「rapid diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a rapid heating technology that obtains a sufficient saturated charge at a low voltage by suppressing low-temperature enhanced diffusion.例文帳に追加

低温増速拡散を抑制して低電圧で充分な飽和電荷を得る急速熱加熱技術の提供。 - 特許庁

To provide a diffusion transfer film unit which is thin and ensures rapid progress of transfer and low density of an unexposed portion.例文帳に追加

フイルムユニットが薄く、転写進行が速く、未露光部の濃度の低い拡散転写フイルムユニットを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has the N+ additional embedded layer 45 of the NPN transistor 31, formed of phosphorus (P) having a rapid diffusion rate.例文帳に追加

この半導体装置では、ＮＰＮトランジスタ３１におけるＮ^+型付加埋め込み層４５は、拡散速度の速いリン（Ｐ）で形成される。 - 特許庁

A rapid temperature change (RTC) system includes a bake plate part 205 including a heat diffusion part 222, a heater base 226 connecting with the heat diffusion part 222, and a heater layer 224 connecting with the heater base 226.例文帳に追加

高速温度変更（ＲＴＣ）システムは、熱拡散部２２２、熱拡散部２２２に連結されたヒータ基台２２６、および、ヒータ基台２２６に連結されたヒータ層２２４、を備えたベークプレート部２０５を備える。 - 特許庁

Then, the impurities are diffused into the semiconductor substrate by rapid heat treatment by a solid-state diffusion method for the formation of a shallow junction.例文帳に追加

次いで、急速熱処理を通じて半導体基板に固体状態拡散法でｉｍｐｕｒｉｔｙを拡散させて浅い接合を形成する。 - 特許庁

To provide an earthquake alarm device for assisting appropriate actions in case of earthquakes, capable of attaining rapid diffusion, using a simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成で迅速な普及を図ることができ、地震時の適切な行動に対する補助を行うための地震警報装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power source device in which further improvement of efficiency and cost reduction in a power source circuit and an inverter circuit are achieved to meet a rapid diffusion and expansion of a liquid crystal TV.例文帳に追加

液晶テレビの急速な普及拡大に伴い電源回路、インバータ回路の更なる効率改善とコスト低減が求められている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which enables easy and rapid writing even at a low diffusion layer voltage by decreasing the coupling ratio of a floating gate and a control gate to increase the coupling ratio of a diffusion layer and the floating gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲートとのカップリング比を減少させることによって、拡散層と浮遊ゲートとのカップリング比を増加して低い拡散層電圧でも容易に高速な書き込みを行うことが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

With infrared detection by an electrical resistance change, an object can be detected instantly and sensitively by the rapid diffusion of heat, and tracking performance is excellent.例文帳に追加

電気的抵抗変化による赤外線検出は、速い熱の拡散により、瞬時的に且つ高感度に物体を検出することができ、追尾性能が優れている。 - 特許庁

To provide a power distribution method of an electrolytic tank using a gas diffusion electrode which is rapid in operation and low at cost without any remodeling of an existing cathode element.例文帳に追加

既存の陰極エレメントを一切改造することなく、そのまま迅速かつ低費用で行えるガス拡散電極を用いる電解槽の配電方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small-size rapid exhaust device and a gas filling device using it causing no problem such as noise and oil diffusion, having a small and simple device constitution, and automatically and rapidly discharging and evacuating.例文帳に追加

騒音やオイル拡散の問題がなく、小型かつ簡易な装置構成で、自動的に急速な排気と真空引きが可能な小型急速排気装置、及びそれを用いたガス充填装置を提供する。 - 特許庁

More preferably, the molding face 2 is made of a phenol resin having 0.0004 to 0.001 m^2/h coefficient of thermal diffusion or lower which is less thermally conductive so that the diffusion of heat from a fused resin to the stamper during molding a blank disk is suppressed and local solidification of the fused resin due to rapid cooling is avoided.例文帳に追加

より好ましくは熱拡散係数が0.０００４〜0.００１ｍ^2 ／ｈ以下の、熱を伝えにくいフェノール樹脂で成形面２を形成して、ブランクディスクを成形する際に、溶融樹脂からスタンパー側への熱拡散を抑止し、溶融樹脂が急冷却されて局部的に固化するのを解消する。 - 特許庁

