「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(339ページ目) - Weblio英語例文検索

A nonmetallic thin film 1 whose thermophysical value is unknown is sandwiched between a first metallic thin film 2 and a second metallic thin film 3 situated on its opposite side, and a sample of a three-layer structure is obtained.例文帳に追加

熱物性値が未知の非金属薄膜１を、第１金属薄膜２とその反対側に位置する第２金属薄膜３とにより挟んで３層構造の試料を得る。 - 特許庁

Since both surfaces of the second thin layer are protected, it can be utilized even in an industrial field necessary for excluding refuse, dust or the like, a computer field, a medical field or the like.例文帳に追加

また、第２の薄層の両面が保護されているので、コンピュータ分野・医療分野等のようにゴミ・塵等を排除する必要がある産業分野についても利用することができる。 - 特許庁

One or both of the first metal film and the second metal film are formed so that an adhesive layer (adhesive agent 21) of a specimen is brought into contact with the metal layers and the specimen can be placed on the metal layers.例文帳に追加

第１の金属膜または第２の金属膜の一方または双方は、被試験体の接着層（接着剤２１）が接触して被試験体が載置可能に形成されている。 - 特許庁

The time for a constant rate drying is adjusted to be 6 s or longer by lowering the temperature in the first half portion of a drying process and raising its second half portion after the application of the coating layer.例文帳に追加

コート層を塗布し、乾燥工程の前半部分の温度を下げるとともに後半部分の温度を上げて、恒率乾燥の時間が６秒以上となるように調整した。 - 特許庁

On a side wall of the second distillation column 52, an adhesion deposit prevention layer for preventing a precipitable component contained in the raw material solution from precipitating, and then adhering to and accumulated on the side wall, is provided.例文帳に追加

第２の蒸留塔５２の側壁に、原料溶液に含有される析出成分が析出して付着堆積することを防止する付着堆積防止層を備える。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 in the surface on the passivation film 20 side is arranged on the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４上に配置されるように形成されてなる。 - 特許庁

The heated laminate 3 and second base film layer 4 join at a nip roll 41, and they are pressed and bonded in the overlapped state by the nip roll 41 and a warming roll 42.例文帳に追加

加熱された積層体３と第二基材フィルム層４とはニップロール４１において合流し、重ね合わされた状態でニップロール４１と加温ロール４２とにより圧着される。 - 特許庁

Then, the first and the second changing means are controlled, the light converging position is set to the position of a j-th (where j is a natural number) of one recording layer and the amount of tilt at that position is detected.例文帳に追加

第１変更手段と第２変更手段を制御して、集光位置を、一の記録層の第ｊ（但し、ｊは自然数）番目の位置に合わせ、その位置のチルト量を検出する。 - 特許庁

A signal for evaluation is supplied between the first second-layer wiring 21 and wiring 51 for evaluation to easily evaluate the resistance of a via-hole and specify the via-hole on which abnormality occurs.例文帳に追加

第１の２層目配線２１と評価用配線５１との間に評価用の信号を流すことで、ビアの抵抗評価や異常が発生したビアの特定を容易に行うことができる。 - 特許庁

The second capacitive electrode 202 facing to the first electrode 201 is provided in the middle of the layer.例文帳に追加

補助電極２０３は、第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２の面積より小面積に構成され、第１のキャパシタ電極２０１に電気的に接続されている。 - 特許庁

As for the second layer 11b, an elastic modulus E' measured by a stretch method at a frequency of 10 Hz and a temperature of 20°C in the dynamic viscoelasticity measurement is in a range of 3.0×10^6 Pa to 2.0×10^7 Pa.例文帳に追加

第２層11ｂは動的粘弾性測定により、周波数１０Ｈｚ、温度２０℃で引張法で測定した弾性率Ｅ’が３．０×１０^6Ｐａ〜２．０×１０^7Ｐａの範囲にある。 - 特許庁

A film thickness of the part of the heating resistor 7 at the protecting film 8 is made smaller than that of the other part, and a protecting film 9 of a second layer is formed to a surface of the protecting film 8.例文帳に追加

前記保護膜８のうち前記発熱抵抗体７の部分における膜厚さを、他の部分よりも薄くして、この保護膜８の表面に２層目の保護膜９を形成する。 - 特許庁

Further a cushioning section 16 formed of a high-hardness second rubber member, which is formed in one body with the first rubber member, is arranged on a lower side of the bottom plate cored bar 12 under the shear rubber layer 132.例文帳に追加

