「single wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SILICON SINGLE CRYSTALLINE WAFER PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTALLINE WAFER AND SILICON EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁

To provide a processing device which performs processing so that discarded single-wafer paper may be recycled as paper, in a state where information is prevented from being read from the discarded single-wafer paper.例文帳に追加

廃棄された枚葉紙から情報を読み取られることなく、用紙に再生し得るように処理するようにした処理装置を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL WAFER AND LASER PROCESSING APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

半導体単結晶ウエハの製造方法とそのためのレーザ加工装置 - 特許庁

More particularly, the deposition of the polysilicon film is performed by single-wafer processing.例文帳に追加

特に、ポリシリコン膜の成膜は、枚葉処理によって行われる。 - 特許庁

To provide a single-wafer processing system in which losses are minimized.例文帳に追加

損失を最小にする単一ウエーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

SINGLE WAFER PROCESSING WET TREATING APPARATUS AND METHOD THEREOF例文帳に追加

枚葉型のウエット処理装置及びそのウエット処理方法 - 特許庁

The silicon wafer 62 has a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single-wafer processing etching.例文帳に追加

シリコンウェーハ６２は、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。 - 特許庁

To provide a wafer washing method of single wafer processing which can effectively remove a cleaning liquid dropped on the periphery of wafer.例文帳に追加

枚葉式のウエハ洗浄方法であって、ウエハの周辺部に滴下した洗浄液を効果的に除去する。 - 特許庁

To uniformly strip a resist on a wafer surface, while keeping the wafer temp. uniform at a low temp. in a single-wafer processing plasma ashing developing apparatus.例文帳に追加

枚葉式プラズマアッシング現像装置において、低温で均一にウェハ１０の温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離する。 - 特許庁

Single wafer processing type substrate processing equipment comprises a liquid supply means, a gas supply means, and a drying means.例文帳に追加

枚葉式の基板処理装置は、液体供給手段と、気体供給手段と、乾燥手段とを備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM EQUIPPED WITH VERTICALLY-STACKED PROCESSING CHAMBER AND SINGLE-SHAFT DOUBLE-WAFER CARRIER SYSTEM例文帳に追加

垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム - 特許庁

The reactor has a process chamber well suited to the single wafer processing of semiconductor wafers.例文帳に追加

このリアクタは、半導体ウェハの枚葉処理によく適合した処理チャンバを有する。 - 特許庁

SINGLE-WAFER PROCESSING CLEANING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING PLATE PRODUCT BY USING APPARATUS例文帳に追加

枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法 - 特許庁

To provide single wafer substrate processing equipment and a method for achieving high efficiency drying when a substrate is processed by single wafer processing while preventing condensation of organic solvent used in dry processing.例文帳に追加

枚葉式で基板を乾燥させる際、乾燥処理に用いる有機溶剤の蒸気の結露を防止しながら高効率な乾燥を実現する枚葉式の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

IG PROCESSING METHOD OF SILICON WAFER, IG WAFER FORMED THERETHROUGH, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT USED THEREFOR例文帳に追加

シリコンウェーハのＩＧ処理法及びこれにより作られたＩＧウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット - 特許庁

To provide a single wafer processing wet treating apparatus capable of uniformly treating a central and outer portions of even a large wafer.例文帳に追加

大型のウエハにおいても中心部分と外側部分で均一な処理を行うことが可能な枚葉型のウエット処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing device capable of performing a high quality treatment even if a treated wafer is of a larger diameter.例文帳に追加

被処理基板が大口径になっても高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor single-crystal wafer, in which the semiconductor single-crystal wafer of high quality can be obtained by eliminating a level difference formed on an outer circumferential end surface of the semiconductor single-crystal wafer during processing when the semiconductor single-crystal wafer is stuck on a polishing tool to subject its surface to lap processing or mirror-plane polishing processing.例文帳に追加

半導体単結晶ウェハを研磨治具に貼り付け、その表面をラップ加工又は鏡面研磨加工する際に、加工時に半導体単結晶ウェハの外周端面に生じる段差を無くし、高品質の半導体単結晶ウェハを得ることができる半導体単結晶ウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing device capable of elevating a processing performance of the wafer to be processed by minimizing a liquid spatter from the vicinity of a sandwiching member of the wafer to be processed and providing a high quality processing.例文帳に追加

