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selective surfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 294



例文

The selective transmission part 21 is provided on at least a part of a surface of the outer package body 19, and is formed of a fluorine-based resin allowing transmission of carbon dioxide while restricting transmission of water vapor.例文帳に追加

選択透過部21は、外装体19の表面の少なくとも一部に設けられ、水蒸気の透過を規制しつつ二酸化炭素の透過を許容するフッ素系の樹脂で形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor wafers comprises processes for: polishing a sliced wafer; forming an oxide film on the polished wafer; an oxide film selective polishing for removing only the oxide film formed on the surface and exposing the surface of the wafer; and polishing the exposed surface of the wafer.例文帳に追加

本半導体ウェーハの製造方法は、スライス後のウェーハを研削する工程と、研削されたウェーハに酸化膜を形成する工程と、前記表面に形成された酸化膜のみを除去しウェーハ表面を露出させる酸化膜選択研磨工程と、前記露出したウェーハ表面を研磨する工程を有する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown by selective epitaxial growth on a surface of a substrate 10 appearing on only an opening part T of a part in which an opening part T1 due to the first etching and an opening part T2 due to the second etching intersect, and finally a semiconductor device surface is flattened.例文帳に追加

第1のエッチングによる開口部T1と第2のエッチングによる開口部T2が交差する部分の開口部Tにのみ現れる基板10の表面に、選択エピタキシャル成長により半導体層を成長させ、最後に半導体装置表面を平坦化する。 - 特許庁

例文

Even when a light selective reflection filter having wavelength selective reflection characteristics of selectively reflecting light in a prescribed wavelength range in the projection light from the cold-cathode fluorescent lamp 43 and guiding it to the liquid crystal panel 2 is provided on a tilt surface of a light guide plate 45, the color reproduction range can be expanded as well.例文帳に追加

光選択透過フィルタ32の代わりに、冷陰極蛍光ランプ43からの出射光のうち、特定の波長領域の光を選択的に反射して液晶パネル2へ導く波長選択反射特性を示す光選択反射フィルタを導光板45の傾斜面に設けるようにした場合にも、同様にして色再現範囲を拡大することができる。 - 特許庁


例文

The manufacturing method of the selective bondable substance fixed microbeads is composed of the process for hydrolyzing the surface of microbeads consisting of a polyalkyl (meth)acrylate, the process for bonding the spacer molecule to the carboxyl groups formed on the surfaces of the microbeads by hydrolysis and the process for bonding the selective bondable substance to the functional group of the spacer molecule.例文帳に追加

ポリアルキル(メタ)アクリレートからなるマイクロビーズの表面を加水分解する工程、加水分解により前記マイクロビーズの表面に生成したカルボキシル基にスペーサー分子を結合させる工程、スペーサー分子の官能基に選択結合性物質を結合させる工程からなる選択結合性物質固定化マイクロビーズの製造方法を提供する。 - 特許庁

The projection screen 10-1 is equipped with a polarized light selective reflection layer 11 having cholesteric liquid crystal structure to selectively reflect light of a prescribed polarized light component, and a low reflection layer 19 provided on the outermost surface on the observation side of the polarized light selective reflection layer 11 and lowering the boundary reflectance of a part of right-handed circularly polarized light 31R.例文帳に追加

投影スクリーン10−1は、特定の偏光成分の光を選択的に反射するコレステリック液晶構造を有する偏光選択反射層11と、偏光選択反射層11の観察側の最表面に設けられ、右円偏光31Rの一部の界面反射率を低下するための低反射層19とを備えている。 - 特許庁

A target-molecule-adsorptive carrier having one or two or more regions of selective adsorption of one or two or more kinds of molecules is produced by feeding the target molecules into the surface of a solid-phase material to produce an interaction with the target molecules on the surface to allow them to be adsorbed by the surface and removing the target molecules from the surface of the solid-phase material.例文帳に追加

