「silicon thin films」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method further comprises the steps of then, as shown in Fig. (D), forming metal thin films 60 and 70 on the gate insulation film 50, irradiating the films with a laser beam 80 from above to crystallize the amorphous silicon thin film 40 to a polycrystalline silicon thin film 90 and a single-crystal silicon thin film 100.例文帳に追加

つぎに、図１（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜５０の上に金属薄膜６０および７０を形成し、その上からレーザー光８０を照射して非晶質シリコン薄膜４０を結晶化させ、多結晶シリコン薄膜９０および単結晶シリコン薄膜１００とする。 - 特許庁

To reduce variations of characteristics of two kinds of thin-film transistors having channel-length directions made orthogonal to each other which are so formed of polysilicon thin films as to change amorphous silicon films into the polysilicon films crystallized by the scanning projection of a CW laser on the amorphous silicon films, in an active-matrix type liquid crystal display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。 - 特許庁

Amorphous thin silicon films can be formed simultaneously on the opposite sides of a glass substrate by depositing amorphous thin silicon films on the glass substrate by low pressure (LP)-CVD method.例文帳に追加

減圧(LP)-CVD法により非晶質シリコン薄膜をガラス基板上に堆積することによりガラス基板両面に一度に非晶質シリコン薄膜を形成することができる。 - 特許庁

A multilayer optical element 1 is formed by alternately stacking silicon oxide thin films and niobium pentoxide thin films to form a multilayer structure consisting usually of 50 to 100 layers and has a total thickness of 20 to 30 μm.例文帳に追加

多層膜光学素子１は、酸化ケイ素薄膜と五酸化ニオブ薄膜を交互に積層（通常５０〜１００層）して形成されており、全体として２０〜３０μｍの厚さとなっている。 - 特許庁

As a photovoltaic element used is a photovoltaic element including as a component a laminate wherein an n-type impurity semiconductor silicon thin film and a p-type impurity semiconductor silicon thin film are bonded via an intrinsic semiconductor silicon thin film, and at least one of those silicon thin films is a silicon thin film containing chlorine atoms at a concentration of, for example, 0.005 to 5 atom.%.例文帳に追加

光起電力素子として、ｎ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とｐ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも１つが例えば０．００５原子％〜５原子％の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。 - 特許庁

This wiring for display device is formed in the upper part of a silicon or glass substrate and includes thin films consisting of silver or silver alloy.例文帳に追加

ケイ素またはガラス基板上部に形成されており、銀または銀合金からなる薄膜を含む表示装置用配線。 - 特許庁

The gate insulating film 4 comprises silicon nitride films 4a and 4b, so neither electric characteristic nor reliability varies in the thin film transistor 1c.例文帳に追加

ゲート絶縁層４は、シリコン窒化膜４ａ、４ｂであるので、薄膜トランジスタ１ｃの電気特性や信頼性が変化しない。 - 特許庁

To crystalize amorphous silicon thin films formed on a substrate to be processed according to a specified pattern.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜を、所定のパターンに従って結晶化することができるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

In a thin film transistor, its foundational film, its gate insulation film, and its interlayer insulation film are formed out of silicon oxide films.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。 - 特許庁

This minute structural body is formed by using silicon layers made of thin films on an insulating substrate.例文帳に追加

本発明は、絶縁基板上に薄膜でなるシリコン層を用いて微小構造体を形成することを特徴とする。 - 特許庁

More preferably, the thin films of the negative electrode active material are formed of a silicon-based alloy, with a thickness of ≤3 μm.例文帳に追加

また、前記負極活物質の薄膜が、シリコン系の合金で形成され、厚さ３μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor junction made of the silicon-based thin film, at least one of the silicon-based thin films contains a microcrystal, and the microcrystal at least at one interface region of the silicon-based thin film containing the microcrystal is not orientated.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、シリコン系薄膜からなる半導体接合を有する半導体素子において、前記シリコン系薄膜の少なくともひとつが微結晶を含んでおり、前記微結晶を含んだシリコン系薄膜の少なくとも一方の界面領域の微結晶が、無配向性であることを特徴とする。 - 特許庁

A negative active material thin film installed directly or through a primary coat on a current collector layer has a multilayer structure containing two or more silicon thin films containing silicon as the main component.例文帳に追加

集電体層上に直接又は下地層を介して設けられる負極活物質薄膜がシリコンを主成分として含む２以上のシリコン薄膜を含む多層構造を有する。 - 特許庁

Each of the first and second silicon thin films 2 and 5 can micromachine an opening 7, and the strength of the stencil mask is enhanced by laying them in layers thereby making thick the silicon thin film.例文帳に追加

第１及び第２のシリコン薄膜２，５は各々開口部７形成の微細加工が可能であり、これらを重ね合わせることによってシリコン薄膜の膜厚を厚くすることでステンシルマスクの強度を高めることができる。 - 特許庁

