「single wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an effective method of obtaining a surface of high quality by removing a layer deteriorated by processing from the surface of a silicon carbide single crystal wafer which has been rough-lapped for chemical stability, and then finish polishing.例文帳に追加

本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。 - 特許庁

A lower heating element 4 which heats the semiconductor wafer W arranged in the processing chamber 2 from below is not area-divided and forms a single lower heating zone 41, and a lower heater 6 is arranged in the lower heating zone 41.例文帳に追加

処理室２に配置された半導体ウエハＷを下方から加熱する下加熱体４には、当該加熱体４を領域分割することなく単一の下加熱ゾーン４１を形成し、下加熱ゾーン４１に下ヒータ６を配置する。 - 特許庁

In the single-wafer processing apparatus, having an electrically insulative mount 3 for mounting a work w in a process chamber 2, the mount 3 has a conductive film 10 on the surface for relieving charged static electricity.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する電気絶縁性の載置台３を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台３の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜１０を形成してなる。 - 特許庁

To provide an SOI wafer on which a high-frequency driven signal processing circuit and a pixel matrix circuit whose transistor characteristic variation due to an optical leak current is suppressed, are formed integrally in a single SOI layer.例文帳に追加

高周波数駆動の信号処理回路と、光リーク電流によるトランジスタ特性変動が抑制された画素マトリクス回路とを、単一のＳＯＩ層に一体化して形成することを可能とするＳＯＩウエーハを提供すること。 - 特許庁

In this manufacturing method, after washing a piezoelectric single crystal wafer for the surface acoustic wave substrate with weak acid liquid whose pH is in the range of 4.0-6.5, it is cleaned with pure water whose pH is in the range of 6.0-8.0 (pre-processing process).例文帳に追加

弾性表面波基板用圧電単結晶ウェーハをｐＨが 4.0〜 6.5の範囲の微弱酸液で洗浄した後、ｐＨが 6.0〜 8.0の範囲の純水で洗浄する（前処理工程）。 - 特許庁

A rapid thermal processing (RTP) reactor 300 uses one or two heat sources 310 to process multiple wafers 311 and 312 or a single large wafer.例文帳に追加

高速熱処理（ＲＴＰ）反応炉３００は、単一の若しくは２個の熱源３１０を用い、複数のウエハ３１１、３１２若しくは１枚の大型のウエハを処理する。 - 特許庁

A single sintering processing can be finished within three minutes, so that this sintering method can be more enhanced in throughput than a conventional diffusion oven treatment, and a wafer can be more improved in temperature responsibility and temperature uniformity.例文帳に追加

１回のシンター時間は３分以内で可能になるので従来の拡散炉処理に比べてスループットが上昇し、ウエハーの温度応答、温度均一性もよくなる。 - 特許庁

To provide a substrate support unit for supporting semiconductor substrates in a single wafer processing system, and to provide a substrate polishing apparatus using the substrate support unit to polish and clean substrates.例文帳に追加

半導体基板を枚葉処理方式に支持する基板支持ユニットと、これを利用して基板を研磨、及び洗浄する基板研磨装置を提供する。 - 特許庁

An upper heating element 3 which heats a single semiconductor wafer W arranged in a processing chamber 2 of the single wafer type heat treatment apparatus 1 from above is area-divided into a plurality of first to third upper heating zones 31a to 31c, and first to third upper heaters 5a to 5c which are brought individually under temperature control are arranged in the first to third upper heating zones 31a to 31c.例文帳に追加

枚葉式熱処理装置１の処理室２に配置された単一の半導体ウエハＷを上方から加熱する上加熱体３を、複数の第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃに領域分割し、第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃには個別に温度制御される第１〜第３の上ヒータ５ａ〜５ｃを配置する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of forming a mark made of a non-single-crystalline reformed layer inside a back surface of a semiconductor wafer by irradiating the semiconductor wafer with laser light from the back surface; and exposing the reformed layer by subjecting the back surface of the semiconductor wafer to polishing or grinding processing after the process of forming the mark.例文帳に追加