ターゲット分子を固相材料の表面に供給して前記ターゲット分子との相互作用を前記表面に生じさせて前記表面に吸着させ、前記固相材料の表面から前記ターゲット分子を除去することで、1種又は2種以上のターゲット分子の1又は2以上の選択的吸着領域を備えるターゲット分子の吸着用担体を製造する。 - 特許庁

In the light which is made obliquely incident for the optical axis OA of a micro lens 13, blue color is transmitted by a blue color selective transmission part 16 arranged on an outgoing surface 30 of a quartz glass plate 12 and remaining components are reflected.例文帳に追加

マイクロレンズ13の光軸OAに対して斜めに入射した光は、石英ガラス板12の出射面30に配置された青色選択透過部16によって青色は透過され、残りの成分は反射される。 - 特許庁

例文

An opening for a base region is formed in a polycrystalline semiconductor layer becoming a base lead electrode and an insulating film laminated on the polycrystalline semiconductor layer, and an epitaxial base film is formed on a substrate surface including the opening in a non-selective manner.例文帳に追加

ベース引き出し電極となる多結晶半導体層とその上に積層した絶縁膜にベース領域用の開口を形成し、該開口を含む基板表面にエピタキシャルベース膜を非選択で成膜する。 - 特許庁

例文

In a separating material for web sintering in which the surface of a stainless mesh is deposited with a chromium oxide film to a thickness of 10 μm or more, a stainless mesh is subjected to selective oxidation treatment at 700 to 800°C to deposit a chromium oxide film.例文帳に追加

ステンレスメッシュの表面に酸化クロム皮膜を厚み10μm以上形成したウェブ焼結用分離材料において、ステンレスメッシュを700〜800℃にて、選択酸化処理し、酸化クロム皮膜を形成する。 - 特許庁

By use of this phenomenon, the surface of a metal sample is observed and evaluated in the state where selective discharge is caused according to the kind of inclusions or the like, whereby information of a specified kind of inclusions or the like can be obtained.例文帳に追加

この現象を利用し、介在物等の種類に応じて選択放電を起こした段階において金属試料の表面を観察評価して、特定の種類の介在物等の情報を得ることができる。 - 特許庁

Since the silicon surface can be precisely grown up to a desired position by the method of selective epitaxial growth, the size of a protrusion formed at the end of the footprint of a trench can be precisely adjusted to have a desired size.例文帳に追加

選択エピタキシャル法で精度よく所望の位置までシリコン面を成長させることが可能であるため、トレンチ底面端部に形成する突出部の大きさを所望の大きさに精度よく調整することができる。 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface emitting laser which can prevent delamination at the interface of a selective oxidation layer and a spacer layer while suppressing the voltage rise, and can enhance reliability.例文帳に追加

電圧の上昇を抑制しながら選択酸化層とスペーサ層との界面での剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

The hydrogen selective gas separation material of this invention is provided with a porous substrate and the membrane arranged on the surface of the porous substrate and the membrane is constituted with at least two layers or more and the element distribution in each layer is different.例文帳に追加

本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基材と、この多孔質基材の表面に配設された膜とを備え、この膜は、少なくとも2層以上から構成され、各層の元素分布が異なる。 - 特許庁

The silicon nitride film 31 is used as a mask for selective oxidation to form a silicon oxide film 33, and after the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are removed, a silicon oxide film 34 is formed over the entire surface.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜31をマスクとして選択酸化を行ってシリコン酸化膜33を形成し、シリコン窒化膜31、シリコン酸化膜30を除去した後、さらに全面にシリコン酸化膜34を形成する。 - 特許庁

A heavily boron-doped diamond layer 3a to be a source and a heavily boron-doped diamond layer 3b to be a drain are formed on a single crystal subtrate 1 of a diamond with its surface being {100} face by a selective growth method.例文帳に追加

表面が{100}面であるダイヤモンドの単結晶基板1上に、選択成長法により、ソースとなる高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層3a及びドレインとなる高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層3bを形成する。 - 特許庁

