「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The buffer chamber 257 is provided in a heating region 201A inside the processing chamber 201 to which heat released from the heating means attains; and the discharging electrode unit out of the discharging electrode 270 which is inserted into the buffer chamber 257 from outside is positioned outside of the buffer chamber 257, so as to be located at a position to which heat released from the heating means does not attain.例文帳に追加

バッファ室２５７を加熱手段による加熱が及ぶ処理室２０１内の加熱領域２０１Ａに設けて、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入される放電用電極２７０のうちの加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出す。 - 特許庁

In the liquid ejection head, the liquid chamber unit is formed by laminating a first liquid chamber substrate formed by machining, and a flat second liquid chamber substrate having the same composition as the first liquid chamber substrate and formed by processing different from machining.例文帳に追加

そして、本発明の液体吐出ヘッドにおいて、液室ユニットは、機械加工処理で形成された第１の液室基板と、該第１の液室基板と同一組成であって、かつ機械加工処理とは異なる加工処理で形成された平坦な第２の液室基板とが積層して形成される。 - 特許庁

A plasma etching apparatus 2 is provided with a plasma generating chamber 23 consisting of a quartz bulb connecting at its one end a glow starter 24 and also connecting at its other end a processing chamber 21 via a transporting chamber 22, and this plasma generating chamber 23 can freely rotate around the quartz bulb.例文帳に追加

プラズマエッチング装置２には、一端にグロースタータ２４が接続され他端に輸送室２２を介して処理室２１が接続された石英管からなるプラズマ発生室２３が備えられており、このプラズマ発生室２３は石英管の軸を中心にして回転自在に設けられている。 - 特許庁

The tea processing machine includes: a tea leaf drying chamber 11; tea leaf detecting means for detecting presence of tea leaves within the drying chamber; heating/drying means 16 for drying the tea leaves within the drying chamber; and control means 1A for controlling the heating/drying means according to whether tea leaves are present or not within the drying chamber.例文帳に追加

茶葉の乾燥室１１と、該乾燥室内の茶葉の有無を検知する茶葉検知手段と、乾燥室内の茶葉を乾燥する加熱乾燥手段１６と、乾燥室内の茶葉の有無により、加熱乾燥手段を制御する制御手段１Ａとより構成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of shortening an adjustment processing time by performing an adjustment processing of first transfer means and second transfer means and a pre-process preparation of a processing chamber where adjustment has been completed in parallel.例文帳に追加

第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling a substrate processing apparatus that can flexibly use an atmosphere created in a processing operation unit having been executed previously for a processing operation unit to be executed later in a predetermined processing chamber.例文帳に追加

所定の処理室において、先に実行された処理作業単位によって作られた雰囲気を後に実行する処理作業単位において柔軟に利用することができる基板処理装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

The processing liquid coating device 200 has a coating roller 232 for coating the processing liquid to a recording medium, the squeeze roller 250 for feeding the processing liquid to the coating roller, and the liquid chamber 206 for holding the processing liquid and for feeding the liquid to the squeeze roller.例文帳に追加

処理液塗布装置２００は、記録媒体に処理液を塗布する塗布ローラ２３２と、塗布ローラに処理液を供給するスクイーズローラ２５０と、処理液を保持し前記スクイーズローラに液を供給する液室２０６とを有している。 - 特許庁

Then, conveyance of wafer is performed only to the process chamber within the allowable range in conveying the wafer to the place before the process chamber, a second feedforward computation is performed by reflecting the result of the feedback computation based on the last processing in the process chamber, and wafer processing is carried out on the basis of the processing of the processed parameter computed thereby.例文帳に追加

そして，許容範囲内となる処理室にのみウエハの搬送を実行し，その処理室の手前までウエハを搬送し，その処理室での直前の処理に基づくフィードバック計算の結果を反映した第２回目のフィードフォワード計算を実行し，その結果算出された処理パラメータ処理によってウエハの処理を実行する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 comprises: a plasma processing chamber 11; a plasma generating chamber 12 connected to the plasma processing chamber 11; a high-frequency antenna 16 for generating plasma; a plasma controlling plate 17 for controlling the electronic energy in the plasma; and an operation bar 171 and a moving mechanism 172 for adjusting the position of the plasma controlling plate 17.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。 - 特許庁

