「selective surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Surface treatment such as selective hardening treatment by high frequency hardening for improving surface hardness is applied to a region S1 to be processed including an engagement hole 44.例文帳に追加

係合孔４４を含む被処理領域Ｓ１には表面硬度の向上を目的とした高周波焼入れによる部分焼入れ処理等の表面処理が施されている。 - 特許庁

To provide a method for selective deposition of group-IV semiconductor materials such as silicon or germanium onto a semiconductor surface without deposition onto an insulating surface.例文帳に追加

シリコンやゲルマニウムのようなＩＶ族半導体材料を、半導体表面上に、絶縁表面上への堆積無しに選択的に堆積する方法を提供する。 - 特許庁

The selective reflecting filter 16 is composed of a polarization beam splitter having a polarization reflecting surface which reflects p polarized signal light.例文帳に追加

選択反射フィルタ１６は、ｐ偏光した信号光を反射する偏光反射面を備えた偏光ビームスプリッタで構成されている。 - 特許庁

SELECTIVE DEPOSITION OF ZnO NANOSTRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE USING NICKEL CATALYST AND EITHER PATTERNED POLYSILICON OR SILICON SURFACE MODIFICATION例文帳に追加

ニッケル触媒と、パターニングしたポリシリコンまたはシリコン表面改質とを用いたシリコン基板上へのＺｎＯのナノ構造の選択的堆積 - 特許庁

To provide a method for selective (partial) modification of a polymer surface with a more simple method using a supercritical fluid.例文帳に追加

超臨界流体を用いて、より簡易な方法でポリマー表面の一部を選択的（部分的）に改質する方法を提供する。 - 特許庁

The surface roughness on the side of the base 15 on which the selective absorbing film is formed is 0.98μm in center-line average.例文帳に追加

基板１５における選択吸収膜が形成された面の表面粗さを中心線平均粗さで０．９８μｍ以下とする。 - 特許庁

The selective parts to the gas selected are built the poromeric film as a surface part in aspects of intervals and sequence which are controlled.例文帳に追加

微孔質膜に選択したガスに対して選択性の部位を表面部位として制御された間隔及び配列の態様で組み込む。 - 特許庁

The optical body includes an optical layer having an incident surface where light is made incident and a wavelength selective reflection film formed in the optical layer.例文帳に追加

光学体は、光が入射する入射面を有する光学層と、光学層内に形成された波長選択反射膜とを備える。 - 特許庁

To restrain the deterioration in an active component of an NOx selective reduction catalyst coated on its surface, in DPF regeneration processing.例文帳に追加

ＤＰＦ再生処理時に、その表面にコーティングされたＮＯｘ選択還元触媒の活性成分が劣化することを抑制する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of irradiating the exposed surface of the metal 201 exposed by the selective removal of the surface of the metal 201 with the X-ray, detecting the photoelectron irradiated from the exposed surface, and thereby analyzing the exposed surface (therein).例文帳に追加

判定対象金属２０１の表面の選択的除去で露出した判定対象金属２０１の露出面に対するＸ線照射でこの露出面から放出される光電子を検出することで露出面（内部）を解析する。 - 特許庁

The system for the intaglio printing machine includes at least a duct 1 supplying ink on a surface of an engraved selective ink supply cylinder 5, and subsequently the selective ink supply cylinder supplies the ink on the surface of the plate cylinder 16 of the intaglio printing machine via a chevron roller 17.例文帳に追加

凹版印刷機用のシステムは、少なくとも、彫刻された選択的インキ供給胴５の表面にインキ供給するためのダクト１を備え、選択的インキ供給胴は次いで、シャブロンローラ１７を介して前記凹版印刷機の版胴１６の表面にインキ供給する。 - 特許庁

The functional material (20) has a property of promoting selective transport of at least one chemical species passing through the membrane structure (12) from the first surface (18) to the second surface (19).例文帳に追加