To provide a driving method capable of preventing erroneous discharge even when a selective elimination address method is applied in a plasma display panel constituted such that column electrodes are provided on a front surface substrate side together with row electrodes.例文帳に追加

列電極が行電極と共に前面基板側に設けられた構成のプラズマディスプレイパネルにおいて選択消去アドレス法を適用しても誤放電を防止することができる駆動方法を提供する。 - 特許庁

The heat treatment process removes a metal oxide produced by the selective oxidation process by a reducing a reaction or prevents the formation of whisker nuclei by making the metal oxide contain hydrogen atoms to suppress surface mobility.例文帳に追加

熱処理工程は選択的酸化工程による金属酸化物を還元反応によって除去したり、又は、金属酸化物の内部に水素原子を含ませて、ウィスカ核の形成を防止し、表面移動度を抑制する。 - 特許庁

The selective oxide films 3-1, 3-2,... for isolating element forming regions from each other are formed by forming an oxidation resistant sidewall 15 on the inner circumferential surface of a mask opening 14a and oxidizing it after shrinking.例文帳に追加

尚、マスク開口14aの内周面に耐酸化性サイドウォール15を形成することによりシュリンクしたうえで選択酸化することにより素子形成領域間分離用選択酸化膜3−1、3−2、・・・を形成する。 - 特許庁

The clearance space 15 is formed by a selective diametrical reduction of an outer peripheral surface of the tip 12a, of both outer peripheries of the tip 12a and the base end 12b in the connection part 12 of the vacuum pump 11.例文帳に追加

この退避空間15は、バキュームポンプ11の接続部12における先端部12a及び基端部12bの両外周面のうちの先端部12aの外周面の選択的な縮径によって形成される。 - 特許庁

Such a device is produced by providing a wafer comprising a growth surface, growing an optical waveguide core mesa on the growth surface by means of micro-selective area growth at a first temperature, and covering the optical waveguide core mesa with a cladding material at a second temperature that is lower than the first temperature.例文帳に追加

このようなデバイスは、成長面を有するウェハを設け、光導波コアメサを、マイクロ選択領域成長によって第1の温度で成長面上に成長させ、光導波コアメサを、第1の温度より低い第2の温度でクラッド材料で覆うことによって製造する。 - 特許庁

In the surface-emitting semiconductor laser element formed on the normal substrate such as the facial azimuth (100) surface, anisotropic stress is impressed to the center of an active layer, and the polarization controllability of the element is improved by forming asymmetrical selective oxidation structure on an Al high concentration layer in a mesa.例文帳に追加

面方位(100)面等の通常基板上に作製した面発光型半導体レーザ素子において、メサ内部のAl高濃度層部分に非対称の選択酸化構造を形成することにより、活性層中心部に異方的な応力を印加し、素子の偏波制御性を高める。 - 特許庁

The method comprises a process that contacts an exposed copper surface with a gaseous compound comprising a noble metal, and a process that selectively forms a noble metal layer on the exposed copper surface by a copper substitution reaction or a noble metal selective depositing (for example, ALD or CVD).例文帳に追加

当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着(例えば、ALDまたはCVD)により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 - 特許庁

To provide a modified molded article applicable to e.g. whole or selective surface electroless plating with a simple process without roughening the surface and thus without using a large amount of a harmful substance, a molding process therefor and a molding apparatus used for production of molded article.例文帳に追加

簡単な工程で、表面を粗面化することなく、したがって多量の有害物質を使用することなく、表面を全体的又は選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能に改質した成形品、その成形方法、それに使用される成形装置を提供すること。 - 特許庁

The combined material is provided with a rugged part formed on the surface of a copper based alloy material by treating the copper based alloy material with a selective chemical etching liquid and selectively removing easily corrodible components and oxides comprised in the copper based alloy in the copper based alloy material, and a film provided on the surface of the copper based alloy material with the rugged part formed.例文帳に追加

