「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulated cable 10 is formed by forming a first coating layer 12 made of an insulating material around a conductor 11 and by forming a second coating layer 14 made of the insulating material around the first coating layer 12, and then, after irradiating electron beams, is formed by removing the second coating layer 14.例文帳に追加

絶縁電線１０は、導体１１の周りに絶縁材料からなる第１被覆層１２を形成し、第１被覆層１２の周りに絶縁材料からなる第２被覆層１４を形成して、電子線照射した後、第２被覆層１４を除去して形成されたものである。 - 特許庁

Second conductor wires 111-116 are positioned on a plane opposite to a plane whereon a first insulating layer 101 and a second insulating layer 102 come close to each other and to a plane of a fourth insulating layer 104 that comes close to a third insulating layer 103.例文帳に追加

第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。 - 特許庁

The coating method comprises (a) forming a first layer of a coating solution containing a liquid-state solvent and a coating material only on a first end region by immersion coating and (b) forming a second layer of the coating solution on the first layer, an intermediate layer, and a second end region in this order by immersion coating.例文帳に追加

（ａ）液状溶媒とコーティング材料とを含むコーティング溶液の第１層を、第１端領域上にのみ浸漬被覆し、（ｂ）前記コーティング溶液の第２層を、前記第１層、前記中間領域、及び前記第２端領域の上に、この順で浸漬被覆すること、を含む方法。 - 特許庁

A semiconductor laser element comprises: a substrate 101 having a cavity 101a; and a semiconductor layer laminate 102 including a first clad layer 122 of a first conductivity type, an active layer 124 and a second clad layer 126 of a second conductivity type sequentially formed on the substrate 101.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。 - 特許庁

A first-conductivity-type second base semiconductor layer 60 is formed on the top face of the first base semiconductor layer 40 excluding an emitter region and a region in which an emitter insulating film is formed, and a base ohm layer 70 is formed on the second base semiconductor layer 60.例文帳に追加

第１導電型の第２ベース半導体層６０が第１ベース半導体層４０の上面のうちエミッタ領域及びエミッタ絶縁膜が形成された領域を除外した部分に形成され、第２ベース半導体層６０上にはベースオーム層７０が形成されている。 - 特許庁

The first layer described above gives a bulkiness and strength and the second layer described above contains a hard mineral such as calcium carbonate for giving a conrollable gas permeability and at least some of the fibers in the substrate layer in the second layer are partially capsulated.例文帳に追加

上記第１の層は、嵩および強度を提供し、上記第２の層は、調節可能な通気性を提供するために、炭酸カルシウムのような硬い鉱物などを含み、ここで、この第２の層は、基板層の繊維の少なくともいくらかを少なくとも部分的にカプセル化する。 - 特許庁

The device includes: a substrate 10; a first electrode 12 formed on the substrate; a light-emitting layer 15 formed on the first electrode; and a second electrode 17 formed on the light-emitting layer, wherein the second electrode includes a semi-transparent conductive layer and a conductive oxide layer.例文帳に追加

基板１０と、基板上に形成されている第１電極１２と、第１電極上に形成されている発光層１５と、発光層上に形成されている第２電極１７とを含み、第２電極は、半透過導電層及び導電性酸化物層を含む。 - 特許庁

The first layer gives a bulkiness and strength and the second layer includes a hard mineral such as calcium carbonate for giving a controllable air permeability and at least some of the fibers in the substrate layer in the second layer are at least partially capsulated.例文帳に追加

上記第１の層は、嵩および強度を提供し、上記第２の層は、調節可能な通気性を提供するために、炭酸カルシウムのような硬い鉱物などを含み、ここで、この第２の層は、基板層の繊維の少なくともいくらかを少なくとも部分的にカプセル化する。 - 特許庁

The organic light-emitting devices include a first electrode, a second electrode opposite to the first electrode, a first layer intervening between the first electrode and the second electrode, wherein the first layer includes at least a hole injection layer, a hole transport layer, etc., which includes the condensed-cyclic compounds.例文帳に追加

さらに、第１電極と、該第１電極に対向された第２電極と、該第１電極と該第２電極との間に介在された第１層と、を含み、該第１層が、正孔注入層、正孔輸送層等の少なくとも１つであり、該縮合環化合物を含む、有機発光素子。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