被処理基板を挟持部材付近からの液跳ねを最少にして被処理基板の処理能力を上げると共に、高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The single wafer processing etching device 10 is constituted so as to apply etching on the upper surface 11a of the wafer 11 by supplying etching solution 14 onto the upper surface 11a of the wafer 11, while turning the wafer 11.例文帳に追加

枚葉式エッチング装置１０は、ウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１４を供給してウェーハ１１の上面１１ａをエッチングするように構成される。 - 特許庁

To provide a honing processing method for a single crystal wafer, which is capable of improving the processing yield and the yield in device process.例文帳に追加

加工歩留まりやデバイスプロセスの歩留まりを大幅に改善し得る単結晶ウエハのホーニング加工方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The main body 10 of a semiconductor manufacturing device includes processing chambers 111-113 of, for example, a single wafer processing etching device, and various kinds of gases (GAS) are fed to the chambers 111-113.例文帳に追加

半導体製造装置本体１０は、例えば枚葉式エッチング装置の処理室１１１〜１１３を含み、各種ガス（ＧＡＳ）が投入される。 - 特許庁

The SOI wafer is obtained by using the silicon wafer having a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single wafer processing etching as a supporting substrate, as well as the recessed-surface side of the silicon wafer as the main surface of a laminating surface.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハは、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたシリコンウェーハを支持基板とし、シリコンウェーハの凹部面側を貼り合わせ面の主面とすることにより得る。 - 特許庁

This method for producing a silicon wafer comprises growing a silicon single crystal rod doped with nitrogen by CZ method while controlling a nitrogen concentration, an oxygen concentration and a cooling rate and processing the silicon single crystal rod into a wafer.例文帳に追加

ＣＺ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。 - 特許庁

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a wafer suited to pre-processing or post-processing for micro machining semiconductor device, using a single-tank wafer cleaning device.例文帳に追加

一槽式のウエハ洗浄装置を使って、半導体装置の微細加工を目的とするプロセスの前処理又は後処理に対応したウエハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single-wafer processing apparatus which is capable of enhancing the uniformity of processing within a wafer surface by keeping the uniformity of the temperature distribution high within a surface of a loading table.例文帳に追加

載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。 - 特許庁

IG PROCESSING METHOD, IG WAFER PREPARED THEREBY, AND SINGLE-CRYSTAL SILICON INGOT USED THEREFOR例文帳に追加

ＩＧ処理法及びこの処理法で作られたＩＧウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット - 特許庁

To provide a method for evaluating a single crystal silicon wafer in which defects caused by processing can be detected with high sensitivity.例文帳に追加

加工起因欠陥をより高感度に検出することが可能な単結晶シリコンウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single-wafer processing apparatus which allows static electricity charged on a mount to be removed by a simple structure and is superior in maintainability and cost.例文帳に追加

載置台に帯電する静電気を簡単な構造で除電することができ、メンテナンス性およびコスト的に優れた枚葉式処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide single wafer processing cleaning equipment capable of effectively cleaning an object to be cleaned by preventing incomplete cleaning and drying of the object to be cleaned.例文帳に追加

被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Silicon wafers W in which beveling process is finished is transferred one by one to single wafer processing type both sides polishing equipment by a robot hand R.例文帳に追加

面取り工程が終了したシリコンウェーハＷを、ロボットハンドＲにより、枚葉式の両面研磨装置に１枚ずつ移送する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer handling apparatus which is capable of processing the front and back sides and the peripheral face of a semiconductor wafer by a single unit and superior in productivity and mass productivity, and holds the wafer in a clean state without adhesion of dust, etc., to the wafer surface.例文帳に追加

単一の装置でウェハの表裏面や周面を処理することを可能とし、 生産性及び量産性に優れ、しかもウェハ表面に塵などの付着がなく清浄な状態を保持する半導体ウェハのエッジハンドリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a single crystal, which allows the manufacturing of a long single crystal almost free from defects and cracks without causing an increase in processing cost and time, to provide a method for manufacturing a single crystal using the apparatus, and to provide a single crystal and a wafer manufactured by using such a method.例文帳に追加

加工コストや加工時間を増大させることなく、欠陥や割れの少ない長尺な単結晶を製造可能な単結晶製造装置及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに、このような方法を用いて製造された単結晶及びウェハを提供すること。 - 特許庁

