「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

Further as shown in (c), the substrate 20 is subjected to proximity exposure one time to expose a third layer 83 on the first layer 81 in the first nondisplay area 51, to expose a fourth layer 84 on the second layer 82 in the second nondisplay area 52 and to simultaneously expose a layer 92 in a display area 40.例文帳に追加

更に、（ｃ）に示すように、基板２０に対して１回のプロキシミティ露光を行うことにより、第１の非表示領域５１内の第１のレイヤー８１上に第３のレイヤー８３を露光し、第２の非表示領域５２内の第２のレイヤー８２上に第４のレイヤー８４を露光すると同時に、表示領域４０にレイヤー９２を露光する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flange includes steps for: preparing a laminate having a first metal layer composed of an Al-based material and a second metal layer joined to the first metal layer and composed of a Ti-based material; and forming a seal layer having a mounting face and an annular edge formed on the mounting face by processing the second metal layer.例文帳に追加

本発明に係るフランジの製造方法は、Ａｌ系材料からなる第１の金属層と、第１の金属層に接合されたＴｉ系材料からなる第２の金属層とを有する積層体を準備し、第２の金属層を加工することで、取付面と前記取付面に形成された環状のエッジ部とを有するシール層を成形する。 - 特許庁

The nonwoven fabric sheet includes two layers including a first layer and a second layer, the first layer has multiple rows of ridges and grooves parallelly extending in longitudinal direction, the first layer contains thermally fusible fibers, the second layer contains crimped fibers, and an average fiber angle in a cross-section parallel to the length is not more than 70°.例文帳に追加

本発明の不織布シートは、第１層と第２層の２層からなり、第１層に長さ方向へ平行して延びる複数条の隆起部と谷部とが形成されており、第１層は熱融着性繊維を含み、第２層は捲縮繊維を含み、長さ方向に平行な断面における平均繊維角度が７０度以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the multilayer ceramic substrate having a cavity in which a plurality of ceramic layers are laminated, the cavity has a first conductor layer on the bottom and a second conductor layer continuing to the first conductor layer in the inside of the multilayer ceramic substrate, wherein at least a part of the first conductor layer is thicker than the second conductor layer.例文帳に追加

複数のセラミック層を積層した、キャビティ付きの多層セラミック基板であって、前記キャビティは底部に第１の導体層を有し、前記多層セラミック基板内部には前記第１の導体層と連続した第２の導体層を有し、前記第１の導体層の少なくとも一部は前記第２の導体層よりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first epitaxially-grown layer 20 with a silicon carbide; the termination structure 30, which is provided on a surface part of the first epitaxially-grown layer 20; a second epitaxially-grown layer 40, which is provided on the termination structure 30 and has the silicon carbide; and an insulating layer 50, which is provided on the second epitaxially-grown layer 40.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、炭化珪素を含む第１エピタキシャル成長層２０と、第１エピタキシャル成長層２０の表層部に設けられた終端構造３０と、終端構造３０の上に設けられ、炭化珪素を含む第２エピタキシャル成長層４０と、第２エピタキシャル成長層４０の上に設けられた絶縁層５０とを備える。 - 特許庁

A first semiconductor laser 1 which can have light injected to its active layer from outside and a second semiconductor laser 2 which can have the output light of the first semiconductor laser injected in its active layer are provided to output an optical light, corresponding to the light injected to the active layer of the first semiconductor layer from the second semiconductor layer.例文帳に追加

活性層に外部から光を注入することが可能な第１の半導体レーザ１と、第１の半導体レーザの出力光を活性層に注入することが可能な第２の半導体レーザ２とを備え、第１の半導体レーザの活性層に注入された光に対応する光信号を第２の半導体レーザから出力させる。 - 特許庁

The HEMT 10 is provided with a first semiconductor layer 24, a second semiconductor layer 26 that is formed on the first semiconductor layer 24 and is larger in band gap than the first semiconductor layer 24, a gate insulation film 34 formed on the second semiconductor layer 26, and a gate electrode 36 formed on the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０は、第１半導体層２４と、その第１半導体層２４上に形成されているとともに第１半導体層２４よりもバンドギャップの幅が広い第２半導体層２６と、その第２半導体層２６上に形成されているゲート絶縁膜３４と、そのゲート絶縁膜３４上に形成されているゲート電極３６を備えている。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a silicon-containing two-layer resist comprising a first resist layer containing an organic high molecular compound and a photosensitive silicon-containing second resist layer for reworking after the patterning of the second resist layer while suppressing the occurrence of defects on a wafer in removal in a process for producing a device using the two-layer resist on a substrate.例文帳に追加