特に、銅系合金材表面にPTFEや二硫化モリブデンなどの固体潤滑剤が強固に密着固定され、無給油環境下や腐食性環境下においても良好な摺動性や耐焼付性を有する銅系合金材(複合材)を提供することである。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

The parallel optical transmitter-receiver 10 is equipped with a surface emitting element array 30 in which a normal line direction of the light receiving/emitting face is made to coincide, a surface receiving element array 31, an optical waveguide 10, and a wavelength selective filter 14 that is arranged at a prescribed angle in the intermediate part of the optical waveguide 10.例文帳に追加

並列光送受信装置10は、受発光面の法線方向を一致させた面型発光素子アレイ30と、面型受光素子アレイ31と、光導波路10と、光導波路10の中間部に所定の角度で配された波長選択フィルタ14とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal oxide suitable for use as a catalyst carrier of a catalyst for cleaning of exhaust gas of an internal combustion engine and maintaining a large specific surface area with age and to provide a method for producing a multiple metal oxide having a widely selective composition and a large specific surface area.例文帳に追加

内燃機関の排気ガス浄化用触媒の触媒担体に適する経時的に高い比表面積を維持する金属酸化物の製造方法を提供し、また、広範囲に選択可能な組成を有する比表面積の高い複合金属酸化物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cathode for the fuel cell has a catalyst layer comprising a catalyst carrying conductor; a polymer electrolyte; and a conductor whose surface is modified with a high oxygen selective polymer, or has the catalyst layer comprising the catalyst carrying conductor and the polymer electrolyte, and the surface of the catalyst carrying conductor is modified with the high oxygen selective polymer.例文帳に追加

触媒担持導電体と、高分子電解質と、表面が高酸素選択性ポリマーで修飾された導電体からなる触媒層を有することを特徴とする燃料電池用カソード、または、触媒担持導電体と、高分子電解質とからなる触媒層を有する燃料電池用カソードであって、前記触媒担持導電体の表面が高酸素選択性ポリマーで修飾されたことを特徴とする燃料電池用カソード。 - 特許庁

To provide a selective pattern forming method of an inorganic substance with which a polarization element in which an inorganic substance layer is formed on projected parts of the surface of a substrate so as not to be inclined toward the direction of the normal of the substrate and also the surface of the substrate is exposed in recessed parts of the surface, and which is bright and is excellent in polarization chracteristics can be manufactured easily.例文帳に追加

本発明の目的は、基板表面の凸部に該基板の法線方向に対して片寄ることのないように無機物層を形成し、且つ凹部においては基板表面が露出した、明るく、また偏光特性に優れた偏光素子を容易に製造することが可能な無機物の選択的パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、AlAs層と、III族元素であるXを含むXAs層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The selective absorption film composed of a multilayered film including a dielectric film and at least one or more kinds of chrome films selected from chrome, chrome nitride and chrome oxynitride, is formed on a surface of a base material of the solar heat collecting plate.例文帳に追加

誘電体膜と、クロム、窒化クロム、及び酸窒化クロムからなる群から選択された一種以上のクロム系膜とを含有する多層膜からなる選択吸収膜を、太陽熱集熱板の基材の表面に形成する。 - 特許庁

In the device, chiral nematic liquid crystals are held between a substrate 11 which is provided with comb-shaped electrodes 12a and 12b and a substrate 21 which is provided with a flat surface electrode 22 and display is conducted by utilizing selective reflection of the liquid crystals.例文帳に追加

櫛歯状電極12a,12bを備えた基板11と平面電極22を備えた基板21との間にカイラルネマチック液晶を挟持し、該液晶の選択反射を利用して表示を行う液晶表示装置。 - 特許庁

This functional carbonizing material is formed by immobilizing a component derived from an organic acid onto and/or into a surface of a base material consisting of a carbonizing material of organic matter and has the selective absorbability to the basic materials.例文帳に追加

有機物の炭化材料からなる基材の表面および/または内部に有機酸由来成分が固定されてなり、塩基性物質に対する選択的吸収能を有することを特徴とする機能性炭化材料。 - 特許庁