By having the germanium concentration of a first SiGe layer 12a, formed on a semiconductor substrate 11, set up lower than the germanium concentration of a second SiGe layer 13a formed in the upper part, the etching rates of the first SiGe layer 12a and the second SiGe layer 13a are made almost the same.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成される第１ＳｉＧｅ層１２ａのＧｅ濃度を、その上方に形成される第２ＳｉＧｅ層１３ａのＧｅ濃度より低く設定することで、第１ＳｉＧｅ層１２ａと第２ＳｉＧｅ層１３ａのエッチングレートをほぼ同じにする。 - 特許庁

A multilayer wiring substrate includes a first internal wiring layer 23 and a second internal wiring layer 24, which are formed inside a substrate 10, is used in addition to a first surface wiring layer 21 and a second surface wiring layer 22, which are formed on the two surfaces 10a, 10b of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０には、その二つの表面１０ａ，１０ｂに形成された第１表面配線層２１及び第２表面配線層２２に加え、同基板１０の内部に形成された第１内部配線層２３及び第２内部配線層２４を有する多層配線基板が用いられる。 - 特許庁

Besides, since a ground plane 14 is provided at the spot, where the signal line 12 is absent, of the first signal layer 9, even without providing the other plane layer between the first signal line 12 and the second signal layer 12, the second signal layer 12 can be made into strip structure held between planes.例文帳に追加

また、第１の信号層９のうち信号線１２のない箇所にはグランドプレーン１４を設けているため、第１の信号層１２と第２の信号層１２との間に別個のプレーン層を設けなくても、第２の信号層１２はプレーンによって挟み込むストリップ構造とすることができる。 - 特許庁

Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm.例文帳に追加

活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

A first material layer 11 can be separated clearly by a physical means in a second material layer 12 or on the interface by previously performing a processing (laser light, pressurization, or the like) for partially lowering adhesion of the first material layer 11 and the second material layer 12.例文帳に追加

剥離前に第１の材料層１１と第２の材料層１２との密着性を部分的に低下させる処理（レーザー光、加圧など）を行った後、物理的手段で剥離を行うことによって容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 - 特許庁

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

The teraheltz light conducting substrate has a first semiconductor layer 11 and a second semiconductor layer 12 which is formed on one principal surface of the first semiconductor layer 12 and shows conductivity by light irradiation, the second semiconductor layer 12 containing a rare earth element.例文帳に追加

本発明のテラヘルツ光伝導基板１０は、第１の半導体層１１と、第１の半導体層１２の一方の主面上に形成された、光照射により伝導性を示す第２の半導体層１２とを備え、第２の半導体層１２は、希土類元素を含有する。 - 特許庁

A second catalyst precursor layer is formed by coating the other surface of the electrolyte precursor film with the catalyst layer material, and the surface of the electrolyte precursor film is fused by the fluorine solvent included in the catalyst layer material, so that the electrolyte precursor film and the second catalyst precursor layer are integrated.例文帳に追加

電解質前駆体膜の他方の面に触媒層部材を塗工して第２の触媒前駆体層を形成し、触媒層部材に含まれるフッ素溶媒により電解質前駆体膜の表面を溶融させて、電解質前駆体膜と第２の触媒前駆体層とを一体化する。 - 特許庁

A base mold BM is formed and an epoxy resin containing fine aluminum particles is placed on the base mold BM and solidified to form a second particle layer 3 while an epoxy layer containing coarse aluminum particles is placed on the second particle layer 3 and solidified to form a first particle layer 2.例文帳に追加

ベース型ＢＭを形成し、ベース型ＢＭ上に、細かいアルミニウムの粒を含んだエポキシ樹脂を載せて固めることにより第２粒層３を形成し、第２粒層３の上に、粗いアルミニウムの粒を含んだエポキシ樹脂を載せて固めることにより、第１粒層２を形成する。 - 特許庁

A first ceramic green layer being a first ceramic layer 5 Including a low temperature sintered ceramic material and a second ceramic green layer being a second ceramic layer 6 including a hard-to-sinter ceramic material are disposed on the metal plate 4 and these are simultaneously fired to obtain the metal base substrate 2.例文帳に追加

金属板４上に、低温焼結セラミック材料を含む第１のセラミック層５となる第１のセラミックグリーン層と、難焼結性セラミック材料を含む第２のセラミック層６となる第２のセラミックグリーン層とを配置し、これらを同時焼成して、金属ベース基板２を得る。 - 特許庁