機能性材料（２０）は、第一の表面（１８）から第二の表面（１９）へとメンブラン構造（１２）を通過する１種以上の化学種の選択的輸送を促進する性質を有する。 - 特許庁

Subsequently, the silicon surface is elongated in the direction to shorten the length of the trench in the laminating direction of semiconductor by growing the exposed silicon surface using the method of selective epitaxial growth.例文帳に追加

次に、露出したシリコン面を選択エピタキシャル法によって成長させることによってシリコン面をトレンチの半導体積層方向の長さを短くする方向に伸長させる。 - 特許庁

To provide a selective semispherical silicon grain(HSG) charge storing electrode formation of semiconductor device, capable of satisfactorily securing capacitor effective surface area by attaining a specific grain size when forming a selective HSG.例文帳に追加

選択的ＨＳＧ形成時に所望のグレーンサイズを得ることにより、キャパシタ有効表面積を充分確保することができる半導体装置の選択的半球形シリコングレーン電荷貯蔵電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The immobilized support of the selective bonding matter, on the surface of the polymer the selectively bonding matter is existing, the terminal functional group of which is immobilized by the covalent bonding with the selective bonding matter.例文帳に追加

高分子表面に選択結合性物質を固定化した選択結合性物質固定化担体であって、担体表面に樹状分子があり、その末端の官能基と選択結合性物質が共有結合にて固定化されている。 - 特許庁

A part of the surface of a semiconductor substrate 1 is masked, and an uneven structure which has a comb-shaped cross section is made by selective epitaxial growth.例文帳に追加

半導体基板１の表面の一部をマスクし、選択エピタキシャル成長により櫛形の断面形状を有する凹凸構造を形成する。 - 特許庁

The surface light emitting laser element comprises reflection layers 103 and 107, resonator spacer layers 104 and 106, an active layer 105, and a selective oxidation layer 108.例文帳に追加

面発光レーザ素子は、反射層１０３，１０７、共振器スペーサー層１０４，１０６、活性層１０５および選択酸化層１０８を備える。 - 特許庁

The hydrogen selective gas separation material of this invention is provided with a porous base and the separation membrane arranged on the surface of the porous substrate.例文帳に追加

本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基部と、この多孔質基材の表面に配設された本発明の分離膜とを備える。 - 特許庁

A selective reaction section 32 is made of vanadium oxide (V_2O_5) into a bottomed cylindrical shape, along the lower part of the outer peripheral surface of the oxygen ion conductor 10 so as to cover the detection electrode section 31, from its outer peripheral surface and upper-end surface.例文帳に追加

選択反応部３２は、バナジウム酸化物（Ｖ_2Ｏ_5）により、検知電極部３１をその外周面及び上端面から酸素イオン伝導体１０の外周面下部に沿い被覆するように、有底筒状に形成されている。 - 特許庁

To provide a simple method for machining the surface of an electrode capable of removing a selective metal coated layer such as a metalized layer or the like without the use of a mask.例文帳に追加

マスクを用いずに選択的なメタライズ層等の金属被覆層を除去することが可能な簡単な電極表面加工方法を得る。 - 特許庁

To form micro protrusions in a part other than the lower part of a surface electrode and to form a structure similar to that formed by selective impurity diffusion.例文帳に追加

表面電極の下部以外の部分に微小な突起を生産性よく形成するとともに、選択的不純物拡散と同様な構造を形成する。 - 特許庁

Further the ink supply system includes a wiping-off system 8 wiping off the surface of the selective ink supply cylinder and collecting the wiped-off ink into the duct 1.例文帳に追加

インキ供給システムはさらに、選択的インキ供給胴の表面を拭き取り、拭き取られたインキをダクト１内に回収するための拭取システム８を備える。 - 特許庁

The hydrophobic layer 140 is made into a hydrophobic monomolecular film or the like by depositing hydrophobic material and by performing: surface treatment by using plasma; site-selective exposure; photocleavings; or the like.例文帳に追加