Since the selective reduction type NOx catalyst 5 is rotating when urea water is supplied from an injection nozzle 7, the position of an end surface 12a of a catalyst carrier 12 to which the supplied urea water is sprayed differs each time.例文帳に追加

噴射ノズル7から尿素水が供給される際、選択還元型NOx触媒5が回転しているので、供給された尿素水が触媒担体12の端面12aに当たる位置が毎回異なるようになる。 - 特許庁

A selective epitaxial growth is performed in this region to form collector layers 210a, 210b, and a base layer 213 is formed on the collector layer 210a, and an emitter layer 216 is formed on a partial surface of the base layer 213.例文帳に追加

この領域に選択的エピタキシャル成長を行ってコレクタ層210a及び210bを形成し、コレクタ層210a上にベース層213を形成し、ベース層213の表面のー部分にエミッタ層216を形成する。 - 特許庁

This method efficiently uses a selective refinement criteria for view-dependent parameters based on a view frustum 188, a surface orientation 190, and a screen-space geometric error 192 to produce graphical objects and images as graphical shapes.例文帳に追加

方法は、ビュー錐台(188)、表面方位(190)及びスクリーンスペース幾何学的誤差(192)に基づくビュー依存パラメータの選択洗練基準を有効に用いて、図形オブジェクト及びイメージを図形形状として発生させる。 - 特許庁

To prevent the breakdown voltage between an emitter and a collector and a breakdown yield from lowering by forming a base region on the surface of a semiconductor substrate other than a selective oxidation silicon film formation region and forming a second-conductive type emitter region in the base region.例文帳に追加

超高速動作用の微細な構造とするために、選択酸化シリコン膜とエミッタ領域が接してもエミッタ−コレクタ間の耐圧や耐圧歩留りが劣化することがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a circuit board, which provides filled type via holes and external terminal parts provided on the side of the other surface of an insulating layer, in such a way that the holes and the external terminal parts are coupled integrally with each other in addition to a wiring part formed by selective plating and the via holes.例文帳に追加

選択めっき形成された配線部、充填タイプのビアホールに加え、ビアホールと該絶縁層の他の面側に設けた外部端子部とを一体的に連結して設けた回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aperture manufacturing equipment and a method of a surface emitting laser by selective oxidation method wherein change of a resonance wavelength is observed by using an optical spectrum analyzer and an aperture manufacturing process can be monitored.例文帳に追加

光スペクトル分析器を使って共振波長の変化を観察し、これによりアパーチャ製造工程をモニターリングできるようにした選択的酸化法による表面光レーザーのアパーチャ製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

After that, a side wall forming film 7a is formed over the entire surface, and the selective etching of the side wall forming film is carried out on the basis of an etching selectivity ratio, thereby forming side walls 7 on side faces of the readout electrode via the second insulating film.例文帳に追加

次に、全面にサイドウォール形成膜7aを形成し、エッチング選択比に基づくサイドウォール形成膜の選択的エッチングにより、読み出し電極の側壁に第二絶縁膜を介してサイドウォール7を形成する。 - 特許庁

To provide a device in which a control means of variable impedance at an opening hole part which has been installed at a wall surface of a heating room in order to surely perform a uniformalization of heating of heated substance or a selective heating of a specific region.例文帳に追加

本発明は、被加熱物の加熱の均一化あるいはその特定領域の選択加熱を確実に行うための加熱室壁面に設けた開孔部のインピーダンス可変の制御手段を備えた装置を提供するものである。 - 特許庁

The surface state of the electron source substrate is controlled, and a coating material according to the controlled surface state is applied onto the electron source substrate, whereby a high resistance film 6 for selective antistatic is formed in the area other than the electron emitting elements (element film 4) on the electron source substrate.例文帳に追加

電子源基板の表面状態を制御し、その制御された表面状態に応じた塗料を電子源基板上に塗布することにより、電子源基板上の電子放出素子(素子膜4)以外の領域に選択的に帯電防止のための高抵抗膜6を成膜することを特徴とする。 - 特許庁

