「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

A second generation part 313 generates mesh data 335 as assuming a composite material to be a three-layer structure consisting of a layer (first layer) with a glass transition temperature outside a temperature range of analysis and layers (second layer) with a glass transition temperature within the range formed on both sides.例文帳に追加

第２生成部３１３は、複合材を解析の温度範囲内にガラス転移点温度を有しない層（第１の層）と、その両面に形成されガラス転移点温度を有する層（第２の層）とからなる３層構造体と擬制した上で、メッシュデータ３３５を生成する。 - 特許庁

The photodiode includes a first conductive layer 8 disposed above a surface of a semiconductor substrate and having a second type impurity and a second conductive layer 9 formed on the first conductive layer 8 and forming a p-n junction between it and the first conductive layer 8 by having the first type impurity.例文帳に追加

フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。 - 特許庁

The electron affinity χ1(eV) of the first semiconductor layer, the prohibition band width Eg1(eV) of the first semiconductor layer, the electron affinity χ2(eV) of the second semiconductor layer and the prohibition band width Eg2 of the second semiconductor layer satisfy the following equation (1).例文帳に追加

前記第１の半導体層の電子親和力χ１（ｅＶ）、前記第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ１（ｅＶ）、前記第２の半導体層の電子親和力χ２（ｅＶ）、及び前記第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ２が、下記式（１）に示す関係を満たす。 - 特許庁

A second photoresist pattern 110 is formed, and a part of the n^+-GaAs layer 109 and the n-GaAs layer 102 are subjected to wet etching to form a gate recess 111, and furthermore, a second compound semiconductor layer 103 and a third compound semiconductor layer 104 are formed.例文帳に追加

次に、第２のフォトレジストパターン１１０を形成し、ｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９およびｎ−ＧａＡｓ層１０２の一部をウェットエッチングしてゲートリセス１１１を形成し、さらに第２の化合物半導体層１０３および第３の化合物半導体層１０４を形成する。 - 特許庁

This laminate has a first layer formed of a heat-resistant rubber, a second layer formed of an adhesive resin composed mainly of a fluororesin and a third layer formed of the fluororesin, arranged in that order, on the base, characterized in that the second layer comprises a silicone resin.例文帳に追加

基体上に、耐熱性ゴムからなる第１の層、フッ素樹脂を主成分とする接着樹脂からなる第２の層、及びフッ素系樹脂からなる第３の層が順次設けられた積層体であり、前記第２の層が、少なくともシリコーンレジンを含有することを特徴とする積層体。 - 特許庁

The stratified cell culture is obtained by laminating the second cultured cell layer formed on a sheet-shaped polymer membrane on the upper surface of the first cultured cell layer so that the surface of the second cultured cell layer may come into contact with the upper surface of the first cultured cell layer.例文帳に追加

第一の培養細胞層の上面に、シート状の高分子膜上に形成されている第二の培養細胞層を、該第二の培養細胞層の面が第一の培養細胞層の上面と接触するように、積層することによって得られる、重層化細胞培養物。 - 特許庁

The relation between the distance Y between the second P-type drain diffusion layer 11d and the channel 9 in the first P-type drain diffusion layer 5d and the difference Xj in depth between the second P-type drain diffusion layer 11d and the first P-type drain diffusion layer 5d is expressed in an inequality: Y<Xj.例文帳に追加

第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄにおける第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄ、チャネル９間の距離Ｙと、第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄと第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄの深さの差Ｘｊとの間にＹ＜Ｘｊの関係が成り立っている。 - 特許庁

A first layer and a second layer formed by arraying a plurality of collagen yarn-like materials in parallel are stacked with the array directions of yarn-like materials making an angle between the first layer and the second layer, and bonded together to be used as the nonwoven fabric, which is wave-sewn by the collagen yarn-like material.例文帳に追加

不織布として、例えばコラーゲン糸状物が複数本平行に配列されてなる第１の層と第２の層を、第１の層と第２の層との糸状物の配列方向が角度をなすように積層し、相互に接着したものを用い、コラーゲン糸状物でもって例えばなみ縫いする。 - 特許庁

Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is employed as the material of a free magnetic layer 16 and a second fixed magnetic layer 14c, and the composition ratio of Ge element and Sn element is adjusted for adjusting the lattice constant of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16.例文帳に追加

第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の材料にＣｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金を用い、さらにＧｅ元素とＳｎ元素の組成比率を調節することで、第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の格子定数を調整している。 - 特許庁

Thus, as in the case of the first recording layer, the thickness of the second recording layer is set almost equal to the depth of the guiding groove, then, even when recording is performed on the second recording layer under the same conditions as those of recording on the first recording layer, the spread of a mark area is suppressed.例文帳に追加