基板上に有機高分子化合物を含む第１レジスト層と感光性シリコン含有第２レジスト層からなるシリコン含有２層レジストを用いるデバイス製造工程において、第２レジスト層をパターニングした後で、リワーク等のために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記２層レジストを剥離する方法を提供する。 - 特許庁

The first felt layer 13 has a property that a rupture is generated in the first felt layer in preference to a peeling off or a rupture at other areas and the second felt layer 14 is separated from the carpet 11 accompanying with a part of the first felt layer 13 when a force for peeling off it from the carpet 11 is applied to the second felt layer 14.例文帳に追加

第１のフェルト層１３は、第２のフェルト層１４にカーペット１１に対して剥離方向の力を付加した際に、他の領域での剥離または破断に優先して、第１のフェルト層内で破断が生じ、第１のフェルト層１３の一部を伴って第２のフェルト層１４がカーペット１１から分離される性質を有する。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁

In the electromagnetic bandgap structure 300, a first metal layer 310-1, a first dielectric layer 320a, a metal plate 332, a second dielectric layer 320b and a second metal layer 310-2 are stacked, and an odd number of vias 334-1 to 334-3 are serially connected between the first metal layer 310-1 and the metal plate 332.例文帳に追加

電磁気バンドギャップ構造物３００は、第１金属層３１０−１、第１誘電層３２０ａ、金属板３３２、第２誘電層３２０ｂ、及び第２金属層３１０−２が積層され、第１金属層３１０−１と金属板３３２との間に奇数個のビア３３４−１〜３３４−３が直列連結されていることを特徴とする。 - 特許庁

An optical laminated film 10 comprises a support body 11, an easily adhesive layer 12 provided on one surface of the support body 11, a first transparent layer 13 provided on the other surface of the support body 11, a second transparent layer 14 provided adjacently to the first transparent layer 13, and translucent particles 15 arranged in the second transparent layer 14.例文帳に追加

光学積層フィルム１０は、支持体１１と、支持体１１の一方面に設けられた易接着層１２と、支持体１１の他方の面に設けられた第１の透明層１３と、第１の透明層１３に隣接して設けられた第２の透明層１４と、第２の透明層１４に配置された透光性粒子１５を備える。 - 特許庁

An organic molecular memory according to one embodiment comprises: a first conductive layer; a second conductive layer; and an organic molecule layer provided between the first conductive layer and the second conductive layer, and including a charge storage type molecular chain or a resistance change type molecular chain, the charge storage type molecular chain or the resistance change type molecular chain including a condensed polycyclic group.例文帳に追加

実施の形態の有機分子メモリは第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、電荷蓄積型分子鎖または抵抗変化型分子鎖を含み、電荷蓄積型分子鎖または前記抵抗変化型分子鎖が縮合多環系の基を備える有機分子層と、を備えている。 - 特許庁

The inner stripe nitride laser diode structure is provided with a multiple-quantum well layer and first and second surfaces, and is provided with a waveguide layer where the first surface is in contact with the multiple- quantum well layer, and a current-blocking layer entering the second surface of the waveguide layer and divided into two portions by a stripe groove.例文帳に追加

本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第１及び第２の表面を有し、前記第１の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第２の表面内に突入していて、ストライプ溝によって２つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。 - 特許庁

This removal method includes removing the support plate 3 from the wafer 2 to which the support plate 3 is adhered via a first adhesive layer 4, a second adhesive layer 5 which is dissolvable in a solvent quicker than the first adhesive layer 4 or a second adhesive layer 5 which is dissolvable in a solvent different from a solvent to which the first adhesive layer 4 is dissolvable.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、第１接着剤層４と、第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層５、若しくは、第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層５とを介してサポートプレート３が貼着されているウエハ２から、サポートプレート３を剥離する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁

An RRAM memory cell includes a first oxidation resistance layer 20, a first heat resistance metal layer 22, a CMR layer 24, a second heat-resistant metal layer 26, and a second oxidation resistance layer 28; and is formed on a silicon substrate having a metal plug 16 which is connected operably in the silicon substrate, and which is formed on the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のＲＲＡＭメモリセルは、第１の酸化耐性層２０と、第１の耐熱性金属層２２と、ＣＭＲ層２４と、第２の耐熱性金属層２６と、第２の酸化耐性層２８とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ１６を有する該シリコン基板上に形成される。 - 特許庁

