「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic layer 5 comprises at least an electron transporting first luminous layer 5c located on the positive electrode 3 side, and a hole transporting second luminous layer 5d located on the negative electrode 5 side.例文帳に追加

有機層５は、陽極３側に位置する電子輸送性の第一の発光層５ｃと、陰極５側に位置する正孔輸送性の第二の発光層５ｄと、を少なくとも有する。 - 特許庁

In an anode 41 made in a laminated structure, a second anode layer 41C consisting of an alloy with aluminum as a main component is arranged on a side of an organic layer 50 including a light-emitting layer 53.例文帳に追加

積層構造からなる陽極４１において、発光層５３を含む有機層５０側に、アルミニウムを主成分とする合金からなる第２陽極層４１Ｃを設ける。 - 特許庁

A connection electrode 31 of a ceramic package with which the crystal oscillator body 2 is joined is made of plated thick films whose first layer is a metalized layer 31a and whose second layer is an Au 31b.例文帳に追加

水晶振動体２を接合するセラミックパッケージの接続電極３１は、第一層がメタライズ層３１ａ、第二層がＡｕ３１ｂでありメッキにより形成されている厚膜である。 - 特許庁

The field relaxing layer 20 includes a lamination structure in which a first layer 21 where a positive electric charge occurs and a second layer 22 where a negative electric charge occurs are alternately arranged in film thickness direction.例文帳に追加

電界緩和層２０は、正の電荷が生じる第１の層２１と負の電荷が生じる第２の層２２とが、膜厚方向に交互に配置される積層構造を有する。 - 特許庁

By this removing process of the DZ layer, the silicon wafer 30 can be obtained having the DZ layer exposed on a first surface 31 and the BMD layer exposed on the second surface.例文帳に追加

以上のようなＤＺ層の除去工程によって、第１面３１にＤＺ層が露出するとともに、第２面にＢＭＤ層が露出した本発明のシリコンウェーハ３０が形成される - 特許庁

The surface light-emitting body 20 has a surface luminous layer and first electrode layers 22A, 22B and a second electrode layer 26 clipping the surface luminous layer, and is arranged at the back of the display panel.例文帳に追加

面発光体２０は、面状発光層と、前記面状発光層を挟む第１の電極層２２Ａ，２２Ｂおよび第２の電極層２６とを有し、表示パネルの背面に配置される。 - 特許庁

The memory element has a first conductive layer for composing the bit line, a second conductive layer for composing the word line, and the composite layer hardened by an optical action.例文帳に追加

記憶素子は、ビット線を構成する第１の導電層と、ワード線を構成する第２の導電層と、光学的作用により硬化する組成物層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A hole transporting layer has a laminate structure of different materials, and a second hole transporting layer adjacent to the light emission layer is formed using a material represented by general formula (1).例文帳に追加

また正孔輸送層は、異なる材料からなる積層構造からなり、発光層に隣接する第２正孔輸送層が下記一般式（１）で示される材料を用いて構成されている。 - 特許庁

The concentrated-winding stator coil comprises a second-layer coil 22 which is constituted by winding a wire in succession on a first-layer coil 21 which has turns disposed in the same layer and advances from bases to tips of teeth.例文帳に追加

各ターンが互いに同層に配置されてティースの根本部から先端部に進行する第一層コイル２１上に順次巻回して構成される第二層コイル２２を有する。 - 特許庁

Successively, a second mask pattern 15 is formed on the surface of the layer 14 and, after the layer 14 is etched through the pattern 15, a surface crystalline layer is formed by growing nitride-based crystals.例文帳に追加

続いて、この表面に第２のマスクパターン１５を形成し、これを介して中間結晶層１４をエッチングしたのち、窒化物系結晶を成長させて表面結晶層を形成する。 - 特許庁

Internal stress acting on the element-forming layer 20 formed on the seed crystal layer 13 is dispersed by the second opening 13a, preventing cracks from occurring in the element-forming layer 20.例文帳に追加

第２の開口１３ａにより種結晶層１３上に形成された素子形成層２０に働く内部応力が分散され、素子形成層２０にクラックが発生することが抑制される。 - 特許庁

At this time, the electrode wirings 4 of the second layer and the electrode wirings 5 of the third layer are arranged so as not to be overlapped on edge parts of both sides of the electrode wiring 2 of the first layer.例文帳に追加