これにより、第１記録層と同様に、第２記録層の厚さを案内溝の深さとほぼ同じとすることが可能となり、第１記録層に記録するときと同じ記録条件で第２記録層に記録を行っても、マーク領域が広がることを抑制することができる。 - 特許庁

The magnetic film thickness of a second free magnetic layer 25c is set larger than the magnetic film thickness of a first free magnetic layer 25a, and torques to be applied to the magnetization of the second free magnetic layer 25c and to the magnetization of the first free magnetic layer 25a are set so as to be mutually canceled when a sense current magnetic field is generated.例文帳に追加

第２フリー磁性層２５ｃの磁気的膜厚を第１フリー磁性層２５ａの磁気的膜厚よりも大きくし、センス電流磁界が発生したときの第２フリー磁性層２５ｃの磁化にかかるトルクと第１フリー磁性層２５ａの磁化にかかるトルクを互いに打ち消しあうようにする。 - 特許庁

Covering and sealing are carried out with a glass plate 6 arranged on the plastic base material face of a laminated body formed by laminating at least a first electrode layer 2, an organic electroluminescence layer 11 and a second electrode layer 5 on a plastic base material 1, and a moisture-proof film 8 arranged at the second electrode layer face.例文帳に追加

少なくともプラスチック基材１上に第一電極層２と有機エレクトロルミネッセンス層１１と第二電極層５を積層した積層体のプラスチック基材面に配置したガラス板６と、第二電極層面に配置した防湿性フィルム８により被覆封止する。 - 特許庁

The melting point of a portion which is in contact with the first metal layer in the second metal layer 14 is higher than a heating temperature in the alloying process and the portion is composed of metal which does not react with the first metal layer under an environment under which the second metal layer forming process and the alloying process are carried out.例文帳に追加

第２金属層１４において第１金属層と接触する部分は、合金化工程での加熱温度より融点が高く、かつ第２金属層形成工程と合金化工程とを実施する環境下で第１金属層と反応しない金属からなる。 - 特許庁

An air gap 18 occurs in the fabrication process of a first vertical connection layer 15A of high aspect ratio, but since a second vertical connection layer 15B is formed on the first vertical connection layer 15A, occurrence of the air gap 18 does not have an effect on the surface of the second vertical connection layer 15B.例文帳に追加

アスペクト比の大きな第１縦接続層１５Ａでは、製造プロセス上、空隙１８が発生するが、第１縦接続層１５Ａの上には第２縦接続層１５Ｂが形成されているので、空隙１８の影響は第２縦接続層１５Ｂの表面までは及ばない。 - 特許庁

In an optical recording medium 1 wherein a recording layer 4, a second absorbing layer A2 and a heat radiating layer 6 are formed in order from the incidental side of laser light L, the second absorbing layer A2 is configured such that its attenuation coefficient (k) satisfies a condition of 0.06≤k≤1.0 in a wavelength of the laser light L.例文帳に追加

レーザー光Ｌの入射側から順に記録層４、第２吸収層Ａ２および放熱層６が形成された光記録媒体１であって、第２吸収層Ａ２は、その消衰係数ｋが、レーザー光Ｌの波長において、０．０６≦ｋ≦１．０を満たすように構成されている。 - 特許庁

In a first particular generalized embodiment, a light blocking layer is located and formed interposed between a first semiconductor layer including a photoactive region and a second semiconductor layer including at least a second transistor or a floating diffusion region shielded by the light blocking layer.例文帳に追加

第１の特定の一般化された実施形態において、光ブロッキング層は、光活性領域を含む第１の半導体層と、光ブロッキング層によって遮蔽された少なくとも第２のトランジスタ又は浮遊拡散部を含む第２の半導体層との間に挿入されて配置及び形成される。 - 特許庁

This bath cosmetic has at least two layers, 1) a layer (a first layer) using an oil as the main component and 2) a layer (a second layer) using a polyalcohol as the main component in a stationary equilibrium and a difference of a specific gravity of the first and the second layers is 0.15-0.40.例文帳に追加

静置平衡状態において、１）油分を主成分とする層（第１層）と ２）多価アルコールを主成分とする層（第２層）の少なくとも２層を有する形態の浴用剤であって、該第１層と該第２層の比重差が０．１５〜０．４０であることを特徴とする、浴用剤を提供する。 - 特許庁