In this method, the following steps are alternately executed: a step S1 of putting a workpiece into a processing chamber capable of being kept in vacuum state, and supplying an Si source into the processing chamber using an amino-silane gas of molecules each having two amino groups as the Si source, and oxygen radicals as an oxidizer; and a step S2 of supplying the oxygen radicals into the processing chamber.例文帳に追加

真空保持可能な処理容器内に被処理体を装入し、Ｓｉソースとして１分子内に２個のアミノ基を有するアミノシランガスを用い、酸化剤として酸素ラジカルを用い、Ｓｉソースを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、前記酸素ラジカルを処理容器内へ供給する工程Ｓ２を交互に実施する。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing a semiconductor comprises a processing chamber in which an article being processed is placed, an exhaust pipe for discharging gas in the processing chamber to the outside, and a control valve provided in a gas supply pipe and controlling the flow of pressure recovering gas at the time of raising the pressure in the processing chamber under the pressure reduced state by supplying the pressure recovering gas thereto.例文帳に追加

半導体製造装置は被処理体が配置される処理チャンバと、処理チャンバに連結され、処理チャンバ内のガスを外部に排出するための排気管と、配気管に設けられ、減圧状態の処理チャンバに復圧ガスを供給して処理チャンバ内の圧力を上昇させる際に復圧ガスの流れを制御する制御バルブを備えている。 - 特許庁

The plasma processing device which has a chamber and generates plasma of gas introduced in the chamber to perform plasma processing on a semiconductor wafer (an object to be processed) installed in the chamber is characterized in that a connection portion between an upper member 2 and a side wall member 3 provided above and peripherally outside the chamber is formed in a curved shape having its center of curvature set inside the chamber.例文帳に追加

チャンバーを有し、チャンバーの内部に導入したガスのプラズマを発生させて、チャンバーの内部に設置された半導体ウェハ（被処理物）に対して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、チャンバーの上方及び外周外方にそれぞれ設けられた上部部材２及び側壁部材３の接合部の形状を、曲率中心がチャンバーの内部に設定された湾曲状に形成した。 - 特許庁

Partition valves 4 which close to sandwich the sheet-like substrate S are arranged respectively on an inlet part of the upstream side auxiliary vacuum chamber 3_1, an outlet part of the downstream side auxiliary vacuum chamber 3_2, and an inlet part and outlet part of the vacuum processing chamber.例文帳に追加

上流側補助真空室３_１の入口部と、下流側補助真空室３_２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。 - 特許庁

To provide a technique for suppressing an increase in apparatus size and also suppressing an increase in footprint, in a substrate processing apparatus in which a plurality of processing chambers for processing substrates are connected to a vacuum conveyance chamber.例文帳に追加

真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

To shorten a processing time (cycle time) in each processing chamber in order to improve throughput and productivity of a substrate processing system which transports and processes a substrate for, for example, a magnetic disk, thereby manufacturing products in large quantities.例文帳に追加

磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving an in-plane uniformity of processing comparing to the conventional apparatus and reducing useless spaces in a processing chamber to miniaturize the apparatus.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the exhaust pressure does not change large in acid-related processing in one processing chamber as compared with alkali-related processing to suppress sticking of particles onto the wafer due to change in exhaust pressure.例文帳に追加

これにより、１つの処理室における酸系の処理時、アルカリ系の処理時等とでは排気圧が大きく変動することはなく、この排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus comprises: a transfer chamber 10; first processing chambers 12-1 and 12-2; second processing chambers 12-3 and 12-4; first substrate transfer trucks 20-1 and 20-2; and second substrate transfer trucks 20-3 and 20-4.例文帳に追加

