「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The wafer case housing wafers is set in the processing chamber of the processing device after it is cooled, the pressure of the processing chamber is reduced so that the temperature of the wafer case may be transmitted to the wafer, and the processing chamber is heated in vacuum state.例文帳に追加

冷却が可能で熱源からの光エネルギーを透過するウエハーケースと減圧から加圧まで調整可能な処理室を用意し、ウエハーを収納したウエハーケースを冷却後熱処理装置の処理室にセットし、ウエハーケースの温度がウエハーに伝わらないよう処理室の圧力を下げ真空状態にして加熱する。 - 特許庁

In a microwave plasma processing method for depositing a thin film layer on a base body disposed in a plasma processing chamber by introducing a microwave into the plasma processing chamber to turn treatment gas into plasma, the microwave is intermittently oscillated and introduced into the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内に配置した基体に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記マイクロ波を断続発振させて、前記プラズマ処理室に導入することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法である。 - 特許庁

A plasma processor 1 has a chamber 2 storing a substrate G, a susceptor 4 which is installed in the chamber 2 and on which the substrate G is placed, a shower head 11 supplying processing gas into the chamber 2, and a plasma generation means 25 generating the plasma of processing gas into the chamber 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、基板Ｇを収容するチャンバー２と、前記チャンバー２内に設けられ、基板Ｇが載置されるサセプタ４と、前記チャンバー２内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１１と、前記チャンバー２内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段２５とを具備する。 - 特許庁

When a processing chamber 1 is evacuated by an evacuation system 50 including a turbo molecular pump 11 and a transport chamber 31 is evacuated by an evacuation system 70 including a turbo molecular pump 37, a gate valve 22 is opened to transport a substrate between the transport chamber 31 and the processing chamber 1.例文帳に追加

処理室１がターボ分子ポンプ１１を含む排気装置５０によって排気され、搬送室３１がターボ分子ポンプ３７を含む排気装置７０によって排気されている状態で仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。 - 特許庁

When housing a substrate 5 with the insulating film damaged by plasma processing inside a chamber 1, introducing restoration agent steam into the chamber, heating the inside of the chamber and executing the damage restoration processing of the insulating film, the temperature of the inner wall of the chamber 1 is made higher than the temperature of the substrate.例文帳に追加

プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。 - 特許庁

HfO_2 or the like attaching to a susceptor 4 or the like, is removed out of a processing chamber 2 by supplying a first cleaning gas containing Hhfac into the processing chamber 2 of a film formation device 1.例文帳に追加

成膜装置１の処理チャンバ２内にＨｈｆａｃを含んだ第１のクリーニングガスを供給して、処理チャンバ２内からサセプタ４等に付着しているＨｆＯ_２等を取り除く。 - 特許庁

To transfer a board in a higher levelness by a transferring arm of the transferring mechanism of a board processing device with a plurality of processing chamber connected to a transferring chamber with the transferring mechanism provided.例文帳に追加

移載機構を備えた移載室に複数の処理チャンバを接続した基板処理装置において、移載機構の移載アームにより高い水平度で基板を移載すること。 - 特許庁

To provide a method of heating a part in a processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus that heats the part in the processing chamber efficiently with simple constitution, and to provide the semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Generation of aluminum particles as contamination is suppressed in a processing chamber 1, by coating the surface of the processing chamber 1 which is made of an aluminum alloy, with glass bodies 18, 19, 20.例文帳に追加

アルミニウム合金にて構成した処理室1の表面をガラス体１８，１９，２０で被覆し、処理室１内にアルミニウム粒子がコンタミネーションとして発生する量を抑制した。 - 特許庁

In the plasma etching apparatus, an anode oxide film is arranged in the etching processing chamber made of aluminum alloy and between components in the etching processing chamber and a ceramics thermal spraying film superior in plasma resistance.例文帳に追加

プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。 - 特許庁

In the first etching processing chamber 1, a substrate 6 is etched by a high density plasma, and this substrate 6 is passed through the gate valve 8 and is moved to the second etching processing chamber 9.例文帳に追加

