「reactive processing」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INKJET RECORDING HEAD, METHOD FOR MANUFACTURING IT, AND METHOD FOR PROCESSING USING OPTICAL REACTIVE RESIN例文帳に追加

インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法ならびに光反応性樹脂を用いたプロセス方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR ATMOSPHERIC PRESSURE REACTIVE ATOM PLASMA PROCESSING FOR SURFACE MODIFICATION例文帳に追加

損傷の無い表面の造形のための大気圧反応性原子プラズマ加工装置及び方法 - 特許庁

That is, even if vibration and cutting-reactive force are added during processing, a work cannot retreat, and an exact processing form is assured.例文帳に追加

即ち、加工中に振動と切削反力が加わっても、ワークＷは後退できず、正確な加工形状が保証される。 - 特許庁

A vapor phase processing apparatus 1 includes a processing chamber 4, a susceptor 2, a heater 5, a wall part cooling member 52, and a reactive gas supply member 9.例文帳に追加

気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。 - 特許庁

To provide a reactive surfactant effective as a resin modifier or a processing agent for making fiber fouling-proof.例文帳に追加

樹脂改質剤や繊維防汚加工剤として有効な反応性界面活性剤を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus provided with a gas pool located on the way of a supply line for a reactive gas for substrate processing, the apparatus which efficiently replaces or processes the reactive gas at a downstream side from the gas pool.例文帳に追加

基板処理用の反応性ガスの供給ラインの途中にガス溜を設けた基板処理装置のガス溜より下流側の反応性ガスを効率よく置換または処理できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The resist pattern is transferred to the mask material layer 142 by processing the mask material layer using reactive dry etching.例文帳に追加

反応性ドライエッチングによってマスク材料を加工することにより、レジストパターンをマスク材料１４２に転写する。 - 特許庁

A reactive plasma cleaning process is employed for reducing the time required to clean a processing chamber.例文帳に追加

反応性プラズマクリーニングプロセスを利用して処理チャンバを洗浄するのに必要な時間を短縮する方法と装置。 - 特許庁

Reactant gas containing a component reactive to the body to be processed is blown to the body 90 to be processed from a first processing unit 10 to perform surface processing up to less than a target surface processing amount.例文帳に追加

第１処理部１０から被処理物との反応性を有する成分を含む反応ガスを被処理物９０に噴き付け、目標の表面処理量未満の表面処理を行なう。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of uniformly introducing reactive feed gas into a plurality of discharge spaces.例文帳に追加

複数の放電空間に、反応性原料ガスを均等に導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Reactive gas, e.g. ozone, is supplied from a blowing nozzle 75 to one position (processing position P) on the outer periphery of the substrate 90.例文帳に追加

この基材９０の外周部の一箇所（被処理位置Ｐ）に吹出しノズル７５からオゾン等の反応性ガスを供給する。 - 特許庁

The apparatus includes a reactive species generator adapted to generate a reactive gas species for chemically etching the accumulated material from chamber components, and a processing chamber having at least one component with a mirror polished surface which is exposed to the reactive species.例文帳に追加

本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。 - 特許庁

To allow a board processing for constant film thickness and high- quality film by improving controllability in temperature of a board in process, without being thermally affected from an adjoining reactive furnace ambient temperature around it, relating to a board processing device comprising a plurality of reactive furnaces.例文帳に追加

複数の反応炉を具備する基板処理装置に於いて、近隣の反応炉からの熱影響、反応炉の周囲温度の影響を受けることなく、処理中の基板の温度の制御性を向上し、膜厚の均一性、膜質の良好な基板処理を可能とする。 - 特許庁

In order to control the amount of residual styrene monomer to be equal to or less than the prescribed value, proper selection of a highly reactive thermosetting resin and a highly reactive catalyst should be made, securing of a proper setting time is to be made and a post processing after the setting or the like is recommended.例文帳に追加

残存スチレンモノマー量を所定の値以下に制御するには、高反応性熱硬化性樹脂，高反応性触媒の選択、硬化時間の確保、硬化後の後処理等により制御すれば良い。 - 特許庁

Then, by a chemical liquid processing and a pure water processing for removing a reactive product (residue) generated at the RIE, electrochemical reaction (battery effect) will not take place during the pure water processing, nor corrosion will occur at the metal wiring.例文帳に追加

この後、ＲＩＥ時の反応生成物（残渣）を除去する薬液処理及び純水処理を行えば、純水処理中に、電気化学反応（電池効果）が発生することはなく、金属配線の腐蝕もなくなる。 - 特許庁

The plasma processing device conducts processing using plasma and detects the condition of plasma generating in a processing chamber or the adhesive quantity of a reactive product adhered to exhaust piping by using a frequency-measuring device.例文帳に追加