The lid 10 includes, in order from a side sealing an opening 92, a first sheet 21 including a first polyethylene terephthalate film, a first resin layer 41, a second resin layer 42 having adhesiveness to the first resin layer 31 and different from the first resin layer 31, and a second sheet 22.例文帳に追加

蓋体１０は、開口部９２にシールされる側から順に、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含む第１シート２１と、第１の樹脂層４１と、第１の樹脂層３１と接着性を有し、第１の樹脂層３１とは異なる第２の樹脂層４２と、第２シート２２とを備える。 - 特許庁

The elastic base layer for the flooring in one embodiment of this invention, has a first layer structure, a second layer structure, and a porch surrounded by these structures between the first and second layer structures; and is characterized in that the porch stores a filler composed of a granular elastic material.例文帳に追加

本発明の１つの態様に係る床張りのための弾性基層は、第１の層構造体と、第２の層構造体と、第１および第２の層構造体の間でこれらにより包囲されるポーチとを備え、ポーチは、顆粒状弾性材料からなる充填材を収容することを特徴とする。 - 特許庁

A first conductive layer 32, a first insulating layer 22 and a second conductive layer 34 are formed in this order on the under face of an insulating substrate 20, and a through-hole 14 extending vertically from the top face of the substrate 20 to the top face of the second conductive layer 34 is formed in them.例文帳に追加

絶縁基板２０の下面に第１導電層３２、第１絶縁層２２および第２導電層３４をこの順番で形成し、これらに絶縁基板２０の上面から第２導線層３４の上面まで鉛直方向に延びる貫通孔１４を形成する。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly includes an oxidation electrode having a first main catalyst layer, a second main catalyst layer, and an auxiliary catalyst layer positioned between the main catalyst layers, a reduction electrode, and a polymer electrolyte membrane formed between the second main catalyst layer of the oxidation electrode and the reduction electrode.例文帳に追加

膜-電極接合体は、第１の主触媒層、第２の主触媒層、及び主触媒層らの間に位置する助触媒層を備える酸化電極、還元電極、及び酸化電極の第２の主触媒層と還元電極の間に形成された高分子電解質膜を備える。 - 特許庁

An executable thread selection logic connected between the thread state storage of the first layer and the thread storage function of the second layer selectively replaces the thread state between the limited number of executable storage register stages of the first layer and the thread storage function of the second layer.例文帳に追加

第１の層のスレッド状態ストレージと第２の層のスレッド・ストレージ機能の間に結合された実行可能スレッド選択論理は、第１の層の限定された数の実行可能なスレッド・レジスタ状態と第２の層のスレッド・ストレージ機能の間でスレッド状態を選択的に交換する。 - 特許庁

The surface of a first nitride semiconductor crystal layer 3 is exposed to an atmosphere containing oxygen, a second nitride semiconductor crystal layer 5 is formed thereon, and the second nitride semiconductor crystal layer 5 is set lower in dislocation density than the first nitride semiconductor crystal layer 3.例文帳に追加

第一の窒化物系半導体結晶層３の表面を酸素を含む雰囲気にさらし、その上に第二の窒化物系半導体結晶層を５形成し、第一の窒化物系半導体結晶層３よりも第二の窒化物系半導体結晶層５の転位密度を減少させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes the first doped layer comprising the isotopically concentrated semiconductor material, the second layer comprising the isotopically concentrated semiconductor material disposed on the first doped layer and the positive device disposed on the second layer.例文帳に追加

この半導体デバイスは、同位体的に濃縮した半導体材料からなる第１のドープ済み層と、この第１のドープ済み層の上に配置させた同位体的に濃縮した半導体材料からなる第２の層と、この第２の層上に配置させた能動デバイスと、を含む。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 7 forming the substrate of the semiconductor chip 1, a first wiring layer 8, a first interlayer film 9, a second wiring layer 10, a second interlayer film 11, a third wiring layer 12, and an uppermost layer wiring coating film 15 are laminated from the side of the semiconductor substrate 7 in this order.例文帳に追加

半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。 - 特許庁

The double-sided adhesive tape 10 of an embodiment includes: a first adhesive layer 30 used as an adhesive surface to a surface plate; a second adhesive layer 40 used as an adhesive surface to a polishing member; and a substrate 20 between the first adhesive layer 30 and the second adhesive layer 40.例文帳に追加

本発明のある実施の形態の両面粘着テープ１０は、定盤への粘着面となる第１の粘着剤層３０と、研磨部材への粘着面となる第２の粘着剤層４０と、第１の粘着剤層３０と第２の粘着剤層４０との間の基材２０とを含む。 - 特許庁

