「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive layer 13 is not affected by the etching treatment of the second metallic layer 12 and is therefore usable as a shielding layer for etching and the thickness of the elastic region 2 is made uniform.例文帳に追加

接着層１３は第２の金属層１２のエッチング処理による影響を受けないので、エッチングの遮断層として用いることができ、弾性領域２の厚みが均一になる。 - 特許庁

The magnetic pole layer 16 comprises a first layer 161 arranged at a position closer to the surface of the groove part 12a and a second layer 162 arranged at a position more apart from the surface of the groove part 12a.例文帳に追加

磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。 - 特許庁

The sound absorbing material 3 is composed of a first sound absorbing layer 3A disposed on a tire inner surface side, and a second sound absorbing layer 3B laminated on the opposite tire inner surface side of the first sound absorbing layer 3A.例文帳に追加

吸音材３が、タイヤ内面側に配置した第１吸音層３Ａと、第１吸音層３Ａの反タイヤ内面側に積層した第２吸音層３Ｂとから構成されている。 - 特許庁

The columnar structures 7R and 7B arranged in a first layer and a third layer have comparatively large diameters, and the columnar structure 7G arranged in the second layer has comparatively a small diameter.例文帳に追加

第１層と第３層に配置されている柱状構造体７Ｒ，７Ｂは比較的大径であり、第２層に配置されている柱状構造体７Ｇは比較的小径である。 - 特許庁

A second reactant gas, when it is injected into the reaction chamber, flows over the atomic layer of the first reactant gas and forms an atomic layer on the atomic layer of the first reactant gas.例文帳に追加

第２の反応物ガスが、反応チャンバへ注入される際に、第１の反応物ガスの原子層上へ流入し、第１の反応物ガスの原子層上に原子層を形成する。 - 特許庁

The plane heating element has a second electric heating layer laminated on a first electric heating layer through an insulation layer, both heating layers connected to power source enabled to be opened or closed independently.例文帳に追加

第１電熱層上に絶縁層を介して第２電熱層を積層し、且つ両電熱層は、各々独立に開閉できる様にして電源に接続される面発熱体とする。 - 特許庁

The first laminate having the two-layer composition is combined with the second laminate having the three-layer composition, so that the film composition of the multilayer film reflection mirror can be restrained from becoming more complicated as compared with the multilayer film reflection mirror having the three-layer composition as a whole.例文帳に追加

２層構成と３層構成を組み合わせることで、全体が３層構成の多層膜反射鏡に比べて膜構成の複雑化を抑制することができる。 - 特許庁

The thickness of the second paste layer 32 and third paste layer 32 is of 1/10 of the thickness of the first paste layer 31 or smaller, and a viscosity of each paste layers is 10 to 100 Pa s.例文帳に追加

第２ペースト層３２及び第３ペースト層３３の厚さを、第１ペースト層３１の厚さの１／１０以下とし、各ペースト層の粘度の範囲は、１０〜１００Ｐａ・ｓとされる。 - 特許庁

Furthermore, the second layer 212(222) is constituted of a nonmagnetic material, and the first layer 211(221) and the third layer 213(223) are constituted of soft magnetic materials, each having a large permeability.例文帳に追加

さらに、第２層２１２（２２２）は非磁性材料から構成し、第１層２１１（２２１）および第３層２１３（２２３）はそれぞれ透磁率が大きな軟磁性材料から構成した。 - 特許庁

The first layer plating 13 has a thickness corresponding to the lifetime of hammer bank generated as the pole part attraction face wears, and the second layer plating 14 has a color different from that of the first layer.例文帳に追加

１層目のメッキ１３は、ポール部吸引面の摩耗により発生するハンマバンクの寿命相当の厚さ、２層目のメッキ１４は１層目とは違う色のメッキとなっている。 - 特許庁

The contaminating protective cover includes two main body portions which are formed of a inner layer of a soft durometer material and a second outer layer of a hard durometer material combined to the inner layer.例文帳に追加