疎水層１４０は疎水物の堆積、プラズマによる表面処理、部位選択的露光、フォトクリーブ等により疎水物単分子膜等として形成する。 - 特許庁

A barrier layer 6 is provided between a surface negative electrode 7 and an absorption layer 5, and an energy selective contact is provided on the barrier layer 6.例文帳に追加

表面負電極７と吸収層５との間には、障壁層６が設けられており、障壁層６にはエネルギー選択性コンタクトが設けられている。 - 特許庁

A base layer which may contain a seed material may be formed to promote the subsequent selective deposition of a conductive material on the surface of the via hole.例文帳に追加

種材料（seed material）を含み得るベース層は、その後のビアホールの表面上の導電材料の選択的堆積を促進するように形成されてもよい。 - 特許庁

To provide a selective light transmitting film high in visible light transmission and the barrier function of ultraviolet rays and infrared rays and low in surface electric resistance.例文帳に追加

可視光の透過率が高く，紫外線，赤外線の遮蔽機能が高く，かつ表面電気抵抗が低い選択光透過フィルムを提供すること。 - 特許庁

For example, as the surface part to separate and refine oxygen from a gaseous mixture containing oxygen, an oxygen selective transition element complex (REC) is used.例文帳に追加

一例として、酸素含有ガス混合物から酸素を分離除去するための表面部位として、酸素選択性遷移元素錯体（ＲＥＣ）が使用される。 - 特許庁

Selective emission of one or more fluid to the surface to be purified accelerates cleaning and/or gives odor and/or applies chemicals.例文帳に追加

浄化されるべき表面上への一つ以上の流体の選択的放出は、そこで清掃を促進しかつ／または香気を与えかつ／または薬剤を塗布する。 - 特許庁

An exposed portion of the anti-reflective coating or selective emitter is etched away using an inorganic acid containing etching liquid to expose the semiconductor surface.例文帳に追加

無機酸含有エッチング剤を用いて、反射防止コーティングおよび選択的エミッタの露出部分がエッチング除去されて、半導体基体を露出させる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor surface light emitting device having a plurality of wavelengths on the same substrate using the MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) selective growth method.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＶＰＥ選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate processing device of a hot wall type which performs selective growth for an epitaxial film comprising Si in an Si surface of a product substrate at a lower cost.例文帳に追加

製品用基板のＳｉ表面にＳｉを含むエピタキシャル膜を選択成長させるホットウォール式の基板処理装置をより安価に提供する。 - 特許庁

The optical element includes an optical layer 2 having an incident surface from which light enters and a wavelength selective reflection film 3 formed in the optical layer 2.例文帳に追加

光学体は、光が入射する入射面を有する光学層２と、光学層２内に形成された波長選択反射膜３とを備える。 - 特許庁

The filter comprises a dielectric material, at least two micro strip antennas and a frequency selective surface including a metal pattern in a metal frame.例文帳に追加

本発明のフィルタは、金属筐体内に誘電材料と、少なくとも２個のマイクロストリップ・アンテナと、金属パターンを含む周波数選択面とを含む。 - 特許庁

This composite is constituted by forming a Pd film or Pd-base alloy film (1) allowing the selective permeation of hydrogen on the front surface of porous silicon nitride (2).例文帳に追加

多孔質窒化ケイ素（２）の表面に水素を選択的に透過させるＰｄ膜またはＰｄ系合金膜（１）が形成されている構成とする。 - 特許庁

The cell selective adsorbent is formed by immobilizing the ligand having the affinity on the specific surface, on the ligand immobilization substrate; and its production method is provided.例文帳に追加

さらに該リガンド固定化用基材に、特定の細胞表面に親和性を有するリガンドを固定化した細胞選択吸着材およびその製造方法。 - 特許庁

Using processing from above the masking layer 21, selective processing is performed on an exposed surface exposed from the opening pattern 21a of the masking layer 21.例文帳に追加