With synchronizing with the application of the second voltage, intense light is irradiated onto the display layer of a region for displaying a first tone value in the first liquid crystal layer, and weak light is irradiated onto the display layer of a region for displaying a second tone value in the first liquid crystal layer.例文帳に追加

第２の電圧の印加と同期して、第１の液晶層において第１の階調値を表示させる領域に対しては強い光を表示層に照射し、第１の液晶層において第２の階調値を表示させる領域に対しては弱い光を表示層に照射する。 - 特許庁

A second-layer wire for electrically connecting the divided secondary first-layer wires with each other is formed of a second metal including more reduction ability than that of a first metal on a surface in contact with a front layer made of the first metal on the primary first-layer wire.例文帳に追加

分断されている第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、上記第一の一層目配線における第一金属からなる表層に当接する面が該第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成する。 - 特許庁

In an electric energy storage device 1 including a first electrode 4, a dielectric layer 6 and a second electrode 7, a fine particulate layer 5 comprising metal fine particles 5a is formed between the first electrode 4 and the dielectric layer 6 and between the second electrode 7 and the dielectric layer 6.例文帳に追加

第一電極４、誘電体層６、第二電極７を備えた電気エネルギー蓄積装置１において、第一電極４と誘電体層６との間および第二電極７と誘電体層６との間に、金属の微粒子５ａにより構成された微粒子層５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device is provided with a gate electrode 10g controlling a potential of a heterojunction interface between the first semiconductor layer 1 and the second semiconductor layer 2, a drain electrode 10d connected to the first semiconductor layer 1, and a source electrode 10s connected to the second semiconductor layer 2.例文帳に追加

更に、第１の半導体層１と第２の半導体層２との間のヘテロ接合面の電位を制御するゲート電極１０ｇと、第１の半導体層１に接続されたドレイン電極１０ｄと、第２の半導体層２に接続されたソース電極１０ｓと、が設けられている。 - 特許庁

The implantation type flexible nerve electrode is constituted by a first insulating layer 11 including a photosensitive flexible insulating material, a second insulating layer 12 including the photosensitive flexible insulating material and a plurality of the electrode wires 13 formed on the first insulating layer 11 and covered with the second insulating layer 12.例文帳に追加

感光性の柔軟絶縁材料からなる第１絶縁層１１と、感光性の柔軟絶縁材料からなる第２絶縁層１２と、第１絶縁層１１上に形成され、第２絶縁層１２に覆われた複数の電極配線１３とから構成される。 - 特許庁

The terminal electrode 17 has a first electrode layer 21 formed on the substrate 7, and a second protruding electrode layer 23 formed on the first electrode layer 21 to cover a part thereof wherein the second electrode layer 23 has a curved surface.例文帳に追加

端子電極１７は、基体７上に形成された第１電極層２１と、第１電極層２１の一部を覆うように第１電極層２１上に凸状に形成された第２電極層２３と、を有し、第２電極層２３の表面は曲面状を有している。 - 特許庁

The heat resistant oilproof insulation wire has a first layer 1 made of a fluororubber mixture covered on a circumference of a conductor 3, a second layer 2 made of a fluororesin covered on the outer circumference of the first layer 1, and the fluororesin of the second layer 2 is a copolymer of ethylene-tetrafluoroethylene.例文帳に追加

導体３周上に、フッ素ゴム混和物からなる第一層１が被覆され、該第一層１の外周にフッ素樹脂からなる第二層２が被覆され、上記上記第二層２のフッ素樹脂が、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体である耐熱耐油絶縁電線。 - 特許庁

In the metal like decorative sheet constituted by laminating at least a thermoplastic resin base material, a first adhesive layer, a metal foil layer, a second adhesive layer and a transparent thermoplastic resin sheet in this order, at least the second adhesive layer comprises a silylated urethane resin.例文帳に追加

少なくとも熱可塑性樹脂基材、第１接着剤層、金属箔層、第２接着剤層、透明熱可塑性樹脂シートをこの順に積層してなる金属調化粧シートにおいて、少なくとも第２接着剤層がシリル化ウレタン樹脂からなることを特徴とする。 - 特許庁

The opening on the substrate surface side of the ink supply port 5 is provided with the filter 10 prepared by laminating a first filter layer 12 and a second filter layer 13 wherein a plurality of microscopic apertures 12a, 13a are formed, and with a hollow part 11 between the first filter layer 12 and the second filter layer 13.例文帳に追加

