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「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(334ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > second layerの意味・解説 > second layerに関連した英語例文

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second layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21457



例文

The first metal material is coated by the thin layer second metal material to obtain a coated body, and the coated body is drawn and molded into a linear shape by rolling to obtain a linear soldering material.例文帳に追加

第1の金属材料を薄層状の第2の金属材料で覆って被覆体を得て、被覆体を圧延によって線状に延伸成形して線状ハンダ材を得る。 - 特許庁

After the information is printed on the release sheet 14, a second area 14B is cut off from a first area 14A so as to be released from the pressure-sensitive adhesive layer 13, so that the copy can be obtained.例文帳に追加

剥離シート14に情報を印刷した後、第2の領域14Bを第1の領域14Aから切り離して粘着剤層13から剥離することで、控えを得る。 - 特許庁

The resin layer 5 is formed by integrally mixing or fusing the first and second filamentary bodies 51 and 52 together by at least partially melting the bodies 51 and 52.例文帳に追加

第1の線状体(51)および第2の線状体(52)は少なくとも部分的に溶融されて互いに混合または融合一体化され、固化されて樹脂層(5)が形成される。 - 特許庁

One end side of the layer unit 21 is supported rotatably by the first support structure 22, and the other end side is rotatably supported slidably by the second support structure 23.例文帳に追加

レイヤーユニット21の一端側を第1の支承構造22によって回動自在に支承し、他端側を第2の支承構造23によって回動自在にかつスライド自在に支承する。 - 特許庁

例文

To perform induction hardening in the second hardening order on a quench-hardened layer of a pin part or a journal part of a crank shaft which is induction-hardened in the first hardening order.例文帳に追加

焼入順が先に高周波焼入されたクランクシャフトのピン部又はジャーナル部の焼入硬化層に、熱影響を防ぐように、焼入順が後の高周波焼入をする。 - 特許庁


例文

The optical low-pass filter comprises a first birefringent plate, an IR-cut glass, a 1/4 retardation film, a second birefringent plate and a tacky adhesive agent as a bonding layer for bonding the members.例文帳に追加

光学ローパスフィルタは、第1複屈折板と、IRカットガラスと、1/4位相差フィルムと、第2複屈折板と、これらの部材を接合する接合層としての粘着剤とを有する。 - 特許庁

By a difference between the first and second modulus, the direction of a crack propagating through the layer of a material 26 is changed, so as to prevent the propagation of the crack 30 into the substrate.例文帳に追加

第1の弾性率と第2の弾性率との差異により、材料の層26を通って伝播する亀裂の方向を変化させ、基体中に亀裂30が伝播しないようにする。 - 特許庁

A space where the organic insulating layer is not formed between the patterns 140, 150 functions as a passage to exhaust air trapped when a first substrate 100 is combined with a second substrate 200.例文帳に追加

パターン140、150の間の有機絶縁膜が存在しない空間は、第1基板100と第2基板200が結合される時に閉じ込められた空気が排出される通路になる。 - 特許庁

Then, without an intervening vacuum break, an aluminum film is deposited with chemical vapor only over a second surface portion of the intermediate layer, which is located over the interior surface of the contact hole or recess (303).例文帳に追加

続いて、中間に真空ブレークなしにアルミニウム膜をコンタクトホールまたは溝の内面上部に位置する層間膜の第2表面部位にのみ化学気相蒸着する(303)。 - 特許庁

例文

A plurality of first linear patterns 11 and second patterns 21 each made of a conductor layer are juxtaposed on one surface in the thickness direction of each of the coil substrates 10, 20.例文帳に追加

第1基板10と第2基板20との厚み方向の一面にはそれぞれ導電層からなる複数本の線状の第1パターン11と第2パターン21とが並設される。 - 特許庁

例文

The thermoplastic elastomer resin contained in the second layer 3 is a (meth)acrylic acid ester resin obtained by polymerization of a methacrylic acid ester monomer and an acrylic acid ester monomer.例文帳に追加

第2の層3に含まれている上記熱可塑性エラストマー樹脂は、メタクリル酸エステル単量体と、アクリル酸エステル単量体とを重合して得られる(メタ)アクリル酸エステル樹脂である。 - 特許庁

An exciting coil 2 comprising a first coil 2a and a second coil 2b arranged so as to face each other on both sides of a carrying body 1 having a heat generating layer 12 on the inside is installed.例文帳に追加

