「quantum memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

量子ドットを備えたメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY USING QUANTUM DOT例文帳に追加

量子点を用いた非揮発性メモリーの製造方法 - 特許庁

NANOCRYSTALLINE SILICON QUANTUM DOT MEMORY DEVICE AND FORMATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

ナノ結晶シリコン量子ドットメモリ装置及びその形成方法 - 特許庁

To provide a quantum memory in which quantum information can be moved freely without interference from another memory cell between arbitrary two memory cells.例文帳に追加

任意の２つのメモリセル間で他のメモリセルの干渉を受けることなく量子情報を自由に移動させることが可能な量子メモリを提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE IN WHICH MULTILAYER QUANTUM POINT IS USED AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

多重層の量子点を用いたメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM DOT USED FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法 - 特許庁

To provide a memory element equipped with quantum dots and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

量子ドットを備えたメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SINGLE ELECTRON MULTI-VALUED MEMORY APPLYING DOUBLE QUANTUM POINT AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加

二重量子点を応用した単一電子多値メモリ及びその駆動方法 - 特許庁

QUANTUM SEMICONDUCTOR DEVICE, WAVELENGTH MULTIPLEXING LIGHT SIGNAL RECEIVER AND OPTICAL MEMORY DEVICE例文帳に追加

量子半導体装置、波長多重化光信号受信装置、光メモリ装置 - 特許庁

To provide a nanocrystalline silicon quantum dot memory device and a related manufacturing method.例文帳に追加

ナノ結晶シリコン量子ドットメモリ装置と関連する製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic memory includes a structure configured such that a layer for forming a quantum well is adjoining to a ferromagnetic layer.例文帳に追加

また、強磁性層に量子井戸形成層を隣接した構成を有する。 - 特許庁

To provide a single electron multi-valued memory for multiple quantum point application applying them to the multi-valued memory by constituting EEPROM or the floating gate of a flash memory of two quantum points and its drive method.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭあるいはフラッシュメモリの浮遊ゲートを２個の量子点で構成し、これらを多値メモリに応用した多重量子点応用単一電子多値メモリ及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF ADJUSTING RESONANCE WAVELENGTH OF PHOTONIC CRYSTAL RESONATOR, PHOTONIC CRYSTAL DEVICE, QUANTUM ENTANGLEMENT PHOTON PAIR GENERATER AND QUANTUM MEMORY例文帳に追加

フォトニック結晶共振器の共振波長を調整する方法、フォトニック結晶デバイス、量子もつれ光子対発生装置、及び量子メモリ - 特許庁

METHOD FOR FORMING QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

シリコン量子ドットの形成方法及びこれを利用した半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

QUANTUM DOT-BASED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

量子ドットをベースにした磁気ランダムアクセスメモリセルとそのアレイ、および、これらの製造方法 - 特許庁

To provide a charge carrier device used as a memory device and/or quantum information processing device.例文帳に追加

メモリデバイス及び／又は量子情報処理デバイスとして用いられる電荷キャリアデバイスを提供する。 - 特許庁

A quantum reference part 109 outputs a weighted average value Q of the output values Out of the peripheries of a noticed pixel stored in a quantum memory 108.例文帳に追加

量子参照部１０９では、量子メモリ１０８に蓄積されている注目画素周辺の出力値Ｏｕｔの重み付き平均値Ｑを出力する。 - 特許庁

Also, a plurality of atomic species are captured by the optical standing waves 5 independent of one another and quantum states memory and quantum states communication are taken charge of by different atomic species.例文帳に追加

また、複数の原子種を、互いに独立な光定在波５で捕捉し、量子状態記憶と量子状態伝達とを異なる原子種で分担させる。 - 特許庁

QUANTUM DOT FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT AND OPTICAL SENSOR USING SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT USING THEM例文帳に追加

量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路 - 特許庁

A quantum memory 109 outputs output values Out(x-1, y), Out(x, y-1) in two pixels in a periphery of a noticed pixel as a quantum group q(x, y).例文帳に追加

量子メモリ１０９は、注目画素周辺の２画素における出力値Ｏｕｔ（ｘ−１，ｙ）、Ｏｕｔ（ｘ，ｙ−１）を量子群ｑ（ｘ，ｙ）として出力する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a quantum device on a plastic substrate by a low-temperature process by which the quantum device can be produced as a single electron transistor or a single electron memory that acts stably at ordinary temperature.例文帳に追加