In this semiconductor device, gate electrodes 11a, 11b of a transistor comprise a silicon layer divided into a first region 12a of a first conductivity-type and a second region 12b of a second conductivity-type (for example, a polycrystalline silicon layer 12) and a low resistance layer containing a metal (for example, a metal silicide layer 14).例文帳に追加

トランジスタのゲート電極１１ａ，１１ｂが、第１導電型の第１領域１２ａと第２導電型の第２領域１２ｂとに区分されたシリコン層（例えば、多結晶シリコン層１２）と、金属を含有する低抵抗化層（例えば、金属シリサイド層１４）とからなる。 - 特許庁

The decorative sheet in which at least a first metallic lustrous film layer and a second metallic lustrous film layer are formed on a substrate sheet is characterized in that the first metallic lustrous film layer 6 and the second metallic lustrous film layer 8 are formed not so as to be superimposed.例文帳に追加

基体シート上に少なくとも第一金属光沢膜層と第二金属光沢膜層とが形成された加飾シートであって、第一金属光沢膜層６と第二金属光沢膜層８とが重ならないように形成されたことを特徴とする加飾シートとする。 - 特許庁

The electromagnetic shielding sheet includes at least: a first shielding layer 1 and a second shielding layer 2 composed so as to shield an electromagnetic wave; and an interlayer 3 by which the first shielding layer 1 and the second shielding layer 2 can be positioned apart at a prescribed distance in a thickness direction.例文帳に追加

電磁波を遮断し得るように構成している第一の遮断層１と第二の遮断層２と、第一の遮断層１及び前記第二の遮断層２とを厚み方向に所定寸法離間させて位置付け得る介在層３とを少なくとも具備していることを特徴とする。 - 特許庁

The second laminated body 30 includes at least a second substrate 32, which is made of transparent resin or glass at which a second transparent electrode 34 is provided, and a luminescent layer 36 provided so as to overlap the second substrate 32.例文帳に追加

第２の積層体３０は、透明な第２の電極３４が設けられた透明樹脂または透明ガラスからなる第２の基板３２、および第２の基板３２に重ねて設けられた発光層３６を少なくとも含む。 - 特許庁

A third assembly with a second catalyst layer formed on a second electrolyte membrane is manufactured by applying second catalyst ink on one of sides of a part of the second catalyst membrane.例文帳に追加

第２の電解質膜の一部である第２の電解質部分の一方の面に第２の触媒インクを塗布することによって、第２の電解質膜上に第２の触媒層が形成された第３の接合体を作製する。 - 特許庁

Further, by the fluid blown out of a second static pressure transmission port 732 being sucked into a second negative pressure transmission port 742, a fluid layer 77 is also formed between a second fluid bearing face 76 and a second guide face 22.例文帳に追加

また、第２静圧伝達口７３２から吹き出された流体が第２負圧伝達口７４２に引き込まれることにより、第２流体ベアリング面７６と第２案内面２２との間にも流体層７７が形成される。 - 特許庁

An approximately frame-shaped second adhesive layer 26 which surrounds each of second lens parts 16a and has convex portions 26a projecting toward the air vent ports 25 is formed on a second opposite surface 22a of a second WLL array 22.例文帳に追加

第２ＷＬＬアレイ２２の第２対向面２２ａ上に、各第２レンズ部１６ａをそれぞれ囲み、かつエア抜き孔２５に向けて突出した凸部２６ａを有する略枠状の第２接着層２６を形成する。 - 特許庁

The first sensor has a first pin layer structure, and a second sensor has a second pin structure, and the first and second pin structures has a first and second magnetic moment facing to each other in anti-parallel, respectively.例文帳に追加

第一のセンサは第一のピン層構造を有し、第二のセンサは第二のピン層構造を有し、第一および第二のピン層構造は、互いに対して反平行である第一および第二の磁気モーメントをそれぞれ有する。 - 特許庁

Impurity of the second conductivity-type (for example, phosphorus or arsenic) is introduced into the second region 12b at a predetermined concentration, that changes the silicon layer of the second region from the first conductivity-type to the second conductivity-type.例文帳に追加

第２領域１２ｂは、当該第２領域のシリコン層を第１導電型から第２導電型に変化させる所定濃度で第２導電型の不純物（例えば、リンまたは砒素）が導入されている。 - 特許庁

In a connecting part (a first connecting part) which connects the second electrode and the auxiliary wiring (a first auxiliary wiring) and the second electrode in the pixel part, either or both of the first buffer layer and the second buffer layer are held by and between the auxiliary wiring (the first auxiliary wiring) and the second electrode.例文帳に追加