真空処理装置は、搬送室１０、第１処理室１２−１〜２、第２処理室１２−３〜４、第１基板搬送台車２０−１〜２、第２基板搬送台車２０−３〜４を備える。 - 特許庁

To provide a substrate processing system and a heat treating method in which an article can be subjected to processing with high uniformity by making uniform the surface temperature of the article in a processing chamber.例文帳に追加

プロセス処理室内の被処理体の表面の温度分布を均一にして、被処理体に対して均一性の高いプロセス処理を施すことのできる基板処理装置と熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

To improve productivity in substrate processing by promoting heat dissipation occurring when lowering a temperature of a substrate, and to improve quality of substrate processing by inhibiting foreign materials from occurring in a processing chamber during deposition.例文帳に追加

基板を降温させる際の放熱を促進させて基板処理の生産性を向上させたり、成膜時における処理室内での異物の発生を抑制して基板処理の品質を向上させたりする。 - 特許庁

Unlike the conventional processing tanks, in the cross-section shape of the processing chamber 503 of the processing tank 5, a width d1 in the right-left direction in the upper portion is smaller than a width d2 in the right-left direction in the lower portion.例文帳に追加

処理槽５の処理室５０３の断面形状は、従来の処理槽とは異なり、上部における左右方向の幅ｄ１が、下部における左右方向の幅ｄ２よりも狭くなっている。 - 特許庁

A substrate processing apparatus comprises a transport mechanism 1; a development processor 12 having a processing chamber 121 that supplies a substrate S with a developing solution to perform development processing; and a controller 60 for controlling them.例文帳に追加

基板処理装置は、搬送機構１と、現像液を基板Ｓに供給することにより現像処理を施す処理室１２１をもつ現像処理部１２と、これらを制御するコントローラ６０とを備える。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a chamber for performing plasma processing of an article to be processed, a slot electrode guiding a microwave for plasma processing, and a plasma source for igniting the plasma.例文帳に追加

プラズマ処理装置を、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、該プラズマ処理のためのマイクロ波を案内するスロット電極と、該プラズマを着火させるためのプラズマ源とで構成する。 - 特許庁

The degree of processing of the first and second materials A and B in each unit 11-15 is expressed numerically, using the moving time of the material and the processing time thereof in a target processing chamber 13, 14.例文帳に追加

各ユニット１１〜１５における第１及び第２材料Ａ，Ｂの仕掛度合が、材料の移動時間と目的地となる処理室ユニット１３，１４での処理時間とを用いて数値化される。 - 特許庁

In maintenance, the exhausting of the processing chamber P is stopped first, then an inert gas such as a nitrogen gas is introduced into the processing chamber P from an introduction port not shown in Figure, and a pressure is increased to a degree of 1000Pa (specific internal pressure).例文帳に追加

メンテナンス時などにおいては、まず、プロセス室Ｐの排気を停止し、不図示の導入口からプロセス室Ｐ内に窒素ガスなどの不活性ガスを導入して、１０００Ｐａ（所定の内圧）程度まで圧力を増大させる。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing apparatus comprises pressure adjustment means 19 capable of adjusting a pressure inside a processing chamber 11, and a gas supply source 15b and a mass flow controller 17b flowing an inert gas at an adjusted flow rate into the processing chamber 11.例文帳に追加

処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。 - 特許庁

The pressure in the processing chamber is reduced, the flow of a process gas is started in the processing chamber, the impedance of an RF system including an electrode is controlled to match desired impedance, and uniformly dense plasma of ions is provided.例文帳に追加

処理チャンバ内の圧力は低減され、処理ガスのフローが処理チャンバに開始され、電極を含むＲＦシステムのインピーダンスを所望のインピーダンスに整合するよう制御され、イオンの均一な密度のプラズマが提供される。 - 特許庁

After the temperature of the processing chamber in which a wafer 18 is processed is raised by a heater 17 to a temperature necessary to remove the by-products 7, purging gas is introduced into the processing chamber through a purging gas line 8.例文帳に追加

ウェハー１８の処理を行う処理室内の温度をヒーター１７により反応副生成物７の除去に必要な所定の温度に昇温した後、パージ用ガスをパージ用ガスライン８を介して処理室内に導入する。 - 特許庁