常温で安定に作動する単電子トランジスタや単電子メモリーとして生産可能な量子素子を低温プロセスでプラスチック基板上に作成する製造方法を提供する。 - 特許庁

SINGLE ELECTRONIC MEMORY ELEMENT COMPRISING QUANTUM POINT BETWEEN GATE ELECTRODE AND SINGLE ELECTRONIC STORAGE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲート電極と単一電子ストレージエレメントとの間に量子点を備える単一電子メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The quantum random address memory device 30 is provided with plural address ports of a low dimension A0-A3 and some ports that reverse them, plural magnetic nano-memory elements 40, a mixer element 32 coupling address ports to plural magnetic nano-memory element of a high dimension, a data output section coupled to plural magnetic nano-memory elements.例文帳に追加

量子ランダム・アドレス・メモリ装置(30)は、低次元の複数のアドレス・ポート(A,A0-A7)と、複数の磁性ナノ・メモリ素子(40)、アドレス・ポートを高次元の複数の磁性ナノ・メモリ素子に結合するミキサ素子(32)と、複数の磁性ナノ・メモリ素子に結合されたデータ出力部を備える。 - 特許庁

To spatially separate holes generated in quantum dots in an optical semiconductor memory from electrons to the extent that their recombination do not occurs.例文帳に追加

光半導体記憶装置に関し、量子ドットにおいて発生した正孔を電子から再結合が生じない程度に空間的に分離する。 - 特許庁

Specifies the quantum of a scanline (8, 16, or 32).In other words, the start of one scanline is separated in client memory from the start of the next scanline by an integer multiple of this many bits. bytes_per_line例文帳に追加

言い替えれば、クライアントのメモリ中では、スキャンラインの先頭は次のスキャンラインの先頭とこのビット数の整数倍だけ離れている。 - XFree86

The optical semiconductor memory has at least a laminated structure composed of a first semiconductor layer 4, a second semiconductor layer 2, a barrier layer 3 and quantum dots 1 laminated one above the other, the quantum dots 1 are used as holders for electrons 7 and the second semiconductor layer 2 is used as acceptors for holes 8 generated in the quantum dots 1.例文帳に追加

第１の半導体層４、第２の半導体層２、バリア層３、及び、量子ドット１を順次積層させた積層構造を少なくとも有する光半導体記憶装置の量子ドット１を電子７の保持部とするとともに、第２の半導体層２を量子ドット１において発生した正孔８の受容部とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which has stable uniformity and can be mass-produced, and in which quantum dot elements constituting memory cells respectively are integrated with high density.例文帳に追加

安定した均一性で量産可能であるとともに、それぞれがメモリセルを構成する量子ドット素子を高密度で集積した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The substrate having the arrangement of metal dots can be used for a quantum device using a single electron tunneling effect such as a single electron transistor and a single electron memory.例文帳に追加

この金属ドットを配列させた基板は、単一電子トランジスタや単一電子メモリ−のような単一電子トンネル果を利用した量子素子に用いることができる。 - 特許庁

By the above constitution, the multi-valued memory applying the two quantum points can be realized, is made different from the other memory and can be realize an extreme high integration memory of 1 Tb or more without attaining a physical limit such as short channel effect due to MOSFET scale- down.例文帳に追加

このように構成することによって、２個の量子点を応用した多値メモリを具現化することが可能となり、他のメモリとは異なってＭＯＳＦＥＴのスケールダウンによる短チャネル効果のような物理的限界に達することなく、１Ｔｂ以上の超高集積メモリを具現化することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the flash memory retains the environmental atmosphere of the semiconductor substrate before forming the quantum dot clean by an organic gaseous substance removing means, in the manufacturing method of the flash memory which forms an insulating film on the semiconductor substrate and forms the quantum dot on the insulating film as the floating gate.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に量子ドットをフローティングゲートとして形成するフラッシュメモリの製造方法において、前記量子ドット形成前までの前記半導体基板の環境雰囲気を、有機ガス状物質除去手段にて清浄に保つことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory which is reduced in the amount of an organic gaseous substance in an environmental atmosphere and capable of manufacturing a quantum dot having a size and/or density within an optimum range, in the manufacturing method the a flash memory which forms the quantum dot on the insulating film of a semiconductor substrate as a floating gate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板の絶縁膜上に、フローティングゲートとして量子ドットを形成するフラッシュメモリの製造方法において、環境雰囲気中の有機ガス状物質を低減し、適正範囲内のサイズ及び／又は密度の量子ドットの製造が可能となるフラッシュメモリの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device utilizing Si quantum dots and its fabricating method in which the memory holding time can be improved efficiently without deteriorating write/erase rate.例文帳に追加