An isolated silicon thin-film (element region) 12 is formed on an insulating substrate, and the groove between the silicon thin-films 12 is filled with an insulating material.例文帳に追加

絶縁性基板２１上には、分離されたシリコン薄膜（素子領域）１２が形成され、シリコン薄膜１２間の溝には、絶縁材料１３が埋め込まれる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a silicon wafer that can make more uniform the resistivities of silicon thin films formed on silicon wafers manufactured as a batch.例文帳に追加

同一バッチで製造するシリコンウェーハに形成されるシリコン薄膜間の抵抗率をより均一化できるシリコンウェーハの製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The resistance temperature coefficient is enhanced by optimizing a film forming temperature for the silicon nitride films, in particular, the second silicon nitride film 106 in an upper layer side thereof, and the silicon nitride films are formed to be thin, so as to suppress an increase of thermal conductivity to the minimum by arranging silicon oxide films in an upper layer and a lower layer (or upper layer) thereof.例文帳に追加

更に、シリコン窒化膜、特に上層側の第２シリコン窒化膜１０６の成膜温度を最適化することにより、抵抗温度係数を向上させることができ、シリコン窒化膜を薄く形成し、その上層及び下層（又は上層）にシリコン酸化膜を配設することにより熱伝導度の増加を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

Several dielectric precursor thin films 4-7 are formed on a lower electrode thin film 3 in such a way that the concentration of Ti in the dielectric precursor thin film 4 on the side of a silicon substrate 1 is smaller than that of Ti in the dielectric precursor thin film 7 on the side opposite to the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１側の誘電体前駆体薄膜４におけるＴｉの濃度が、シリコン基板１と反対側の誘電体前駆体薄膜７におけるＴｉの濃度よりも小さくなるようにして、複数の誘電体前駆体薄膜４，…，７を下部電極薄膜３上に形成する。 - 特許庁

In the plastic container coated with thin film having a plurality of layers of thin films being coated on an inner surface thereof, the plurality of layers of thin films include at least one carbon film 2 and at least one silicon oxide film 3.例文帳に追加

内側表面に複数層の薄膜が形成されたプラスチック容器において、該複数層の薄膜が少なくとも１層以上の炭素膜２および１層以上の酸化ケイ素膜３を含むことを特徴とする薄膜被覆されたプラスチック容器。 - 特許庁

The layer 20 has a comparatively low compositional ratio of a silicon thin film and a nitrogen thin film if existing, and provides a low specific resistance combined with a high diffusion barrier property which is brought by the amorphous form of the thin films.例文帳に追加

バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。 - 特許庁

The light shielding pattern 52 comprises a metallic thin film of aluminum, molybdenum, silicon, tungsten or the like or a dielectric multilayer film formed, e.g. by alternately laminating calcium fluoride films and lanthanum fluoride films.例文帳に追加

遮光性パターン５２はアルミニウム、モリブデン、シリコン、若しくはタングステン等の金属薄膜、又はフッ化カルシウム膜とフッ化ランタン膜とを交互に積層する等による誘電体多層膜から構成される。 - 特許庁

Wiring 23 and polyimide films 22 and 25 connected to the metal films 21A and 21B are formed on the main surface of the wafer 31, and then a thin film sheet is formed by removing silicon oxide film 34, the wafer 31 and a conductive film 35.例文帳に追加

次いで、ウエハ３１の主面上に金属膜２１Ａ、２１Ｂと接続する配線２３およびポリイミド膜２２、２５を形成した後に酸化シリコン膜３４、ウエハ３１および導電性膜３５を除去して薄膜シートを形成する。 - 特許庁

An optical part 10 is obtained by laminating a large number of layers of optical thin films 13 on a transparent or semitransparent supporting body 11 with an adhesion layer 12 consisting of silicon interposed between the films 13 and the supporting body 11.例文帳に追加

透明又は半透明の支持体１１に珪素よりなる密着層１２を介して光学薄膜層１３の多数層を積層することを特徴とする光学部品１０。 - 特許庁

In particular, impurity semiconductor films 5g and 5f (6g and 6f) are formed after the plasma processing, so that the impurity semiconductor films 5g and 5f (6g and 6f) are not exposed to plasma and does not change in quality, thereby achieving improvement in ON current corresponding to the semiconductor films 5b and 6b including the crystalline silicon with respect to the thin film transistors 5 and 6.例文帳に追加

特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 - 特許庁

Such manufacturing means that reflection films with high reflectance, which are damaged at high temperature can be used and that no damage is given to thin films or optical members when a sacrificial layer is removed, can be obtained by depositing an amorphous silicon sacrificial layer between reflection films and then removing the layer with xenon fluoride gas.例文帳に追加