第１のエッチング処理室１では高密度プラズマによるエッチングが基板６に対して行われ、この基板６はゲートバルブ８を通って第２のエッチング処理室９に移動する。 - 特許庁

To provide a device and a method for sealing, in which a seal component, capable of keeping a first portion of a semiconductor processing chamber at a first pressure while keeping a second portion of the semiconductor processing chamber at a second pressure, is applied to joining members having different thermal expansion coefficients.例文帳に追加

半導体処理チャンバにおいて、第１の部分を第１の圧力に、第２の部分を第２の圧力にするシール部材を熱膨張係数の異なる部材間に適用。 - 特許庁

To provide a processing chamber furnished with a evacuating system, in which the flowing-in of a gas such as the air into the processing chamber is prevented, when a high vacuum probe is removed.例文帳に追加

真空排気システムを備えた処理チャンバであって、高真空測定子を取り外す際に、処理チャンバ内に空気等のガスが流入しないようにした処理チャンバを提供する。 - 特許庁

The coils 12, 17 are positioned at the outside of the processing chamber 2 and are so provided as to generate a plasma of the process gas, in a plasma-generating region interposed between the processing chamber 2 and the pedestal 7.例文帳に追加

コイル１２、１７は、処理チャンバ２の外側に位置しており、処理チャンバ２とペデスタル７との間のプラズマ生成領域にプロセスガスのプラズマを生成するように設けられている。 - 特許庁

Further, after washing in the processing chamber 1, a fan filter unit 2 is controlled so that the air capacity of the clean air into the processing chamber 1 may be increased from a small air capacity to a predetermined large air capacity.例文帳に追加

そして、その処理室１内の洗浄の後、ファンフィルタユニット２が制御されて、処理室１内へのクリーンエアの風量が小風量から予め定める大風量に増加される。 - 特許庁

The control of the internal pressure of the processing chamber to be higher than that of the exhaust pipe can prevent generation of the back flow of gas from inside the exhaust pipe into the processing chamber.例文帳に追加

処理室内の圧力の方が排気管内の圧力よりも高くなるように制御することにより、排気管内から処理室内へのガスの逆流の発生を防止できる。 - 特許庁

An epitaxial growth device 1 is equipped with a processing chamber 2, and an exhaust pipe 8 for discharging exhaust gas to an outside exhaust gas processor 7 is coupled with this processing chamber 2.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１は処理チャンバ２を備え、この処理チャンバ２には、排ガスを外部の排ガス処理装置７に排出するためのの排気配管８が連結されている。 - 特許庁

The processing gas (a first gas) formed of a compound including silicon is introduced into a vacuum chamber to expose a semiconductor substrate 10 arranged in the chamber to a first gas atmosphere (silicon processing step).例文帳に追加

真空チャンバにシリコン含有化合物からなる処理ガス（第１のガス）を導入し、チャンバ内に配された半導体基板１０を第１のガス雰囲気に晒す（シリコン処理工程）。 - 特許庁

The substrate processing chamber 30 comprises a first gas distributor 65 so adapted as to supply a processing gas into the chamber 30 to process the substrate 5; a second gas distributor 215 so adapted as to supply a cleaning gas into the chamber 30 to clean the chamber; and an exhaust pipe 90 for exhausting the processing gas or cleaning gas out of the chamber 30.例文帳に追加

基板プロセス・チャンバ３０は、基板２５を処理するためにチャンバ３０の中にプロセスガスを供給するように適合された第１のガス分配器６５と、チャンバを洗浄するためにチャンバ３０の中に洗浄ガスを供給するように適合された第２のガス分配器２１５と、チャンバ３０からプロセスガスあるいは洗浄ガスを排出するための排気管９０を有する。 - 特許庁

To provide a unit and a method for processing a substrate which removes a droplet of a processing solvent from a processing solvent supply-pipe after supplying the processing solvent to a chamber through the processing solvent supply-pipe.例文帳に追加