書込／消去速度を劣化させることなく記憶保持時間を効率良く改善できるような、Ｓｉ量子ドットを利用した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After the single electron memory for the two-quantum point application forms each floating gate 5, 6 on both the ends of a channel 1, an insulation layer is interposed thereon to have a structure for forming a control gate 7.例文帳に追加

本発明に係る二つの量子点応用単一電子メモリは、チャネル１上の両端に各々浮遊ゲート５、６を形成した後、その上に絶縁層４を介在させて制御ゲート７を形成した構造を有する。 - 特許庁

The non-volatile SONSNOS memory comprises first and second insulating films stacked on a channel of a substrate, first and second dielectric films formed between the upper part of the first insulating film and the lower part of the second insulating film, and a group IV semiconductor film, silicon quantum dots, or metal quantum dots, inserted between the first dielectric film and the second dielectric film.例文帳に追加

基板のチャンネル上に積層される第１及び第２絶縁膜と、第１絶縁膜の上部と第２絶縁膜の下部に形成される第１及び第２誘電膜、並びに第１及び第２誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性ＳＯＮＳＮＯＳメモリ。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell 100 comprises an insulating substrate 110, an electrically conductive base line 130 provided on the insulating substrate, at least one magnetic quantum dot 150 attached to the base line, and an electrically conductive top line 160 provided across at least one magnetic quantum dot in a direction transverse to the base line.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセル１００は、絶縁性基板１１０と、この絶縁性基板上に設けられる導電性のベースライン１３０と、このベースラインに取り付けられる少なくとも１つの磁気量子ドット１５０と、ベースラインを横切る方向に少なくとも１つの量子ドットのところで交差して設けられる導電性のトップライン１６０を有する。 - 特許庁

Then, a nonvolatile memory, in which the floating gate region between a channel region 150 and a gate electrode 147 is constituted using the quantum thin line 145, is formed by forming the gate electrode 147, a source region 148, and a drain region 149.例文帳に追加

その後、ゲート電極１４７,ソース領域１４８およびドレイン領域１４９を形成して、チャネル領域１５０とゲート電極１４７との間の浮遊ゲート領域を量子細線１４５で構成した不揮発性メモリを形成する。 - 特許庁

The memory transistor further has PtSi layers 18a, 18b so as to suppress the excess erasure to field emit electrons of the gate 13 at the erasure time to the insulating film on the sidewall of the gate 13 in a quantum mechanical tunneling manner.例文帳に追加

浮遊ゲート１３の側壁には、消去時に浮遊ゲート１３の電子が量子力学的トンネリングにより絶縁膜に電界放出される過剰な消去を抑制するために、ＰｔＳｉ層１８ａ，１８ｂを形成している。 - 特許庁

To prevent the dissipation of a recorded part from the material surface of an optical memory element by using a photochromic compound having the remarkably small ring-opening quantum yield for the optical memory element, and also to prevent the deterioration of a signal of the recorded part from the surface of an optical recording system by the recording operation utilizing the two photon absorbing reaction.例文帳に追加

光メモリ素子に開環量子収率が著しく小さいフォトクロミック化合物を用いることにより、光メモリ素子の材料面から記録部分の消滅を防止すると共に、２光子吸収反応を利用して記録することにより、光記録方式の面から記録部分の信号の低下を防止する。 - 特許庁

The nonvolatile optical memory 10 includes a GaAs substrate 1, a distribution Bragg reflection layer 2 formed on the GaAs substrate 1 by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a semiconductor active layer 3 with a quantum well structure on the distribution Bragg reflection layer 2.例文帳に追加

不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。 - 特許庁

To provide an optical buffer memory device which can be made low-cost by reducing the number of optical components and stores an optical pulse signal train without electric conversion and is available at a normal temperature and is expected to deal with the up-to-date optical technologies of high speed optical networks, quantum computers, etc. on a full scale.例文帳に追加

光学部品点数を低減させ、低コスト化を図ることができ、光パルス信号列を電気変換を行うことなく蓄積し、常温で使用可能であり、高速光ネットワークや量子コンピュータといった最新の光技術への本格的な対応が期待される光バッファメモリ装置を提供する。 - 特許庁