反射膜間にアモルファス・シリコン犠牲層の成膜を行い、弗化キセノンガスで除去することにより、高温で損傷を生ずる高反射率の反射膜が使用でき、しかも、犠牲層除去時に薄膜、光学部材にダメージを与えることの無い製造手段が得られる。 - 特許庁

In this formation method of silicon-based thin films for introducing a feed gas, where silicon fluoride and hydrogen are contained into a vacuum vessel, and for forming the silicon-based thin films on a substrate introduced into the vacuum vessel by a high-frequency plasma CVD method, light emission intensity due to SiF α (440 nm) is to be higher than that due to Hα (656 nm).例文帳に追加

真空容器内にフッ素化シリコンと水素を含む原料ガスを導入し、前記真空容器内に導入した基板上に高周波プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン系薄膜を形成する方法であって、ＳｉＦα（４４０ｎｍ）に起因する発光強度が、Ｈα（６５６ｎｍ）に起因する発光強度以上であることを特徴とする。 - 特許庁

An insulation film 102 is deposited on the surface of a transmissive insulating substrate 101, amorphous thin silicon films 103a, 103b are deposited on the insulation film and the rear surface of the transmissive insulating substrate, the amorphous thin silicon film on the insulation film is formed insularly and irradiated with laser light 106 to form thin polysilicon films 104a, 104b.例文帳に追加

透光性絶縁基板101の表面上に絶縁膜102を堆積し、前記絶縁膜上と透光性絶縁基板の裏面の両面に非晶質シリコン薄膜103a,103bを堆積し、前記絶縁膜上の非晶質シリコン薄膜を島状に形成し、前記島状に形成された非晶質シリコン薄膜にレーザー光106を照射してポリシリコン薄膜104a,104bを形成する。 - 特許庁

After that, the several dielectric precursor thin films 4-7 are baked for crystallization and a ferroelectric thin film 10 in which the concentration of Ti is almost uniform in the direction of the depth of the silicon substrate 1.例文帳に追加

その後、複数の誘電体前駆体薄膜４，…，７の結晶化の焼成を行って、シリコン基板１の深さ方向においてＴｉの濃度が略均一な強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

Silicon thin films (31-35) are formed on an insulating film into an approximately T shape, a thin-film transistor 10 is formed in the horizontal direction, and a diode 20 is formed in the vertical direction.例文帳に追加

絶縁膜の上に略Ｔ字状にシリコン薄膜（３１〜３５）が形成され、このシリコン薄膜の中に、横方向に薄膜トランジスタ１０が形成され、縦方向にダイオード２０が形成されている。 - 特許庁

First, thin films Fs of silicon oxide or the like are formed on the one front surface and the end of a wafer W, and the wafer W is rotated as its front surface where the thin film Fs is formed is kept nearly horizontal in position and facing upward.例文帳に追加

先ず、一方表面および端面に酸化珪素などからなる薄膜Ｆｓが形成されたウエハＷが、薄膜Ｆｓが形成された面を上にしてほぼ水平に保持されて回転される。 - 特許庁

First to third layers of BCB thin films 106 are laminated as a dielectric thin film on a silicon substrate 109 by spin coating and firing.例文帳に追加

シリコン基板１０９上に、誘電体薄膜として、第１から第３までの３層のＢＣＢ薄膜１０６がスピンコートと焼成により積層されている。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin-film transistor 3 having a semiconductor thin film 41 made of an amorphous silicon is provided at an upper layer side rather than CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin film transistor 3 having a semiconductor thin film 42 made of an amorphous silicon is provided on the upper layer side, rather than an CMOS thin-film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 is constituted of at least grains 51 of pillar-shaped polycrystalline silicon, thin silicon oxide films 52 formed on surfaces of the grains 51 numerous silicon crystallites 63 of nanometer order, existing among the grains 51 and numerous silicon oxide films 64 which are insulating films of film thicknesses smaller than the grain sizes of the silicon crystallites 63 formed on the surface of respective silicon crystallites 63.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、少なくとも、柱状の多結晶シリコンのグレイン５１と、グレイン５１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜５２と、グレイン５１間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶６３と、各シリコン微結晶６３の表面に形成され当該シリコン微結晶６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜である多数のシリコン酸化膜６４とから構成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 40 included in a gate insulating film 50 of a thin film transistor, a silicon film 60 to become a channel layer 61 and a silicon oxide film 70 serving as an etching stopper layer 71 when forming source/drain layers 81a, 81b, are successively formed without exposing these films to the atmosphere.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５０に含まれる酸化シリコン膜４０、チャネル層６１となるシリコン膜６０、ソース／ドレイン層８１ａ、８１ｂを形成するときのエッチングストッパ層７１となる酸化シリコン膜７０を、大気に晒すことなく連続して成膜する。 - 特許庁

