「semiconductor counter」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

COUNTER TEST CIRCUIT AND METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

カウンタテスト回路及び方法並びに半導体デバイス - 特許庁

PIPE COUNTER SIGNAL GENERATING DEVICE IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置におけるパイプカウンタ信号発生装置 - 特許庁

COUNTER CIRCUIT, LATENCY COUNTER AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH THE SAME, AND, DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

カウンタ回路、レイテンシカウンタ及びこれを備える半導体記憶装置、並びに、データ処理システム - 特許庁

COUNTER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCORPORATING THE SAME例文帳に追加

カウンター回路及びそれを内蔵した半導体集積回路 - 特許庁

The first semiconductor is electrically connected to the counter electrode.例文帳に追加

第１半導体は対向電極と電気的に接続されている。 - 特許庁

The counter electrode 20 is arranged opposed to the semiconductor electrode 10.例文帳に追加

対向電極２０は、半導体電極１０に対向して配設される。 - 特許庁

A semiconductor chip 48 is made thicker than a counter substrate 32.例文帳に追加

半導体チップ４８の厚さは対向基板３２の厚さよりも厚くなっている。 - 特許庁

BIT COUNTER, AND PROGRAM CIRCUIT AND PROGRAM METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ビットカウンタとこれを用いた半導体素子のプログラム回路及びプログラム方法 - 特許庁

The counter electrode 6a is arranged opposed to the semiconductor electrode 3a.例文帳に追加

対向電極６ａは半導体電極３ａに対向して配置されている。 - 特許庁

LATENCY COUNTER AND SEMICONDUCTOR STORAGE HAVING THE SAME, AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

レイテンシカウンタ及びこれを備える半導体記憶装置、並びに、データ処理システム - 特許庁

ADDRESS COUNTER AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH THE SAME, AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

アドレスカウンタ及びこれを有する半導体記憶装置、並びに、データ処理システム - 特許庁

On the electrode 10, the semiconductor electrode 3A of the share of one cell size and the counter electrode 6b of the share of one cell size are installed, and this semiconductor electrode 3A is opposedly installed to the counter electrode 6a, and the counter electrode 6b is opposedly installed to the semiconductor electrode 3b.例文帳に追加

電極１０上には、１セル分の大きさの半導体電極３Ａと１セル分の大きさの対向電極６ｂが設けられており、この半導体電極３Ａは前記対向電極６Ａに対向配置され、対向電極６ｂは半導体電極３ｂに対向配置されている。 - 特許庁

Output voltage is taken out from the middle of the semiconductor electrode 2b and the counter electrode 6a.例文帳に追加

半導体電極２ｂと対向電極６ａとの間から出力電圧が取り出される。 - 特許庁

The electrolyte 30 is arranged in a space between the semiconductor electrode 10 and the counter electrode 20.例文帳に追加

電解質３０は、半導体電極１０と対向電極２０との間の空間に配設される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a first counter 12 formed in a semiconductor substrate 1 having a first area, periodically counting signals, and outputting a first counter signal which is a counting result.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、第１領域を有する半導体基板１内に設けられ、周期的に計数し、計数の結果の第１カウンタ信号を出力する第１カウンタ１２を含む。 - 特許庁

To reduce the current consumed in a column address counter at the time of read-out operation in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、読み出し動作の際にコラムアドレスカウンタで消耗する電流を減らす。 - 特許庁

To suppress increase of a design period and rise of cost for a semiconductor integrated circuit, related to a counter measure for clock skew.例文帳に追加

クロックスキュー対策の点で、半導体集積回路の設計期間の増大やコスト上昇を抑える。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit 1 comprises a class-D amplifier 100, a selector 140, and a counter 150.例文帳に追加

半導体集積回路１は、Ｄ級増幅器１００と、セレクタ１４０と、カウンタ１５０とを有する。 - 特許庁

To provide an indication for a design change and the like as counter measure to a failure in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の故障を減らすために実施すべき設計変更等に対する指標を与える。 - 特許庁

The photoelectric transfer element includes a semiconductor electrode 9 having a semiconductor layer 6 having a pigment adsorbed, a counter electrode 3 provided opposedly to the semiconductor electrode 9, and an electrolyte layer 4 containing an ionic solution, nitroxyl radical and an oxoammonium salt, and provided to contact respectively with the semiconductor layer 6 of the semiconductor electrode 9 and the counter electrode 3, in a position sandwiched by the semiconductor electrode 9 and the counter electrode 3.例文帳に追加

