「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical body has a first optical layer having a random rugged surface, a reflection layer formed over the rugged surface, and a second optical layer formed over the reflection layer so as to smooth out the rugged surface.例文帳に追加

光学体は、ランダムな凹凸面を有する第１の光学層と、凹凸面上に形成された反射層と、凹凸面を埋めるように反射層上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁

The enhancement layer 12 is formed of Co-Fe for instance, the first soft magnetic layer 13 and the second soft magnetic layer 15 are formed of Ni-Fe for instance, and the non-magnetic metal layer 14 is formed of Ta for instance.例文帳に追加

前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴａで形成される。 - 特許庁

An address of a sector provided at the recording layer of the first layer is increased from the most inner periphery to the most outer periphery, and an address of a sector provided at the recording layer of the second layer is increased from the most outer periphery to the most inner periphery.例文帳に追加

１層目の記録層に設けられたセクタの番地は最内周から最外周へ増加し、２層目の記録層に設けられたセクタの番地は最外周から最内周に増加する。 - 特許庁

The power supply sheet 3 is provided with a flexible insulating layer 6, a first conductive layer 4 laminated on one side of the flexible insulating layer 6, and a second conductive layer 5 laminated on the other side.例文帳に追加

電源供給シート３は、可撓性絶縁層６と、この可撓性絶縁層６の一方の面に積層している第１導電層４と、他方の面に積層している第２導電層５とを備える。 - 特許庁

Selective reflection films 22, 32 and 42 are included in the first signal recording layer 2, the second signal recording layer 3 and the third signal recording layer 4, and a reflection film 52 is included in the fourth signal recording layer 5.例文帳に追加

第１の信号記録層２、第２の信号記録層３、第３の信号記録層４には、選択反射膜２２、３２、４２が含まれ、第４の信号記録層５には反射膜５２が含まれる。 - 特許庁

The second magnetic layer F2 is arranged nearer to the pinned layer 23 than the first magnetic layer F1, and the magnetic layers F1 and F2 are coupled with each other in an antiferromagnetic state through the coupling layer 40.例文帳に追加

第２の磁性層Ｆ２は、第１の磁性層Ｆ１よりもピンド層２３に近い位置に配置され、２つの磁性層Ｆ１，Ｆ２は、結合層４０を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁

In this ferromagnetic tunnel junction element, having the barrier layer 14 between a first ferromagnetic layer 13 and a second ferromagnetic layer 15, the barrier layer is constituted of an insulator which is made of a single element.例文帳に追加

第１の強磁性層１３と第２の強磁性層１５の間にバリア層１４を有する強磁性トンネル接合素子１において、バリア層を単一の元素からなる絶縁体で形成する。 - 特許庁

The multilayered resin film consists of a first layer, a third layer and the second layer provided between them and at least the third layer contains at least one kind of a surfactant.例文帳に追加

下記第一層、第三層および第一層と第三層との間にある第二層からなり、少なくとも第三層に１種類以上の界面活性剤を含有してなることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁

An output edge face 20 of the core layer 16, which emits a light L, is disposed next to a jointing face 22 of the first clad layer 12 and the second clad layer 14, and is coated by the first clad layer 12.例文帳に追加

光Ｌを出射するコア層１６の出力端面２０は、第１クラッド層１２と第２クラッド層１４との接合面２２に隣接配置されて、第１クラッド層１２により被覆される。 - 特許庁

In four belt layers 7 provided in the peripheral side of a carcass layer 4 of a tread part 1, a first belt layer 7A is formed of a nylon belt layer and a second - a fourth belt layers 7B, 7C and 7D are formed of a steel belt layer.例文帳に追加

トレッド部１のカーカス層４外周側に設けた４層のベルト層７において、１番ベルト層７Ａがナイロンベルト層、２〜４番ベルト層７Ｂ，７Ｃ，７Ｄがスチールベルト層になっている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes: a stacked layer structure 1s comprising a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 2, and a light-emitting layer 3 installed between the first and second semiconductor layers; a first electrode 7; a second electrode 4o; a third electrode 4s; and a fourth electrode 4p.例文帳に追加

第１半導体層１と、第２半導体層２と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層３と、を有する積層構造体１ｓと、第１電極７、第２電極４ｏ、第３電極４ｓ及び第４電極４ｐと、を備えた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A second metal layer 4b is so formed as to be extended over the surface of an exposed part of the insulation layer 3 and on the surface of the first metal portion 5a inside the through hole 2 (Figure 1(f)), and with the second metal layer 4b as a seed layer, a second metal portion 5b is deposited by electroplating (Figure 1(g)).例文帳に追加

絶縁層３の露出している部位の表面と貫通孔２の内側における第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層４ｂを形成し（図１（ｆ））、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により第２の金属部５ｂを析出させる（図１（ｇ））。 - 特許庁

