「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

One tabular tray 5 is placed on the guide plate 7 in a processing object carrying-out chamber 2.例文帳に追加

被処理物搬出室２におけるガイドプレート７には１枚の板状トレー５が載置されている。 - 特許庁

To provide a clothes dryer processing the loss heat of control elements of a rotating chamber motor and a compressor in a small size at a low cost.例文帳に追加

回転庫モータと圧縮機の制御素子の損失熱を小型、低コストで処理する。 - 特許庁

To effectively remove reaction by-products from a region where a gas line contacts the processing chamber.例文帳に追加

プロセスガスラインが処理室に接する箇所における反応副生成物を効果的に除去する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is allocated, opposing a gas inlet port 22 at the inside of a processing chamber 12.例文帳に追加

半導体基板１は、処理室１２の内部にガス導入口２２に対向して配置される。 - 特許庁

The pressure in the chamber CH of the one vacuum processing unit VU is reduced from the atmospheric pressure.例文帳に追加

そして、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から減圧される。 - 特許庁

To reduce air flowing outward from the inside of a processing chamber without increasing production cost.例文帳に追加

製造コストを増加させることなく、処理室の内側から外側に流出する空気を抑える。 - 特許庁

To clean members in a depressurized processing chamber by dispersing particulates from surfaces of the members.例文帳に追加

減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus wherein maintenance work inside the chamber body is performed without detaching a substrate holding section.例文帳に追加

基板を保持する保持部を取り外すことなくチャンバ本体の内部のメンテナンスを行う。 - 特許庁

A first and a second substrate-holding-rotating mechanism 11, 12 are provided in a processing chamber 1.例文帳に追加

処理チャンバ１の内部に、第１および第２基板保持回転機構１１，１２が備えられている。 - 特許庁

A vapor or mist of organic acid is introduced into the processing chamber to clean the board.例文帳に追加

処理チャンバ内に、有機酸を、蒸気またはミストの状態で導入し、基板を清浄化する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which a transfer chamber is automatically purged by means of inert gas.例文帳に追加

不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser chip is loaded into the processing chamber of a load lock-type sputtering device (step S10).例文帳に追加

ロードロック式のスパッタ装置の処理室内に、半導体レーザチップを搬入する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

The processing chamber 101 includes a lower element 150, an upper element 110, and a seal-biasing device.例文帳に追加

処理チャンバー１０１は下部要素１５０と上部要素１１０とシール付勢器とを有する。 - 特許庁

A high-frequency electrode 320 is disposed in the processing chamber 100, and a high frequency is applied to it.例文帳に追加

高周波電極３２０は、処理室１００の中に配置され、高周波が印加される。 - 特許庁

A method for controlling the water vapor level in a semiconductor processing chamber is also provided.例文帳に追加

また、半導体プロセスチャンバー内部の水蒸気レベルを制御するための方法が提供される。 - 特許庁

A substantially flat plate-shaped antenna section 7 introducing electromagnetic waves into a plasma processing chamber 1 is provided with a recess.例文帳に追加

プラズマ処理室１に電磁波を投入する略平板状のアンテナ部７に凹部を設けた。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for vaporizing and delivering liquid precursor to a processing chamber.例文帳に追加

液体前駆物質を処理チャンバへ気化及び配送する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The deposition method relates to a method of processing the deposition apparatus having a face plate in a process chamber.例文帳に追加

成膜方法は、プロセスチャンバ内にフェースプレートを有する成膜装置を処理する方法に係る。 - 特許庁

To release lock of a cartridge chamber, without changing the use state display of a spool after VEI processing.例文帳に追加

ＶＥＩ処理後、スプールの使用状態表示を変化させずに、カートリッジ室のロックを解除する。 - 特許庁

The rectifying plates 20 are formed so as to cover the gas inlets within the processing chamber 4.例文帳に追加

整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。 - 特許庁

A long-length rotary mechanism 12 is installed at the center of the bottom surface of a processing chamber 11.例文帳に追加

処理室１１の底面中央には、長尺状の回転機構１２が設置されている。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a fixed frame, a process chamber, a feed unit and a supplying unit.例文帳に追加

本発明による基板処理装置は、固定フレーム、工程チャンバ、移送部、及び供給部を有する。 - 特許庁

A gas supply means 16 for introducing a processing gas into the vacuum chamber 10 is provided.例文帳に追加

真空チャンバ１０内に処理ガスを導入するガス供給手段１６が設けられている。 - 特許庁

The processing chamber 14 has an opening in the side wall 24 for providing access to the process space 26.例文帳に追加

反応室（１４）は、その側壁（２４）に、プロセス空間（２６）へのアクセスをもたらす開口部を有する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 10 has a vacuum chamber 12, a plasma source 14 and a electrode part 16.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、真空容器１２と、プラズマ源１４と、電極部１６とを有する。 - 特許庁

To clean members in a depressurized processing chamber by dispersing particulates from surfaces of the members.例文帳に追加

減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。 - 特許庁

The method for curing low dielectric constant materials in a process chamber during semiconductor processing is given.例文帳に追加

低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING ARCING AT PORT EXPOSED TO PLASMA IN PLASMA PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

