「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

A laminate 20 to be a spin bulb film is formed by laminating on a base layer 21 a nickel-containing ferromagnetic 22, a cobalt-containing ferromagnetic layer 23, a non-magnetic layer 24, a second ferromagnetic layer 25, an antiferromagnetic layer 26 and a protection layer 27 in this order.例文帳に追加

スピンバルブ膜である積層体２０は、下地層２１の上にニッケル含有強磁性層２２、コバルト含有強磁性層２３、非磁性層２４、第２強磁性層２５、反強磁性層２６および保護層２７を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

In each vibrating element, a first vertical electrode layer for grounding is connected with an upper surface electrode layer 42A and an internal electrode layer 20B, and a second vertical electrode layer for signaling is connected with a lower surface electrode layer 44A and an internal electrode layer 18B.例文帳に追加

各振動素子においては、上面電極層４２Ａ及び内部電極層２０Ｂに対してグランド用の第１垂直電極層が接続され、下面電極層４４Ａ及び内部電極層１８Ｂに対してシグナル用の第２垂直電極層が接続される。 - 特許庁

By using a high-k film as a first insulating layer having a dielectric constant higher than that of a second insulating layer, which contacts an oxide semiconductor layer, the thinning of a gate insulating layer is achieved thinner than a gate insulating layer evaluated in terms of a silicon oxide layer.例文帳に追加

酸化物半導体層と接する第２の絶縁層よりも比誘電率が高い第１の絶縁層としてｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 - 特許庁

Since the second layer consisting of phthalocyanine based material is provided between the first layer and the third layer, electron injection barrier can be reduced when electrons generated in the first layer is injected to the m-th EL layer through the third layer.例文帳に追加

第１の層と第３の層との間に、フタロシアニン系材料からなる第２の層を設けることにより、第１の層で発生した電子を、第３の層を介してｍ番目のＥＬ層に注入するときの電子の注入障壁を小さくすることができる。 - 特許庁

The cathode 24y is a multilayer film structure including an electron injection layer 241 for injecting electrons into the light emitting layer 22, a first conductive layer 242a formed on the electron injection layer 241, and a second conductive layer 242b covering the first conductive layer 242a.例文帳に追加

陰極２４ｙは、発光層２２に電子を注入する電子注入層２４１と、電子注入層２４１上に形成された第１導電層２４２ａと、第１導電層２４２ａを覆う第２導電層２４２ｂとを備えた多層膜構造である。 - 特許庁

The first compound layer consists of an aspheric layer 14a formed as a first layer on the convex face of the base lens and a non-transmitting layer 14b, which does not transmit visible rays, formed as a second layer on the peripheral part of the aspheric layer.例文帳に追加

第１の複合層は、母材レンズの凸面上に第１層として設けられた非球面形状層１４ａと、非球面形状層の周辺部上に第２層として設けられ、可視光を透過させない非透光層１４ｂとから構成される。 - 特許庁

There are disposed an etch stop layer 16 containing GaAs, a first guide layer 18 containing AlGaAs, a monitor layer 20 containing GaAs, a second guide layer 22 containing AlGaAs and a guide layer 8 with a contact layer 24 containing GaAs on an optical waveguide part 6.例文帳に追加

光導波部６上には、ＧａＡｓを含むエッチストップ層１６、ＡｌＧａＡｓを含む第１ガイド層１８、ＧａＡｓを含むモニタ層２０、ＡｌＧａＡｓを含む第２ガイド層２２、及びＧａＡｓを含むコンタクト層２４を有するガイド層８が設けられる。 - 特許庁

The high breakdown voltage transistor 300 comprises a first gate insulating layer 222 consisting of the first insulating layer 22a, the charge capturing layer 22b and the second insulating layer 22c provided on the semiconductor layer 10, and a first gate electrode 14c provided on the first gate insulating layer 222.例文帳に追加

高耐圧トランジスタ３００は、半導体層１０上に設けられ、第１絶縁層２２ａ、電荷捕捉層２２ｂ、および第２絶縁層２２ｃからなる第１ゲート絶縁層２２２と、第１ゲート絶縁層２２２上に設けられた第１ゲート電極１４ｃとを含む。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁

The exposed face of the layer 13 may be covered with a second corrosion-resistant electrical insulating layer, and a third electrical insulating layer composed of a highly insulating layer may be arranged between the layer 13 and a metal insulating-layer support plate 11.例文帳に追加

