「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

This device is provided with a processing chamber 11 for etching a substrate 91, a microwave generator 21 feeding etching gas excited by microwave into the processing chamber 11, and a gas feeder 31 feeding xenon difluoride gas into the processing chamber 11.例文帳に追加

基体９１がエッチングされる処理室１１と、処理室１１内へマイクロ波で励起されたエッチングガスを供給するマイクロ波発生装置２１と、処理室１１へ二フッ化キセノンガスを供給するガス供給装置３１とを備えたものである。 - 特許庁

In the vacuum processing device 100, a loading/unloading chamber 10 and a plasma processing chamber 20 are coupled, the plasma processing chamber 20 being provided with a vacuum vessel 20a having an opening A on an upper surface, and a tabular top cover 30 opening and closing the opening A.例文帳に追加

真空処理装置１００は、ロード／アンロード室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、プラズマ処理室２０は、上面に開口部Ａを有する真空容器２０ａと開口部Ａを開閉する平板状の上蓋３０とを備えている。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor in which by-products in an exhaust pipe coupled with a processing chamber can be prevented from scattering to flow back into the processing chamber at the time of recovering the processing chamber from a pressure reduced state.例文帳に追加

減圧状態の処理チャンバを復圧させる際に、処理チャンバに連結されている排気管内部の副生成物が飛散して処理チャンバ内へ逆流することが防止できる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

In the heat treatment apparatus having a processing chamber, a supporting mechanism for supporting a substrate in the processing chamber, and a heating means for heating the substrate supported in the processing chamber; the supporting mechanism is forced to support the substrate in the outer peripheral edge of the substrate.例文帳に追加

処理室と、処理室内において基板を支持する支持機構と、処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段とを有する熱処理装置において、支持機構は、基板の外周縁部において基板を支持するようにする。 - 特許庁

In one aspect, the processing chamber contains one or more adjustable anode assemblies that are used to increase and more evenly distribute the anode surface area throughout the processing region of the processing chamber.例文帳に追加

ある態様において、処理チャンバは１又はそれ以上の調整可能な陽極アセンブリを備え、これは処理チャンバの処理領域にわたって陽極表面積を増大し、より均一に分布させる。 - 特許庁

This pressurization type lamp anneal device includes a processing chamber 55 for introducing a wafer 2 as a processing object substrate, a pressurization line (pressurization mechanism) 12 for pressurizing the inside of the processing chamber, and a lamp heater 5 for irradiating the wafer 2 with lamp light.例文帳に追加

被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。 - 特許庁

When the enclosure wall is used in the plasma processing chamber, a spattered material produced by the plasma formed in the plasma processing chamber has proper adhesiveness on the surface, on which the texture processing is performed.例文帳に追加

エンクロージャ壁がプラズマ処理チャンバで使用されるとき、プラズマ処理チャンバで形成されるプラズマによって生成されるスパッタされた材料は、テクスチャー加工された表面に良好な粘着性を有する。 - 特許庁

After a sintered magnet and a metal vaporized material (v) containing at least one of Dy and Tb are disposed in a processing box 7 defining a processing chamber 70, the processing box is stored in a vacuum chamber 3.例文帳に追加

処理室７０を画成する処理箱７内に焼結磁石と、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料ｖとを配置した後、真空チャンバ３内に収納する。 - 特許庁

This substrate processing apparatus 1 is provided with a processing chamber 10 and is structured so as to apply a cleaning process to a substrate S by supplying a rinsing liquid thereto, while transporting the substrate S in the processing chamber 10.例文帳に追加

基板処理装置１は、処理室１０を備え、この処理室１０内で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を施すように構成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of surely preventing the leakage of the atmosphere in a processing chamber to outside and easily performing the maintenance of the processing chamber from outside.例文帳に追加

処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In one aspect, the processing chamber contains one or more anode assemblies that are used to increase and more evenly distribute the anode surface area throughout the processing region of the processing chamber.例文帳に追加

１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。 - 特許庁

An article T of aluminum alloy to be processed in a processing chamber 2 is set at a specified temperature and oxygen gas mixed with argon or krypton is introduced from a processing gas source 13 into the processing chamber 2.例文帳に追加

処理容器２内のアルミニウム合金からなる被処理体Ｔの温度を所定温度にし，処理容器２内に処理ガス供給源１３から，酸素ガスにアルゴンやクリプトンを混入したガスを導入する。 - 特許庁

To decrease the number of mechanisms added to respective processing chambers of a plasma CVD device without affecting a processing tact of each processing chamber.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置において、各処理室の処理タクトに影響を及ぼすことなく各処理室に付設する機構の個数を低減する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus that prevents an effect of mist by shielding an upper space of a rotary processing unit within a processing chamber of a substrate.例文帳に追加