内部に発熱層12を有する搬送体1の両側に、互いに対向するように配置される第1のコイル2aと第2のコイル2bとからなる励磁コイル2を設ける。 - 特許庁

A side surface of each of wiring 111h and 211h exposed at side end portions of a first semiconductor chip 100 and a second semiconductor chip 200 is coated with a conductive layer 401.例文帳に追加

各配線111h,211hにおいて、第1半導体チップ100および第2半導体チップ200の側端部にて露出した側面を、導電層401で被覆される。 - 特許庁

On the upper surface of a layer comprising the internal electrode 3 and the dielectric 4 for step cancellation, a second ceramic green sheet 2 is formed by die-coating, and thus an intermediate laminate 10 is formed.例文帳に追加

この内部電極3と段差解消用誘電体4とからなる層の上面に、第2のセラミックグリーンシート2をダイコートにより形成して、中間積層体10を形成する。 - 特許庁

A metal film layer corresponding to at least a gate electrode shape and a scanning line wiring shape is etched for two times by double patterning in first and second patterning processes.例文帳に追加

第1及び第2のパターニング工程により、少なくともゲート電極形状、および走査線の配線形状に対応した金属膜層は、2回のパターニングによって2回エッチングされる。 - 特許庁

Among the opposite side face 51 to the face contacted to the organic layer 4 of the cathode 5, the part not covered with the sealing film 6 is exposed to become a cathode terminal 8 as a second terminal.例文帳に追加

陰極5の有機層4と接する面とは反対側の面51のうち、封止膜6で覆われていない部分は露出しており、第2端子としての陰極端子8となっている。 - 特許庁

In the multilayer coating for an electric wire made of a plurality of hardened light-hardening resin layers, Young's modulus is 5-100 MPa, and the Young's modulus of a second layer is 50-1,000 MPa.例文帳に追加

複数の光硬化性樹脂硬化層からなる多層被覆であって、第一層のヤング率が5〜100MPaであり、第二層のヤング率が50〜1000MPaである電線用多層被覆。 - 特許庁

A second electrode 49 has a main body portion 49a stacked on the piezoelectric layer 47 and an extending portion 49b extended therefrom and connected to the auxiliary electrode 48 in the recessed portion region.例文帳に追加

第2電極49は、圧電層47に積層された本体部49aと、そこから延出して凹部領域の内部において補助電極48に接続された延出部49bとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a second metal layer 10b formed in the insulation films 6 and 7, and below the external connection electrode 13a, and connected with an undersurface of the metal distribution line 10c.例文帳に追加

更に、絶縁膜6及び7内で且つ外部接続電極13aの下方に形成され、金属配線10cの下面に接続された第2の金属層10bを備える。 - 特許庁

The organic EL element 39 comprises a first electrode 34 of stripe type, insulating layers 35, 45, an organic layer 36, and second electrodes 37c-37d, and is laminated on a substrate 32.例文帳に追加

有機EL素子39は、ストライプ状の第一電極34と、絶縁層35,45と、有機層36と、第二電極37a〜37dとを有し、基板32に積層形成されている。 - 特許庁

Third light p3 having an angle smaller than a predetermined angle with respect to the first boundary layer 11, of the totally reflected second light p2, is directly reflected on a reflection surface 2a of the collimator 2.例文帳に追加

全反射した第2の光p2のうち、第1の境界層11に対して所定の角度より小さい角度の第3の光p3は、直接コリメータ2の反射面2aで反射する。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer 4 is isolated to a first photoelectric conversion region 6, a second photoelectric conversion region 7, and a third photoelectric conversion region 8 via an element isolation region 5.例文帳に追加

光電変換層4は、素子分離領域5により、第1光電変換領域6、第2光電変換領域7および第3光電変換領域8に分離されている。 - 特許庁

Since the groove formed with the upper part electrode material 10b is filled with an insulator 201, a second layer 202, which covers the upper part electrode material 10b, is formed satisfactorily in terms of covering characteristics.例文帳に追加

上部電極材10bが成す溝は絶縁体201で充填されているので、上部電極材10bを覆う第2層202は被覆性良く形成することができる。 - 特許庁

Subsequently, a shading layer 110 is formed in the second opening 121 and on the interlayer insulating film 108, and a bit line contact plug 112 is formed in the first opening 120.例文帳に追加

その後、第2の開口部121内及び層間絶縁膜108上に遮光膜110を形成するとともに、第1の開口部120内にビット線コンタクトプラグ112を形成する。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer is formed as a fine crystal structure having a high insulating property and is coated with a nitride film, thereby mitigating an increase of the leakage current caused by formation of the nitride film.例文帳に追加