この汚染保護カバーは、ソフトなデュロメーター材料の内層と、この内層に結合された硬質のデュロメーター材料の第２の外層とで形成された２つの本体部分を有している。 - 特許庁

A D-type HEMT second gate electrode is provided on a third nondoped layer (AlGaAs layer) 43, and an E-type HEMT first gate electrode is provided on a first nondoped layer.例文帳に追加

第２ゲート電極をＰｔ埋め込みゲート構造とし、埋め込まれたＰｔの底部を第３ノンドープ層中に留まらせ、ＩｎＧａＰ層(第２ノンドープ層)にＰｔが達しないようにする。 - 特許庁

Slopes 60a are formed in the first insulation layer 60, in the second insulation layer 70, slopes 70a are formed at the upper parts of the slopes 60a of the first insulation layer 60.例文帳に追加

第１絶縁層６０には傾斜面６０ａが形成され、第２絶縁層７０には傾斜面７０ａが、第１絶縁層６０の傾斜面６０ａの上方に形成されている。 - 特許庁

The second displaying layer 220 is superimposed on the first displaying layer 210, and at positions where the hidden patterns are displayed, the patterns displayed on the first displaying layer are hidden.例文帳に追加

第２表示層２２０は、第１表示層２１０の上に重畳してあり、覆隠図柄を表示した箇所では第１表示層に表示された図柄を覆い隠すようになっている。 - 特許庁

An installing layer 5, a conduction layer 9 and a second insulating layer 10 are laminated and formed on the upper face of a semiconductor substrate except for a center part of the exposed surface of a P-type area 4.例文帳に追加

Ｐ型領域４の露出表面である中央部分を除く半導体基板の上面に、絶縁層５、導電層９および第２絶縁層１０の各層を積層形成する。 - 特許庁

A second ferromagnetic layer 23 contacts the surface of non-magnetic layer which is opposite to the first ferromagnetic layer, whose magnetizing direction is fixed, and the value of magnetic moment per a unit area is m2 which is smaller than m1.例文帳に追加

第２強磁性層２３は、非磁性層の第１強磁性層と反対の面と接し、磁化方向が固定され、単位面積当たりの磁気モーメントの値がｍ１より小さいｍ２である。 - 特許庁

The layer of the seal material is formed such that the layer thickness becomes smaller than the thickness of the liquid crystal layer in the portion corresponding to the display area when the first substrate and the second substrate are bonded together.例文帳に追加

シール材は、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせたときの層の厚さが、表示領域に相当する部分の液晶の層の厚さより薄くなるように形成する。 - 特許庁

A circuit element board 4 provided with a barrier metal layer 2 on one side of a second conductive metal layer and formed with a conductive protrusion 3 on the exposed surface of the barrier metal layer is prepared.例文帳に追加

第２の導電性金属層の一方の面にバリアメタル層２が設けられ、かつこのバリアメタル層の露出面に導電性突起３が設けられた回路素板４を用意する。 - 特許庁

Contacts 103-1 to 103-3 are formed on the metal layer 107-1, the diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and the diffusion layer 108 of the second conductive type, respectively.例文帳に追加

金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８上には、それぞれコンタクト１０３−１〜１０３−３が形成されている。 - 特許庁

An average In composition ratio of one of the high-band gap energy layers and one of the low-band gap energy layers contacting the high-band gap energy layer is higher on the side of the second semiconductor layer than on the side of the first semiconductor layer.例文帳に追加

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 - 特許庁

A first layer 30 of which a refractive index is higher than that of a transparent substrate 10 and a second layer 40 of which the refractive index is lower than that of the first layer 30 are laminated on the light transparent substrate 10.例文帳に追加

光透明性基板１０上に、屈折率が透明性基板１０よりも高い第一の層３０と、屈折率が第一の層３０よりも低い第二の層４０を積層する。 - 特許庁

The core 4 has an inner sphere 10, a first intermediate layer 12 positioned outside the inner sphere 10, and a second intermediate layer 14 positioned outside the first intermediate layer 12.例文帳に追加