半導体ウェーハの背面からレーザ光を照射して、前記半導体ウェーハの背面より内部に非単結晶質の改質層からなるマークを形成する工程と、前記マークを形成する工程の後に、前記半導体ウェーハの背面を研磨或いは研削処理して前記改質層を表出させる工程を設ける。 - 特許庁

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer.例文帳に追加

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide an annealing method of a silicon carbide single crystal capable of removing thermal stress distortion and processing distortion remaining in the silicon carbide single crystal without causing remarkable crystallinity deterioration due to surface carbonization and hardly causing crystalline cracking and crack generation at a working process of a crystal and at a device process and to provide a silicon carbide single crystal wafer subjected to an annealing treatment.例文帳に追加

炭化珪素単結晶中に残留する熱応力歪や加工歪を、表面炭化による著しい結晶性劣化を起こすことなく除去し、結晶の加工プロセス時やデバイスプロセス時に結晶割れやクラック発生が起こらない炭化珪素単結晶の焼鈍方法、及び、その焼鈍処理を施された炭化珪素単結晶ウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus capable of modifying an existing processing apparatus having a single loading port to one having dual loading ports by providing an additional loading port, without having to increase the foot print thereof, and also capable of realizing complete automation of a wafer transfer by utilizing an existing automatic transfer line.例文帳に追加

既設のシングルローダタイプの処理装置のフットプリントを増やすことなく、ロードポートを増設してデュアルローダタイプの処理装置に変更することができ、しかも既設の自動搬送ラインを利用してウエハ搬送の完全自動化を実現することができる処理装置を提供する。 - 特許庁

In a single-wafer processing apparatus 1, provided with a placing table 3 for placing the work W in a processing chamber 2, a plurality of grooves 30 are formed on the upper surface of the placing table 3, and a plurality of vents 31 piercing the placing table 3 so as to communicate with the grooves 30 are provided.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する載置台３を備えた枚葉式処理装置１において、前記載置台３の上面に複数の溝３０を形成すると共に、その溝３０と連通して載置台３を貫通する複数の通気孔３１を設けている。 - 特許庁

To obtain a single wafer cleaning apparatus and cleaning method in which the cost of chemical and the quantity of waste liquid are reduced while improving environmental issues by realizing in-plane uniformity of substrate processing process and shortening of processing time using a minimum necessary quantity of chemical.例文帳に追加

本発明は、基板加工プロセスの面内均一化および処理時間短縮化を必要最小限の薬液使用量で実現して薬液コスト・廃液量の低減化および環境問題の改善を図る枚葉式洗浄装置および枚葉式洗浄方法を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the annealed wafer at least comprises a first heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers, and a second heat treatment process conducting the heat treatment for the wafers.例文帳に追加

アニールウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう第１の熱処理工程と、前記熱処理したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハを熱処理する第２の熱処理工程を有することを特徴とするアニールウエーハの製造方法。 - 特許庁

With respect to manufacturing of the variable curvature mirror device, a single crystal silicon wafer and an SOI wafer are available as a starting material of the thin base plate (1), and a manufacturing method comprising manufacturing processes using individual or combination of techniques such as semiconductor processing techniques and MEMS is applicable.例文帳に追加

この可変曲率ミラーデバイスの製造に当たっては、基材薄板（１）の出発原料として単結晶シリコンウェハ、ＳＯＩウェハが使用可能であり、半導体加工技術、ＭＥＭＳなどの技術を個々にまたは組み合わせた製造プロセスからなる可変曲率ミラーデバイスの製造方法が適用可能である。 - 特許庁

The method of manufacturing the epitaxial wafer at least comprises a heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers with mirror surface, and an epitaxial growth process wherein an epitaxial layer is formed on the wafers.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理したインゴットを鏡面状のウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a highly accurate single crystal wafer that has less dispersion in warpage and a small warpage amount by making the stress by a polarization component dominant and making the shape by the stress by the polarization component at crystal processing dominant and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