The gas tube is adapted to carry a process gas and cleaning plasma from the gas source/remote plasma gas source to the substrate processing chamber and the RF power source is adapted to couple RF power to the substrate processing chamber.例文帳に追加

ガス管は、プロセスガスおよび洗浄プラズマを該ガス源／遠隔プラズマガス源から該基板処理チャンバに搬送するように適合されており、該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。 - 特許庁

To provide a laser processing apparatus which allows rapid carry-out and carry-in of a body to be processed without necessity of such things as a load lock chamber and which also allows stabilization of the atmosphere in a processing chamber in a short time.例文帳に追加

レーザ処理装置にロードロック室などを設置することなく被処理体の搬出、搬入を迅速に行うことができ、しかも処理室内の雰囲気安定化を短時間で行うことができるレーザ処理装置を提供する。 - 特許庁

The CPU 44 performs carrier on/off control to the modulation part 43 according to the control instruction from the monitor chamber, and performs bi-directional communication with the monitor chamber, and performs the transformation processing and rewriting processing of a protocol.例文帳に追加

ＣＰＵ４４は、監視室からの制御命令に従って変調部４３に対するキャリア・オン／オフ制御を行ない、監視室との間で双方向通信を行なうと共に、プロトコルの変換処理、書替え処理等を行なう。 - 特許庁

To prevent corrosion of metal inside a processing chamber, to enlarge an etching rate of a film attaching to a heat-resistant nonmetallic member (e.g., quartz member) and to prevent quartz powder from remaining in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の金属を腐食させず、耐熱性非金属部材（例えば石英部材）に付着した膜のエッチングレートが大きく、エッチングの際に耐熱性非金属部材から剥がれた石英粉が処理室に残らないようにする。 - 特許庁

Consequently, a processing chamber composed of the semiconductor wafer 11 as its inner bottom surface and the inner circumferential surface of the press frame body 17 as its internal wall is constituted in an etching pot 14, and etching can be carried out by supplying an etchant into the processing chamber.例文帳に追加

これにて、エッチングポット１４には、半導体ウエハ１１を内底面とし押え枠体１７の内周面を内壁とした処理室が構成され、この処理室内にエッチング液を供給してエッチング処理を行うことができる。 - 特許庁

The single wafer heat treatment system 1 comprises a processing chamber 4 containing planar articles 2 to be processed sheet by sheet, and a tubular heater 5 wound on the outer surface 4a of the processing chamber 4 at a specified interval.例文帳に追加

この枚葉式熱処理装置１は、平板状の被処理物２を１枚ずつ収容する処理室４と、前記処理室４の外面４ａに対して所定の間隔をおいて巻回された筒状の加熱体５とを備えている。 - 特許庁

An irradiation processing chamber provided with an electron beam irradiating means 12 is installed in a carrier path for carrying the sheet material 1, and an exhaustion system 17 having a decompression means for making the inside in the decompression state is connected to the irradiation processing chamber 10.例文帳に追加

シート材料１を搬送する搬送路に、電子線照射手段１２を備える照射処理室を設置し、照射処理室１０には内部を減圧状態にする減圧手段を有する排気系統１７を連結している。 - 特許庁

A silicon substrate 103 with a resin film 102 stuck (transferred) is carried into a processing chamber 111 of an oven (heat treatment device) 110, and the internal temperature of the processing chamber 111 is raised from a room temperature (approximately 20°C) at a rate of 5.5°C/min.例文帳に追加

樹脂膜１０２が被着（転写）されたシリコン基板１０３を、オーブン（加熱処理装置）１１０の処理室１１１内部に搬入し、処理室１１１の内部温度を、室温（約２０℃）から５．５℃／ｍｉｎの速度で昇温する。 - 特許庁

In a heating step for heating a semiconductor substrate arranged in the processing chamber 10, an emissivity meter 8 measures emissivity of a sidewall inner face 1s dissipating heat to the semiconductor substrate disposed in the processing chamber 10.例文帳に追加