処理液供給管を介してチャンバーに処理液を供給した後に、この処理液供給管から処理液の液滴を除去することができる基板処理ユニットおよび基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The liquid processing mechanism can be accessed from two direction, i.e., side face direction and front face direction, of the processing chamber 26.例文帳に追加

この液処理機構へは処理チャンバ２６の側面方向および前面方向の２方向からアクセス可能な構造とした。 - 特許庁

To provide a method for processing a workpiece in a vacuum plasma processing chamber, including control in response to a DC bias voltage.例文帳に追加

ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む、真空プラズマプロセッサ室においてワークピースを加工する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the etch resistance of a substrate material in a plasma processing system including a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of substrates W are received in a processing chamber 503 of a processing tank 5 at predetermined intervals in parallel with each other.例文帳に追加

処理槽５の処理室内には、複数枚の基板Ｗが互いに所定の間隔でかつ平行に収納されている。 - 特許庁

According to an embodiment, a plasma processing apparatus 10 includes a processing object holding means and a plasma generation means in a chamber 11.例文帳に追加

実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。 - 特許庁

To perform processing of high quality uniformly over the entire surface of a substrate by providing a hollow cathode discharge mechanism within a processing chamber.例文帳に追加

処理室内にホローカソード放電機構を備えることにより被処理基板の全面に高品質な処理を均一に施す。 - 特許庁

A processing chamber for processing a substrate is provided in the shell 50 formed by stacking a plurality of cylindrical shell units 51.例文帳に追加

複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus for cooling the inside of a processing chamber in a short time, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

処理室内を短時間で冷却することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the stagnation of airflow above a substrate in a processing chamber to reduce uneven processing or contamination of the surface.例文帳に追加

処理室内で基板の上方に気流のよどみが発生するのを防止して、基板の表面の処理むらや汚染を少なくする。 - 特許庁

Then, the temperature of the SCCO_2 is reduced to the processing temperature T1 by the temperature controller TC2, and it is supplied to a processing chamber.例文帳に追加

そして、温度調節部ＴＣ２によりＳＣＣＯ_２の温度を処理温度Ｔ１に低下させて処理チャンバーに供給する。 - 特許庁

A plurality of processing chambers, load lock chambers, and other chambers are joined to each other, so that a series modular chamber for processing the substrate can be formed.例文帳に追加

複数のプロセスチャンバ、ロードロックチャンバ、その他のチャンバは結合され、基板を処理する系列モジュラチャンバを形成可能である。 - 特許庁

Therefore, the atmosphere replacement in the processing chamber 1 is promoted so that the washings adhering to the inner surface of the partition wall 11 of processing chamber 1, the moving nozzle 4, the arm 41, the arm supporting shaft 43, and the interruption plate 5, etc. may evaporate and the inside of the processing chamber 1 may dry.例文帳に追加

これにより、処理室１内の雰囲気置換が促進されることによって、処理室１の隔壁１１の内面や移動ノズル４、アーム４１、アーム支持軸４３および遮断板５などに付着している洗浄液が蒸発し、処理室１内が乾燥していく。 - 特許庁

The annealing apparatus for annealing a processeding object placed in a processing chamber by using an externally incident laser beam is provided with a moving means for moving the processing chamber and the task above can be solved by moving the processing chamber by the moving means for performing uniform annealing.例文帳に追加

外部から入射するレーザ光により、処理室内に設けた加工対象物のアニールを行うアニール装置において、前記処理室を移動する移動手段を設け、該移動手段により前記処理室を移動させて均一なアニールを行うことにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The sterilizer of the fluid comprises a sterilization processing chamber having the entrance and exit of the fluid and an ultraviolet irradiation lamp attached inside the sterilization processing chamber, and a porous body for finely dispersing the fluid is provided on the entrance side of the sterilization processing chamber.例文帳に追加

流動体の滅菌装置であって、流動体の入口と出口とを有する滅菌処理室と、滅菌処理室内に取り付けられた紫外線照射ランプとを有し、滅菌処理室の入口側には流動体を微分散する多孔体を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The load lock system includes: a load lock chamber 3 disposed between a storage port 10 for storing a substrate and a processing chamber 1 for processing the substrate in a processing space of which pressure is maintained lower than the external pressure; and a dehumidifying unit 97 for forming a dehumidified atmosphere in the load lock chamber 3.例文帳に追加