Subsequently, an Ni film 108 is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101, and RTA (rapid thermal annealing) treatment is applied to form a nickel silicide film 109 on the upper part of the gate electrode 104 and the upper part of the diffusion layer through self-alignment.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にＮｉ膜１０８を堆積し、ＲＴＡ処理を行い、ゲート電極１０４の上部及び拡散層の上部に自己整合的にニッケルシリサイド膜１０９を形成する。 - 特許庁

This prevents rapid creation of devitrification by heat accumulation phenomenon and dopant diffusion phenomenon to develop many micro-cracks at the upper end where temperature becomes the highest in the emission tube portion 20a during the lighting of the discharge valve.例文帳に追加

これにより放電バルブ点灯時に発光管部２０ａにおいて最も高温になる上端部に、熱籠もり現象およびドープ剤拡散現象による急激な失透が発生してマイクロクラックが多数発生するのを防止する。 - 特許庁

As the heat that is generated at the local spot of the target layer 12 by the irradiation of the electron of a minute area (focal point) is also diffused by the thermal diffusion layer 11 and there is no heat remaining in a part of the base plate 10, and so rapid cooling is possible.例文帳に追加

微少面積（焦点）の電子の照射によってターゲット層１２の局所に発生した熱も熱拡散層１１で拡散されることにより基台１０の一部に滞留することがなくなり、迅速な冷却が可能となる。 - 特許庁

Thus, for example, the face mode is carried out in the case of performing a local air conditioning operation, the diffusion face mode is carried out in the case of performing a rapid air conditioning operation, and the diffusion mode is carried out in the case of performing a gentle air conditioning operation, so that the blow mode matching with the request of the occupant may be provided.例文帳に追加

これにより、フェイスモード、拡散モード、及び拡散フェイスモードのいずれかを選択することが可能となるので、例えば局所的な冷房運転を行う場合にはフェイスモードを実行し、急速冷房運転を行う場合には拡散フェイスモードを実行し、穏やかな冷房運転を行う場合には拡散モードを実行すれば、乗員の要望にあった送風モードを提供することができる。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet having sufficient optical uniformity to cope with demand for resolution and color reproduction of users by having rapid large size of recent liquid crystal displays, and to provide a backlight unit for a liquid crystal display.例文帳に追加

本発明の目的は、近年の液晶表示装置の急速な大型化、ユーザーの解像度や色再現に対する要求の高まりに対する充分な光学的均一性を有する光拡散シート、ひいては液晶表示装置用のバックライトユニットを提供することにある。 - 特許庁

To provide a hard coating film coated tool capable of enhancing adhesiveness of a hard coating film, enhancing the oxidation resistance and wear resistance, suppressing welding resistance at high-temperature state and diffusion of element of a work into the hard coating film, and ready for drying, high-speed and rapid-feed in cutting.例文帳に追加

硬質皮膜の密着性を改善し、耐酸化性、耐摩耗性を向上させ、更に高温状態での耐溶着性並びに硬質皮膜中への被削材元素の拡散を抑制し、切削加工の乾式化、高速化、高送り化に対応する硬質皮膜被覆工具を提供することが目的である。 - 特許庁

To provide a silicon-substrate evaluating method for evaluating rapidly and surely the diffusion length of the minority carriers of a semiconductor silicon substrate by using an SPV method, in order to attempt rapid adjustment of the manufacturing condition of a semiconductor device, to improve thereby its yield and its productivity efficiency, and to increase the rate of its research and its development.例文帳に追加

半導体装置の製造条件の迅速な調整とそれによる歩留まり、生産能率の向上、また研究開発のスピードアップを図るために、ＳＰＶ法を用いた半導体のシリコン基板の少数キャリア拡散長評価を迅速かつ確実に行うためのシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

The nickel monosilicide layer 15 containing iridium is formed by forming an impurity diffusion layer 12 on the surface of a silicon substrate 11, depositing an Ni-Ir alloy layer 13 after removing a natural oxide film on the surface, and applying a rapid thermal annealing (RTA) in a nitrogen gas atmosphere at temperature of 300°C to 500°C for example.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部に不純物拡散層１２を形成し、その表面の自然酸化膜を除去した後、Ｎｉ−Ｉｒ合金層１３を堆積させて、例えば３００℃〜５００℃の温度で窒素ガス雰囲気中の急速熱アニール（ＲＴＡ）を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