そして第2の窒化物半導体層を絶縁性の高い微結晶構造とし、窒化膜で被覆することで、窒化膜の形成により生じるリーク電流の増加を緩和する。 - 特許庁

Next, the upper surface of the SOI layer 3 is exposed by removing the silicon oxide film 6aa in the first and second element forming regions by wet etching using fluoric acid, etc.例文帳に追加

次に、フッ酸等を用いたウェットエッチング法により、第1及び第2の素子形成領域におけるシリコン酸化膜6aaを除去してSOI層3の上面を露出する。 - 特許庁

When the zipper tape 3 is welded on the bag 2 and the bag is sealed with the sealing layer 5, vacant spaces are formed between the cut tape 4 and the first protrusion 35 and the second protrusion 36.例文帳に追加

チャックテープ3を袋体2に融着し、シール層5によって密封する際は、カットテープ4と、第一の凸状部35および第二の凸状部36との間に空隙部が形成される。 - 特許庁

The waveguide layer 30 is divided into an incident waveguide 32, an optical branching filter 33, a first branching waveguide 34, a second branching waveguide 36, an optical multiplexer 37 and an emission waveguide 38.例文帳に追加

導波路層30は、入射導波路32、光分波器33、第1分岐導波路34、第2分岐導波路36、光合波器37及び出射導波路38に区分されている。 - 特許庁

After removing the photoresist layer 10, the silicon substrate 1 is thermally oxidized, and an SiO_2 film 8c that is thinner than the second gate insulating film 8b is formed at the third region R3.例文帳に追加

次に、ホトレジスト層10を除去した後に、シリコン基板1を熱酸化し第3の領域R3に第2のゲート絶縁膜8bよりも薄いSiO2膜8cを形成する。 - 特許庁

The second ferromagnetism layer comprises a body part 11a in a major axis direction, and one projection part 11b projecting in a direction which is different from the long axis of the body part 11a.例文帳に追加

第2強磁性層は、長軸方向を持つ本体部11aと、本体部11aから長軸とは異なる方向に突出する1つの突出部11bとから構成される。 - 特許庁

The optical disk 1 is provided with a first recording layer 4A having a recording part in which a surface flattened part A1 representing first data and a recessed part A2 representing second data are formed.例文帳に追加

光ディスク1は、第1のデータを表す表面が平坦な部分A1と、第2のデータを表す凹部A2とが形成された記録部を有する第1の記録層4Aを備えている。 - 特許庁

The second electrode 4 has a translucent part 4a formed so as to contact the organic layer 3 and a reflecting part 4b formed so as to contact the translucent part 4a laminated.例文帳に追加

第二電極4は、有機層3と接するように形成される透光部4aと、透光部4aと接するように形成される反射部4bと、を積層形成してなる。 - 特許庁

An insulating film 25 is formed on the surface of the semiconductor layer 24 thereafter and in the insulating film 25, the thickness of a portion 25b within the second region 32 is optically measured.例文帳に追加

この後、半導体層24の表面上に、絶縁膜25を形成し、この絶縁膜25のうち、第2領域32内の絶縁膜部分25bの膜厚を光学的に測定する。 - 特許庁

The quantum dots of the first and second infrared ray absorbing layers 54a and 54b are respectively formed from InAs, and the intermediate layer is formed respectively from Al_0.5Ga_0.5As.例文帳に追加

第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bの量子ドットはいずれもInAsにより形成されており、中間層はいずれもAl_0.5Ga_0.5Asにより形成されている。 - 特許庁

The atomic layer deposition apparatus disposes a substrate S in a second internal space 15 within a cylindrical reactor vessel 14 provided in a first internal space 22 within a deposition vessel 12.例文帳に追加

原子層成長装置は、基板Sを、成膜容器12内の第1の内部空間22内に設けられた筒形状のリアクタ容器14内の第2の内部空間15内に配置する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises a light-emitting part 10d, a first conductive part 30a, a second conductive part 30b, an encapsulation part 50, and an optical layer 60.例文帳に追加

実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと第2導電部30bと封止部50と光学層60とを備えた半導体発光装置が提供される。 - 特許庁

The first hard resin layer has a first hard surface 10B1 being in contact with the first soft surface and a second hard surface 10B2 on a side opposite to the first hard surface.例文帳に追加

第1硬質樹脂層は、第1軟質表面と接触する第1硬質表面10B1と、第1硬質表面と反対側の第2硬質表面10B2とを有する。 - 特許庁

To provide a thin plate-like component handling device picking out thin plate-like components one by one and reliably separating the second-layer component from the doubled components when sucked.例文帳に追加