また、電気絶縁層の露出面を耐蝕性ある第２の電気絶縁層で被覆してもよく、更には第１絶縁層１３と金属製の絶縁層支持板１１との間にも高絶縁性材料からなる第３の電気絶縁層を配することもできる。 - 特許庁

The uppermost layer of a ridge part is a contact layer 107 formed of a heavily doped compound semiconductor layer, and the width of the upper surface of a second semiconductor layer 106 that is positioned at the bottom of the contact layer and is in contact therewith is smaller than that of the bottom surface of the contact layer.例文帳に追加

リッジ部の最上層が高濃度ドーピングされた化合物半導体層からなるコンタクト層１０７であり、コンタクト層の下部に位置してコンタクト層と接する第二半導体層１０６は、その上面の幅がコンタクト層の底面の幅より狭い。 - 特許庁

The film composite is obtained by successively laminating a first layer comprising a transparent polyurethane film layer with a thickness of 50-300 μm, a second layer comprising a colored printing layer with a thickness of 5-40 μm, and a third layer comprising a pressure-sensitive adhesive layer with a thickness of 10-100 μm.例文帳に追加

フィルム複合体であって、第１層として厚さ５０〜３００μｍの透明なポリウレタンフィルム層を有し、第２層として厚さ５〜４０μｍの着色印刷層を有し、第３層として厚さ１０〜１００μｍの粘着剤層を順次積層して成る。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

The vertical PNP transistor is equipped with a base layer which comprises a first phosphorus injection layer exhibiting its peak concentration at a position deeper than an emitter diffusion layer and a second phosphorus injection layer showing its peak concentration at a position shallower than the emitter diffusion layer, and the width of the base layer is expanded, whereby an Early effect can be restrained.例文帳に追加

エミッタ拡散層より深い位置にピーク濃度を持つ第１のリン注入層７とエミッタ拡散層７より浅い位置にピーク濃度を持つ第２のリン注入層６を有し、ベース幅を広げることにより、アーリー効果を抑制することができる。 - 特許庁

A printed wiring board 1 is provided with a first conductive layer 3, an insulating layer 2 provided on the surface of the first conductive layer 3, and a second conductive layer 4 provided on the surface of the insulating layer 2 and electrically connected with the first conductive layer 3.例文帳に追加

本発明のプリント配線板１は、第１の導電層３と、第１の導電層３の表面上に設けられた絶縁層２と、絶縁層２の表面上に設けられ、第１の導電層３と電気的に接続される第２の導電層４とを備えている。 - 特許庁

The protective layer 3 has a two-layer structure comprising: a first protective layer 3a which is laminated on the substrate 2 and which serves as its outermost surface layer, when thermally transferred onto the image surface of the recorded matter; and a second protective layer 3b which functions as a layer to be bonded to the image surface.例文帳に追加

保護層３は、支持体２上に積層され、記録物の画像面上に熱転写されたときにその最表層となる第１保護層３ａと、画像面への接着層として機能する第２保護層３ｂとからなる２層構造となっている。 - 特許庁

A first nitride semiconductor layer consisting of a gallium nitride layer, an aluminum nitride layer, and a group III-V nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer consisting of a group III-V nitride semiconductor layer having microcrystal structure and containing no aluminum are laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上に、窒化ガリウム層と、窒化アルミニウム層と、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層している。 - 特許庁

A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加

半絶縁性単結晶ＧａＡｓよりなる基板１１上に、バッファ層１２、第１電子供給層１３、チャネル層１４、第２電子供給層１５、拡散層１６、キャップ層１７が順次積層されて半導体積層部１０が形成される。 - 特許庁

The first heating roller forms a resin layer 83b on a metal roller 83a, the second heating roller provides an elastic layer 85b on the outer periphery of a metal roller 85a, and a resin layer 85c is formed on the elastic layer.例文帳に追加

第１加熱ローラは金属ローラ８３ａに樹脂層８３ｂを形成し、第２加熱ローラは金属ローラ８５ａの外周に弾性層８５ｂを設け、弾性層に樹脂層８５ｃを形成する。 - 特許庁

The tunnel dielectric layer 210, the charge capture layer 230, the first length setting layer 310, and the second length setting layer 330, which have been formed, are processed by patterning in order so that the self-alignment may be executed mutually.例文帳に追加

形成されたトンネル誘電層２１０、電荷捕獲層２３０、第１長さ設定層３１０及び第２長さ設定層３３０を相互間に自己整列されるように順にパターニングする。 - 特許庁

Only the magnetic domains at a specified temp. or higher in the first magnetic layer 51 exchange and couple with the magnetic domains in the second magnetic layer 52 and are transferred by magnetostatic coupling through the nonmagnetic layer 4 to the reproducing layer 3.例文帳に追加