剪断ゴム層１３２において、底板芯金１２の下側には、第１のゴム部材と一体的に成形される高硬度の第２のゴム部材からなる緩衝部１６が設けられる。 - 特許庁

The decorative layer 34 on the first protrusion 32b is removed to form the first exposed surface 32c, and the second protrusion 33b is disposed furthermore below than the extended surface of the first exposed surface 32c.例文帳に追加

第１凸部３２ｂ上の加飾層３４を除去することにより第１露出面３２ｃを形成し、第２凸部３３ｂを、第１露出面３２ｃの延長面より下方に配設する。 - 特許庁

The color image screen includes improved blue emitting phosphor layer which is furnished with a first blue emitting phosphor and a second phosphor to exhibit light emission in the range 380-450 nm.例文帳に追加

本発明によるカラー画像スクリーンの青色発光蛍光体層は第１の青色発光蛍光体と、３８０−４５０ｎｍの範囲内の発光を示す第２の蛍光体とを具える。 - 特許庁

The flat surface of the first structural part of one of two adjacent layers is in contact with the surface of the second structural part of the other layer opposite to the flat surface.例文帳に追加

隣接２層のうち一方の層における第１の構造部分での平坦面が、他方の層における第２の構造部分の上記平坦面とは反対側の面に接している。 - 特許庁

Thus, the action of suppressing passing of the magnetic flux is obtained by the second insulation layer, and a large magnetic path cross-sectional area is ensured inside the coil and a high inductance is obtained.例文帳に追加

従って、第２の絶縁体層によって磁束の通過を抑制する作用を得つつ、コイルの内側に大きな磁路断面積が確保され、大きなインダクタンスを取得可能となる。 - 特許庁

Each of the light-emitting elements 110 has a thin-film crystal layer, a second conductivity-type electrode, and a first conductivity-type side electrode on a transparent substrate, and a fist light extraction direction is a substrate side.例文帳に追加

発光素子１１０は、透明な基板上に薄膜結晶層、第二導電型側電極、第一導電型側電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側とされる。 - 特許庁

Furthermore, second insulating parts 14 are provided on the first insulating parts 13 so as to narrow the groove between the first insulating parts 13, after the reagent layer 6 is formed to be bonded thereto under pressure.例文帳に追加

さらに試薬層６を形成したにち、第一の絶縁部１３上に第一の絶縁部１３より溝幅が狭くなるような第二の絶縁部１４を設け、圧着したバイオセンサ。 - 特許庁

By having connected state realized, saturation of the charged amount of the isolated region 10 during disconnection can be eliminated, that is, saturation of the change in electrical conductivity of a second electron layer 104.例文帳に追加

接続状態の実現により、遮断状態における孤立領域１０の帯電量の飽和ひいては第２電子層１０４の電気伝導率の変化の飽和が解消されうる。 - 特許庁

The outer layer 9 has a region, made of a second element body that has ZnO as a main constituent, contains Co, and allows the content of Co to be smaller than that of the first element body.例文帳に追加

外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共にＣｏを含み且つ当該Ｃｏの含有量が第１の素体よりも少ない第２の素体からなる領域を有する。 - 特許庁

The conductive layer 32 is divided into a first region R1 connected to the center conductor 12, and a second region R2 connected to a wiring 52 of a PCB 50 as a mother board.例文帳に追加

導電層３２は、中心導体１２に接続された第１領域Ｒ１と、母基板であるＰＣＢ５０の配線５２に接続される第２領域Ｒ２とに分けられている。 - 特許庁

In the second step, the Hf-Si film is irradiated with near ultraviolet light when the Hf-Si film is oxidized and a surface layer portion of the Si substrate is oxidized to form an SiO_2 film 104.例文帳に追加

第２工程において、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化する際にＨｆ−Ｓｉ膜に近紫外光を照射し、Ｓｉ基板の表層部を酸化してＳｉＯ_２膜１０４を形成する。 - 特許庁

The second winding part 26 is wound in a region outside an outermost layer of rows of coil wires 27, comprising the first winding part 25 in a coil-winding region A1.例文帳に追加

第２巻装部２６は、コイル巻装領域Ａ１のうち、第１巻装部２５を構成するコイル巻線２７の列の最外層となる列よりも外側の領域において巻装された部分である。 - 特許庁

In the state of covering the sacrificial layer 105, an insulating first material film 107 and a conductive second material film 109 having a larger coefficient of thermal expansion are deposited in order.例文帳に追加