薄板状部品を一枚ずつ取り出すことができるとともに、二層重なって吸着された場合でも、二層目の部品を確実に分離できる薄板状部品ハンドリング装置を提供する。 - 特許庁

At least one of the first and second conductivity-type clad layers is an In_xAl_yGa_(1-x-y)N layer (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1), and the dispersion in the thickness lies within 6%.例文帳に追加

第1および第2導電型クラッド層の少なくとも一方がIn_xAl_yGa_(1-x-y)N層(0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)であり、厚みのばらつきが6%以内である。 - 特許庁

The mask layer is removed from the substrate, a ratio of the flow of CO to the flow CO_2 is selected, thereby, a second roughness smaller than a first roughness is produced.例文帳に追加

基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第1の粗さよりも小さい第2の粗さが生成される。 - 特許庁

In a second step of a unit layer forming process, a coil bobbin 36 is made close to an operation unit 40 in an axial direction while rotating the operation unit 40 in a self-circumferential direction.例文帳に追加

単位層形成工程の第2工程において、操作単位40を自身の周方向に回転させながら、コイルボビン36を操作単位40に軸方向に接近させる。 - 特許庁

On the other hand, a second contact part 52 of a grounding contact 50 is at a site in contact with a grounding layer 84 of the FPC/FFC 80, but is never to be displaced by turning of the actuator 30.例文帳に追加

一方、グランドコンタクト50の第2接点部52は、FPC/FFC80のグランド層84に接触する部位であるが、アクチュエータ30の回動によって変位させられることがない。 - 特許庁

Then, a first part formation step (S40) for forming the first part by removing an area to be the second part from the film using the metal mask as the protection layer is executed.例文帳に追加

そして、金属マスクを保護層として、膜から第2の部分となる領域を除去することにより、第1の部分を形成する第1の部分形成工程(S40)を実施する。 - 特許庁

The plated layer cutting/peeling-off machine for a plated metal plate comprises a transfer table device 10 having a clamping mechanism 15 for fixing by projecting an end 1a of the plated metal plate 1, and first and second cutting tool drive devices 20, 40.例文帳に追加

メッキ金属板1の端部1aを突出させて固定するクランプ機構15を有する移送テーブル装置10と、第1、第2の切削工具駆動装置20、40とを備える。 - 特許庁

At least the first bit line or the second bit line arranged at one-side end is arranged closer to the center of the first column unit relative to a connection part between a lower layer and itself.例文帳に追加

少なくとも片側の端部に配置される第1のビット線もしくは第2のビット線は、それと下層との接続部分よりも、第1のカラムユニットの中央寄りに配置される。 - 特許庁

The hole selectively passing film 43 has: a first partial region 42 which comes into contact with the heterojunction layer 27; and a second partial region 44 which comes into contact with the electrode for hole discharge 46.例文帳に追加

正孔選択通過膜43は、へテロ接合層27に接触する第1部分領域42と正孔排出用電極46に接触する第2部分領域44を有している。 - 特許庁

The light-shielding layer has a thickness of 20 nm or more and 95.2 nm or less and has a third optical density that gives a sum of the first optical density and the second optical density of 3.0 or more.例文帳に追加

遮光層は20nm以上95.2nm以下の厚さを有し、第1の光学濃度及び第2の光学濃度との和が3.0以上である第3の光学濃度を有する。 - 特許庁

The second support means 27 is installed to be able to deliver the insect trapping sheet 26 so as to expose the adhesive layer 26B towards at least 3 faces surrounding the attracting means 14.例文帳に追加

第2支持手段27は、誘引手段14を囲む少なくとも3面に接着剤層26Bを表出するように捕虫シート26を繰り出し可能に設けられている。 - 特許庁

At least one organic EL panel of the first organic EL panel 51a and the second organic EL panel 51b includes a reflection layer comprising a material for reflecting light.例文帳に追加

第1の有機ELパネル51aおよび第2の有機ELパネル51bの、少なくとも一方の有機ELパネルは、光を反射する材質から構成される反射層を備える。 - 特許庁

例文

Then, a first groove 17A, a second groove 17B and a third groove 17C are formed on the midway in the direction of thickness of the N- type semiconductor layer 11 from the insulating film 13.例文帳に追加

その後、絶縁膜13からN−型半導体層11の厚さ方向の途中に至る複数の溝、即ち第1の溝17A、第2の溝17B、第3の溝17Cを形成する。 - 特許庁




  
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