分極成分による応力を支配的にし、結晶加工時における分極成分による応力による形状を支配的にすることで、反りのばらつきが小さく且つ反り量の小さい高精度な単結晶ウエハ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing the substrate of magnetic recording medium includes a process to cut a single crystal silicon wafer with diameter of ≥150 mm and ≤300 mm into a plurality of quadrangles, and a core removing process for obtaining a doughnut-like substrate with an outer diameter ≤65 mm by processing of core-removal to this quadrangle.例文帳に追加

直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハを複数の四角形に切断する工程と、該四角形をコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an ultraviolet ray setting resin layer is arranged on a surface on the opposite side of the electrode formation surface of the cleaned piezoelectric single crystal wafer, an exposure and development processing is executed to the ultraviolet ray setting resin layer and a hole pattern corresponding to a desired recess is formed.例文帳に追加

次いで、洗浄後の圧電単結晶ウェーハの電極形成面と反対側の面に、紫外線硬化型樹脂層を配置し、この紫外線硬化型樹脂層に露光、現像処理を施して、所望の凹部に応じた穴パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a coating film forming device and a curing apparatus which can highly controllably heat substrates which carry coating films formed on the surfaces of the substrates by performing single wafer processing using a hot plate, while the oxidation problem of the coating films is dissolved effectively at when curing the coating films.例文帳に追加

塗布膜を形成した基板に、硬化処理を施す際に、塗布膜の酸化の問題を有効に解消しつつ、ホットプレートを用いた枚葉処理により制御性良く基板の加熱を行うことができる塗布膜形成装置および硬化処理装置を提供すること。 - 特許庁

The polishing method efficiently provides a surface of high quality with no deteriorated layer by processing that occurs after diamond mechanical polishing, by oxidizing the surface of silicon carbide single crystal wafer that has been rough-lapped in diamond mechanical polishing, and then removing an oxide film on the surface by finish polishing.例文帳に追加

ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 - 特許庁

To equalize heating temperature in the peripheral direction of a substrate to be processed, and effect uniform processing for the substrate to be processed by a method wherein, in a single wafer heater, a container housing to be processed is made to have the same degree of insertion port of the substrate as the inner peripheral face, excluding it in the degree of heat absorption.例文帳に追加

枚葉式の加熱装置において、被処理基板を収納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周面との熱吸収度を同程度にすることによって、被処理基板の周方向での加熱温度を等しくし、被処理基板に対して均一な処理を行うこと。 - 特許庁

This method for producing the wafers includes a BMD forming process for forming inner micro-defects (BMD) at the inside by subjecting a silicon single crystal in an ingot state to heat treatment and a wafer processing process for processing the ingot in which the inner micro-defects (BMD) are formed into wafers.例文帳に追加

ウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行ない内部に内部微小欠陥（ＢＭＤ）を形成するＢＭＤ形成工程と、前記内部微小欠陥（ＢＭＤ）を形成したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程を有するウエーハの製造方法。 - 特許庁

In the method for processing the silicon block prior to forming the silicon wafer by slicing the polycrystal or single crystal silicon block 1, the silicon block is formed in a square pillar shape having rectangular end faces.例文帳に追加

多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To prevent damages or cracks of a quartz substrate during processing or handling, to prevent warpage of a quartz substrate due to adhesion of the substrate and to decrease a separation width of an optical low-pass filter in an optical low-pass filter and its manufacturing method in which many pieces of optical low-pass filters are produced from a single wafer.例文帳に追加

１つのウエハから多数個の光学ローパスフィルタを製造する光学ローパスフィルタおよびその製造方法において、加工時や取り扱い時における水晶基板の破損や割れを無くすとともに水晶基板の接着による水晶基板の反りも無くし、かつ、光学ローパスフィルタの分離幅を小さくする。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