この犠牲層１０５を覆う状態で、絶縁性の第１材料膜１０７とこれよりも熱膨張係数の大きな導電性の第２材料膜１０９とをこの順に成膜する。 - 特許庁

The first upper layer 4 is removed in an area between a first track area in which information is recorded, and a second track area adjacent to the first track area.例文帳に追加

情報が記録される第１のトラック領域と、前記第１のトラック領域に隣接する第２のトラック領域との間の領域において、前記第１の上部層４が除去されている。 - 特許庁

A sensor part 20 is provided with: a dielectric film 22 provided over a second multi-layer reflecting film 15; a metal film 23 provided over it; and a receptor 26 fixed to its surface.例文帳に追加

センサ部２０は、第２多層反射膜１５上に設けられた誘電体膜２２と、その上に設けられた金属膜２３と、その表面に固定化された受容体２６とを具備する。 - 特許庁

A leading end of the first paper P1 is deviated rather on a rear end side than a leading end of the second paper P2 by lifting up the leading end PSa side of the paper layer PS by the lift plate 16.例文帳に追加

用紙層ＰＳの先端ＰＳａ側をリフト板１６で持ち上げることにより、第１枚目の用紙Ｐ１の先端が第２枚目の用紙Ｐ２の先端よりも後端側にずれる。 - 特許庁

A second cylindrical part 42 of a rubber plug 30 is conductively connected to a shielded shell 16 with adhesion, and thus the shielded shell 16 is conductively connected to the shielded layer 23 via the rubber plug 40.例文帳に追加

また、ゴム栓３０の第２筒部４２は、シールドシェル１６に密着して導通接続され、もってシールドシェル１６は、ゴム栓４０を介してシールド層２３に導通接続される。 - 特許庁

By providing a U-shape part whose bottom is facing downward to the part in the second pipe, the temperature boundary layer can be formed only in the U-shape part.例文帳に追加

底部が下方を向いているＵ字形状部分を前記第二の管の前記一部分に設けることにより、前記温度境界層を前記Ｕ字形状部分にのみ形成させることもできる。 - 特許庁

The first pseudo-memory cell transistor 10 comprises a third gate 2 formed on an element separation layer 21 of the second region 32; and a fourth gate 3 formed on the side of the third gate 2.例文帳に追加

第１擬似メモリセルトランジスタ１０は、第２領域３２の素子分離層２１上に形成された第３ゲート２と、第３ゲート２の側面に形成された第４ゲート３とを備える。 - 特許庁

In at least one of the first and second rolled polarizing plates 71 and 71', a first cellulose resin film 23 being a biaxial retardation film is provided between the polarizing film and the adhesive layer.例文帳に追加

第１，第２のロール状偏光板７１，７１´のいずれか一方は、二軸性位相差フィルムである第１のセルロース系樹脂フィルム２３を偏光フィルムと粘着剤層との間に有する。 - 特許庁

The width of the base side of the current injection part 112 of the second cladding layer 114 is formed more widely than that of the top side of the current injection part 112.例文帳に追加

そして第２のクラッド層１１４の電流注入部１１２の基部側の幅が、電流注入部１１２の頂部側の幅より広く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, the second printing layer has non-adhesive properties, and is formed in a non-adhesive region set by corresponding to a specified face of the packaging container 10 of the packaging material 11.例文帳に追加

また、前記第２の印刷層は、非粘着性を有し、包材１１における包装容器１０の所定の面に対応させて設定された非粘着領域に形成される。 - 特許庁

One of the masks is used for forming a via or a contact opening in the insulator layer, and the second mask is used for forming a recess for interconnection in the integrated circuit.例文帳に追加

マスクのうちの１個は、絶縁体層のビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第ニのマスクは集積回路に相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。 - 特許庁

Furthermore, the wiring board 1 is equipped with a BGA pad 13 where a solder ball mounting solder layer 19 for manufacturing a BGA package by mounting a solder ball is formed on the second main surface of the board main body 10.例文帳に追加

また、基板本体の第二主表面に、ハンダボールを取り付けてＢＧＡパッケージを製造するためのハンダボール取付用ハンダ層１９が形成されたＢＧＡパッド１３を備えている。 - 特許庁