インク供給口５の基板表面側の開口部には、複数の微細開口部１２a、１３aが形成された第１フィルタ層１２、第２フィルタ層１３が積層されてなるフィルタ１０が設けられ、かつ、第１フィルタ層１２と第２フィルタ層１３との間に中空部１１が設けられている。 - 特許庁

A longitudinal partition plate 12 partitions the inside of the casing 11 into a first layer 31 and a second layer 32, and is structured to make the first layer 31 and the second layer 32 communicate with each other at a hole 21 at a central part in the plate surface direction of the casing 11 and at ends in the plate surface direction.例文帳に追加

そして、縦方向仕切り板１２は、ケーシング１１の内部を第１の層３１と第２の層３２に仕切り、ケーシング１１の板面方向の中央部の穴２１および板面方向の端部において、第１の層３１と第２の層３２とを連通させるようになっている。 - 特許庁

Therefore, by half exposure in a half-exposed region F, a first resist layer R1 is not subjected to exposure reaction, but rather the regions J and K of a second resist layer R2 are made to react to half-exposure light, and the exposure reactions of the first resist layer R1 and the second resist layer R2 can be separated from each other.例文帳に追加

このため、ハーフ露光によりハーフ露光領域Ｆにおいて、第１のレジスト層Ｒ１を露光反応させずに第２のレジスト層Ｒ２の領域Ｊ、Ｋを露光反応させて、第１、第２のレジスト層Ｒ１、Ｒ２の露光反応を分離することができる。 - 特許庁

In the flexible board 1, signal lines 9a/9b are formed as microstrip lines on a first wiring layer, a signal connection pad for performing electric connection with an FPC (Flexible Printed Circuit) connector 7 is formed on an end of a second wiring layer, and a ground layer 12a is formed on the second wiring layer.例文帳に追加

フレキシブル基板１は、第一配線層にマイクロストリップラインとして信号線路９ａ・９ｂが形成され、第二配線層の端部に、ＦＰＣコネクタ７と電気的接続を行うための信号接続パッドが形成され、第二配線層にはグランド層１２ａが形成される。 - 特許庁

A region of a second semiconductor layer 2d on a first insulator layer non-opening part region (A) is capable of being let grow in the lateral direction from the region of the second semiconductor layer 2d growing from a first semiconductor layer 2b within a first insulator opening part region (B).例文帳に追加

第１絶縁体層非開口部領域（Ａ）上の第２半導体層２ｄの領域は、第１絶縁体層開口部領域（Ｂ）内の第１半導体層２ｂから成長した第２半導体層２ｄの領域から横方向に沿って成長させることが可能である。 - 特許庁

The multicolor printing and recording medium is constituted by laminating a substrate, a first thermal color forming layer, a light absorbing layer, a second thermal recording layer and a protective layer in this order and characterized in that the color forming temperatures of the first and second thermal color forming layers are made different.例文帳に追加

基材と、第一の感熱発色層と、光吸収層と、第二の感熱発色層と、保護層とをこの記載の順序に積層し、上記第一の感熱発色層と上記第二の感熱発色層との発色温度とが異なるようにしたことを特徴とする多色印字記録媒体。 - 特許庁

The carbon nanotube structure is constituted of a first wiring layer 21, an interlayer insulating film 22, and a second wiring layer 23 laminated sequentially; and a via 26 with the carbon nanotube bundle 25 formed to connect electrically the first wiring layer 21 to the second wiring layer 23 in a via hole 24 passing through the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。 - 特許庁

Further, the nitride semiconductor light emitting device comprises: a first transparent electric conductor; and a metal layer; a second transparent electric conductor; the first electric conductivity type nitride semiconductor layer: the light emitting layer; and the second electric conductivity type nitride semiconductor layer laminated one by one on the first transparent electric conductor.例文帳に追加

また、第１透明導電体と、第１透明導電体上に順次積層された、金属層と、第２透明導電体と、第１導電型窒化物半導体層と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The exhaust cleaning catalyst comprises a first layer (1) containing a HC adsorbent, a second layer (2) containing NOx cleaning-up catalytic component on the first layer, and an alkali compound (3) with a crystal diameter of 250 Å and contained in the second layer (2) together with Rh, Pd, and Pt.例文帳に追加