このとき、第２層の電極配線４および第３層の電極配線５は、第１層の電極配線２の両幅のエッジ部分に重ならないように配置する。 - 特許庁

At the second step, the conductor of a ground wire 8 is attached to the exposed shield layer 6, and wire 10 is wound around the shield layer 6 to connect the conductor of the ground wire 8 to the shield layer 6.例文帳に追加

次に、第２のステップで、露出されたシールド層６にアース線８の導体９を添え、線材１０をシールド層６に巻き付けてアース線８の導体９をシールド層６と接続する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a first light emitting layer 3 and a second light emitting layer 9 laminated on a substrate 1 to emit lights of different chromaticities so that the first layer 3 is formed in a multiple quantum well structure.例文帳に追加

基板１上に、異なる色度の光を発光する第１発光層３と第２発光層９とが積層され、第１発光層３は多重量子井戸構造を成している。 - 特許庁

A layer forming device forms a particle layer 17A on the surface of the curable solution layer 16A formed on the surface of a transfer body 12 by supplying liquid absorbing particles 17 from a second forming part 19.例文帳に追加

転写体１２の表面に形成された硬化性溶液層１６Ａの表面に対して、第２形成部１９から吸液粒子１７を供給して粒子層１７Ａを形成する。 - 特許庁

Further, a monolayer of a second silicon layer is formed on the first silicon layer on the lower inner wall of the hole, and then, a first silicon nitride layer is formed on the whole inner wall surface of the hole by a nitriding process.例文帳に追加

ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。 - 特許庁

A second metal layer 5 of a concave-shaped top face pattern which is not electrically connected to the bump 1 exists in the same layer as the first metal layer 4 of a convex-shaped top face pattern.例文帳に追加

バンプ１とは電気的に導通されていない凹形状の上面パターンの第２の金属層５は、凸形状の上面パターンの第１の金属層４と同一の層に存在する。 - 特許庁

A first layer S10 is formed of a secondary side wire 20 wound around a bobbin 120, and a second layer S20 is formed of a primary side wire 10 and piled up on the first layer S10.例文帳に追加

ボビン１２０に巻き付けられた二次側のワイヤ２０により第一層Ｓ１０を形成し、第一層Ｓ１０に重ねて、一次側のワイヤ１０により第二層Ｓ２０を形成する。 - 特許庁

The active layer has a first portion covering at least a portion of a top surface of the first semiconductor layer and a second portion covering at least a portion of side surfaces of the first semiconductor layer.例文帳に追加

活性層は、第１半導体層の上面の少なくとも一部を覆う第１部分と、第１半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を有する。 - 特許庁

On the periphery of a first P type heavily doped layer 2 constituting the light receiving surface of a semiconductor substrate, a second P type heavily doped layer 6 is formed separately from the first P type heavily doped layer 2.例文帳に追加

半導体基板の表面の受光面を構成する第1のＰ型高濃度層２の周辺に第1のＰ型高濃度層２と離れて第２のＰ型高濃度層６を形成する。 - 特許庁

The memory element includes at least a first conductive layer 108, a silicon film 109 formed over the first conductive layer, and a second conductive layer 110 formed over the silicon film.例文帳に追加

メモリ素子は、第１の導電層１０８と、第１の導電層上に形成されたシリコン膜１０９と、シリコン膜上に形成された第２の導電層１１０と、を少なくとも有する。 - 特許庁

A printing part 4 consisting of silver printing parts of a first layer 4a and display printing parts of a second layer 4b applied on the first layer 4a is formed on the surface of a light transmissive sheet 1.例文帳に追加

光透過シート１の表面に、１層目の銀色印刷部４ａと、その上に施された２層目の表示印刷部４ｂとで構成された印刷部４が形成されている。 - 特許庁

Additionally, the coefficients of thermal expansion of both the first resin insulating layer 4 and second resin insulating layer 5 are set to be smaller than that of the metal layers 3 disposed on the both sides of the first resin insulating layer 4.例文帳に追加