An NOx selective reduction catalyst 3a is carried on a catalyst carrier 3, through which a reducing agent R passes, an exhaust gas passage 2 is arranged on one surface of the catalyst carrier 3, a reducing agent passage 4 is arranged on the back surface, and the reducing agent R permeates the catalyst carrier 3 and is supplied to a catalyst reaction field.例文帳に追加

還元剤(R)が透過する性質を有する触媒担体(3)でNOx選択還元触媒(3a)を担持し、その触媒担体(3)の一方の面に排気ガス通路(2)を、その裏面に還元剤通路(4)をそれぞれ配設し、還元剤(R)が触媒担体(3)を透過して触媒反応場に供給されるように構成する。 - 特許庁

Either one of the surface emitting element array 30 and the surface receiving element array 31 is optically coupled to the optical waveguide 10 through the wavelength selective filter 14, while the other of these element arrays 31, 30 is optically coupled to the optical waveguide 10 through the 45° slope 15 of the optical waveguide core end.例文帳に追加

面型発光素子アレイ30及び面型受光素子アレイ31の一方が、波長選択フィルタ14を介して光導波路10と光学的に結合され、それらの素子アレイ31,30の他方が、光導波路コア端部の45度傾斜面15を介して光導波路10と光学的に結合されている。 - 特許庁

A microlens array LA_12 has a structure in which, on a translucent substrate 50, convex lenses L_51-L_54 are installed on one principal surface while fitting pins 62A, 62B are installed on the other principal surface through the selective plating process, a microlens array is formed by combinedly fitting the pins 62A, 62B in the holes of the members 38A, 38B.例文帳に追加

マイクロレンズアレイLA_12は、透光基板50にて一方の主面にそれぞれ凸レンズL_51〜L_54を設け且つ他方の主面に選択メッキ処理により嵌合ピン62A,62Bを設けたもので、ピン62A,62Bを部材38A,38Bの孔に嵌合させて組合せマイクロレンズアレイを構成する。 - 特許庁

This ligand immobilization substrate wherein a specific chemical structure group containing epoxy group at least on the surface section of a porous film, is used as the cell selective adsorbent by immobilizing the ligand having the affinity on the specific cell surface, and its production method is provided.例文帳に追加

多孔膜の少なくとも表面部分にエポキシ基を含む特定の化学構造基が結合しているリガンド固定化用基材であって、特定の細胞表面に親和性を有するリガンドを固定化することで細胞選択吸着材として使用されることを特徴とする前記リガンド固定化用基材およびその製造方法。 - 特許庁

One method for selective case hardening by low temperature carburization includes the steps of: applying a carbon blocking mask over surface areas of the article that are not going to be carburized; activating those surface areas that are to be carburized; diffusing carbon into the activated surface areas at a temperature below which carbides readily form; and removing the carbon blocking mask.例文帳に追加

低温浸炭による選択的肌焼きの一方法は、浸炭される予定の製品の表面領域上に炭素遮蔽マスクを適用すること、浸炭されるこれらの表面領域を活性化すること、カーバイドが容易に形成する温度より低い温度で、活性化された表面領域中に炭素を拡散させること、及び炭素遮蔽マスクを除去すること、の段階を含む。 - 特許庁

例文

To provide a site-selective surface modification method capable of site- selectively modifying a polymer material surface, simply and rapidly, and the properties of the modified surface is kept permanently without aging, and a manufacturing method of a printing plate without printing stain on a base material and excellent in storage stability by a simple and rapid dry treating way.例文帳に追加

簡便かつ迅速に高分子材料表面を部位選択的に改質することができ、しかも改質された表面性状が経時変化を受けることなく恒久的に保持される部位選択的表面改質方法を提供すること、簡便、迅速な乾式処理方式により、地汚れのない耐刷性と保存安定性に優れた印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁




  
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