プラズマを用いた処理を行うプラズマ処理装置であって、処理室内に発生するプラズマの状態あるいは排気配管に付着した反応性生成物の付着量を、周波数測定装置を用いて検出する。 - 特許庁

A piezoelectric thin film wafer 1 equipped with a piezoelectric thin film 4 on a substrate 2 is manufactured by a first processing step of performing ion etching using a gas including Ar and a second processing step of performing reactive ion etching using a mixed etching gas of a reactive gas and Ar.例文帳に追加

基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。 - 特許庁

A processing gas containing a fluorine-based reactive component is brought into contact with an object to be processed 90 to etch the silicon-containing film 93 on the base film 92.例文帳に追加

フッ素系反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method and a device for processing a workpiece in a chamber where chamber pressure arises from supply of a reactive gas into the chamber.例文帳に追加

本発明は、反応性ガスをチャンバに供給しチャンバ圧力を生じたチャンバ内で加工物を処理する方法および装置を提供する。 - 特許庁

Radio waves are applied to this radio wave- absorbing reactive material or molded article therefrom to induce curing or shrinking for a desirable processing.例文帳に追加

この電波吸収反応性材料或いはその成形体に電波を照射して硬化又は収縮させ、所望の加工を行うことができる。 - 特許庁

An inert gas is supplied into the processing chamber 52 using a third supply system 63, while the residual second reactive substance is exhausted from the exhaust system 64.例文帳に追加

第３供給系６３を用いて処理室５２内に不活性ガスを供給して残留した第２反応物質を排気系６４から排除する。 - 特許庁

An inert gas is supplied into the processing chamber 52 using a third supply system 63, while the residual first reactive substance is exhausted from the exhaust system 64.例文帳に追加

第３供給系６３を用いて処理室５２内に不活性ガスを供給して残留した第１反応物質を排気系６４から排除する。 - 特許庁

Accordingly, processing in the state where the work is pushed against the abutment body is enabled, and a direction movement of the feed lever to the axial direction is regulated while processing, a retreat of the work by vibration and cutting-reactive force can be prevented.例文帳に追加

従って、当接体をワークに押付けた状態で加工でき、ワーク加工中における送り杆の軸方向移動が規制され、振動と切削反力によるワークの後退を防止できる。 - 特許庁

To provide a two-or three-dimensional periodic structure by processing a dielectric multilayer with a reactive ion etching and forming a groove excellent in perpendicularity having a high aspect ratio with high processing efficiency.例文帳に追加

誘電体多層膜を反応性イオンエッチングにより加工し、アスペクト比が高く、垂直性の優れた溝を高い加工効率で形成し、２次元もしくは３次元周期構造体を提供する。 - 特許庁

The manufacturing device etches the fine particles and a part of the surface processing layer with a first etching gas chemically reactive with the fine particles and the surface processing layer so as to form the surface processing layer in the shape of islands and exposes a part of a surface of the mask layer.例文帳に追加

そして、製造装置は、微粒子と表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、微粒子と、表面加工層の一部をエッチングして表面加工層を島状に形成し、マスク層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

This etching method selectively etches a silicon nitride film, and this uses a reactive ion etching device including a processing chamber 1 which holds a substrate 4 as the target of etching, a gas supply means 7 which supplies reactive gas into the processing chamber 1, and an upper electrode 2 and a lower electrode 3 which are provided inside the processing chamber and to which high-frequency currents are applied.例文帳に追加

この発明によるエッチング方法は、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング方法であって、エッチング対象である基板４を内部に保持する処理室１と、処理室１の内部に反応ガスを供給するガス供給手段７と、処理室内部に設けられ、高周波電流が印加される上部電極２および下部電極３とを含む反応性イオンエッチング装置を用いる。 - 特許庁

To perform the processing with high accuracy at a low cost even if the temperature profile of a workpiece changes to cause a change of the unit processing shape in a local processing, e.g. a reactive plasma etching, during which a large amount of heat is generated.例文帳に追加

反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。 - 特許庁

An adhesive sheet 10 is obtained by processing reactive hot-melt resin 10' which solidifies at ordinary temperature and softens when heated so as to have a specific thickness and width.例文帳に追加

接着シート１０は常温状態では固化し加熱状態では軟化する反応型ホットメルト樹脂１０’が所定の厚み及び大きさに加工されて成るものである。 - 特許庁

The inert gas, evacuated through the inert gas exhausting opening 5b is combined with the reactive gas at the lowest stream position and is then evacuated, and flowing into a processing chamber 2 is prevented.例文帳に追加

不活性ガス排気口５ｂから排出された不活性ガスは、反応ガスの最下流位置において合流して排気され、処理室２への流入が防止される。 - 特許庁

To attain suppression of particles due to peeling of a reactive product from a chamber inner wall and stabilization of an in-chamber atmosphere by simple control and structure in a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。 - 特許庁