第１の磁性層５１のうち所定の温度以上の磁区だけが第２の磁性層５２の磁区と交換結合し、非磁性層４を介して静磁結合により再生層３へ転写される。 - 特許庁

The film thickness of the organic compound layer satisfies a relationship of the following equation (1): d_1<d_2< ..., <d_n, wherein d_1 denotes the film thickness of a first organic compound layer, d_2 denotes the film thickness of a second organic compound layer, and d_n denotes the film thickness of an n-th organic compound layer.例文帳に追加

ｄ_1＜ｄ_2＜・・・＜ｄ_n （１）（式（１）において、ｄ_1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_nは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。） - 特許庁

The coating resin layer 3 has a first resin layer 10 which is the nearest to the substrate 2, and at least one second resin layer 11 with the first resin layer 10 disposed in contact with the substrate 2.例文帳に追加

被覆樹脂層３は、基板２に最も近い第１の樹脂層１０と、基板２との間に第１の樹脂層１０を挟んで配置された少なくとも一つの第２の樹脂層１１とを有する。 - 特許庁

The buffer layer 3 is configured by alternately stacking first buffer regions 321 and 331 in which an AlN layer and a GaN layer are stacked and second buffer regions 322 and 332 having the GaN layer.例文帳に追加

バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。 - 特許庁

The information recording medium having a recording area consisting of a multi-layered structure including a first dielectric layer, a phase transition recording layer, a second dielectric layer and a reflective radiation layer on a substrate is disclosed.例文帳に追加

基板上に、第１誘電体層、相変化記録層、第２誘電体層及び反射放熱層を含む多層構造からなる記録領域を有する情報記録媒体が開示される。 - 特許庁

A sealer layer is composed of a first sealer layer 2 containing an organic sealer formed on the basic material and a second sealer layer 3 being formed on the sealer layer 2 and containing an inorganically modified organic sealer.例文帳に追加

シーラ層は、基材１上に形成された有機系シーラを含む第１シーラ層２と、第１シーラ層２上に形成され、無機変性された変性有機系シーラを含む第２シーラ層３とからなる。 - 特許庁

In this circuit device, a wiring layer 18 is formed on the upper surface of a circuit board 12, and a first grounding layer 26 and a second grounding layer 28 are formed between the wiring layer 18 and the circuit board 12.例文帳に追加

本発明では、回路基板１２の上面に配線層１８を設け、更に、配線層１８と回路基板１２との間に第１接地層２６および第２接地層２８を設けている。 - 特許庁

The adhesive layer 3 includes a first adhesive layer 3a directly in contact with the front surface of the substrate 2 and a second adhesive layer 3b layered on the first adhesive layer 3a.例文帳に追加

前記粘着層３が、基材２の表面に直接接触された第一の粘着層３ａと、前記第一の粘着層３ａに積層して設けられた第二の粘着層３ｂとから形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with an SOI structure 10 constituted of a first insulating layer 11, and a first semiconductor layer 12 and a second semiconductor layer 13 which are arranged to sandwich the first insulating layer 11.例文帳に追加

第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１を挟むように配置された第１半導体層１２及び第２半導体層１３とにより構成されたＳＯＩ構造１０を備えている。 - 特許庁

An electrode 4 is a two-layer coil, which has a first layer coil 8 surrounding a electrode rod 7 and a second layer coil surrounding in the same direction as that of the first layer coil 8.例文帳に追加

電極４は、電極棒７に巻回された第１層コイル８と、第１層コイル８のピッチ間に第１層コイル８と同一方向に巻回された第２層コイルとを有する２層状コイルである。 - 特許庁

The second layer 12 is joined to the rear surface electrode layer 71 of the first layer 11 without using solder, and at least a surface contacting the rear surface electrode layer 71 is configured of an insulator.例文帳に追加

第２層１２は、第１層１１の裏面電極層７１にはんだを介さずに接合されているとともに、少なくとも裏面電極層７１と接する面は絶縁体で構成されておる。 - 特許庁

Then a barrier metal layer is formed covering inner wall surfaces of the contact hole and the groove for upper-layer wiring, and a second conductive layer is formed thereupon to be buried in the contact hole and the groove for upper-layer wiring.例文帳に追加

次に、コンタクトホール及び上層配線用溝の内壁面を被覆してバリアメタル層を形成し、その上層にコンタクトホール及び上層配線用溝に埋め込んで第２導電層を形成する。 - 特許庁