Then, after the surroundings of the opening 7a of the via hole 7 on the surface 2a of the layer 5 are coated with a second resist 16, a second plated layer 10 is laminated upon the first plated layer 8 by performing second plating so as to electrically connect the wiring layers 3 and 4 formed on both surfaces of the layer 5 to each other through the plated layers 8 and 10.例文帳に追加

次に絶縁層の一方の面のうちビアの開口部7a回りを除いた部分を第２のめっきレジスト16で覆った後、第２のめっき処理を施すことでビア内の第１のめっき層の上に第２のめっき層10を積層し、これらめっき層を介して絶縁層の両面の配線層を電気的に接続する。 - 特許庁

Each first conductor is connected to a data layer of a column of the first magnetoresistive elements, each second conductor is connected to a data layer of a column of the second magnetoresistive elements, and each third conductor is arranged between a reference layer of a row of the first magnetoresistive elements and a reference layer of a row of the second magnetoresistive elements.例文帳に追加

各第１の導体は第１の磁気抵抗素子の列のデータ層に接続され、各第２の導体は第２の磁気抵抗素子の列のデータ層に接続され、各第３の導体は第１の磁気抵抗素子の行の基準層と第２の磁気抵抗素子の行の基準層との間に配置される。 - 特許庁

The MOS device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; and first and second source/drain regions of second conductivity types, 206 and 204, respectively, formed in the semiconductor layer proximate to the upper surface of the semiconductor layer and spaced laterally apart relative to each other, the first and second source/drain regions 206, 204 formed in an active region of the semiconductor layer.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスが、第１導電型の半導体層、およびこの半導体層内で上面に近接して形成され、互いに横方向に間隔を置いて設置され、半導体層の活性領域内に形成される第２導電型の第１ソース／ドレイン領域２０６および第２ソース／ドレイン領域２０４を備える。 - 特許庁

The second ceramic green layer has a thickness of 0.05 times or larger and 0.4 times or smaller of the first green layer, the low temperature sintered ceramic material is sintered in a firing step and the second ceramic green layer is densified by making a part of the low temperature sintered ceramic material flow in the second ceramic green layer.例文帳に追加

第２のセラミックグリーン層は、第１のセラミックグリーン層の０．０５倍以上かつ０．４倍以下の厚みとされ、焼成工程において、低温焼結セラミック材料を焼結させるとともに、低温焼結セラミック材料の一部を第２セラミックグリーン層に流動させて、第２セラミックグリーン層を緻密化させる。 - 特許庁

A third repairing electric connection layer for a first source/drain electrode isolated from the first repairing electric connection layer by an insulation is provided, and a fourth repairing electric connection layer for a second source/drain electrode isolated from the second repairing electric connection layer is provided above the second laser repairing points is provided.例文帳に追加

第１レーザ修復点上方に絶縁層により第１修復用電気接続層から隔離される第１ソース／ドレイン電極の第３修復用電気接続層を、第２レーザ修復点上方に第２修復用電気接続層から隔離される第２ソース／ドレイン電極の第４修復用電気接続層を提供する。 - 特許庁

A first diffusion layer 2 and a second diffusion layer 3 are formed on the main surface of a silicon substrate 1, while first insulation films 4, 4a, second insulation films 5, 5a and third insulation films 6, 6a are formed on the main surface of the silicon substrate 1 near the first diffusion layer 2 and the second diffusion layer 3 by partially laminating them.例文帳に追加

シリコン基板１の主面に第１拡散層２および第２拡散層３が形成され、第１拡散層２あるいは第２拡散層３の近傍のシリコン基板１主面に、第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａが積層し部分的に形成される。 - 特許庁

The jointed body is provided with: a first base; a second base; and an intermetallic compound layer which joins the first and second bases, wherein the intermetallic compound layer is a metallic layer of Ag_3Sn phase, and a joint surface of the first base or a joint surface of the second base is a metallic layer of Ag phase.例文帳に追加

第１の基材と、第２の基材と、これらの第１の基材と第２の基材とを接合する金属間化合物層を備え、この金属間化合物層がＡｇ_３Ｓｎ相であり、かつ、第１の基材の接合面または第２の基材の接合面がＡｇ相の金属層であることを特徴とする接合体。 - 特許庁

In the second step, that is, after the first step, fluid flow paths (13, 14, 15) are formed in at least one of the first and second substrates, and the diaphragm 30 has a layer structure including the first bonding layer (32 or 31), the ductile layer 33 and the second bonding layer (31 or 32).例文帳に追加

第２の工程として、第１の工程の後、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方（１１）に流体流路（１３、１４、１５）を形成すると共に、第１の接合層（３２または３１）、延性層３３、および第２の接合層（３１または３２）を備えた層構造を振動板３０とする。 - 特許庁

