「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(337ページ目) - Weblio英語例文検索

On upper surfaces of flat parts 82 of the second clad layer 8 that remains without being removed and on both sides of the ridge 10, doped high- resistance current block layers 12 are formed.例文帳に追加

除去されずに残った第２クラッド層８の平坦部８２の上面およびリッジ部１０の両側面に、不純物が添加された高抵抗の電流ブロック層１２が形成される。 - 特許庁

The second insulating layer at the intersection is preliminarily provide with a first to fourth through-holes (41 to 44), and the external harness and the touch panel push each other to connect, while heating at the intersection.例文帳に追加

両者の交差部の第２絶縁層には予め第１〜４貫通穴（４１〜４４）を設けておき、交差部で外部ハーネスとタッチパネルを加熱しながら互いに押圧し接合する。 - 特許庁

The binding members included in the anode mixture layer have a particle size distribution having two peaks, a first peak of relatively small particle size and a second peak of relatively large particle size.例文帳に追加

上記負極合材層に含まれる結着材は、相対的に粒径の小さい第１のピークと相対的に粒径の大きい第２のピークとの２つのピークを有する粒度分布を有している。 - 特許庁

A standoff 18 is provided between the first bottom electrode termination and second bottom electrode termination, and attached to the passivation layer so that it serves as a support of an electronic component at the time of packaging.例文帳に追加

第１ボトム電極成端部と第２ボトム電極成端部との間にスタンドオフ１８を設け、パシベーション層に装着し、これによって実装時、電子コンポーネントの支持体とする。 - 特許庁

The optical thickness of the second dielectric material layer is above or equal to 110% of the sum of the optical thicknesses of the two other dielectric material layers and preferably about 110 to 120% of said sum.例文帳に追加

好ましくは第２誘電物質層の光学的厚さが、他の誘電物質の２つの層の光学的厚さの１１０％以上、好ましくは１１０〜１２０％である。 - 特許庁

The second fiber layer runs on the first wire 22 so that it may go into the sticking section at an angle less than 90 degree 44 to the belt 12 entering into the sticking section.例文帳に追加

第２ファイバ層は、貼り合わせセクションに進入するベルト１２に対して、９０度よりも小さい角度４４で、貼り合わせセクションに進入するように、第１ワイヤ２２上で走行する。 - 特許庁

This pneumatic radial tire comprises a plurality of first steel element wires for which a steel chord 8 of a belt layer 7 is formed and aligned, and a second steel element wire 10 formed and arranged around its outer circumference side.例文帳に追加

ベルト層７のスチールコード８を型付けして引き揃えた複数の第１スチール素線９と、その外周側に型付けして配置された第２スチール素線１０とから構成する。 - 特許庁

Part of the first and second diffraction areas 3a, 3b transmits the zero-order diffracted light out of the lights reflected and diffracted on the recording layers other than the above recording layer on the optical disk.例文帳に追加

第１，第２回折領域３ａ，３ｂの一部は、光ディスクの一記録層とは異なる他の記録層で反射されて回折された回折光のうちの０次回折光を透過する。 - 特許庁

The second collecting passage 5 joins the collecting passage 4 further downstream of the inside layer constituting distribution passage 4d most downstream in a resin extruding direction.例文帳に追加

そして、第２の集合流路（５）は、集合流路（４）に対して、樹脂押出方向最下流側の内側層構成用の分配流路（４ｄ）よりも更に下流側で合流している。 - 特許庁

In order to limit lateral intrusion of the space charge zone to the region 3 with the surface, a concentration layer 5 of the second conductive type is injected into a central region near the surface of region 3.例文帳に追加

領域３への横方向の空間電荷ゾーンの侵入を表面で制限するため、３の表面に近い中央の領域に第２の伝導型の濃縮層５を注入する。 - 特許庁

In the first step, a first bonding layer 205 is arranged on a first functional region 101, or a region, to which the first functional region is to be transferred, on a second substrate 200.例文帳に追加

