ内の圧力に及ぼす影響を低減する緩衝となる。 - 特許庁

An epitaxial growth system 10 comprises a chamber section 12 for placing a semiconductor wafer 100, and a section 16 for supplying processing gas into the chamber.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するチャンバ部１２とチャンバ内に処理ガス等を供給するガス供給部１６とを備えている。 - 特許庁

An inductive coupling plasma etching device includes a body container 1 that is partitioned into an antenna chamber 4 and the processing chamber 5 by a partitioning structure 2 including the dielectric wall 3.例文帳に追加

誘導結合プラズマエッチング装置は、誘電体壁３を含む仕切り構造２により、アンテナ室４と処理室５とに区画された本体容器１を含む。 - 特許庁

Gate valves 30a and 30b having valve elements 31a and 31b, respectively, are arranged doubly between a vacuum processing chamber 10 and a load lock chamber 20.例文帳に追加

真空処理室１０とロードロック室２０との間には、それぞれ弁体３１ａ，３１ｂを有するゲートバルブ３０ａ，３０ｂが二重に配備されている。 - 特許庁

The cooling and processing device cools and processes the food material received in the cooling chamber 3 and sterilizes the food material with the ozone in the cooling chamber 3.例文帳に追加

そして、冷却加工装置は、冷却室３内に収納された食材を冷却加工するとともに、オゾンによって冷却室３内を殺菌する。 - 特許庁

This is a device for a neutral particle ray beam having a plasma chamber 1 for forming plasma and emitting ion beams, a capillary part 2 for neutralizing ion beams, and a processing chamber 3 for irradiating the beams passing the capillary part on the processed object.例文帳に追加

この中性化を、イオンビームの生成条件や加工条件とは独立に制御可能とし、品質の高い中性粒子ビームを得る。 - 特許庁

To provide a plasma processing system where sticking of deposits to the inner wall of a chamber or a in-chamber member, such as an insulator, can be prevented.例文帳に追加

チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a technology for detecting a minus charged dust adhering onto a semiconductor wafer in semiconductor production equipment comprising a processing chamber, a carrying chamber and a load lock chamber.例文帳に追加

処理室、搬送室およびロードロック室を備えた半導体製造装置において半導体ウエハ上に付着するマイナス電荷に帯電した異物を検出することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The inductively coupled plasma processing apparatus 1 includes a process chamber 2, a lower electrode 6 arranged in the process chamber 2, and an inductively coupled coil 4 for generating plasma in the process chamber 2.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ処理装置１は、処理室２、この処理室２内に配置された下部電極６、処理室２内にプラズマを発生させるための誘導結合コイル４を備えている。 - 特許庁

To obtain a method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, which can measure the amount of deposition on a film in a processing chamber from the outside of the chamber while not hindering the vacuum condition of the chamber.例文帳に追加

処理室内における堆積膜の付着量等を処理室の真空状態を阻害することなく処理室外から測定できる半導体デバイスの製造方法及び製造装置を実現する。 - 特許庁

The air mount is provided outside the chamber to suppress degradation of atmosphere in the chamber, while the elastic airtightness keeping means is inserted to reduce the effects of deformation of the chamber on position and attitude of the processing device.例文帳に追加

エアマウントをチャンバの外部に設置してチャンバ内の雰囲気の劣化を抑え、弾性気密保持手段を解することによりチャンバの変形が処理装置の位置や姿勢に与える影響を軽減させる。 - 特許庁

The heating and cooling apparatus 100 for the same vacuum processing chamber 40 is thermally separated into a substrate heating chamber 20 and a substrate cooling chamber 30 capable of simultaneously housing plural substrates respectively.例文帳に追加

同一の真空処理室４０の加熱・冷却装置１００において、それぞれ複数枚の基板を同時に収容出来る、基板加熱室２０と基板冷却室３０とに、熱的に分離して設ける。 - 特許庁

To obtain an apparatus and a method for fabricating a semiconductor device in which prealignment is performed before a wafer enters a processing chamber and the wafer is carried into the processing chamber after dust is removed.例文帳に追加

ウェハが処理室に入室する前にプリアライメントを行う半導体装置の製造装置および半導体製造方法において、裏面のゴミを除去してからウェハを処理室に搬送する。 - 特許庁