The nitride based semiconductor diode comprises a first substance layer 101, an active layer 102, and a second substance layer 103 formed sequentially in layers wherein a ridge 104 is formed on the second substance layer 103 and a current interruption layer 113 is formed of AlGaN on at least one upper surface at the opposite ends of the ridge 104 and on the opposite side faces of the ridge.例文帳に追加

第１物質層１０１、活性層１０２、及び第２物質層１０３が順次に積層され、第２物質層１０３には、リッジ１０４が形成され、リッジ１０４の両端部のうち少なくとも一つの上面及びリッジの両側面には、ＡｌＧａＮからなる電流遮断層１１３が形成される窒化物系半導体レーザダイオードである。 - 特許庁

Of the organic EL display made up by including a transparent first electrode 40, a second electrode 70, and an organic EL layer 50 pinched by the electrodes, the second electrode 70 is to be of a structure laminating the organic EL layer 50, a first metal layer 72 or a conductive transparent inorganic matter layer, and a conductive organic matter layer 74 in that order.例文帳に追加

透明な第１の電極４０と、第２の電極７０と、これらの電極に挟まれた有機ＥＬ層５０とを含んでなる有機ＥＬディスプレイにおいて、第２の電極７０を、有機ＥＬ層５０側から順に、第１の金属層７２または導電性透明無機物層と、導電性有機物層７４とを積層した構造にする。 - 特許庁

To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に第一の半導体層／第一の透明導電層／第二の半導体層／第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁

The metal thin film with plastic 100 has a support body 1, a first metal layer 2 formed on the support body 1 by a vapor deposition method, a second metal layer 3 formed on the first metal layer 2, and a resin layer 4 comprising an insulating resin composition formed on the second metal layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、支持体１と、該支持体１上に蒸着法により形成された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に形成された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層４とを備える樹脂付き金属薄膜１００を提供する。 - 特許庁

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another.例文帳に追加

非磁性体の第１障壁層２と、強磁性体の第１量子井戸層４と、非磁性体の第２障壁層６と、強磁性体の第２量子井戸層８と、非磁性体の第３障壁層１０とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第１量子井戸層４及び第２量子井戸層８は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。 - 特許庁

This drive device is arranged in a first layer and a second layer overlapped on a first layer through an intermediate and has a drive part having a fixed electrode and a movable electrode arranged in the first layer and meshing with each other, a movable plate arranged in the second layer and a flexible supporting part connected to the movable electrode and the movable plate.例文帳に追加

第１の層及び第１の層の上に中間層を介して重ね合わされた第２の層内に配置された駆動装置であって、第１の層内に配置された、互いに噛み合う固定電極と可動電極とを有する駆動部と、第２の層内に配置された可動プレートと、可動電極及び可動プレートに接続された可撓な支持部とを有する。 - 特許庁

The printed wiring board has wiring lines formed on the surface of an insulating substrate and having a layered structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, wherein the first copper layer side is affixed to the insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is larger than that of the first copper layer.例文帳に追加

絶縁基板の表面に配線を形成したプリント配線板であって、当該配線が第１銅層と第２銅層とが積層した層構成を備え、当該第１銅層側を前記絶縁基板に張り合わせ、当該第２銅層の平均結晶粒径が当該第１銅層の平均結晶粒径より大きいことを特徴としている。 - 特許庁

An organic molecular memory according to one embodiment comprises: a first conductive layer; a second conductive layer; and an organic molecule layer provided between the first conductive layer and the second conductive layer, and including a resistance change type molecular chain or a charge storage type molecular chain, the resistance change type molecular chain or the charge storage type molecular chain including an electron attractive group.例文帳に追加

実施の形態の有機分子メモリは、有機分子メモリは第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層とを備えている。 - 特許庁

The HEMT 200A includes a first group III-V intrinsic layer 209a doped with a rare earth additive and also includes a second group III-V intrinsic layer 210a formed over the intrinsic layer 209a and a group III-V semiconductor layer 220 formed over this second group III-V intrinsic layer.例文帳に追加

希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。 - 特許庁

The negative electrode 23 is composed of a conductive substrate, a first layer formed on the conductive substrate, and a second layer formed on the first layer, and the first layer contains at least a graphite material as a negative active material, and the second layer contains at least a graphitization retarding carbon material as the negative active material.例文帳に追加

負極２３は、導伝性基材と、導電性基材の上に設けられた第１の層と、第１の層のさらに上に設けられた第２の層とからなり、第１の層は負極活物質として少なくとも黒鉛材料を含み、第２の層は負極活物質として少なくとも難黒鉛化性炭素材料を含むものである。 - 特許庁

