「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The sterilizer (100) is equipped with a sterilizing chamber (34) equipped with an opening and closing door and an ultraviolet lamp (40), and an ozone processing chamber (38) equipped with an ozone decomposing catalyzer (36).例文帳に追加

この殺菌装置（１００）は、開閉扉及び紫外線ランプ（４０）を設置した殺菌室（３４）と、オゾン分解触媒（３６）を設置したオゾン処理室３６とを備える。 - 特許庁

At a waiting time for forming a semiconductor thin film before a wafer (substrate) is introduced into a chamber 104, a fluorine reduction processing is performed in the chamber using hydrogen gas and inert gas.例文帳に追加

ウエハ（基板）のチャンバー１０４内搬入前の半導体薄膜形成待機時において、チャンバー内に水素ガス及び不活性ガスを用いてフッ素還元処理を行なう。 - 特許庁

The oxide layers are formed within a chamber, and the chamber includes a plurality of processing stations for successively forming atomic layers of oxide along the passes of the flexible substrate.例文帳に追加

該酸化物層はチャンバ内で形成され、該チャンバには、その内部で該軟質基板のパスに沿って酸化物の原子層を逐次形成するための複数の処理ステーションが含まれる。 - 特許庁

The cleaning gas, which has been turned into a plasma by a radical generator 110 provided outside a chamber 101 of the processing equipment, is introduced into the chamber 101 to conduct cleaning.例文帳に追加

処理装置のチャンバ１０１の外部に備えられたラジカル発生装置１１０によりプラズマ化されたクリーニングガスをチャンバ１０１内に導入して、クリーニングを行う。 - 特許庁

The plasma processing device comprises the chamber 1 for processing a plasma at its inside, a top plate 15 made of dielectric blocking the upper side of the chamber 1, and an antenna part 3 functioning as a high frequency supplying means supplying high frequency in the chamber 1 through the top plate 15.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ処理を内部で行なうためのチャンバ１と、このチャンバ１の上側を塞ぐ誘電体からなる天板１５と、この天板１５を介して高周波をチャンバ１内に供給する高周波供給手段としてのアンテナ部３とを備える。 - 特許庁

A center chucking mechanism 11 for chucking and fixing the disk D in processing and a transporting robot 21 for transporting the disk D completed of the processing from the center chucking mechanism 11 of the process chamber R to a center chucking mechanism 11' of the adjacent process chamber S are installed in the process chamber R under vacuum.例文帳に追加

真空下の処理室Ｒには、処理時にディスクＤをチャックし固定するセンターチャック機構１１と、処理の完了したディスクＤを処理室Ｒのセンターチャック機構１１から隣接の処理室Ｓのセンターチャック機構１１’へ搬送する搬送ロボット２１とが設置される。 - 特許庁

A processing platform 120 having at least one side wall 121 is coupled to the chamber, and a wafer channel 131 extends through the side wall of the chamber and at least one side wall of the processing platform 120 such that the wafer channel 131 intersects the chamber slot 196.例文帳に追加

少なくとも１つの側壁１２１を有する処理プラットフォーム１２０がチャンバに接続されており、そしてウェーハ通路１３１が、チャンバスロット１９６と交差するように、前記チャンバの側壁と前記処理プラットフォームの少なくとも１つの側壁とを貫いて延びている。 - 特許庁

To supply only hydrogen radicals to a processing chamber by blocking ultraviolet rays and hydrogen ions generated from plasma generated in a plasma generation chamber, and to properly capture the hydrogen ions while preventing metal atoms and a material constituting a plate-like member from scattering and intruding into the processing chamber.例文帳に追加

プラズマ生成室で生成されたプラズマから発生する紫外光と水素イオンを遮蔽して水素ラジカルのみを処理室に供給できるとともに，金属原子や板状部材を構成する材料が飛散して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲する。 - 特許庁

The system includes a processing chamber for treating a semiconductor substrate with one or more process gases comprising water vapor, a means for delivering the water vapor or one or more precursors thereof to the processing chamber, an exhaust conduit connected to the processing chamber, an absorption spectroscopy system for sensing water vapor in a sample region, and a controller for controlling the water vapor content in the processing chamber.例文帳に追加

本装置は、半導体基板を、水蒸気を含む１または複数種のプロセスガスを用いて処理するためのプロセスチャンバーと、水蒸気または水蒸気の１もしくは複数種の前駆物質をプロセスチャンバーへ送出する手段と、プロセスチャンバーに接続された排気管と、サンプル領域において水蒸気を検出するための吸収分光装置と、プロセスチャンバー内部の水蒸気含有量を制御するための制御装置とを備える。 - 特許庁