画素部において第２の電極と補助配線（第１の補助配線）が電気的に接続される接続部（第１の接続部）では、補助配線（第１の補助配線）と第２の電極との間に第１のバッファー層または第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれている。 - 特許庁

The apparatus includes a detection circuit which provides a first reference voltage to a first and a second electrode of a first conductive layer of a resistive touch screen 70 and provides a second reference voltage to a first and a second electrode of a second conductive layer of the resistive touch screen 70.例文帳に追加

装置は、抵抗式タッチスクリーン７０の第一の導電層の第一と第二の電極に、第一の基準電圧を提供し、抵抗式タッチスクリーン７０の第二の導電層の第一と第二の電極に、第二の基準電圧を提供する検出回路を含む。 - 特許庁

Similarly, after a second side wall metal 8 is provided on the side wall within a trench 7 of a second interlayer dielectric 6 including a porous second low dielectric constant film 6b, a second etching stopper layer 6a is etched and an upper layer 9 is formed that connects to the via plug 5.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 - 特許庁

The mask set includes a first mask layer including a first exposure area where a first halftone pattern is formed to define a first pattern area, and a second mask layer including a second exposure area where a binary pattern and a second halftone pattern are formed to define a second pattern area.例文帳に追加

このマスクセットは、第１ハーフトーンパターンが形成されて前記第１パターン領域を画定する第１露光領域を含む第１マスクレイヤと、バイナリパターン及び第２ハーフトーンパターンが形成されて前記第２パターン領域を画定する第２露光領域を含む第２マスクレイヤを含む。 - 特許庁

The touch panel includes a first substrate and a first electrode plate having a first conductive layer disposed on the first substrate, and a second substrate and a second electrode plate having a second conductive layer disposed on the second substrate, being apart from the first electrode plate by a predetermined distance.例文帳に追加

本発明のタッチパネルは、第一基板及び前記第一基板に設置される第一導電層を有する第一電極板と、前記第一電極板から所定の距離だけ離れ、第二基板及び前記第二基板に設置される第二導電層を有する第二電極板と、を含む。 - 特許庁

The optical element has a first substrate and a second substrate oppositely arranged each other, a first electrode arranged on the first substrate, a second electrode arranged on the second substrate, a liquid crystal layer arranged between the first substrate and the second substrate, and a prism array arranged between the first substrate and the liquid crystal layer.例文帳に追加

光学素子は、対向配置された第１基板及び第２基板、第１基板上に配置された第１電極、第２基板上に配置された第２電極、第１基板と第２基板の間に配置された液晶層、および第１基板と液晶層との間に配置されたプリズムアレイを有する。 - 特許庁

A part of a second oxidized layer is oxidized to form a second current constriction layer containing a second insulating region and a second conductive region containing a border between the first conductive region and the first insulating region in the in-plane direction of the substrate in its inside.例文帳に追加

第２の被酸化層の一部を酸化し、基板の面内方向において第１の導電性領域と第１の絶縁性領域の境界を内側に含む第２の導電性領域と、第２の絶縁性領域とを有する第２の電流狭窄層を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel includes the first substrate including a column spacer, the second substrate disposed opposing to the first substrate, a polymer layer placed between the column spacer and the second substrate and combining the column spacer with the second substrate, and a liquid crystal layer placed between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

液晶表示パネルは、コラムスペーサーを含む第１基板と、第１基板に対向配置されている第２基板と、コラムスペーサーと第２基板の間に位置し、コラムスペーサーを第２基板に結合させる高分子層と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A capacitor array is constituted, in a structure of a first capacitor 31 having a first inner electrode 31a provided in a first laminate 21, consisting of a first dielectric ceramic material layer 11 and a second capacitor 32, having a second inner electrode 32a provided in a second laminate 22 consisting of a second dielectric ceramic material layer 12.例文帳に追加

第１誘電体磁器材料層１１からなる第１積層体２１に第１内部電極３１ａを有する第１キャパシタ３１を設け、第２誘電体磁器材料層１２からなる第２積層体２１に第２内部電極３２ａを有する第２キャパシタ３２を設ける。 - 特許庁

A recording pulse sequence generation section 39 generates first and second recording pulse sequences respectively based on the first identification information indicating the first recording condition for the read-out first unit recording layer and the second identification information indicating the second recording condition for the read-out second unit recording layer.例文帳に追加

記録パルス列生成部３９は、読み出された第１の単位記録層に対する第１の記録条件を示す第１の識別情報と、第２の単位記録層に対する第２の記録条件を示す第２の識別情報それぞれに基づいて、第１及び第２の記録パルス列を生成する。 - 特許庁