基板の処理室内の回転処理部の上方空間を遮蔽することでミストによる影響を防止した処理装置を提供する。 - 特許庁

Since the processing chambers 40, 501, and 502 are arranged on the main processing tank 11, no transportation chamber is required and the installation area of this vacuum processing device becomes smaller.例文帳に追加

主真空槽１１の上に処理室４０、５０_1、５０_2が配置されているので、搬送室が不要であり、設置面積が少なくて済む。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of processing a sample to be processed stably for a long period by reducing damage to a processing chamber wall surface.例文帳に追加

処理室壁面の損傷を少なくし、長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma is generated by a magnetic neutral line discharge in the plasma generating chamber 101, and the generated plasma is extracted from the chamber 101 into a processing chamber 102 through a communicating hole 108.例文帳に追加

磁気中性線放電によりプラズマ生成室１０１の中にプラズマが生成され、生成されたプラズマが連通孔１０８から処理室１０２に引き出される。 - 特許庁

After the film formation, the wafer is taken out from the processing chamber to the vacuum transfer chamber (step 107), and the vacuum transfer chamber is restored to an atmosphere (step 108), the wafer is collected (step 109).例文帳に追加

成膜後、ウェハを処理室から真空搬送室へ取出し（ステップ１０７）、真空搬送室を大気に戻した後（ステップ１０８）、ウェハを回収する（ステップ１０９）。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber 101, a pressure measurement equipment 401 that measures the pressure inside the process chamber 101, and a pump 403 that ejects gas inside the process chamber 101.例文帳に追加

プロセスチャンバー１０１と、プロセスチャンバー１０１内の圧力を測定する圧力測定器４０１と、プロセスチャンバー１０１内のガスを排出するポンプ４０３とを備える。 - 特許庁

The chamber 2 is vented to the atmospheric pressure, and the chamber 3 is roughly exhausted so as to become the same pressure as a vacuum chamber 4 on the vacuum processing device in the next stage side adjacent thereto.例文帳に追加

次いで、２を大気圧にベントすると共に、３を隣接する次位の真空処理装置側の真空チャンバー４と同じ圧力になるように荒引排気する。 - 特許庁

To convey a semiconductor wafer in a high vacuum level between processing chambers and respective processors in a multi-chamber type processor, and hold the interior of a conveying chamber under the high vacuum level to convey a wafer, and directly connect with various kinds of vacuous processor without a buffer chamber.例文帳に追加

マルチチャンバ型処理装置における処理室間および各処理装置間における半導体ウエハの高い真空度中における搬送を可能とする。 - 特許庁

To clean a contaminant generated in radiating electron beams toward a substrate surface in a processing chamber to perform predetermined substrate processing in a substrate processing device, out of the processing chamber favorably and at a low cost.例文帳に追加

処理チャンバ内で基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に汚染物質が発生する基板処理装置において、処理チャンバから汚染物質を良好に、しかも低コストでクリーニング除去する。 - 特許庁

The substrate-processing apparatus includes a processing chamber 31 for processing a substrate 8, and a substrate support part 36 for supporting the substrate in the processing chamber; the substrate support part includes a substrate support pin 38, which extends toward the center of the substrate; and the substrate is placed on the substrate support pin.例文帳に追加

基板８を処理する処理室３１と、該処理室内で基板を支持する基板支持部３６とを具備し、該基板支持部は基板の中心に向って延出する基板支持ピン３８を有し、基板は該基板支持ピンに載置される。 - 特許庁

The cooling system has the processing chamber 1, the cooling chamber 3, a cooling gas sending means 4 and an agitating air current blowing agitating means 68.例文帳に追加

冷却装置は、処理室１、冷却室３、冷却気体送気手段４、及び攪拌用気流送風攪拌手段６８を有する。 - 特許庁

In one embodiment of the method, a plasma is formed in a substrate processing chamber to etch a wafer in the chamber.例文帳に追加

本発明の方法の一実施形態は、基板処理チャンバ内でプラズマを形成して、チャンバ内に配置されたウェハをエッチングする。 - 特許庁

To provide a leak checking method whereby a closing gate between a processing chamber and a preliminary vacuum chamber can be checked for leaks.例文帳に追加

処理室と真空予備室の間の開閉ゲートのリークを確認できるリークチェック方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate processing device that can reduce exhaust from a chamber not to defuse an atmosphere in the chamber to the outside.例文帳に追加

チャンバ内の雰囲気を外部に拡散させないために行うチャンバからの排気を低減できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The container 10 is connected to an external processing chamber via a gate valve 19, and can be used as a load locking chamber.例文帳に追加

基板処理容器１０は、ゲートバルブ１９を介して外部の処理室に接続し、ロードロック室として用いることもできる。 - 特許庁

The reactor has a process chamber well suited to the single wafer processing of semiconductor wafers.例文帳に追加