第１工程では、第１の機能性領域１０１又は第２の基板２００上の第１の機能性領域の移設予定領域に第１の接合層２０５を設ける。 - 特許庁

In the upper side area and lower side area of a plane including the upper surface or lower surface of a recording gap layer 22, a first non- magnetic body 31 and a second non-magnetic body 30a are disposed.例文帳に追加

記録ギャップ層２２の上面または下面を含む平面の上側領域および下側領域に、第１の非磁性体３１および第２の非磁性体３０ａを配設する。 - 特許庁

Two light transmitting substrates whereupon a first photosensitive polymer and a second photosensitive polymer are developed, respectively, are bonded to each other on the photosensitive polymer layers to form one recording layer.例文帳に追加

第１感光性ポリマーと第２感光性ポリマーをそれぞれ展開した２つの光透過性基板を感光性ポリマーの層同士を貼り合わせるようにして１つの記録層を形成する。 - 特許庁

Therefore, when the insulated conductor 1 is bent and stranded, the second resin layer 5 follows the deformation of the insulated conductor 1, thus avoiding the generation of cracks in the insulating coating 3.例文帳に追加

従って、絶縁電線１を屈曲させて捲線すると、絶縁電線１の変形に第２の樹脂層５が追従するため、絶縁皮膜３に亀裂が生じるのを回避できる。 - 特許庁

Then, a second conductive film 31 having a width larger than that of the opening width of the opening section 20a is formed in the upper layer of the first conductive film 30(30a), and then the sacrificial film 20 is removed.例文帳に追加

次に、第１導電膜３０（３０ａ）の上層に、開口部２０ａの開口幅よりも大きな幅を有する第２導電膜３１を形成し、次に、犠牲膜２０を除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing wiring board by which an Au plating layer with a specified thickness can be formed surely and individually at connection terminals on first and second main surfaces.例文帳に追加

第１主面および第２主面の接続端子にそれぞれ所要の厚みのＡｕメッキ層を個別に且つ確実に形成するための配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A choke coil 10 comprises a first coil 16, a second coil 18, an intermediate part 20, and a laminate 14, in which outer layers 22 and 24 including outer layer plates 22a and 24a are laminated.例文帳に追加

チョークコイル１０は、第１のコイル部１６、第２のコイル部１８、中間部２０、および外層プレート２２ａ，２４ａを含む外層部２２，２４を積層した積層体１４を含む。 - 特許庁

A first opening part and second opening part are formed in a phase-shift layer 402 by patterning for exposing part of a mask substrate 400.例文帳に追加

位相シフト層がマスク基板上に形成され、かつ、第１および第２開口部が、前記マスク基板の一部を露光させるためにパターン化により前記位相シフト層内に形成されている。 - 特許庁

The common mode choke coil CC includes first through fifth insulation layers 3, 7, 11, 15, 19 and an adhesive layer 21 laid in layers between a first magnetic substrate MB1 and a second magnetic substrate MB2.例文帳に追加

コモンモードチョークコイルＣＣは、第１磁性基板ＭＢ１と第２磁性基板ＭＢ２との間に、第１〜５絶縁層３，７，１１，１５、１９、及び接着層２１を積層したものである。 - 特許庁

The apparatus comprises a thin film transistor display plate 100 having a first portion and a second portion lower than the first portion, a counter display plate 200, a columnar spacer 320 and a liquid crystal layer 3.例文帳に追加

第１部分及びこれより低い第２部分を有する薄膜トランジスタ表示板１００と、対向表示板２００と、柱状スペーサ３２０と液晶層３と、からなる。 - 特許庁

An air layer 17 formed between the total reflection face 15b and light entry face 16a is given the shape of a thin wedge by the difference of viscosity between the first and second adhesives 20 and 21.例文帳に追加

第１，第２接着剤２０，２１の各粘度の差により、全反射面１５ｂと光入射面１６ａとの間に形成される空気層１７が薄い楔形状になる。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