An MMT processing furnace 100 includes a processing chamber 201 with a light transmission window part 278 at least on the upper face, a cylindrical electrode 215 arranged in the outer periphery of the processing chamber 201, a cylindrical magnet 216 arranged in the outer periphery of the cylindrical electrode 215, and a lamp heating device 280 arranged outside the processing chamber 201 corresponding to the light transmission window part 278.例文帳に追加

ＭＭＴ処理炉１００は、少なくとも上面に光透過性窓部２７８を設けた処理室２０１と、処理室２０１の外周囲に配置される筒状電極２１５と、筒状電極２１５の外周囲に配置される筒状磁石２１６と、光透過性窓部２７８に対応する処理室２０１外側に配置されるランプ加熱装置２８０とを有する。 - 特許庁

To provide a method for processing an object to be processed for improving use efficiency of a processing chamber by supplying a processing container containing the object to be processed selectively to a port portion on the basis of conveyance information on the object to be processed and information about the use state of the processing chamber, a processing apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、被処理物の搬送情報と、処理室の使用状況に関する情報と、に基づいて被処理物が収納された処理容器を選択的にポート部に供給することで、処理室の使用効率を向上させることができる被処理物の処理方法、処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The generated gas is fed to the inside of the processing chamber 12 through a cooling unit 4, an analyzing unit 48 and a buffer member 54.例文帳に追加

生成ガスは、冷却器４６、分析器４８、バッファ部５４を通して、処理室１２内に供給される。 - 特許庁

On the sidewall of the processing chamber 11, a plurality of gas supply nozzles 17 are provided as gas supply means.例文帳に追加

処理室１１の側壁には、ガス供給手段である複数のガス供給ノズル１７が取り付けられている。 - 特許庁

To provide a plasma processing system for forming a plasma forming region with small density variations in a chamber.例文帳に追加

チャンバ内にプラズマ密度のばらつきの少ないプラズマ生成領域を形成するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A heater 6 is provided in the intermediate chamber 4 to heat the substrates to a prescribed temperature prior to the processing.例文帳に追加

中間チャンバー４内には、処理に先だって基板を所定温度まで加熱するヒータ６が設けられている。 - 特許庁

The scaffold 31 for the operation extending in the pulling-out direction of the processing chamber 21 is disposed inside a frame 3 for the maintenance.例文帳に追加

メンテナンス用フレーム３の内部に、処理室２１の引き出し方向に延びる作業用足場３１を配置する。 - 特許庁

A space between the back member 210 and high-frequency electrode 320 serves as the exhaust route of the processing chamber 100.例文帳に追加

背面部材２１０と高周波電極３２０との間の空間は処理室１００の排気ルートとなっている。 - 特許庁

Consequently, the pressure in the chamber CH of the one vacuum processing unit VU is further reduced by a high-vacuum pump 62.例文帳に追加

これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２によりさらに減圧される。 - 特許庁

An opening 26 is formed in the bottom of the processing chamber 11, and a collecting container 15 is provided underneath the opening 26.例文帳に追加

加工室１１の底部には開口部２６が形成され、その下に回収容器１５が設けられている。 - 特許庁

Low oxide atmosphere can be obtained by substituting the atmosphere in a hermetically sealed processing chamber 1 to an inert gas.例文帳に追加

密閉処理室１１内はその雰囲気が不活性ガスで置換され、もって低酸素濃度雰囲気とされる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for preventing leakage of plasma around an isolation valve of a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The reactant gas supply member 9 supplies the reactant gas to the processing chamber 4 via a temperature-controlled piping 5.例文帳に追加

反応ガス供給部材９は、温度制御された配管５を介して処理室４に反応ガスを供給する。 - 特許庁

To provide a cleaning method in which cleaning processing time is short and no residual matters are left in a process chamber after cleaning.例文帳に追加

クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The method is for examining a plasma processing system having a chamber, an RF (radio frequency) power supply, and a matching network.例文帳に追加

本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。 - 特許庁

Simultaneously with introduction of this plasma, the carrier gas (He) is introduced into the processing chamber 1 from the other gas introducing port.例文帳に追加

このプラズマ導入と同時に、別のガス導入口よりキャリアガス（Ｈｅ）を処理チャンバ１内に導入する。 - 特許庁

To provide a process monitor provided with a power supply that is not deteriorated and precludes the possibility of contaminating a processing chamber.例文帳に追加

劣化することがなく、処理室を汚染するおそれがない電源を備えたプロセスモニタを提供すること。 - 特許庁

A substrate W on the surface of which a nitride film is formed is held on a heater unit 13 in a processing chamber 11.例文帳に追加