プラズマ処理チャンバでプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置 - 特許庁

To provide a substrate support for supporting a substrate to be processed in a vacuum processing chamber.例文帳に追加

処理対象である基板を真空処理チャンバ内で支持するための基板支持体を提供する。 - 特許庁

Accommodation containers 1, each having a gallium-phosphor semiconductor wafer W held therein, are accommodated within a processing chamber 5.例文帳に追加

ガリウム燐半導体ウエハＷを保持した収容容器１は、処理室５に収容されている。 - 特許庁

Each of multiple substrates is transferred sequentially into the processing chamber to perform a process that includes etching.例文帳に追加

複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。 - 特許庁

To provide an electrode assembly for a plasma reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極アセンブリを提供する。 - 特許庁

Furthermore, purge gas 3 is supplied into the processing chamber after the second step and before the first step.例文帳に追加

さらに第２の工程の後、第１の工程の前に処理室内にパージガス３を供給する。 - 特許庁

In the dew condensation prevention processing chamber 120, temperature of the TAC film 3 is maintained within a predetermined range.例文帳に追加

結露防止処理室１２０では、ＴＡＣフィルム３の温度が所定の範囲内に維持される。 - 特許庁

A PECVD reactor (10) includes a processing chamber (12) having a first electrode (16) in its inside.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ反応器（１０）は、内部に第１電極（１６）を備える処理室１２を含む。 - 特許庁

To provide a plasmas processing device capable of making a density distribution of plasma uniform in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

ALIGNMENT MECHANISM IN LOAD LOCK CHAMBER, PROCESSING DEVICE, ALIGNMENT METHOD AND TRANSFER METHOD例文帳に追加

ロードロック室内の位置合わせ機構及び処理装置及び位置合わせ方法及び搬送方法 - 特許庁

In another embodiment, the first and second etching processes are performed in the same processing chamber.例文帳に追加

他の実施形態において、第１及び第２のエッチングステップは、同じ処理チャンバで実施される。 - 特許庁

The vacuum-processing apparatus for a large substrate is constructed with the door, disposed electrically conductive with the near part of the vacuum-processing chamber body continuously or intermittently in the circumference of the periphery of the part contacting the vacuum-processing chamber body.例文帳に追加

扉が真空処理室本体と当接する部位の外周付近全周囲を連続して、若しくは断続して該真空処理室本体の至近部分と電気的導通手段を配設した構成の大型基板用真空処理装置。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes the lid retention mechanism 741 arranged on a revolving arm 7 extended from a rotary table 721 above a vacuum conveyance chamber 4, and the lid retention mechanism 741 can rotate above upper regions of processing chambers 5 along the circumferential direction of the vacuum conveyance chamber 4 in a state where the lid retention mechanism 741 holds a lid 52 of a processing chamber 5 or a load lock chamber 3.例文帳に追加

そして、真空搬送室４上の回転テーブル７２１から伸びる旋回アーム７に蓋体保持機構７４１を設け、処理室５またはロードロック室３の蓋体５２を保持した状態で真空搬送室４の周方向に沿って処理室５の上方領域を蓋体保持機構７４１が通過して旋回できるように構成する。 - 特許庁

A first separation chamber of a first substrate processing apparatus and a second separation chamber of a second substrate processing apparatus are airproofly connected each other through a substrate passing chamber, and the substrate passing chamber includes a first substrate passing stage and a second substrate passing stage that are stacked in perpendicular direction to the floor surface on which the substrate passing chamber is placed.例文帳に追加

第１の基板処理装置の第１のセパレーションチャンバーと第２の基板処理装置の第２のセパレーションチャンバーとが、基板受け渡しチャンバーを介して気密に接続されており、基板受け渡しチャンバーは、設置床面に対して垂直方向に積み重ねられた第１の基板受け渡しステージと第２の基板受け渡しステージとを有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of removing Ti-based sediment on the surface of a processing chamber of a plasma processing apparatus without generating a foreign body such as an boronic oxide.例文帳に追加

ボロン酸化物等の異物を生じさせることなくプラズマ処理装置の処理室表面におけるＴｉ系堆積物の除去が可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus processes an object to be treated W, in a processing chamber 2 maintained in a vacuum atmosphere by utilizing a plasma generated by imparting energy to a processing gas.例文帳に追加

プロセスガスにエネルギーを付与して生成したプラズマを利用して、真空雰囲気の処理室２内にて被処理物Ｗの処理を行うプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To provide a plasma processing system for processing a planar workpiece having a capability to alter the rotational position of the workpiece for the plasma processing chamber of the system.例文帳に追加

平面なワークピースを処理するプラズマ処理システムは、前記システムのプラズマ処理チャンバに対するワークピースの回転位置を変更する能力を有するように提供される。 - 特許庁

A processing system 10 for processing substrate comprises a processing chamber 14 having a top section 20, bottom section 22, and a sidewall 24 for defining a process space 26 therein.例文帳に追加

基板を処理するための処理システム（１０）は、その中にプロセス空間（２６）を規定する、頂部（２０）、底部（２２）、および側壁（２４）を有する反応室（１４）を含む。 - 特許庁