After the wafer transportation, a first reactive substance containing Si_2Cl_6(HCD) is supplied into the processing chamber 52 using a first supply system 61 while being exhausted from an exhaust system 64.例文帳に追加

搬入後、第１供給系６１を用いて処理室５２内にＳｉ_2Ｃｌ_6（ＨＣＤ）を含む第１反応物質を供給しつつ排気系６４から排気する。 - 特許庁

To provide a processor and a processing method capable of reducing a degree to which temperature conditions of a reactive gas or a substrate locally differ, and forming a film with good quality.例文帳に追加

反応ガスや基板の温度条件が局所的に異なる程度を小さくし、優れた膜質の膜を形成することが可能な処理装置および処理方法を提供する。 - 特許庁

The processing device 161 is also programmed to modulate the active current and reactive current depending on electric grid state feedback signals 113/115/117/146.例文帳に追加

処理装置１６１はまた、有効電流及び無効電流を、電力網状態帰還信号１１３／１１５／１１７／１４６に応じて変調するようにプログラムされている。 - 特許庁

An apparatus (106) and the methods for reactive atom plasma processing can be used to shape, polish, planarize, and clean the surface of material with minimal subsurface damage.例文帳に追加

表面下の損傷を最小限に抑えて材料の表面を成形、研磨、平坦化、及び洗浄する反応原子プラズマ処理のための装置（１０６）及び方法。 - 特許庁

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁

Thereafter, a second reactive substance not containing hydrogen atoms and containing oxygen atoms is supplied into the processing chamber 52 using a second supply system 62, while being exhausted from the exhaust system 64.例文帳に追加

その後、第２供給系６２を用いて処理室５２内に水素原子を含まず酸素原子を含む第２反応物質を供給しつつ排気系６４から排気する。 - 特許庁

The base-reactive, surface-modifying agent is reactive to hydroxide and increases the surface hydrophobicity of a pattern formed in a layer of the radiation-sensitive composition upon treatment with a basic developing solution during lithographic processing of a substrate.例文帳に追加

塩基に反応性の表面を改質する薬剤は、水酸化物に対して反応性のものであると共に基体のリソグラフィーの加工をする間に塩基性の現像する溶液での処理の際に放射に敏感な組成物の層に形成されたパターンの表面の疎水性を増加させる。 - 特許庁

In the method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate, a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 - 特許庁

To provide a radio wave-absorbing reactive material which is easily subjected to processing such as precise adhesion high in heat-resistance, molding, repair, etc., in technical areas of machining and building construction.例文帳に追加

機械加工及び建築施工の技術分野において、耐熱性に優れた精密な接着、成形、補修等の加工を簡易に行いうる電波吸収反応性材料を提供する。 - 特許庁

The reactive gas supply member 9 can supply gas containing either one of hydrogen gas and nitrogen gas into the processing chamber 4 at a flow rate of 100sccm and more.例文帳に追加

反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。 - 特許庁

To reduce irregularity of etching caused when an etching processing is performed by a reactive ion etching (RIE) device for forming fine ruggedness on the surface of a silicon substrate for solar cell.例文帳に追加

太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。 - 特許庁

To provide a gasket material having increased resistance against monomer and other high-reactive compounds, and having rigidity, easy processing and relatively economical PTFE.例文帳に追加

モノマーおよび他の反応性の高い化合物に対する耐性の強化とともに、硬直性、加工の容易さ、およびＰＴＦＥの相対的な経済性を有するガスケット材を提供する。 - 特許庁

The method for reducing the residual monomer, which reduced the residual monomer from the polymerization product of a monomer mixture including a plurality of monomers containing at least a monomer having a polar reactive group, includes a step A of processing the polymerization product, obtained after polymerization of the monomer mixture, with a compound X having a functional group reactive with the polar reactive group.例文帳に追加

残留モノマーの低減方法は、極性の反応性基を有するモノマーを少なくとも含む複数種のモノマーからなるモノマー混合物の重合生成物から残留モノマーを低減する方法であって、前記モノマー混合物を重合に付した後、得られた重合生成物を、前記極性の反応性基に対して反応性を有する官能基を有する化合物Ｘで処理する工程Ａを含む。 - 特許庁

To provide a watt-hour meter control device capable of implementing control technique adopting effective power and reactive power as the two axes, even when the phase correction of watt-hour meters loading no reactive power meter is performed about 10 times, and shortening the control processing time of watt-hour meters.例文帳に追加

無効電力計を搭載していない電力量計の位相補正を１０度程度行う場合でも、有効電力と無効電力を２軸とする調整方法を実行して、電力量計の調整処理時間を短縮することができる電力量計調整装置を得ることを目的とする。 - 特許庁