コア４は、内球１０と、この内球１０の外側に位置する第一中間層１２と、この第一中間層１２の外側に位置する第二中間層１４とを備えている。 - 特許庁

The core 4 has an inner sphere 10, a first intermediate layer 12 located on the outside of the inner sphere 10, and a second intermediate layer 14 located on the outside of the first intermediate layer 12.例文帳に追加

コア４は、内球１０と、この内球１０の外側に位置する第一中間層１２と、この第一中間層１２の外側に位置する第二中間層１４とを備えている。 - 特許庁

The n-side wiring layer has a second n-side wiring layer which is provided in a shape along the wiring surface of the first insulating layer and the third surface, and has an L-sectioned part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。 - 特許庁

A flattening material layer 20 is applied and hardened on a second inductive material layer 14, so that the flattening material layer 20 can form a practically flat upper surface 22.例文帳に追加

平坦化材料層２０を第二の誘電材料層１６の上に付与し且つ硬化させ、平坦化材料層２０が実質的に平坦な上面２２を形成するようにする。 - 特許庁

In a longitudinal cross section view in a plane including a top part and a joint part 13 of the projection part 14, the second layer 12 rises to the first layer 11 side to get into the first layer 11.例文帳に追加

凸部１４の頂部と接合部１３とを含む面での縦断面視において、第２層１２が第１層１１の側へ向けて隆起して第１層１１内に入り込んでいる。 - 特許庁

The device structure 20 of a semiconductor device comprises a III-V nitride semiconductor and is composed of a first semiconductor layer 11, an emission layer 12 and a second semiconductor layer 13.例文帳に追加

半導体装置におけるデバイス構造体２０は、それぞれがIII-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１半導体層１１、発光層１２及び第２半導体層１３を有している。 - 特許庁

The optical device 10 includes a first reflection layer 11 having wavelength selectivity, and a second reflection layer 12 which is disposed behind the first reflection layer 11 and has wavelength selectivity.例文帳に追加

光学素子１０は、波長選択性を有する第１反射層１１と、第１反射層１１の背後に設置され、波長選択性を有する第２反射層１２とを備えている。 - 特許庁

The two first magnetization fixed layers 1a, 1b are located opposite to the second magnetization fixed layer 4 sandwiching the magnetization free layer 2 and are magnetically joined with the magnetization free layer 2.例文帳に追加

２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂは、磁化自由層２を挟んで第２磁化固定層４と対向するように配置され、また、磁化自由層２と磁気的に結合している。 - 特許庁

The information recording layer includes a first recording layer containing Au and a second recording layer containing at least one element selected from the group consisting of Si, Ge, C, Sn and Zn.例文帳に追加

上記情報記録層はＡｕを含む第１記録層及びＳｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ及びＺｎよりなる群から選択された一つ以上の元素を含む第２記録層を含む。 - 特許庁

The gate alloyed region is formed of an alloy, containing constituent elements of the electron supply layer and a metal and reaches a deeper position than the second doped layer, but will not reach the first doped layer.例文帳に追加

ゲート合金化領域は、電子供給層の構成元素と金属との合金で形成され、第２のドープ層よりも深い位置まで達し、第１のドープ層までは達していない。 - 特許庁

The second insulating layer 6 is formed so as to be inscribed in the first wiring layer 5 and has the opening 6a of a diameter smaller than the opening 4a of the first insulating layer 4 in the inscribed part.例文帳に追加

第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の開口６ａを有している。 - 特許庁

A rounded portion 13 which spreads toward the first electrode layer 10 is provided at a portion of the second electrode layer 11 to be bonded to the first electrode layer 10.例文帳に追加

第２電極層１１における第１電極層１０との接合部分には、第１電極層１０に対して末広がりとなるようなＲ状部１３が設けられている。 - 特許庁

The basic cells BS1-BSn are connected to the macro-cells MS1 etc. via an M1 wiring on a second wiring layer and an M2 wiring of a third wiring layer formed on the first wiring layer.例文帳に追加