このリアクタは、半導体ウェハの枚葉処理によく適合した処理チャンバを有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of reducing foreign matters inside an inner side chamber and executing stable fine work over a long period of time in the processing chamber of a double structure.例文帳に追加

二重構造の処理チャンバにおいて、内側チャンバ内の異物を低減でき、長期にわたり安定した微細加工が可能であるプラズマ処理装置とする。 - 特許庁

The processing chamber 1 can continuously be utilized and the consumption of the cleaning gas can be saved.例文帳に追加

引き続き処理チャンバ１を利用でき、クリーニングガスの消費量を削減できる。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus that promptly lowers the temperature of a heating plate, while the infiltration of particles into a processing chamber and rise of the internal pressure of the processing chamber are prevented.例文帳に追加

処理室へのパーティクルの侵入および処理室の内圧の上昇を防止しつつ、加熱プレートを迅速に降温することができる加熱処理装置を提供すること。 - 特許庁

The second substrate product E2 moves to a chamber of a film formation furnace 8b of the processing apparatus 8 from a chamber of the etcher 8a of the processing apparatus 8 by opening a shutter 8d of a passage 8c.例文帳に追加

通路８ｃのシャッタ８ｄを開けて、処理装置８のエッチャ８ａのチャンバから処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバに第２の基板生産物Ｅ２を移動する。 - 特許庁

A wafer processing system 1 includes a main transfer chamber 20 transferring a wafer W.例文帳に追加

ウェハ処理システム１は、ウェハＷを搬送する主搬送室２０を有している。 - 特許庁

To protect a sealing member at the circumferential edge of a window for isolating a processing chamber of a processing container from a lamp heater containing chamber against fusion or evaporation due to a high temperature.例文帳に追加

処理容器の処理室とランプヒータ収容室とを隔離するウインドウの周縁部のシール部材の高温による溶融、蒸発等を防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gas-phase processing device capable of stabilizing an atmosphere in a chamber.例文帳に追加

チャンバ内の雰囲気を安定化することができる気相処理装置を提供する。 - 特許庁

TISSUE SAMPLE PREPARING DEVICE FOR EMBEDDING TISSUE SAMPLE AND PROCESSING CHAMBER LOCKING DEVICE例文帳に追加

組織試料包埋用組織試料調製装置、及び処理容器係止装置 - 特許庁

The processing chamber cooling mechanism 17 introduces cooling gas into the processing chamber 11 while the semiconductor wafer Waf is moved by the loading/unloading mechanism 16 before or after the wafer Waf has been processed.例文帳に追加

処理室冷却機構１７は、搬入出機構１６による半導体ウェハＷａｆの処理前後の移動の間、処理室１１に冷却用のガスを導入する。 - 特許庁

As a result, the etching gas EG discharged into a processing chamber 201 in an inner tube 230 can be prevented from reaching a wafer 200 disposed in the processing chamber 201.例文帳に追加

この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 - 特許庁

Slits 1a are made on four sides of the processing chamber 1.例文帳に追加

この処理チャンバ１の４つの側面には、スリット１ａがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A gas distributor (90) for introducing processing gas into the chamber (25) includes a gas nozzle for injecting the processing gas at a predetermined inclined angle relative to a plane of the substrate (50) into the chamber (25).例文帳に追加

処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。 - 特許庁

A cassette 30 for retaining the body to be washed is stored into a processing chamber 14 which is sealed thereafter, then, a supercritical carbon dioxide is introduced from a supplying source 20 into the processing chamber.例文帳に追加

被洗浄体保持カセット３０を処理室１４に収納した後、処理室を密閉し、供給源２０から超臨界二酸化炭素を処理室に導入する。 - 特許庁

The cryopump evacuates gas from the vacuum chamber of the vacuum device performing the vacuum processing.例文帳に追加

クライオポンプは、真空処理を行う真空装置の真空チャンバからガスを排気する。 - 特許庁

To save cleaning gas consumption by enhancing a reaction capability of plasma with a deposited substance within a processing chamber through the use of cleaning gas or more quickly exhausting the gas from the processing chamber.例文帳に追加

クリーニングガス導入によりプラズマの処理チャンバ内の堆積物との反応性を高めて、また処理チャンバ内からガス排気を速めてクリーニングガスの消費量を削減する。 - 特許庁

A temperature measuring apparatus monitors temperature of a semiconductor substrate, which is housed inside a processing chamber so as to supply gas to the process chamber of a wafer processing system.例文帳に追加

ウエハ処理システムの処理チャンバ内にガスを送出することもできるように、処理チャンバ内に容れられた半導体基板の温度をモニタするための温度測定装置。 - 特許庁