表面に窒化膜が形成された基板Ｗは、処理室１１内においてヒータユニット１３上で保持される。 - 特許庁

Three projections 3b are provided on a lower electrode 3 in a processing chamber 2, protruding toward an upper electrode 4.例文帳に追加

処理室２内の下部電極３上に上部電極４側に突出した３つの突出部３ｂを形成する。 - 特許庁

As the temperatures in the chamber fluxuate between a processing temperature and a downtime temperature, the shields may expand and contract.例文帳に追加

チャンバ内の温度は処理温度とダウンタイム温度の間で変動するため、シールドは膨張及び収縮する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which achieves an improved throughput by adjustment of the temperature of an inner side wall of a process chamber.例文帳に追加

処理室の内側壁の温度を調節してスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide magnetic clips for use with a substrate holder for holding a substrate in a processing chamber of a plasma treatment system.例文帳に追加

プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for preventing arcing at a port exposed to a plasma in a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマチャンバにおいてプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A reactive plasma cleaning process is employed for reducing the time required to clean a processing chamber.例文帳に追加

反応性プラズマクリーニングプロセスを利用して処理チャンバを洗浄するのに必要な時間を短縮する方法と装置。 - 特許庁

Diluting the plasma increases the etching rate and makes the etching rate more uniform across the diameter of the processing chamber.例文帳に追加

プラズマを希釈すると、エッチング速度が増大し、エッチング速度が処理チャンバの直径両端まで均一になる。 - 特許庁

To rapidly measure the distribution of light emission intensity of plasma generated in a vacuum processing chamber with a simple structure.例文帳に追加

真空処理室内に生成されたのプラズマの発光強度の分布を簡易な構成で高速に測定する。 - 特許庁

A plasma is produced remotely in a processing chamber, and a flow of plasma is directed to a substrate.例文帳に追加

処理チャンバに関して遠隔的にプラズマを形成し、基板に向かう流れがこの処理チャンバから生成される。 - 特許庁

The undecomposed matter and garbage processing material overflowing the overflow port 2 are received by the upper chamber 5.例文帳に追加

上室部５がオーバーフロー口２からオーバーフローされた未分解物及び生ごみ処理材が受けられる部分となる。 - 特許庁

Processing chambers 1a and 1b, and storage chambers 2a and 2b are disposed in a periphery of a transfer chamber 4 through a gate valve 5.例文帳に追加

搬送室４の周囲にゲートバルブ５を介して処理室１ａ，１ｂ及び収納室２ａ，２ｂを配設する。 - 特許庁

This probe 40 includes a light guide body 42, one end of which is inserted in a processing chamber.例文帳に追加

本発明に係るプローブ４０は、一方の端部が処理チャンバ中に挿入されている光導体４２を含む。 - 特許庁

Cooling processing of a food material contained in a cooling chamber 3 is effected according to preset cooling control procedures.例文帳に追加

予め設定した冷却制御の手順で、冷却室３内に収納された食材を冷却加工する。 - 特許庁

Nitrogen is introduced as a sputtering gas and carbon dioxide is introduced as a processing gas, into an oxidation sputtering chamber 11.例文帳に追加

酸化スパッタチャンバ１１内には、スパッタガスとして窒素を導入し、プロセスガスとして二酸化炭素を導入する。 - 特許庁

To realize a high-density plasma by confining a plasma in a space between electrodes without diffusing it in a processing chamber.例文帳に追加

プラズマを処理室内に拡散させず，電極間空間内に閉じこめて高いプラズマ密度を実現させる。 - 特許庁

Two sets of anode electrode and cathode electrodes 12 are arranged opposing each other in a chamber of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内に、アノード電極とカソード電極１２とが２組、対向状に配置されている。 - 特許庁

A processing field 2 around a place 1, where a chemical bomb is embedded is used as a digging chamber 6 by covering a building 3.例文帳に追加

化学弾が埋設されている場所１周囲の処理場２を建家３で覆って発掘室６とする。 - 特許庁

The plasma processing device processes the surface of a processing subject S using radicals generated by exciting a process gas, wherein a plasma generating chamber member 6 having an internal plasma generating chamber 6a is connected to a gas introduction tube 5 attached to the outside of a process chamber 1, and a gas regulator 7 is provided at the end of the plasma generating chamber member 6.例文帳に追加

プロセスガスを励起させて生成したラジカルによって被処理物Ｓの表面を処理するプラズマ処理装置であり、プロセス室１外部に取り付けられたガス導入管５には、内部にプラズマ発生室６ａを備えたプラズマ発生室部材６が接続され、このプラズマ発生室部材６の端部にはガス制御部７が設けられている。 - 特許庁