マスキング層２１の上方からの処理により、マスキング層２１の開口パターン２１ａから露出する露出面に対して選択的な処理を施す。 - 特許庁

On a side surface of the selective gate electrode G1, control gate electrodes G3a, G3b are formed in the shape of sidewall via a gate separation insulating film 21.例文帳に追加

選択ゲート電極Ｇ１の側面には、ゲート分離絶縁膜２１を介して制御ゲート電極Ｇ３ａ，Ｇ３ｂが側壁状に形成されている。 - 特許庁

At the front surface of the end part of the active region 7 wherein the capacitors C1, C2 are formed, an epitaxial layer 25 is formed with a selective epitaxial growth method and this front surface is wider than the other part.例文帳に追加

このキャパシタＣ１，Ｃ２が形成される活性領域７の端部の表面には、選択エピタキシャル成長法によりエピタキシャル層２５が形成されており、他の部分よりも幅が広くなっている。 - 特許庁

To provide a selective oxidation process capable of selectively oxidizing a silicon surface at a high oxidation rate while suppressing oxidation of a metal material exposed on a surface of a workpiece as much as possible.例文帳に追加

被処理体の表面に露出したメタル材料の酸化を極力抑制しながら、高い酸化レートでシリコン表面を選択的に酸化することが可能な選択酸化プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide an optical transceiving module and an optical element used for it without requiring an optical wave-guide and even without requiring a groove processing process and an insertion process of an optical wavelength selective filter for a groove by attaching the optical wavelength selective filter on light receiving surface of a photo-detector or an end surface of an optical fiber.例文帳に追加

受光素子の受光面或いは光ファイバの端面に光波長選択フィルタを取り付けることにより、光導波路を必要とせず、溝加工プロセスおよび溝に対する光波長選択フィルタの挿入プロセスも必要としない、光送受信モジュールおよびこれに使用される光学素子を提供する。 - 特許庁

By selective oxidizing, a gate oxide film 83 along a bottom surface of the trench 51 is so formed as to be thicker than the gate oxide film 59 on the side surface of the trench, and further to get thicker as it approaches from an end of the bottom surface of the trench to a drain polysilicon 63.例文帳に追加

また、選択酸化により、トレンチ５１の底面に沿うゲート酸化膜８３を、トレンチ側面のゲート酸化膜５９よりも厚く、かつトレンチ底面の端部からドレインポリシリコン６３に向かって連続的に厚くなるように形成する。 - 特許庁

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The substrate having the selective binding material immobilized on the surface has a characteristic wherein at least a part of a domain whereupon the selective binding material is immobilized on the surface of the base material is formed as a rough surface.例文帳に追加

選択結合性物質がその表面に固定される基材であって、該基材表面のうち、選択結合性物質が固定化される領域の少なくとも一部が、粗面化されてなることを特徴とする選択結合性物質固定化基材；前記基材を含む分析チップ；前記基材又は分析チップを用いた被検物質の分析方法；前記基材又は分析チップを含む分析キット。 - 特許庁

A beam shaping mirror 7 is provided with a transparent member 7c including, in nonparallel, a first optical surface 7a equipped with a wavelength selective film Ft, and a second optical surface 7b equipped with a diffraction grating Gr.例文帳に追加

ビーム整形ミラー７は、波長選択性膜Ｆｔが設けられた第１光学面７ａと、回折格子Ｇｒが設けられた第２光学面７ｂと、を互いに非平行に有する透明部材７ｃから成る。 - 特許庁

Thus, selective freedom of a lighting range can be secured even though the main body 10 is fixed so as not to rotate around a setting surface 5a by a mounting stand 70.例文帳に追加

このため、本体１０が取付台７０によって設置面５ａに対して回動しないように固定されていても、照明範囲の選択自由度が確保されることになる。 - 特許庁