A second signal wire 2 includes the portions 2A, 2C distributed in the first layer whose total length is equal to that of the portions 1A, 1C distributed in the first layer of the first signal wire 1 and the portion 2B distributed in the second layer whose total length is equal to that of the portion 1B distributed in the second layer of the first signal wire 1.例文帳に追加

第２の信号配線２は、第１の信号配線１の第１の層に配された部分１Ａ，１Ｃと合計の長さが等しい第１の層に配された部分２Ａ，２Ｃと、第１の信号配線１の第２の層に配された部分１Ｂと合計の長さが等しい第２の層に配された部分２Ｂとを含んでいる。 - 特許庁

The MEMS element is constructed by forming a first electrode 26 and a wiring layer 27 on a base plate, disposing a second electrode 28 driven with a void 31 to the first electrode 26, forming the second electrode 28 of a two-layer film, and connecting the film of the second layer to the wiring layer 27.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子は、基板上に第１の電極２６と配線層２７が形成され、第１の電極２６に対して空隙３１を挟んで駆動可能な第２の電極２８が配置され、第２の電極２８が２層膜で形成され、この２層目の膜が配線層２７に接続された構成とする。 - 特許庁

The process further includes: applying a second layer 114 in contact with the alkaline surface of the first resist pattern to expose the second layer to the active radiation (Fig. 1D), developing it (Fig. 1F), and removing a region of the second layer near to the first resist pattern to define an opening 118 between the first resist pattern and the second resist pattern.例文帳に追加

第２の層１１４を第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し第２の層を活性化放射線に露光（図１Ｄ）、現像（図１Ｆ）して、第１のレジストパターンの近傍の第２の層の領域が除去されて、前記第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとの間に開口１１８を画定する。 - 特許庁

The surface emission laser also comprises a second mirror layer stack arranged on the active layer with alternate refractive index, and a mirror extension part of a diameter smaller than the second stack forming an optical opening of the surface emission laser extending outward from the central part of the second stack, on the second stack side opposite to the active layer.例文帳に追加

表面発光レーザはまた、活性層上に配置された交互の屈折率の第２ミラー層スタックと、活性層とは反対側の第２スタック側において第２スタックの中央部から外方に延びる表面発光レーザの光学的開口部を形成する第２スタックの減少された直径のミラー延長部とを有する。 - 特許庁

The semiconductor element further comprises: a first main electrode 20 connected to the first-conductive-type layer 11; a second main electrode 21 connected to the second semiconductor layer 16; and a control electrode 30 provided between the first main electrode and the second main electrode on the second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体素子は、前記第２導電形層１１に接続された第１主電極２０と、前記第２半導体層１６に接続された第２主電極と２１、前記第１主電極と、前記第２主電極と、のあいだの前記第２半導体層の上に設けられた制御電極３０とを備える。 - 特許庁

Next, the second wire 6 forming the first layer is first wound on the winding core 3, and simultaneously the first wire 5 forming the second layer is made to run over a middle of the second wire 6 forming the first layer first wound on the winding core 3, and the first wire 5 and the second wire 6 are almost simultaneously wound.例文帳に追加

次に、第１層目を形成する第２線材６を先にコア巻芯部３に巻回しながら、第２層目を形成する第１線材５を、先にコア巻芯部３に巻回している第１層目の第２線材６の中間に乗り上げさせて、第１線材５と第２線材６を略同時に巻回する。 - 特許庁

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加

その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device having a substrate 5 and the semiconductor chip 1 has: a first ground layer 9 and a first signal layer 8 installed on a first surface of the substrate; and second ground layers 3 and 4 and a second signal layer 2 installed on a second surface of the semiconductor chip, the first and second surfaces being disposed opposite each other.例文帳に追加

基板５と半導体チップ１を備える半導体装置において、第１のグランド層９と第１のシグナル層８を基板の第１の面に設置し、第２のグランド層３，４と第２のシグナル層２を半導体チップの第２の面に設置し、第１及び第２の面を対向するように配置する。 - 特許庁

Then, a photocrosslinking resin layer removing liquid is supplied from a second surface to remove the photocrosslinking resin layer on the through hole of the first layer and its periphery.例文帳に追加

次に第２面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する。 - 特許庁

The moving body (30) comprises successively constituting a first layer (32), a second layer (33), and a third layer (34) on a movable body substrate (31) in a laminated structure.例文帳に追加

本発明の移動体（３０）は、移動体基層（３１）上に、第１の層（３２）、第２の層（３３）、第３の層（３４）を順に積層構造を成して構成している。 - 特許庁

This semiconductor device consists of a first-conductivity collector layer 3, a second-conductivity base layer 4, first-conductivity emitter layers 5 and 6, and a first-conductivity emitter contact layer 7.例文帳に追加