A dicing die adhesive film for semiconductor 100 has a three-layer laminated structure including a first adhesive layer 120 bonded to the backside of a semiconductor wafer, a second adhesive layer 130 bonded facing the first adhesive layer 120, and a dicing film 140 bonded facing the second adhesive layer 130.例文帳に追加

本発明による半導体用ダイシングダイ接着フィルム１００は、半導体ウエハーの背面に付着される第１接着層１２０と、前記第１接着層１２０に面して接着された第２接着層１３０と、前記第２接着層１３０に面して接着されたダイシングフィルム１４０と、を含んでなる三層の積層構造を有する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

As for this coaxial cable 10, a first insulating layer 12 of an insulating material is formed at the outer periphery of a center conductor 11, and a second insulation layer 13 is formed directly at the outer periphery of that first insulation layer 12, and a shielding layer 14 constituted of an Ag thin film is installed by a silver mirror reaction at the outer periphery of that second insulating layer 13.例文帳に追加

本発明に係る同軸ケーブル１０は、中心導体１１の外周に絶縁体による第１絶縁層１２を設け、その第１絶縁層１２の外周に、直接、第２絶縁層１３を設け、その第２絶縁層１３の外周に、銀鏡反応によるＡｇ薄膜で構成されるシールド層１４を設けたものである。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a second nitride semiconductor layer 14 formed on a first nitride semiconductor layer 13 and having a larger band gap than that of the first nitride semiconductor layer 13; and a recess of a shape penetrating through the second nitride semiconductor layer 14 and removing one part of the first nitride semiconductor layer 13; and an electrode 17 embedded into the recess.例文帳に追加

半導体装置は、第１の窒化物半導体層１３上に形成され第１の窒化物半導体層１３よりバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４を貫通して第１の窒化物半導体層１３の一部を除去する形状の凹部と、凹部を埋め込む電極１７とを備える。 - 特許庁

The main coating layer 18 comprises a first transparent layer 22 containing the solid fine particles 20 in uniform dispersion arrangement and laminated on the first surface 14a of the insulated substrate 14 and a second transparent layer 24 laminated on the first layer 22, in which a surface 24a of the second layer 24 hamps like a waveform on positions of each solid fine particles 20 as a center.例文帳に追加

主皮膜層１８は、固形微粒子２０を一様な分散配置で含有して絶縁基板１４の第１面１４ａに積層される透明な第１層２２と、第１層２２の上に積層される透明な第２層２４とを備え、第２層２４の表面２４ａが各固形微粒子２０の位置を中心として波状に隆起する。 - 特許庁

In another embodiment, the method comprises (i) a step of depositing a surface treatment composition containing the adhesion promotor material on the surface of the first electroactive layer and (ii) a step of depositing the second electroactive layer on the surface of the first layer containing the adhesion promotor, in which the composition permits adhesive bonding between the first layer and the second layer of the electroactive element.例文帳に追加

別の実施形態では、（ｉ）第１の電気活性層の表面上に接着促進剤材料を含む表面処理組成物を堆積し、（ｉｉ）接着促進剤を含む第１の層の表面上に第２の電気活性層を堆積する段階とを含み、組成物が電気活性素子の１の層と第２の層との間の接着を可能にする。 - 特許庁

The second low-frequency wave sound absorbing material 4 has a second film 41 made of silicone rubber containing an inorganic compound and a second porous material layer 42 laminated on the back side (on an opening part side of the container 2a) of the second film 41.例文帳に追加

第２の低周波吸音材４は、無機化合物を含むシリコーンゴムから成る第２の膜４１と、第２の膜４１の背面側（容器２ａの開口部側）に積層された第２の多孔質体層４２とを備えている。 - 特許庁

A second diffusion prevention film 21, a second low-k film 22 and a second cap film 23 are formed thereon, and a barrier film 25 and a Cu film 26 are buried in these films to form a second conductivity type layer.例文帳に追加

その上に、第２拡散防止膜２１と第２ｌｏｗ−ｋ膜２２と第２キャップ膜２３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜２５とＣｕ膜２６が埋め込まれることにより第２導電層が形成されている。 - 特許庁

Of members constituting the second ball bearing 5, at least either a second inner raceway 12 provided on the outer peripheral surface of a second inner ring 13 or the rolling surface of each of second balls 14 and 14 is formed with a nitride layer.例文帳に追加

又、この第二の玉軸受５を構成する各部材のうち、第二の内輪１３の外周面に設けた第二の内輪軌道１２と、各第二の玉１４、１４の転動面とのうちの少なくとも一方に、窒化層を形成する。 - 特許庁