A transistor array at a farther distance from the pad 200 for the source is shorter in gate-width-directional length of a region of the second wiring layer 110a where the via 112a is not provided.例文帳に追加

ソース用パッド２００からの距離が遠いトランジスタ列ほど、第２の配線層１１０ａにおいてビア１１２ａが設けられていない領域のゲート幅方向の長さが短くなっている。 - 特許庁

The electron injection layer 14 is made from a plurality of first thin films 14a and a plurality of second thin films 14b, which are laminated alternately and each film of which has a thickness of about 1 nm.例文帳に追加

電子注入層１４は、交互に積重ねられ且つ夫々が約１ｎｍの厚さを有する複数の第１薄膜１４ａと複数の第２薄膜１４ｂとからなる。 - 特許庁

The optical fiber cable harness may include at least one optical fiber support layer carrying the optical fibers, and a plurality of longitudinal strength members extending between the first and second optical fiber connectors.例文帳に追加

ハーネス１６は、光ファイバ２０を支持する少なくとも１つの光ファイバ支持層と、第一及び第二の光ファイバ・コネクタの間に延在する複数の縦強度メンバとを有してもよい。 - 特許庁

The electro-optical device includes a first substrate, a second substrate, a conductive layer, a flexible board, a plurality of ground terminals, a plurality of conductive members and a plurality of conducting pads.例文帳に追加

上記の電気光学装置は、第１の基板と、第２の基板と、導電層と、フレキシブル基板と、複数の接地用端子と、複数の導電部材と、複数の導通パッドと、を備えている。 - 特許庁

Signal power is supplied to the first semiconductor chip 3 or the second semiconductor chip 4 through a rewiring layer 5 formed on a principal surface of the first semiconductor chip 3.例文帳に追加

第１の半導体チップ３の主面に形成された再配線層５を介して第１の半導体チップ３又は第２の半導体チップ４に信号電源が供給される。 - 特許庁

A gate is partially formed between the first source/drain regions and the second source/drain regions and is electrically insulated from the semiconductor layer.例文帳に追加

ゲートは、少なくとも部分的に第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域との間の半導体層の上に形成され、かつ半導体層から電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The second inductor 320 is formed in the multilayer wiring layer 400 and is wound in a plane parallel to the first substrate 102, and is overlapped with the first inductor 310 in plan view.例文帳に追加

第２インダクタ３２０は、多層配線層４００に形成され、第１基板１０２と平行な面内で巻かれており、平面視において第１インダクタ３１０と重なっている。 - 特許庁

A field plate electrode 14 is formed on a bottom side of a trench formed in the second semiconductor layer 12 so as to be embedded in a lower part of the trench via a first insulation film 13.例文帳に追加

フィールドプレート電極１４が第２半導体層１２に形成されたトレンチの底面側であって、第１絶縁膜１３を介してトレンチの下部を埋め込むように形成されている。 - 特許庁

A thickness detection means for optically detecting the thickness of the polymer electrolyte layer is composed of the first and second sensor-amplifying parts 1, 2 and the thickness calculation means.例文帳に追加

そして、第１及び第２のセンサーアンプ部１，２と上述の厚さ算出手段とから、ポリマー電解質層の厚さを光学的に検出する厚さ検出手段が構成される。 - 特許庁

Since the second substrate 114 has a radiation blocking function, the radiation that has passed through the scintillator layer 117 without the wavelength conversion is difficult to reach the first substrate 11.例文帳に追加

第２基板１１４が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層１１７を透過した放射線が第１基板１１へ到達しにくくなる。 - 特許庁

A photoresist layer 9 is selectively formed on an SiO_2 film 8 at a first region R1 and a third region R3, and the SiO_2 film 8 at a second region R2 is removed by etching.例文帳に追加