ロードロックシステムは、基板を格納する格納ポート１０と外部の圧力より低い圧力に維持された処理空間内で該基板を処理するための処理室１との間に配置されるロードロック室３と、ロードロック室３内に除湿された環境を形成する除湿ユニット９７と、を備える。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

The extreme ultraviolet light using device includes a processing chamber, an extreme ultraviolet light source arranged inside the processing chamber and generating a wavelength of 100 nm or shorter, the reflecting optical member housed in the processing chamber and reflecting the extreme ultraviolet light, and a cleaning mechanism removing the carbon contamination in the reflecting optical member by an active species generated by reacting unsaturated hydrocarbon with ozone in the processing chamber.例文帳に追加

処理室と、前記処理室の内部に配置され、１００ｎｍ以下の波長を発生する極端紫外光源と、前記処理室に収容され、前記極端紫外光を反射する反射光学部材と、処理室内において不飽和炭化水素とオゾンとを反応させて発生した活性種によって反射光学部材の炭素汚染をクリーニングするクリーニング機構とを備える。 - 特許庁

There is generally provided a modular vacuum processing device, and this modular vacuum processing device contains a main frame 300 for supporting a transfer chamber 302; one or more load locks 314, 316 and one or more processing chambers 322 to 326, mounted on the transfer chamber 302; and a chamber tray 380 associated with a modular main frame piping tray 350 and a processing chamber.例文帳に追加

本発明は一般にモジュール式真空処理装置を提供し、モジュール式真空処理装置にはトランスファチャンバ３０２を支持するメインフレーム３００と、トランスファチャンバ３０２に搭載された１つ以上のロード・ロック３１４、３１６と１つ以上の処理チャンバ３２２〜３２６と、モジュール式メインフレーム配管トレイ３５０と処理チャンバに関連するチャンバ・トレイ３８０が含まれる。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: carrying a semiconductor substrate having a resist film formed with an altered layer on a surface thereof into a processing chamber; heating the semiconductor substrate, and increasing pressure in the processing chamber by introducing inactive gas into the processing chamber; and then introducing oxygen gas into the processing chamber and ashing the resist film by plasma of the oxygen gas.例文帳に追加

表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 - 特許庁

In one embodiment, a processing chamber comprising a grounded chamber main body in which a substrate supporting assembly is arranged inside internal volume, is provided.例文帳に追加

一実施形態においては、基板支持アセンブリが内部容積内に配置された、接地されたチャンバ本体を含む処理チャンバが提供される。 - 特許庁

When a processing chamber containing C and F is introduced into the chamber 2, CO is generated, thereby providing a carbon-rich protective film over a substrate surface.例文帳に追加

処理室２内にＣ、Ｆを含む処理ガスを導入すると、ＣＯが生成され、それによって下地表面にカーボンリッチな保護が得られる。 - 特許庁

To process a substrate in a processing chamber comprising a substrate support, having a receiving surface for receiving a substrate so that a front surface of the substrate is exposed within the chamber.例文帳に追加

基板正面がチャンバ内で露出するような基板用の受け面を有する基板支持体を備える処理チャンバ内で基板を処理する。 - 特許庁

To provide a system to perform sequence processing to introduce preliminary heated articles into an annealing chamber in turn when the article is annealed in the vacuum annealing chamber.例文帳に追加

真空アニール室内で物品をアニールする際、予備加熱物品を順次アニール室に導入するシーケンス処理可能なシステムを提供する。 - 特許庁

The methane gas generated in the Sabatier reaction chamber 20 is supplied into the processing chamber 3, and used as raw material gas for DLC film deposition.例文帳に追加

サバティエ反応室２０で生成されたメタンガスが処理室３内に供給され、ＤＬＣの成膜のための原料ガスとして用いられる。 - 特許庁