基本セルＢＳ１〜ＢＳｎとマクロセルＭＳ１等とは、第１の配線層の上に形成された第２の配線層のＭ１配線及び第３の配線層のＭ２配線で接続する。 - 特許庁

A gate electrode or gate wiring is configured as a laminate structure of three or more layers, and for example, a first conductive layer 106a/second conductive layer 106b/third conductive layer 106c are formed.例文帳に追加

ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor layer 20 is formed on the substrate 10, the I layer 30 is formed thereon and the second conductivity type semiconductor layer 40 is formed further thereon.例文帳に追加

基板１０上に、第１導電型の半導体層２０が設けられ、その上にＩ層３０が設けられ、更にその上、第２導電型の半導体層４０が設けられている。 - 特許庁

Wherein, the first insulation layer, the gate electrode, the second insulation layer, and the conversion electrode form their own opening each so as the electron emitting layer to be exposed on the first substrate.例文帳に追加

この時、第１絶縁層、ゲート電極、第２絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第１基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成する。 - 特許庁

This sheet for bonding a wafer dicing is characterized by laminating a first tacky adhesive layer, a rigid layer and a second tacky adhesive layer in the above order on a base substrate.例文帳に追加

本発明に係るウエハダイシング・接着用シートは、基材上に、第１の粘接着剤層、剛直層および第２の粘接着剤層がこの順に積層してなることを特徴としている。 - 特許庁

The multi-layer pipe consists at least four layers as commonly extruded molding, wherein the first layer contains polyamide substantially while the second layer contains polyolefin copolymer substantially.例文帳に追加

少なくとも４つの共有押出し成形された層を含み、第一の層は本質的にポリアミドを含み、第二の層は本質的にポリオレフィン共重合体を含んでいることを特徴としている。 - 特許庁

The third electrode is formed from an upper surface of the third semiconductor layer to the second or third semiconductor layer between adjacent insulating layers to come into contact with a side surface of the insulating layer.例文帳に追加

第３の電極は、隣接する絶縁層間において第３の半導体層上面から第２または第３の半導体層にかけて形成され、絶縁層の側面に接する。 - 特許庁

The antireflection sheet 10 has a transparent substrate sheet 1, a first layer H provided on one surface of the transparent substrate sheet 1, and a second layer L provided on the first layer H.例文帳に追加

反射防止シート１０は、透明基材シート１と、透明基材シート１の片面に設けられた第一層Ｈと、第一層Ｈの上に設けられた第二層Ｌとを備える。 - 特許庁

Further, the adhesive resin is composed of a hydrophobic first resin layer formed on the semiconductor substrate, and a second resin layer formed on the first resin layer.例文帳に追加

そして、前記接着樹脂は、前記半導体基板上に形成される疎水性の第１の樹脂層と；当該第１の樹脂層の上に形成される第２の樹脂層とから成る。 - 特許庁

The second TiN wiring layer 14 is formed after the barrier metal layer 11, and first TiN wiring layer 12 are successively formed and the contact holes 9 and 10 are filled up with tungsten.例文帳に追加

上記バリアメタル層１１及び第１のＴｉＮ配線層１２を積層し、さらにコンタクト９、１０をタングステンで埋め込んだ後に第２のＴｉＮ配線層１４を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric device 4 is formed on the surface of the air-outflow end 8a side of the slider 3 while a first electrode layer 7, a piezoelectric layer 6, and a second electrode layer 5 are laminated in order.例文帳に追加

圧電素子４は、スライダ３の空気流出端８ａ側の表面に、第一の電極層７、圧電体層６、第二の電極層５の順に積層されて形成されている。 - 特許庁

There are included the first diffusion layer of the same conductive type as a semiconductor substrate, and the second diffusion layer of a conductive type opposite to the semiconductor substrate and diffusion depth shallower than that of the first diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板と同一導電型の第1の拡散層と、半導体基板と反対導電型であり第１の拡散層より拡散深さの浅い第２の拡散層とを有する。 - 特許庁