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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > processing chamberに関連した英語例文

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processing chamberの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2324



例文

The substrate processing apparatus includes a chamber for processing a wafer; a wafer holding boat provided in the processing chamber; a gas inlet section provided down below the wafer held by the boat for introducing a gas toward the backside of this wafer; and a waveguide part provided over the wafer held by the boat for introducing an electromagnetic wave.例文帳に追加

ウエハを処理する処理室と、処理室内に設けられウエハを保持するボートと、ボートに保持されたウエハよりも下方に設けられ、このウエハの裏面に向かってガスを導入するガス導入部と、ボートに保持されたウエハよりも上方に設けられ、電磁波を導入する導波口と、を有する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus comprises: a processing chamber in which the substrate is processed; a substrate holding part for holding the substrate in the processing chamber; a cylindrical body covering a side surface of the substrate held by the substrate holding part; and an electromagnetic wave introduction part which is provided above the substrate held by the substrate holding part and through which electromagnetic waves are introduced.例文帳に追加

基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の側面を覆う筒状体と、前記基板保持部に保持された基板よりも上方に設けられ、電磁波が導入される電磁波導入部と、を有する。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus including a unit for generating a plasma, a processing chamber whose interior can be reduced in pressure by a vacuum evacuation unit connected thereto, and a unit for supplying gas to the processing chamber; an inner wall contacting the plasma is made of a material having low resistance.例文帳に追加

処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、プラズマと接する内壁を抵抗性材料で構成した。 - 特許庁

The processing chamber of this plasma treatment system includes a chamber lid having a plasma cavity disposed generally between a powered electrode and a grounded plate, a processing space separated from the plasma cavity by the grounded plate, and a substrate support in the processing space for holding the workpiece.例文帳に追加

本プラズマ処理システムの処理チャンバは、電力供給電極と接地板の間に一般的に配置されたプラズマ・キャビティを有するチャンバ蓋、プラズマ・キャビティから接地板で隔離された処理空間、および加工物を保持するための処理空間中の基板支持物を含む。 - 特許庁

例文

To solve problems that the operation efficiency of a conventional multi-chamber system is low because the system uses a plurality of chambers for etching-only chambers or ashing-only chambers, requires much time for one processing of long processing time and makes the other processing of short processing time waiting for the end of the processing of the longer processing time.例文帳に追加

従来のマルチチャンバシステムは例えば複数のチャンバがエッチング専用チャンバまたはアッシング専用チャンバとして運用されているため、処理時間が長いいずれか一方の処理に時間が掛かり、処理時間の短い方が長い方の処理が終わるのを待つことになり、マルチチャンバシステムの運用効率が悪い。 - 特許庁


例文

The spin processing device that rotates and processes a semiconductor wafer 10 includes a processing chamber 1, a cup body 2 provided in the processing chamber, the rotary table 5 that is provided in the cup body to support the semiconductor wafer and is rotation driven by a drive motor 8, and a controller 35 that controls the pressure in the processing chamber that varies with a rotational speed of the rotary table.例文帳に追加

半導体ウエハ10を回転させて処理するスピン処理装置において、 処理チャンバ1と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体2と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ8により回転駆動される回転テーブル5と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置35とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

By using these discharge nozzles according to the processing conditions, the substrate processing apparatus 1 can satisfy both a request to increase the uniformity of treatment by the processing liquid and a request to efficiently substitute the processing liquid stored inside the inner chamber 11 by the other processing liquid.例文帳に追加

基板処理装置1は、処理の状況に応じてこれらの吐出ノズルを使い分けることにより、処理液による処理の均一性を向上させたい要求と、内槽11の内部に貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させたい要求とを、共に満足させることができる。 - 特許庁

The droplet discharging device is provided with the chamber device CH for forming an internal space for arranging the discharge processing unit.例文帳に追加

液滴吐出装置は、吐出処理部を配置するための内部空間を形成するチャンバ装置CHを備えている。 - 特許庁

An electric connector for connecting the electrode with a DC voltage source on the outside of a processing chamber is contained in a passage in the arm.例文帳に追加

電極を処理チャンバの外側のDC電圧源へ結合する電気コネクタをアーム内の通路に収容している。 - 特許庁

例文

To realize high throughput, while preventing stagnation of substrates in a substrate-processing chamber by employing an in-line type semiconductor manufacturing system.例文帳に追加

インライン型半導体製造装置を採用して、基板処理室内の基板滞留を防止しつつ、高スループット化を図る。 - 特許庁

例文

Before the semiconductor substrate is processed in the processing chamber 10, a zero point of the pressure gauge 30 and the MFC 20 is adjusted.例文帳に追加

処理室10で半導体基板が処理される前に圧力計30およびMFC20のゼロ点が調整される。 - 特許庁

A time required for filling the processing chamber with hydrogen that is used for removing a natural oxide film can be lessened, and hydrogen can be reduced in consumption.例文帳に追加