第１導電型のコレクタ層３と、第２導電型のベース層４と、第１導電型のエミッタ層５，６と、第１導電型のエミッタコンタクト層７とから構成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a first conductivity type clad layer, an active layer, and a second conductivity type clad layer formed on a substrate, and also has a stripe structure for injecting a carrier.例文帳に追加

基板上に形成された、第１の導電型クラッド層と、活性層と、第２の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。 - 特許庁

The joint member 3 consists of a first adhesive layer 3A located on the product surface 6 side, and a second adhesive layer 3B located on the back face of the first adhesive layer 3A.例文帳に追加

前記接合部材３は製品面６側に位置する第１接着層３Ａと該第１接着層３Ａの裏面に位置する第２接着層３Ｂとの２層からなる。 - 特許庁

A workpiece is prepared, in which a second layer composed of a material easy to be etched by laser irradiation compared with the first layer closely adheres to the surface of a first layer.例文帳に追加

第１の層の上に、該第１の層よりもレーザ照射によってエッチングされやすい材料からなる第２の層が密着した加工対象物を準備する。 - 特許庁

The joining part 6 has a main layer 14 which is in contact with the metal member and an interface glass layer 13 which is present at the interface between the second member 4 and the main layer 14.例文帳に追加

接合部６が、金属部材に接する主層１４、および第二の部材４と主層１４との界面に存在する界面ガラス層１３とを備えている。 - 特許庁

The sound absorbing material 3 includes a first layer 1 formed of a porous body, and a second layer 2 formed of a solid knit material laminated on the first layer 1.例文帳に追加

多孔質体からなる第１層１と、前記第１層１に積層される立体編物からなる第２層２とを備えていることを特徴とする吸音材３。 - 特許庁

An outside electrode 42 is connected to a P type layer 26 of the 2nd PIN device 14 and a center layer 40 is connected to an N type layer 30 of the second PIN device 14.例文帳に追加

外側電極（４２）が、第２ＰＩＮデバイス（１４）のＰ型層（２６）に接続され、中央層（４０）が第２ＰＩＮデバイス（１４）のＮ型層（３０）に接続される。 - 特許庁

The wiring board 101 comprises a second insulating layer 114, a third conductor layer 123 formed on the surface thereof, and a solder resist layer 115 formed thereon.例文帳に追加

配線基板１０１は、第２絶縁層１１４と、この表面に形成された第３導体層１２３と、これらの上に積層されたソルダーレジスト層１１５とを備える。 - 特許庁

A first conductor layer 5, a dielectrics layer 8, and a second conductor layer 10 are laminated on a circuit element formation region DA to form a solid capacity element.例文帳に追加

回路素子形成領域ＤＡ上に第１の導体層５、誘電体層８および第２の導体層１０とを積層して立体的に容量素子を形成する。 - 特許庁

A p-type polycrystalline silicon layer 3 of this thin-film polycrystalline silicon solar battery 10 is composed of a first layer 32 and a second layer 34, successively arranged on a positive electrode 2.例文帳に追加

薄膜多結晶シリコン太陽電池１０のｐ型多結晶シリコン層３は、正極２上に順次配置される第一の層３２と、第二の層３４とからなる。 - 特許庁

The double-sided adhesive sheet completely removes an intermediate support layer and comprises two adhesive layers (i.e. a first adhesive layer and a second adhesive layer) showing different adhesive properties.例文帳に追加

中間支持層を全く省略して、両粘着特性が相違する２つの第１粘着剤層１と第２粘着剤層２とから成る両面粘着シート。 - 特許庁

A stream coupling section 160 couples coded data in the basic layer, the first extended layer and the second extended layer with each other to generate an encoded stream with a header including tree structure information.例文帳に追加

ストリーム結合部１６０は、基本レイヤ、第１拡張レイヤ、第２拡張レイヤの符号化データを結合して、ツリー構造情報をヘッダに含めた符号化ストリームを生成する。 - 特許庁

Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4.例文帳に追加

このようにして、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製し、第１ＧａＮ層４のオフ面に第２ＧａＮ層を成長させる。 - 特許庁

On the base 10, a first electrode 111, a p-type polysilicon layer 112, an i-type intermediate layer 113, an n-type amorphous silicon layer 114, and a second electrode 12 are laminated in order.例文帳に追加

基材１０上に、第１電極１１１、ｐ型ポリシリコン層１１２、ｉ型中間層１１３、ｎ型アモルファスシリコン層１１４、第２電極１２を順に積層する。 - 特許庁

On the substrate 101, a transparent inorganic dielectric film 104 is formed between a metallic film 103 which is a reflective layer and a second resin coating layer 105 which is a protective layer.例文帳に追加

基材１０１上では、反射層である金属膜１０３と保護層である第２樹脂被覆層１０５との間に、透明無機誘電体膜１０４が形成されている。 - 特許庁