処理室１０内に設置された半導体基板を加熱する加熱工程において、まず、処理室１０内に設置された半導体基板に対して熱を放射する側壁内面１ｓの放射率が放射率計８により計測される。 - 特許庁

Then, by making the sterilizing gas from the path (33) for supplying sterilizing gas flow into the processing chamber (2) together with the gas in the path (34a) for the diffusion having the air volume of 10 times, the sterilizing gas is easily diffused in a wide range inside the processing chamber (2).例文帳に追加

そして、滅菌ガス供給用通路（33）からの滅菌ガスを、その１０倍の風量の拡散用通路（34a）のガスと共に処理室（2）へ流入させることで、処理室（2）内において滅菌ガスを広範囲に拡散しやくする。 - 特許庁

In a processing chamber 1 of a deposition apparatus 100, a wafer W on which a polyimide film 81 is formed is heated at a temperature of 110°C or more to 400°C or less with a CO gas being introduced to the processing chamber 1 and heat treatment is performed on the polyimide film 81.例文帳に追加

成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus, having a plasma processing chamber and a slot for introducing microwaves to the plasma processing chamber, easily changes the density and distribution of plasma near the substrate, by changing at least one of the shape and position of the slot.例文帳に追加

本発明は、プラズマ処理室と前記プラズマ処理室ヘマイク口波を導入するスロットを備えたプラズマ処理装置であって、前記スロットの形と位置のうち少なくとも一つを変更することにより、基板近傍のプラズマの密度と分布を容易に変更するプラズマ処理装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus which separates a region in a processing chamber from a region in an arm standby part by covering up openings, which are provided on a wall dividing the processing chamber from the arm standby part and allow nozzle support arms to pass therethrough, with the nozzle support arms.例文帳に追加

処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing is provided with the gas processing chamber 20 for manufacturing by processing a target object with a gas and exhausting the exhaust gas used for the manufacturing process, and the infrared spectroscopic analyser 10 for analyzing the exhaust gas exhausted from the gas processing chamber 20.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造装置は、対象物をガスで処理することによって製造処理を行い、製造処理に用いた排出ガスを排出するガス処理チャンバー２０と、ガス処理チャンバー２０から排出される排出ガスを分析する赤外分光分析装置１０と、を備える。 - 特許庁

In this vacuum cooling method for cooling the cooled objects by decompressing the inside of a processing tank 3, a decompression rate in the processing chamber 3 is controlled based on the temperature variation of the cooled objects and/or a pressure variation in the processing chamber 3.例文帳に追加

処理槽３内を減圧して被冷却物２を冷却する真空冷却方法において、前記被冷却物２の温度変化および／または前記処理槽３内の圧力変化に基づいて、前記処理槽３内の減圧速度を制御することを特徴としている。 - 特許庁

There is provided a substrate processing device having a carrier 122 which is mainly arranged generally at least in one processing chamber 96; and at least one of shuttles 118, 120 for conveying substrates 114, 115, and 116 between the processing chamber 96 and load lock chambers 92, 94.例文帳に追加

本発明は全般に少なくとも１つのプロセスチャンバ９６に主に配設されたキャリア１２２と、該プロセスチャンバ９６とロードロックチャンバ９２、９４間で基板１１４、１１５、１１６を搬送する少なくとも１つのシャトル１１８、１２０とを有する基板処理装置を提供する。 - 特許庁

For the substrate processing apparatus described in Claim 1, at least one of the plurality of processing chambers is a pressurizing chamber for pressurizing and sticking the plurality of substrates together in a reduced-pressure environment, and at least another one of the plurality of processing chambers is a load lock chamber for temporarily placing the substrate to deliver to the transfer arm.例文帳に追加

複数の処理室の少なくとも一つは、減圧環境で複数の基板を押圧して貼り合わせる加圧室であり、複数の処理室の少なくとも他の一つは、搬送アームに受け渡す基板を仮置きするロードロック室である請求項１に記載の基板処理装置。 - 特許庁