The Ti layer 15B1 is wider than the Al layer 15B2 and the Mo layer 15B3, and, at this widened part W, the second electrode 20 and the Ti layer 15B1are in direct contact with each other.例文帳に追加

Ｔｉ層１５Ｂ１はＡｌ層１５Ｂ２およびＭｏ層１５Ｂ３よりも幅広となっており、この拡幅部Ｗにおいて第２電極２０とＴｉ層１５Ｂ１が直接接触している。 - 特許庁

The first layer 3 is remained on an outer peripheral part of the electrolyte film 1 after removal of the second layer 4 for obtaining a predetermined catalyst layer pattern to function to reinforce the electrolyte film and to allow normal temperature adhesion of the gas diffusion layer.例文帳に追加

第１層３は、所定の触媒層パターンを得るための第２層４の除去後も電解質膜１外周部に残り、電解質膜補強とガス拡散層常温止着に機能する。 - 特許庁

In a breakdown voltage region B, a second insulating layer 20 made of a material different from the material of the first insulating layer 18 is formed on the upside of the semiconductor layer 4, and no first insulating layer 18 is formed.例文帳に追加

耐圧領域Ｂでは、半導体層４の上側に第１絶縁層と異なる材料からなる第２絶縁層２０が形成されており、第１絶縁層１８は形成されていない。 - 特許庁

To prevent or restrain the unevenness of the first image layer formed on a transparent base material, from being visually seen from the side of the second image layer formed on the first image layer via an intermediate layer.例文帳に追加

透明基材上に形成された第１画像層の凹凸が、中間層を介して第１画像層上に形成された第２画像層側から視認されることを防止または抑制する。 - 特許庁

In the second area R2, an ink layer 51 is arranged on a surface of an installation member body 50, and a topcoat layer (the outermost layer) 52 having a crater-shaped recess-projection is arranged on the surface of the ink layer 51.例文帳に追加

第２領域Ｒ２には、装着部材本体５０の表面にインキ層５１が設けられ、インキ層５１の表面にクレーター状の凹凸を有したトップコート層（最外層）５２が設けられている。 - 特許庁

In a multilayer wiring board, a laminate is configured by stacking layers in the sequence of a first signal electrode layer 40, a ground electrode layer 30, a power-supply electrode layer 20, and a second signal electrode layer 10.例文帳に追加

第１の信号電極層４０、グランド電極層３０、電源電極層２０及び第２の信号電極層１０をこの順で積み上げて積層体を構成した多層配線基板。 - 特許庁

The semiconductor device includes a base layer 3 having a first conductivity type, a source layer 4 formed on the base layer 3 and having a second conductivity type, and an insulating film 5 formed on the source layer 4.例文帳に追加

半導体装置は、第一の導電型を有するベース層３と、ベース層３上に形成され、第二の導電型を有するソース層４と、ソース層４上に形成される絶縁膜５とを有する。 - 特許庁

A second semiconductor layer 4 is formed on the surface of the first semiconductor layer 3, and has the same conductivity type with the first semiconductor layer 3 and a higher impurity concentration than the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

第２の半導体層４は第１の半導体層３の表面に形成され、第１の半導体層３と同じ導電型を有し、第１の半導体層３よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

The ratio of the thickness of the second inorganic layer 162A to the thickness of the first inorganic layer 161A is different from the ratio of the thickness of the fourth inorganic layer 222A to the thickness of the third inorganic layer 221A.例文帳に追加

第１の無機層１６１Ａの厚みに対する第２の無機層１６２Ａの厚みの比率が、第３の無機層２２１Ａの厚みに対する第４の無機層２２２Ａの厚みの比率と、異なっている。 - 特許庁

Since the growth intercepting layer 17 is amorphous, the second magnetic layer 18 is crystal-grown without being affected by crystal structure of the first magnetic layer 16 and particle diameter of the first magnetic layer 16.例文帳に追加

成長遮断層１７は非晶質であるので、第２磁性層１８は第１磁性層１６の結晶構造や第１磁性層１６ａの粒径の影響を受けずに結晶成長する。 - 特許庁

Then at the first magnetic layer 12 of CoZrNb, an Al is film-formed as an insulating layer 14, and Co is deposited as a second magnetic layer 16 at the center of the insulating layer 14.例文帳に追加

次に、ＣｏＺｒＮｂによる第一磁性層１２の中心に、絶縁層１４としてＡｌを成膜し、この絶縁層１４の中心上に第二磁性層１６としてＣｏを成膜する。 - 特許庁