また、自然酸化膜を除去するために使用する水素の処理室への充填時間および量も低減する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus improving the working rate of a process chamber even when the number of carriers is small.例文帳に追加

キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

In the microwave processing device, microwave is radiated from two power supply sections 5a, 5b arranged at a space of two wavelengths or less to a heating chamber 8.例文帳に追加

マイクロ波は、2波長以下の間隔に配置した2箇所の給電部5a、5bから加熱室8に放射される。 - 特許庁

To suppress the film formation of B compound at the inner wall of a nozzle disposed, in a high-temperature region inside a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、B化合物の膜の形成を抑えるようにする。 - 特許庁

To provide a heat processing apparatus which can surely discharge particles, by eliminating the portions where the particles staying inside a chamber.例文帳に追加

チャンバー内の滞留部を解消してパーティクルを確実に排出することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

Plural filters for removing bacteria (18), (19) are arranged in series in an exhaust system route (7) being led out from the upper part of the processing chamber (16).例文帳に追加

処理室(16)の上部から導出した排気系路(7)中に複数の除菌フィルター(18)(19)を直列に配置する。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a beam-like spacer 7 which is opposed to a substrate 2 and is disposed on the top opening of a chamber 3.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板2と対向するチャンバ3の上部開口に配置された梁状スペーサ7を備える。 - 特許庁

To suppress lowering in the purity of processing gas due to impurity gas from the side face of a vacuum chamber in a gas source epitaxy system.例文帳に追加

ガスソースエピタキシー装置において、真空室壁面からの不純物ガスによる処理用ガスの純度低下を抑制する。 - 特許庁

A pair of an upper and a lower electrode, 118 and 106, are arranged in the processing chamber 102 of an etching device 100.例文帳に追加

エッチング装置100の処理室102内には,一対の上部および下部電極118,106が配される。 - 特許庁

A processing gas after the removal of the resist is exhausted externally from the chamber 21 through a gas exhaust port 33 by using an exhaust system 30.例文帳に追加

このレジスト除去後の処理ガスはガス排出口33から排気系30によりチャンバ21外に排出する。 - 特許庁

To suppress a decrease in exhaust efficiency of a processing chamber even when an interval between an electrode and a back member is made narrow.例文帳に追加

電極と背面部材の間隔を狭くしても、処理室の排気効率が低下することを抑制できるようにする。 - 特許庁

A cleaning unit 3 containing the processing chamber 26 has an enclosed structure and is isolated substantially from the outside.例文帳に追加

処理チャンバ26を収容する洗浄処理ユニット3を密閉構造とし、実質的に外部と遮断される構造とした。 - 特許庁

The gas g2 is carried and supplied into the processing chamber 11 by using, for instance, an inert gas g1 or the like as a carrier gas.例文帳に追加

成膜成分ガスg2は、例えば不活性ガスg1等をキャリアガスとして処理室11内に輸送供給される。 - 特許庁

A gas containing nitrogen (nitrogen gas or ammonium gas, or the like) is supplied from a gas supply device 10 into the processing chamber 5.例文帳に追加

この処理室5には、ガス供給装置10から、窒素を含むガス(窒素ガスまたはアンモニアガスなど)が供給される。 - 特許庁

Into a processing chamber, a board is carried in which a conductive region composed of metal is exposed in a part of an insulating surface.例文帳に追加

絶縁性表面の一部に、金属からなる導電領域が露出した基板を、処理チャンバ内に搬入する。 - 特許庁

A plurality of wafers 200 are heated by a heater 12 as a heating means provided to the outside of the processing chamber 201.例文帳に追加

複数のウェハ200は処理室201の外側に設けられた加熱手段としてのヒータ12により加熱される。 - 特許庁

To provide a processing device wherein an opening formed in a chamber is sealed with an inner cover without fail.例文帳に追加

チャンバに形成された開口部を内カバーによって確実に密閉できるようにした処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and an atmosphere exchanging method for reducing adhesion of particles to a substrate in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室においてパーティクルが基板に付着することを低減する処理装置及び雰囲気置換方法を提供する。 - 特許庁

Thus, vacuum evacuation is carried out so that the pressure in the processing chamber reaches predetermined pressure (vacuum).例文帳に追加

このようにして、処理室内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気するように構成されている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can accurately predict a cleaning timing of a reaction chamber and can increase a production throughput.例文帳に追加

反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Processing gas is introduced into a reaction chamber in a state where it is controlled to prescribed gas pressure, and it is kept a for prescribed time.例文帳に追加

次に、所定のガス圧力に制御した状態でプロセスガスを反応室内に導入し、一定時間保持する。 - 特許庁

A slide mechanism 6 for supporting the heater 5 separately from the processing chamber 4 and slidably in the axial direction is also provided.例文帳に追加