加えて、第１樹脂絶縁層４、第２樹脂絶縁層５ともに、その熱膨張率を、第１樹脂絶縁層４の両面に配置されている金属層３より小さくする。 - 特許庁

Also, the other metal layers 10 and 12 for composing the inductor 1 are formed while being in contact with the upper surface part of the metal layer 6 at the lowest layer that is not covered with the second insulation layer 8.例文帳に追加

また、インダクタ１を構成する他の金属層１０，１２が、第２絶縁層８に覆われていない最下層の金属層６の上面部分に接触して形成されている。 - 特許庁

A selection etching step for removing the area of the first layer 3 and the area of the second layer 4 covered by the area of the first layer 3 is performed.例文帳に追加

そして前記第１の層３の前記領域と、前記第１の層３の前記領域に当初覆われていた第２の層４の領域とを除去するための選択エッチング工程が行われる。 - 特許庁

In this method of manufacturing the same, a laminar light emitting structure is composed by doping nano-dots each having a surface functional group in the luminescent layer, the first auxiliary luminescent layer or the second auxiliary luminescent layer of the device.例文帳に追加

その製造方法は、表面官能基を有するナノドットで、装置の発光層、第１補助発光層または第２補助発光層にて、ドーピングし、層状発光構造を組成する。 - 特許庁

Furthermore, a third ceramic coating layer 53 is formed with a thickness t3 equivalent to the difference between the thickness t1 of the first coating layer 51 and the thickness t2 of the second ceramic coating layer 52.例文帳に追加

次に、厚みｔ３が、第１のセラミック塗料層５１の厚みｔ１と第２のセラミック塗料層５２の厚みｔ２との差に等しい第３のセラミック塗料層５３を形成する。 - 特許庁

The second layer has a projection part projecting from the first layer, and an end part facing to the projection part in the first layer is formed with cutouts in each of which the projection part side is an opening.例文帳に追加

第二層は、第一層から突出した張り出し部を有し、第一層における張り出し部に対向する端部には、張り出し部側が開口となる切欠が形成されている。 - 特許庁

The first adhesive layer 45, the second adhesive layer 46 and the third adhesive layer 47 each have wide width parts 451, 461, 471 and narrow width parts 452, 462, 472 which are continuous with each other.例文帳に追加

第１接着剤層４５、第２接着剤層４６および第３接着剤層４７はそれぞれ、幅広部４５１，４６１，４７１と幅狭部４５２，４６２，４７２とを連続して備える。 - 特許庁

This inkjet head includes: a first layer forming the nozzle face wherein a plurality of nozzles discharging ink are arranged; and a second layer laminated on a face opposite to the nozzle face in the first layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドは、インクを吐出するノズルが複数配列されたノズル面をなす第一層と、第一層におけるノズル面とは反対側の面に積層された第二層とを備えている。 - 特許庁

A first high-resistance layer 22A comprising cadmium oxide (Gd-O) is formed in a storage layer 20, together with a second high-resistance layer 22B comprising aluminum oxide (Al-O) or silicon oxide (Si-O).例文帳に追加

記憶層２０に、酸化ガドリニウム（Ｇｄ−Ｏ）よりなる第１高抵抗層２２Ａと、酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）または酸化シリコン（Ｓｉ−Ｏ）よりなる第２高抵抗層２２Ｂとを設ける。 - 特許庁

Any of the upper second clad layer 8, diffraction grating 9, upper third clad layer 10, and contact layer 11 contains Ga and As, and etching is carried out using the same etchant.例文帳に追加

上部第２クラッド層８、回折格子９、上部第３クラッド層１０、及び、コンタクト層１１は、いずれもＧａ及びＡｓを含有しており、エッチングは、同一のエッチング液によって行われる。 - 特許庁

The sheet-shaped optical semiconductor sealing material includes a first inorganic particle-containing resin layer and a second phosphor-containing resin layer directly or indirectly laminated on the first resin layer.例文帳に追加

無機粒子を含有する第一樹脂層と、その上に直接又は間接的に積層されてなる、蛍光体を含有する第二樹脂層を含んでなる、シート状光半導体封止材。 - 特許庁

Further, the amount of discontinuity of the valance band of the second compound semiconductor layer is ≥0.1 eV with respect to the first compound semiconductor layer and third compound semiconductor layer.例文帳に追加