ＨＣ吸着材を含む第１層（１）上にＮＯｘ浄化触媒成分を含む第２層（２）を積層してなり、第２層（２）が、Ｒｈ、Ｐｄ及びＰｔなどと結晶子径が２５０Å以下であるアルカリ化合物（３）とを含有する排気ガス浄化触媒である。 - 特許庁

A first information recording/reproducing part is formed by successively laminating on a transparent substrate 1 at least a first recording layer 2 and a semipermeable film layer 3, while a second information recording/ reproducing part is formed by successively laminating on a transparent substrate 7 at least a reflective film layer 6 and a second recording layer 5.例文帳に追加

透明基板１に少なくとも第１記録層２と半透過膜層３を順に積層することで第１の情報記録再生部を形成し、透明基板７に少なくとも反射膜層６と第２記録層５を順に積層することで第２の情報記録再生部を形成する。 - 特許庁

Furthermore, an insulating layer 20 is formed by covering a side wall surfaces of the first hole H1 and the second hole H2 and inside the insulating layer 20, a conductive layer 21 is formed by covering at least the inner wall surface of the insulating layer 20 and a bottom surface of the second hole H2.例文帳に追加

また、上記の第１開口部Ｈ１及び第２開口部Ｈ２の側壁面を被覆して絶縁層２０が形成され、絶縁層２０の内側において、少なくとも絶縁層２０の内壁面と第２開口部Ｈ２の底面を被覆して導電層２１が形成されている構成とする。 - 特許庁

A movable electrode 20 is formed on a sacrifice layer 15 formed on a silicon substrate 1, and a wiring laminated part where a first interlayer insulation film 16, a first wiring layer 23, a second interlayer insulation layer 17, and a second wiring layer 24 are laminated in this order while partially patterning.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された犠牲層１５上に可動電極２０を形成し、可動電極２０上に、第一層間絶縁膜１６、第一配線層２３、第二層間絶縁膜１７、第二配線層２４を、この順に一部をパターニングしながら積層させた配線積層部を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device in an embodiment comprises: in sequence, a first electrode 13; a first semiconductor layer 1 of a first conductivity type; a second semiconductor layer 2 of a first conductivity type; a third semiconductor layer 3 of a second conductivity type; and a fourth semiconductor layer 4 of a first conductivity type.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１の電極１３、第１導電形の第１の半導体層１、第１導電形の第２の半導体層２、第２導電形の第３の半導体層３、第１導電形の第４の半導体層４を順に備える。 - 特許庁

A second periodic structure 24 is formed by repeatedly growing a first composition compound semiconductor layer 22' in the same growing time as the growing time of the layer 22 and repeatedly growing a second composition compound semiconductor layer 25 in a different growing time from that of the layer 23.例文帳に追加

ウエハ上に、第１組成の化合物半導体層２２′を層２２の成長時間と同じ成長時間、第２組成の化合物半導体層２５を層２３の成長時間と異なる成長時間で複数回繰り返し成長して第２の周期構造２４を形成する。 - 特許庁

Since the second growth layer 22 is grown laterally so as to fill up the dimples of the first grown layer 21, dislocation D transferred from the first growing layer 21 bends laterally at the surface projections, thereby remarkably reducing the density of dislocations D propagated to the surface of the second growth layer 22.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減される。 - 特許庁

A first optical guide layer 13 of Al0.3Ga0.7As, a quantum well active layer 14 of GaAs, a second optical guide layer 15 of AlGaAs, and a second clad layer 16 p-type Al0.5Ga0.5As, are sequentially formed on a substrate 11 of n-type GaAs.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１上には、Ａｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓからなる第１光ガイド層１３と、ＧａＡｓからなる量子井戸活性層１４と、ＡｌＧａＡｓからなる第２光ガイド層１５と、ｐ型Ａｌ_0.5 Ｇａ_0.5 Ａｓからなる第２クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁

The tip end and side surface of the contact is cleaned by pressing the surface of the second grinding layer 14 on the tip end of the contact so as to penetrate the second grinding layer 14, pass through the foaming layer 13, and abut on the surface of the first grinding layer 12.例文帳に追加

接触子の先端及び側面のクリーニングは、第二の研磨層１４の表面を接触子の先端に押し付け、接触子の先端を、第二の研磨層１４を貫通させ、発泡層１３を通過させて、第一の研磨層１２の表面に押し付けて行われる。 - 特許庁