「random field」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic field applying device X1 for setting the perpendicular magnetic recording layer in a recording medium D having a perpendicular magnetic recording layer to be in a random magnetization state, is provided with a plurality of electromagnets 15 for applying a perpendicular magnetic field to the perpendicular magnetic recording layer, wherein the respective electromagnets 15 are provided so as to be able to perform revolution.例文帳に追加

本発明の磁界印加装置Ｘ１は、垂直磁気記録層を有する記録媒体Ｄにおける当該垂直磁気記録層をランダム磁化状態とするためのものであって、垂直磁気記録層に垂直磁界を印加するための複数の電磁石１５を備え、各電磁石１５は例えば公転動可能に設けられている。 - 特許庁

In a method for determining the reproducing laser beam intensity, a test reproduction area, which is formed of magnetic domains having random sizes not subjected to any recording process and provided on a magneto-optical recording medium of zero-field MAMMOS, is irradiated with a laser beam before reproducing user information while changing the laser beam intensity to detect a magneto-optical signal.例文帳に追加

本発明の再生レーザー光強度の決定方法では、ユーザー情報を再生する前に、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体に設けられた記録処理されていないランダムサイズの磁区で形成されたテスト再生領域に、レーザー光強度を変化させながらレーザー光を照射して光磁気信号を検出する。 - 特許庁

This PHS system consists of a prescribed PHS terminal (PS) and plural base stations (CS1-CS4) that can communicate with the PS, and the PS selects at random a base station from the call of which the PS awaits among base stations whose reception electric field strength is more than a specified strength and the control cannel of which the PS can acquire.例文帳に追加

所定のＰＨＳ端末（ＰＳ）と、このＰＳと通信が可能な複数の基地局（ＣＳ１〜ＣＳ４）とにより構成されるＰＨＳシステムであり、ＰＳが制御チャネルを捕捉可能な複数の基地局の、規定値の受信電界強度以上で捕捉可能な基地局の中から、着信を待ち受けする基地局をランダムに選択する。 - 特許庁

By amplitude-modulating a transmission signal generating the signal magnetic field by a pseud-random binary code and modulating the transmission signal such that the signal starts from a prescribed phase by frequency shift keying according to a transmission information code that is both a binary code and an error correction code, the transmission signal conquers disturbance to have high accuracy.例文帳に追加

信号磁界を発生する送信信号は、擬似ランダム２値符号より振幅変調され、さらに２値符号であり誤り訂正符号である送信情報符号に従って周波数シフトキーイングで所定の位相から信号が開始するように変調されていることにより、外乱を克服した高い測定精度を有する。 - 特許庁

To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current.例文帳に追加

大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。 - 特許庁

A control signal to which power of power supply is superimposed with a prescribed frequency f is intermittently transmitted at random time intervals for a prescribed transmission time period from a reading device 30 to a detection unit 10 through a magnetic field coupling, and the reading device 30 is shifted to a receiving mode after completion of each transmission time period.例文帳に追加

読み取り装置３０から非接触の磁界結合を介して検出ユニット１０へ、電源電力が所定周波数ｆにて重畳された制御信号が所定の送信時間、ランダムな時間間隔で間欠的に送信されると共に、各送信時間の終了後に読み取り装置３０が受信モードに移行する。 - 特許庁

The magnetic random access memory for making the inverted magnetic field drop includes a first antiferromagnetic layer, a fixed layer formed on the first antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the fixed layer, a ferromagnetic free layer formed on the tunnel barrier layer, and a metal multilayer formed on the ferromagnetic free layer.例文帳に追加

本発明に係る、反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリは、第一反強磁性層と、第一反強磁性層上に形成される固定層と、固定層上に形成されるトンネルバリア層と、トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、強磁性自由層上に形成される多層構造金属層とを含む。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

The pseudo convergence control is achieved by reading one item of tag data positioned at the latest position out of tags positioned at random with distance difference within a reading allowable range or reading a plurality of items of tag data of which the polarization wave planes are different in angle, by sequentially changing electric field intensities of electric waves emitted through the emission part 2 or sequentially changing electric wave emission polarization angles.例文帳に追加

また、電波放出部２を介して放出される電波の電界強度を順次変化させ、あるいは電波放出偏波角を順次変化させることによって読み取り許容範囲内にランダムに距離差をもって位置するタグのうち最近の位置にある単一のタグデータを読み取り、あるいは、偏波面に角度差のついた複数のタグデータを読み取って擬似的な輻輳制御を実現する。 - 特許庁

A frame reception section 21 of a message frame decomposition circuit 20 at a receiver side decomposes the output signal EX-Nonce of a KeyNonce field from the message frame transmitted from a transmitter side, and an exclusive OR gate 22 applies exclusive OR arithmetic operation to the output signal EX-Nonce with the shared key PMK by each bit and recovers the original random number Nonce.例文帳に追加

送信されたメッセージフレームは、受信側のメッセージフレーム分解回路２０のフレーム受信部２１で、ＫｅｙＮｏｎｃｅフィールドの出力信号ＥＸ−Ｎｏｎｃｅが分離され、排他的論理和ゲート２２で共通鍵ＰＭＫとビット毎に排他的論理和演算されて元の乱数Ｎｏｎｃｅが再生される。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The magnetic random access memory disclosed herein includes a magneto-resistance effect element MTJ, a write line 42 for providing a magnetic field for data write to the magneto-resistance effect element MTJ, and a means Is2 for increasing the temperature of the magneto-resistance effect element MTJ more than that of other magneto-resistance effect elements during the data write.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線４２と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Ｉｓ２とを備える。 - 特許庁

Since a liquid crystal panel attached to a cell phone or the like does not require a so wide angle of a visual field, the reflective panel has a reflective surface 21 obtained by disposing plural fine reflective shapes 28 similar to a concave or convex basic shape 26 having different shapes in the vertical and horizontal directions at random without changing the vertical and horizontal directions.例文帳に追加

携帯電話機などに取付けられる液晶パネルは、それほど視野角が広くなくて良いので、縦方向と横方向とで異なる形状の凹状または凸状の基本形状２６に相似する複数の微細な反射形状２８を縦および横方向は変えずにランダムに配置した反射面２１を備えた反射パネルを提供する。 - 特許庁

In the determination method of the reproducing laser beam intensity, before user information is reproduced, a test reproduction region formed by non-recorded random size magnetic domains provided in the magneto-optical recording medium of the non magnetic field MAMMOS (Magnetic Amplifying Magneto-Optical System) is irradiated with a laser beam while the laser beam intensity is changed to detect a magneto-optical signal.例文帳に追加

本発明の再生レーザー光強度の決定方法では、ユーザー情報を再生する前に、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体に設けられた記録処理されていないランダムサイズの磁区で形成されたテスト再生領域に、レーザー光強度を変化させながらレーザー光を照射して光磁気信号を検出する。 - 特許庁

In the method for determining the reproducing laser light intensity, a test reproducing region formed of magnetic domains of random sizes not subjected to recording processing disposed in the magneto-optical recording medium of a non-magnetic field MAMMOS is irradiated with laser light while changing the laser light intensity and a magneto-optical signal is detected before user information is reproduced.例文帳に追加

本発明の再生レーザー光強度の決定方法では、ユーザー情報を再生する前に、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体に設けられた記録処理されていないランダムサイズの磁区で形成されたテスト再生領域に、レーザー光強度を変化させながらレーザー光を照射して光磁気信号を検出する。 - 特許庁