また、第２化合物半導体層の価電子帯の不連続量が、第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層に対して、０．１ｅＶ以上となるようにする。 - 特許庁

In one embodiment, this lateral HEMT includes a first layer containing a semiconducting material, and a second layer containing a semiconductor material and arranged at least partially on the first layer.例文帳に追加

一実施形態では、横型ＨＥＭＴが、半導体材料を含む第１の層と、半導体材料を含み、第１の層の上に少なくとも部分的に配置された第２の層とを有する。 - 特許庁

A first electrode 170 including a metal reflective layer 172 formed of silver is formed on the p-type semiconductor layer 160, and a second electrode 180 is formed on the n-type semiconductor layer 140.例文帳に追加

ｐ型半導体層１６０には銀からなる金属反射層１７２を含む第１電極１７０が形成され、ｎ型半導体層１４０には第２電極１８０が形成される。 - 特許庁

A first metal layer or insulating layer 502 is formed on a support base 501, and a metal film 514 to form a second metal layer is formed and patterned.例文帳に追加

支持基体５０１に第一の金属層又は絶縁層５０２を形成し、第二の金属層となる金属膜５１４を形成し、第二の金属層となる金属膜５１４をパターニングする。 - 特許庁

In that protocol, the first layer may define transmission line, transmitters, and receivers for transmission, the second layer may define encoding and decoding, and the third layer may define a frame format of the data packet.例文帳に追加

このプロトコルにおいて、第１層は伝送のための伝送ライン、送信器及び受信器を定め、第２層はエンコード及びデコードを定め、第３層はデータパケットのフレーム形式を定め得る。 - 特許庁

In particular, as the gas seal layers 20, 41, the average flake diameter of a second seal layer 94, is established larger than the average flake diameter of a first seal layer 92 and a third seal layer 96.例文帳に追加

特に、ガスシール層２０、４１として、第２シール層９４の平均フレーク径を第１シール層９２及び第３フレーク層９６の平均フレーク径より大きく設定している。 - 特許庁

Between the second GaP light extraction layer 90 and the light emitting layer 24, a connection layer 91 composed of GaAs_XP_1-X (where, X is GaAs mixed crystal ratio: 0<X<1) is provided.例文帳に追加

そして、第二のＧａＰ光取出層９０と発光層部２４との間に、ＧａＡｓ_ＸＰ_１−Ｘ（ただし、ＸはＧａＡｓ混晶比：０＜Ｘ＜１）からなる接続層９１を設ける。 - 特許庁

The spacer layer 24 has a first region 41; a second region 42; and a third region 43 shaped like a layer, and arranged in a direction crossing the face of each layer of the MR element.例文帳に追加

スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。 - 特許庁

The uppermost layer of the dielectric multilayered film 10 is divided into first regions 11 of the high refractive index dielectric layer and second regions 12 of the low refractive index dielectric layer by patterning.例文帳に追加

誘電体多層膜１０の最上層を、高屈折率誘電体層の第１領域１１と低屈折率誘電体層の第２領域１２とにパターニングで分割した。 - 特許庁

An average diameter of the sintered metal fibers of the first layer 59a is 8μm, that of the second layer 59b is 4μm and that of the third layer 59c is 20μm to constitute the layers 59a-59c.例文帳に追加

第１層５９ａは８μｍ，第２層５９ｂは４μｍ，第３層５９ｃは２０μｍの平均径を有する金属繊維を焼結させて、各層５９ａ〜５９ｃを構成する。 - 特許庁

There are formed SiO films 14, 16 which cover each of a first interlayer insulating layer 13 and a second interlayer insulating layer 15, consisting of a low dielectric constant material on a wiring layer 11.例文帳に追加

配線層１１上の低誘電率材料からなる第１層間絶縁層１３および第２層間絶縁層１５のそれぞれを覆うＳｉＯ膜１４，１６を形成する。 - 特許庁

On the undoped GaInP second clad layer 42, an insulating layer 46 is arranged which has an aperture 44 above the top of the p-type first clad layer 20 of the lamination structure 21.例文帳に追加

アンドープ・ＧａＩｎＰ第２クラッド層４２上には、積層構造２１のｐ型第１クラッド層２０の頂部上に開口４４を有する絶縁層４６が設けられている。 - 特許庁