色素を吸着させた半導体層６を有する半導体電極９と、半導体電極９に対向して設けられる対電極３と、イオン液体、ニトロキシルラジカル、および、オキソアンモニウム塩を含み、半導体電極９および対電極３に挟まれる位置に、半導体電極９の半導体層６および対電極３それぞれに接して設けられる電解質層４と、を有する光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a bit counter capable of shortening the program operation time in a program operation and to provide a program circuit and program method of a semiconductor device using the bit counter.例文帳に追加

プログラム動作時にプログラム動作時間を短縮させることが可能なビットカウンタと、これを用いた半導体素子のプログラム回路及びプログラム方法を提供すること。 - 特許庁

A counter electrode substrate 40 provides for a die sensitizing solar cell arranged through an electrolyte layer to counter an electrode substrate which includes on its surface a porous semiconductor layer where sensitizing die is carried.例文帳に追加

また、そのような対極基材を用いた、高効率で且つ低コストな色素増感型太陽電池、及び太陽電池モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device 50 is provided with a burn-in counter 1, a control unit 2, and a circuit 3 to be tested.例文帳に追加

半導体集積回路装置５０には、バーインカウンタ１、制御部２、及び被テスト回路３が設けられる。 - 特許庁

A semiconductor storage device 1 includes a plurality of memory cells MT, a logical gate chain 52, and a counter 30.例文帳に追加

実施形態の半導体記憶装置１は、複数のメモリセルＭＴと、論理ゲートチェーン５２と、カウンタ３０を備える。 - 特許庁

To provide a counter circuit capable of reducing power consumption and a semiconductor device using it.例文帳に追加

消費電力を低減することができるカウンタ回路とそれを使用する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

A dye sensitized photoelectric conversion element includes a conductive layer, a porous semiconductor layer, an electrolyte layer and a counter electrode.例文帳に追加

色素増感型光電変換素子は、導電層、多孔質半導体層、電解質層、および対極を備える。 - 特許庁

The light energy conversion apparatus is constituted so as to have the semiconductor photoelectrode 15 and a counter electrode 16 which are connected to each other, to form the semiconductor photoelectrode 15 from the nitride semiconductor 18 having a titanium oxide film 19 formed on the surface and to arrange the counter electrode 16 and the semiconductor photoelectrode 15 in a solution 13.例文帳に追加

互いに電気的に接続された半導体光電極１５と対向電極１６を有し、半導体光電極１５が表面に酸化チタン膜１９を成膜した窒化物半導体１８で形成され、対向電極１６及び半導体光電極１５が溶液１３中に配置されて成る。 - 特許庁

As the semiconductor layer 3, a porous layer formed by sintering fine particles of titanium oxide TiO_2 is used, and the counter electrode 5 made of a platinum layer 5b or the like is formed on the counter substrate 6.例文帳に追加

半導体層３としては、酸化チタンＴiＯ_2の微粒子を焼結させた多孔質層を用い、白金層５ｂなどからなる対向電極５を対向基板６の上に形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 1 includes a loop counter 11, a clock selector 13, an operator 14, and an RAM 16.例文帳に追加

本発明にかかる半導体集積回路１は、ループカウンタ１１、クロックセレクタ１３、演算器１４、ＲＡＭ１６を備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element of a counter electrode structure wherein contact resistance is reduced.例文帳に追加

接触抵抗が低減された対向電極構造の窒化物半導体素子を提供することを本発明の目的とする。 - 特許庁

The susceptor 1 (30, 40) has a counter bore 2 to position the semiconductor substrate W in the supporting state.例文帳に追加

当該サセプタ１（３０，４０）に対し該支持状態で半導体基板Ｗを位置決めさせるための座ぐり２を有する。 - 特許庁

The solar cell 1 includes a semiconductor electrode 10, a counter electrode 20, an electrolyte 30, and a sealing material 40.例文帳に追加

太陽電池１は、半導体電極１０と、対向電極２０と、電解質３０と、封止材４０とを有する。 - 特許庁

A bypass circuit 8 comprising a semiconductor switching element 7 is connected in parallel with a needle electrode 1 and a counter electrode 2.例文帳に追加

半導体スイッチング素子７によるバイパス回路８を、針電極１と対向電極２に対して並列接続する。 - 特許庁

The first function layer includes a first metal layer, a first counter layer, and a first semiconductor layer disposed between the first metal layer and the first counter layer and contacting both the first metal layer and the first counter layer.例文帳に追加

前記第１機能層は、第１金属層と、第１対向層と、前記第１金属層と、前記第１対向層と、の間に設けられ、前記第１金属層及び前記第１対向層のそれぞれに接する第１半導体層と、を有する。 - 特許庁