After the surface of a silicon wafer made of single crystal is ground and a processing altered layer is formed on a wafer surface layer, the altered layer is irradiated with high-energy light to be fused, and solidified.例文帳に追加

単結晶のシリコンウェーハの表面を研削し、ウェーハ表層に加工変質層を形成後、変質層を高エネルギ光の照射で溶融、固化する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing lamp heating arrangement with which a temperature of a wafer can correctly be controlled in a temperature region of a wide range from a low temperature region to a high temperature region.例文帳に追加

その目的は、低温領域から高温領域までの広範囲の温度領域で正確にウェーハの温度を制御することができる枚葉式ランプ加熱装置を得る。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

An oxide film on the surface of the silicon wafer obtained from a silicon single crystal ingot through a wafer processing is removed, and then the surface of the silicon wafer is fused and solidified again by an application of a high energy light in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

シリコン単結晶インゴットからウェーハ加工を経て得られた、シリコンウェーハの表面の酸化膜を除去し、次いで、非酸化性雰囲気中での高エネルギ光の照射にて該シリコンウェーハの表層を溶融して再度固化させる。 - 特許庁

After a processing wafer is baked 102 under normal pressure in order to remove a resist cured by ion implantation 101 etc., the processed wafer is subjected to plasma ashing processing 103, 104 in a high temperature area at about 300°C in an oxygen single gas atmosphere composed of an oxygen gas substantially.例文帳に追加

イオン注入１０１等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベーク１０２した後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏３００度前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理１０３，１０４するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing apparatus which achieve an efficient working regulation without the occurrence of any deadlock in a single wafer processor for processing substrates in parallel.例文帳に追加

並列的に基板の処理を行う枚葉装置において、デッドロックを発生させることなく、効率的な運用規制を実現する半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To improve throughput by improving flexibility in layout management of substrates to be treated and transfer efficiency in a single wafer processing system for simultaneously performing a predetermined treatment for a plurality of substrates to be treated in a plurality of processing chambers which are provided in multi stages.例文帳に追加

多段に配置された複数の処理室内で複数の被処理基板に所定の処理を同時に施す枚葉方式において被処理基板配置管理のフレキシビリティや搬送効率を向上させ、スループットの改善をはかること。 - 特許庁

To provide a method for processing a semiconductor base material which has an excellent productivity, uniformity, controllability, and cost performance when processing the surface of a single crystal into such a state that has nearly the same crystallinity and surface flatness as a crystalline wafer.例文帳に追加

単結晶表面を結晶性、表面平坦性が単結晶ウエハー並に優れた状態に加工するうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基材の加工方法を提案する。 - 特許庁

The single wafer heat treatment system 1 comprises a processing chamber 4 containing planar articles 2 to be processed sheet by sheet, and a tubular heater 5 wound on the outer surface 4a of the processing chamber 4 at a specified interval.例文帳に追加

この枚葉式熱処理装置１は、平板状の被処理物２を１枚ずつ収容する処理室４と、前記処理室４の外面４ａに対して所定の間隔をおいて巻回された筒状の加熱体５とを備えている。 - 特許庁

In this apparatus, by coupling a plurality of processing portions 6-9 to each other via a single-wafer carrying mechanism 3 whereby a plurality of different processings can be applied continuously to a semiconductor substrate 1, at least one manufacturing line 11 is so formed that the single-wafer carrying mechanism 3 can carry the semiconductor substrates 1 selectively one by one to the individual processing portions 6-9.例文帳に追加

複数の異なった処理を半導体基板１に連続して施すことができる複数の処理部６〜９が枚葉搬送機構３で結ばれることで少なくとも一つの製造ライン１１を構成し、枚葉搬送機構３が選択的に個々の処理部６〜９に半導体基板１を一つずつ搬送可能とした。 - 特許庁

A surface layer of a silicon wafer obtained by subjecting a silicon single-crystal ingot pulled by a Czochralski method to wafer processing is irradiated with high-energy light such as laser light or lamp light, and only the surface layer is melted (melting process).例文帳に追加

チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをウェーハ加工して得られたシリコンウェーハの表層にレーザ光やランプ光などの高エネルギ光を照射し、この表層のみを溶融（溶融工程）させる。 - 特許庁