The thin film transistor manufacturing method comprises a first process of laminating, at least, silicon films 2 and 3 which are formed thick as prescribed under different conditions on one surface of a transparent substrate 1, and a second process of forming a thin film transistor on the other surface of the transparent substrate 1 opposite to its other surface where the silicon films 2 and 3 are formed.例文帳に追加

透光性基板１の一方の面に、所定の厚みとなるように、成膜条件の異なる少なくとも２つのシリコン膜２，３を積層する工程と、その後、前記シリコン膜２，３が形成されていない、前記透光性基板の他方の面に、薄膜トランジスタを形成する工程と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

Polysilicon films 13 and aluminum thin films 14 are alternately laid extendedly in series on a silicon substrate 10, and an electromotive force generated by a temperature difference between a warm junction 17 and a cold junction 18 is taken out from both terminals 20, 21 of a series circuit series- connected with a thermocouple.例文帳に追加

シリコン基板１０の上にポリシリコン膜１３とアルミ薄膜１４が交互に直列に延設され、温接点１７と冷接点１８の温度差により発生する起電力が熱電対を直列接続した直列回路の両端子２０，２１から取り出される。 - 特許庁

A thin SiO2 film 2 and an amorphous silicon thin film 3 are sequentially formed on a silicon substrate 1, and then subjected to heat treatment in an atmosphere containing NO as a nitriding species to form an oxy nitride film 4A containing nitrogen at an interface between the films 2 and 3 with use of the film 3 forming an interface with the film 2 as a silicon supply source.例文帳に追加

シリコン基板１上に薄いＳｉ０_2膜２、非晶質シリコン薄膜３ａを順次形成し、次に窒化種としてＮＯを含む雰囲気中での熱処理により、ＳｉＯ_2膜２との界面の非晶質シリコン薄膜３ａをシリコン供給源としてＳｉ０_2膜２と非晶質シリコン薄膜３ａとの界面にオキシナイトライド膜４Ａを形成することにより，ゲート絶縁膜として窒素を含むＳｉＯＮ膜４を形成する。 - 特許庁

(iv) The technology (excluding programs) pertaining to the design or manufacture of substrates used as components of electronic devices that use thin films made of diamond or silicon carbide 例文帳に追加

四　電子機器の部分品として用いる基板であって、ダイヤモンドからなる薄膜又は炭化けい素を用いたものの設計又は製造に係る技術（プログラムを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

Namely, thin films are formed by spin coating of an organic liquid containing a silicon oxide sol on a metallic plate formed with lens female molds and are dried at 300°C and are thereafter peeled from the metallic plate.例文帳に追加

即ち、レンズ雌型を形成した金属板上に、酸化シリコンゾルを含む有機液体をスピン・コーティングして薄膜を形成し、３００゜Ｃで乾燥させた後に、金属板から剥離する。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium secondary battery, having high capacity and superior charging/discharging cycle characteristics, in the electrode 3 for the lithium secondary battery formed by stacking thin films 3a comprising mainly silicon on a current collector 3b.例文帳に追加

集電体３ｂ上にシリコンを主体とする薄膜３ａを堆積させて形成したリチウム二次電池用電極３において、放電容量が高く、かつ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池用電極を得る。 - 特許庁

In the trench 14, thin silicon oxide films 15B are formed in a region to be a transistor activation region on the N-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

トレンチ１４において、Ｎ−型半導体層１２のうちトランジスタの活性化領域となる領域には薄いシリコン酸化膜１５Ｂが形成される。 - 特許庁

The means of absorbing the intermediately generated light is provided by forming silicon thin films 34 along both sides of the optical waveguide 32 formed on an LiNbO_3 substrate 30.例文帳に追加

中間生成光を吸収する手段は、LiNbO_3基板30に形成された光導波路32の両側に沿って、シリコン薄膜34を形成することによって実現される。 - 特許庁

The polycrystalline silicon films 5 constituting the n-type thin-film transistors 10 have twinning planes 6a and 6b so formed as to be approximately in parallel with the A direction.例文帳に追加

そして、複数のｎ型薄膜トランジスタ１０を構成する多結晶シリコン膜５は、双晶面６ａおよび６ｂを有するとともに、双晶面６ａおよび６ｂは、Ａ方向にほぼ平行になるように形成されている。 - 特許庁

This organic EL display is formed by first arraying and forming the TFTs 30a and 30b provided with the source/drain diffusion layers 22a and 22b at the single crystal silicon thin films 6a and 6b on the substrate 4.例文帳に追加

この有機ＥＬディスプレイを形成するには、先ず、単結晶シリコン薄膜６ａ，６ｂにソース／ドレイン拡散層２２ａ，２２ｂを設けてなるＴＦＴ３０ａ、３０ｂを基板４上に配列形成する。 - 特許庁