To provide a growth method for a nitride semiconductor, which can be used for element structure in the arrangement of the element structure of a counter electrode, out of, by reducing the through transposition of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体の貫通転位を減らし、素子構造内、対向電極配置の素子構造に用いることができる窒化物半導体の成長方法を得る。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element having a semiconductor electrode and a counter electrode opposing the semiconductor electrode with an electrolyte layer interposed, the counter electrode is composed of a carbonaceous layer carrying at least carbon power.例文帳に追加

半導体電極と、当該半導体電極と電解質層を介して対峙する対向電極とを有する光電変換素子において、前記対向電極が、少なくともカーボン粉末を担持した炭素質層で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a semiconductor wafer for enabling a particle counter to detect the foreign matters on the surface of the semiconductor wafer, whose particle size being not larger than the detection threshold of the particle counter, particularly, foreign matters whose particle sizes are ≤0.055 μm by making them apparent.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面の異物で、パーティクルカウンタの検出限界以下のもの、特に０．０５５μｍ以下のサイズの異物を顕在化させ、パーティクルカウンタで検出することを可能にする半導体ウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

COUNTER CIRCUIT, A/D CONVERSION METHOD AND A/D CONVERSION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DETECTING PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

カウンタ回路、ＡＤ変換方法およびＡＤ変換装置、並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器 - 特許庁

Each cell structure 10 includes a transparent electrode layer 1, a porous semiconductor layer 2, and a counter electrode layer 4.例文帳に追加

セル構造体１０は、透明電極層１と、多孔質半導体層２と、多孔質半導体層２と、対電極層４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes a digital control oscillator, a counter, a time digital converter, an adder, and a control signal generating part.例文帳に追加

半導体集積回路は、デジタル制御発振器と、カウンタと、時間デジタル変換器と、加算器と、制御信号生成部と、を備える。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 10 includes a semiconductor layer 11, a dye layer 12 formed on one surface of the semiconductor layer 11, a transparent electrode layer 13 formed on the other surface of the semiconductor layer 11, a counter electrode 14 countering the dye layer 12, and an electrolyte layer 15 interposed between the dye layer 12 and the counter electrode 14.例文帳に追加

光電変換素子１０は、半導体層１１、半導体層１１の一方の面に設けられた色素層１２、半導体層１１の他方の面に設けられた透明電極層１３、色素層１２に対向して配された対極１４、及び色素層１２と対極１４との間に配された電解質層１５を具備する。 - 特許庁

The dye sensitized solar cell includes: a transparent conductive layer; one or more porous semiconductor layers provided on the transparent conductive layer and including a sensitized dye supported thereon; a counter electrode provided to face the porous semiconductor layers; and an electrolyte layer provided between the porous semiconductor layers and the counter electrode.例文帳に追加

色素増感太陽電池は、透明導電層と、透明導電層上に設けられ、増感色素が担持された１または２以上の多孔質半導体層と、多孔質半導体層と対向して設けられた対極と、多孔質半導体層と対極との間に設けられた電解質層とを備える。 - 特許庁

With the photoelectric transducer element with comprises an electrode with a sensitizing-dye carrying semiconductor layer on its one surface, a counter electrode facing the semiconductor layer and an electrolyte layer between the above semiconductor layer and the counter electrode, the semiconductor layer and the sensitizing dyes of the above sensitizing-dye carrying semiconductor layer are combined through ether bonding.例文帳に追加

少なくとも、一方の面上に、増感色素担持半導体層が被着された電極と、この電極の前記増感色素担持半導体層と対峙する対電極と、前記電極の増感色素担持半導体層と対電極との間に配設された電解質層とを有する光電変換素子において、前記増感色素担持半導体層における半導体層と増感色素とをエーテル結合を介して結合させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which an optional refresh address can be set to a refresh counter and it can be output to the outside, in a semiconductor device comprising a memory cell part which needs refreshing.例文帳に追加

リフレッシュが必要なメモリセル部を持つ半導体装置において、任意のリフレッシュアドレスのリフレッシュカウンタへの設定、およびその外部への出力ができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer, a charge transport layer, and counter electrodes on a conductive support body, the semiconductor layer has oxide semiconductor particles having absorbed dyes dispersed in a p-type semiconductor polymer compound, and the semiconductor layer contains an n-type semiconductor compound.例文帳に追加

導電性支持体上に、半導体層、電荷輸送層及び対向電極を有する光電変換素子において、前記半導体層は、色素を吸着した酸化物半導体粒子がｐ型半導体高分子化合物中に分散されており、かつ前記半導体層はｎ型半導体化合物を含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