前記加熱体5を前記処理室4と分離して軸方向にスライド可能に支持するスライド機構6を備えている。 - 特許庁

A gate valve 26 is provided in the processing chamber 24, and gate valves 30 are respectively provided in the vacuum spare rooms 28a, 28b.例文帳に追加

処理室24にはゲートバルブ26が、各真空予備室28a、28bにはゲートバルブ30が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

The apparatus is equipped with a fixed processing chamber 24 and two movable vacuum spare rooms 28a, 28b.例文帳に追加

この真空処理装置は、固定された処理室24と、移動可能な二つの真空予備室28a、28bとを備えている。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the ampoule is located adjacent to the processing chamber to provide a point of use vaporization of the liquid precursor.例文帳に追加

好適実施例においては、アンプルは、処理チャンバに隣接して位置し、液体前駆物質の気化のユースポイントを与える。 - 特許庁

The device includes at least one chamber 4, 5, and 6 for commonly processing at least two objects 2 to be processed.例文帳に追加

処理される少なくとも二つの対象物2の共有処理のための少なくとも一つのチャンバー4、5,6を含む。 - 特許庁

To provide a substrate processing device wherein an airflow straightened in one direction can be materialized in a chamber.例文帳に追加

チャンバー内において整流化した一方向への気流を実現することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The measured information processing part determines the temperature distribution in the simulated combustion chamber 20 based on the infrared light absorption information.例文帳に追加

計測情報処理部は、この赤外光吸収情報に基づいて、模擬燃焼室20内の温度分布を求める。 - 特許庁

The long nozzle (gas supply nozzle) 232 is extended along an inside of an inner tube 204 which constitutes a reaction tube (the processing chamber).例文帳に追加

反応管(処理室)を構成するインナチューブ204の内側に沿ってロングノズル(ガス供給ノズル)232が延在される。 - 特許庁

A loading/unloading mechanism 16 moves the processed semiconductor wafer Waf or the unprocessed semiconductor wafer Waf out of or into the processing chamber 11.例文帳に追加

搬入出機構16は、処理前または処理後の半導体ウェハWafを処理室11内外へ移動させる。 - 特許庁

The equipment for etching a photomask includes a processing chamber having a supporting base seat adapted to receive a photomask.例文帳に追加

一実施形態において、装置はフォトマスクを受けるように適合された支持台座部を有する処理チャンバを備える。 - 特許庁

A substrate support assembly 18 is coupled with the processing chamber 14 to support a substrate in the process space 26.例文帳に追加

基板支持体アセンブリ(18)は、反応室(14)と結合して、プロセス空間(26)内で基板を支持するように構成される。 - 特許庁

Furthermore, the reactor 10 is equipped with a gas injection assembly 36 for injecting at least a kind of gas into the processing chamber.例文帳に追加

反応器は、少なくとも一種のガスを処理チャンバ内に注入するガス注入アセンブリ36をさらに備える。 - 特許庁

A substrate W is transferred with its tilted attitude by a roller converter into a processing tool 10 within a stripping chamber.例文帳に追加

基板Wはローラコンベア1により傾斜姿勢で搬送されて剥離処理室2内の処理ツール10に搬入される。 - 特許庁

Consequently, unreacted and reacted exhaust gases from each processing chamber are collectively subjected to detoxifying treatment.例文帳に追加

これにより、各処理室からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置14において除害処理される。 - 特許庁

In a processing chamber CHc, an opening MO and a maintenance cover MD which can open/close the opening MO are provided on the outer wall facing the chamber outer space CLS.例文帳に追加

処理チャンバCHcにおいて、チャンバ外部空間CLSに面する外壁には開口部MOおよびその開口部MOを開閉可能なメンテナンス用カバーMDが設けられている。 - 特許庁

To provide substrate processing equipment wherein no atmosphere outside a process chamber is sucked nor disturbs the air current in an adjoining process chamber, causing no degradation in process quality for the substrate.例文帳に追加

処理室外の雰囲気を吸い込んだり隣接する処理室の気流を乱したりすることがなく、基板の処理品質の低下が生じない基板処理装置を提供でする。 - 特許庁

When the semiconductor wafer W is in a standby state before being carried in the chamber 6, on the other hand, the holding unit 7 is moved to a receiving and delivery position farther from the chamber window 61 than the processing position.例文帳に追加

一方、半導体ウェハーWがチャンバー6内に搬入される前の待機状態のときには保持部7を処理位置よりもチャンバー窓61から離間した受渡位置に移動させる。 - 特許庁

例文

An ice making chamber 2 applied to this ice making machine has the plating processing-applied small ice making chamber 3 from the viewpoint of preventing corrosion, and therefor requires a separation preventive countermeasure against plating M.例文帳に追加

この製氷機に適用する製氷室2は、腐食防止の観点から、メッキ処理が施された製氷小室3を有するので、メッキMの剥がれ防止対策が必要である。 - 特許庁




  
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