第１の領域Ｒ１及び第３の領域Ｒ３のＳｉＯ２膜８上にホトレジスト層９を選択的に形成し、第２の領域Ｒ２のＳｉＯ２膜８をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The second light transmission resin layer 4 is formed while rising around the opening edge of the cup body nearly in a convex lens shape, and the phosphor is collected near the surface in a laminar shape.例文帳に追加

第２の光透過性樹脂層は４、カップ体の開放縁周囲に略凸レンズ状に盛り上がって形成され、その表面近傍には、蛍光体が集まって層状をなしている。 - 特許庁

Breakages from the sintered metal fibers in the first and second layers 59a and 59b are filtrated in the third layer 59c to prevent admixture of a foreign matter of a metal fiber in the dope.例文帳に追加

第１層５９ａ，第２層５９ｂの金属繊維から生じる破損物は第３層５９ｃで濾過され、金属繊維異物としてドープに混入してしまうことがなくなる。 - 特許庁

The second wiring layer L2 includes normal wiring WR, high resistance wiring RE, and an insulating film 8 for embedding the normal wiring WR and the high resistance wiring RE.例文帳に追加

第２の配線層Ｌ２は、通常の配線ＷＲと、高抵抗配線ＲＥと、通常の配線ＷＲおよび高抵抗配線ＲＥを埋め込む絶縁膜８とを含んでいる。 - 特許庁

The liquid crystal layer 3 has a pre-tilt angle of not more than 90°, and at least one of the first electrode 4 and the second electrode 5 has at least one slit 11.例文帳に追加

液晶層３は９０°未満のプレチルト角をし、また、第１電極４および第２電極５のうちの少なくともいずれか一方は少なくとも１つのスリット１１を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer, a pixel 11 having a reflection region R2 and a columnar spacer formed on the first substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、反射領域Ｒ２を有した画素１１と、第１基板上に形成された柱状スペーサと、を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high junction breakdown voltage between a first conductive semiconductor layer and a second conductive impurity diffusion area that a tunnel window faces.例文帳に追加

第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then the dummy data is written onto a second layer of the record carrier at a position opposed to the first user data at the first radius-directional position to start the deicing processing.例文帳に追加

続いて、第１の半径方向位置の第１のユーザデータに対向する位置において、記録担体の第２の層上にダミーデータを書き込むことにより、デアイシング処理が開始される。 - 特許庁

The method of making the absorbent core structure comprises a process of meltspinning of at least a first fibrous material layer with a plurality of first portions and a plurality of second portions.例文帳に追加

吸収性コア構造体の製造方法は、複数の第１の部分と複数の第２の部分とを有する少なくとも第１の繊維状材料層を融解紡糸することを含む。 - 特許庁

The second inner liner layer 18 has an open cell structure having a plurality of cavities having an average diameter of 50-250 μm physically formed on the innermost surface 19.例文帳に追加

第２のインナーライナー層１８は、最も内側の表面１９に物理的に形成された、平均直径が５０〜２５０μｍの複数の空洞を有している開放セル構造を持っている。 - 特許庁

The ohmic contact layer forming film 25 and the semiconductor film forming film 21 are subjected to plasma etching for patterning, using resist patterns 26 and 26 and the second channel protective film 6 as masks.例文帳に追加

そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングにより、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。 - 特許庁

In the pixel A, a common electrode 23A having a plurality of slits SA is formed by a second layer transparent electrode and connected to the common potential line 15 through a contact hole CH6.例文帳に追加

画素Ａについては、第２層透明電極で複数のスリットＳＡを有する共通電極２３Ａが形成され、コンタクトホールＣＨ６を通して共通電位ライン１５に接続されている。 - 特許庁

The vapor deposition apparatus 5 for the organic EL device 1 provided on a substrate 20 with first electrodes 23R etc., a light emission functional layer and a second electrode.例文帳に追加

有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、第１電極２３Ｒ等と、発光機能層と、第２電極とを基板２０上に備える有機ＥＬ装置１の蒸着装置５である。 - 特許庁