Then, a second resist film 13, in which a connection hole pattern 14 is formed, is formed, and the connection hole pattern 14 is transferred to the surface layer of the first resist film 9 and the insulating film 6.例文帳に追加

次に、接続孔パターン１４を形成した第２のレジスト膜１３を形成し、第１のレジスト膜９および絶縁膜６の表層に接続孔パターン１４を転写する。 - 特許庁

The collecting part 3a is formed in a first region R1 of the first insulative part 2a of the base insulation layer 2, and the collecting part 3b is formed in a second region R2 of the first insulative part 2a.例文帳に追加

集電部３ａはベース絶縁層２の第１絶縁部２ａの第１領域Ｒ１に形成され、集電部３ｂは第１絶縁部２ａの第２領域Ｒ２に形成される。 - 特許庁

A first impurity layer 109 having a different conductivity type from a source-drain region 108 is formed beneath a gate electrode 104 in a substrate 101, and a second impurity layer 110 having a different conductivity type from the source-drain region 108 is formed beneath the first impurity layer 109 in the substrate 101.例文帳に追加

基板１０１におけるゲート電極１０４の下側に、ソース・ドレイン領域１０８と異なる導電型を持つ第１の不純物層１０９が形成されていると共に、基板１０１における第１の不純物層１０９の下側に、ソース・ドレイン領域１０８と異なる導電型を持つ第２の不純物層１１０が形成されている。 - 特許庁

As for a semiconductor device with pixel FETs on display regions, a gate electrode 131 of the pixel FET is made from a first conductive layer, the gate electrode 131 electrically contacts at a connection to a gate wiring 148 formed with a second conductive layer and the connection is disposed outside a semiconductor layer 107 of the pixel FET.例文帳に追加

表示領域に画素ＴＦＴを設けた半導体装置において、前記画素ＴＦＴのゲート電極１３１を第１の導電層で形成し、前記ゲート電極１３１は第２の導電層で形成されるゲート配線１４８と接続部で電気的に接触し、前記接続部は前記画素ＴＦＴの半導体層１０７の外側に設ける。 - 特許庁

The semiconductor variable resistor 10 is provided with a substrate 1, a first conductive semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, a plurality of second conductive diffusion resistors 3 formed in the semiconductor layer 2, an insulating film 4 formed on the semiconductor layer 2, and a control electrode 5 formed on the insulating film 4.例文帳に追加

本発明に係る半導体可変抵抗素子１０は、基板１と、基板１上に形成され第１導電型を有する半導体層２と、その半導体層２中に形成され第２導電型を有する複数の拡散抵抗３と、その半導体層２上に形成された絶縁膜４と、その絶縁膜４上に形成された制御電極５とを備える。 - 特許庁

A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域である拡散層６及びゲート電極であるゲートシリコン膜４が形成されたＭＯＳトランジスタ１０のシリコン基板１を加熱しながら第１Ｃｏ膜７ａ及び第２Ｃｏ膜７ｂを間欠的に堆積して、拡散層６及びゲートシリコン膜４上にＣｏ_xＳｉ_y（ｘ≧ｙ）の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁

A nitride semiconductor-stacked substrate is obtained by stacking an intermediate layer 3 for the exfoliation of a substrate 1 of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer 4 on a nitride semiconductor ground substrate in which a first nitride semiconductor layer 2 having a dislocation density of ≥1.0×10^10/cm^2 is formed on the substrate 1 of the different kind of material different from nitride.例文帳に追加

窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 - 特許庁

An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat.例文帳に追加

ガラス４１上に絶縁性下地層４２ａと酸化亜鉛層４２ｂが順次積層された透明電極層に対し、Ｎｄ−ＹＶＯ4（ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー）レーザーから出力される第二高調波（波長５３２ｎｍ）であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝４３を形成する。 - 特許庁

At opposite two sides of an outer bottom surface (lower surface) of a crystal vibrator 20, external terminals 25a and 25b are formed, respectively, by stacking a first lower-ground metal layer 75 constituted of a metal with poor solder wettability, a second lower-ground metal layer 85 and an upper-ground metal layer 95 constituted of a metal with excellent solder wettability in that order.例文帳に追加

水晶振動子２０の外底面（下面）の対向する二辺側には、半田ぬれ性の悪い金属からなる第１の下地金属層７５および第２の下地金属層８５、そして半田ぬれ性の良好な金属からなる上地金属層９５がこの順に積層されて形成された外部端子２５ａ，２５ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