In the optical recording medium, a recording layer is provided directly or through an undercoating layer onto a first substrate and, when necessary, a reflecting layer and a protective layer or a reflecting layer and a second substrate are provided onto the recording layer under the state that the recording layer includes at leas one kind of a compound among compounds represented by general formula (I) or by general formula (II).例文帳に追加

第１基板上に直接又は下引き層を介し記録層を設け、更にその上に必要に応じ反射層、保護層又は反射層、第２基板を設けてなる光記録媒体において、記録層中に下記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示される化合物を少なくとも１種含有してなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

Specifically, the wiring substrate 100 includes the insulating base layer 3, the metal layer, having the end part formed of the layer 3 on the insulating base layer 3 and disposed inside by a first distance from the end part of the insulating base layer 3, and the solder resist 1, having the end part formed on the metal layer and disposed inside by a second distance from the end part of the metal layer 3.例文帳に追加

具体的には、絶縁基材層３と、絶縁基材層３上に形成され、絶縁基材層３の端部から第１の距離だけ内部に配置された端部を有する金属層３と、金属層３上に形成され、金属層３の端部から第２の距離だけ内部に配置された端部を有するソルダーレジスト１とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the alignment layer, a bottom face layer is deposited with first deposition pressure, and subsequently a surface layer is laminated on the surface of the bottom face layer, by elevating inside pressure of the vacuum chamber 51 to second deposition pressure higher than the first deposition pressure so as to constitute the alignment layer with a laminated film, comprising the bottom face layer and the surface layer.例文帳に追加

本発明の配向膜製造方法は、第一の成膜圧力で底面層をせいまくした後、真空槽５１内部の圧力を第一の成膜圧力よりも高い第二の成膜圧力に上昇させて、底面層の表面に表面層を積層し、底面層と表面層との積層膜で配向膜を構成する。 - 特許庁

In the multi-layer structure 10, a first polystyrene surface layer 1 is formed on a polystyrene substrate layer 3 through an adhesive layer 2 comprising a polystyrene resin, a polypropylene resin, and a compatibilizer, and a second surface layer 5 of a polypropylene resin the melting point of which is higher than that of the first surface layer is formed through an adhesive layer 4.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂からなる基材層３に、ポリスチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂及び相溶化剤からなる接着層２を介して、ポリエチレン系樹脂からなる第一の表面層１が形成され、接着層４を介して、第一の表面層よりも高融点のポリプロピレン系樹脂からなる第二の表面層５が形成された多層構造体１０。 - 特許庁

The DLC layer D is constituted of a carbon layer C comprising carbon, a composite carbon layer FC comprising tungsten and carbon, the first metal layer M1 comprising tungsten, a composite metal layer FM comprising tungsten and chromium, and the second metal layer M2 comprising chromium, and the five layers are sequentially arranged in this order from a surface side of the DLC layer D.例文帳に追加

ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、タングステン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、タングステンからなる第一金属層Ｍ１と、タングステン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、で構成され、これら５層はＤＬＣ層Ｄの表面側から上記の順に配されている。 - 特許庁

An actuator having a conductive layer and an ion-conducting layer includes: a first layer which is provided in contact with the actuator and is formed from a polymer that suppresses permeation of water; and a second layer which is provided in contact with the first layer, has a lower tensile elastic modulus than that of the first layer, and is formed from a polymer that protects the first layer.例文帳に追加

導電層とイオン伝導層を有するアクチュエータにおいて、前記アクチュエータに接して設けられた水の透過を抑制する高分子からなる第１の層と、前記第１の層に接して設けられた、前記第１の層より引張弾性率が小さい、前記第１の層を保護する高分子からなる第２の層を有するアクチュエータ。 - 特許庁

This back protective sheet 10 for a solar cell includes: a composite material layer 11 containing fiber base material and a hardened material of a thermoset resin; a first functional layer (I) (conductor layer 12) formed on one side of the composite material layer 11; and a second functional layer (II) (protective layer 13) formed on the other surface of the composite material layer 11.例文帳に追加

本発明の太陽電池用裏面保護シート１０は、繊維基材および熱硬化性樹脂の硬化物を含有する複合材料層１１と、複合材料層１１の一方に設けられた第１の機能層（Ｉ）（導体層１２）と、複合材料層１１の他方の面に設けられた第２の機能層（II）（保護層１３）とを有する。 - 特許庁

The optical sensor includes at least a first semiconductor layer 2 provided on a top surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 serving as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, and a protection layer 5 provided on a reverse surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。 - 特許庁