「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate for a printed wiring board, capable of being formed without using a sputtering device, and a method for manufacturing the substrate for a printed wiring board.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いずに形成することができるプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a large ITO (indium-tin oxide) sintered compact which is useful as a target for sputtering for producing a transparent electrically conductive film in a short time.例文帳に追加

透明導電膜作製のためのスパッタリング用ターゲットとして有用な大型のITO焼結体を短時間で製造可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which film deposition by a sputtering process with a high resistor material as a target is possible in a low frequency of <1 MHz.例文帳に追加

１ＭＨｚ未満の低周波数において、高抵抗体材料をターゲットとするスパッタリング法による成膜が可能な成膜方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputtering target manufacturing method capable of reducing unexpected generation of particles, and enhancing the film quality and the thin film manufacturing efficiency.例文帳に追加

突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

As the forming method, an Al film is formed with the sputtering process from aluminum (Al) as an electrode material and this film is changed to an electrode pattern with the dry etching process.例文帳に追加

形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。 - 特許庁

After forming an initial PZT film 55a and an intermediate PZT film 55b, an amorphous ferroelectric film 55c is formed by a sputtering method.例文帳に追加

初期ＰＺＴ膜５５ａ及び中間ＰＺＴ膜５５ｂを形成した後には、アモルファス状の強誘電体膜５５ｃをスパッタリング法により形成する。 - 特許庁

To provide a cold cathode fluorescent lamp superior in sputtering resistance and manufacturability and economical, and a manufacturing method of an electrode for the cold cathode fluorescent lamp.例文帳に追加

耐スパッタ性と製作性に優れ、かつ経済的な、冷陰極蛍光ランプおよび冷陰極蛍光ランプ用電極の製造方法を提供する - 特許庁

After the hole 12a is covered on the upper face of the substrate to form a barrier layer 16, a wiring material layer 18 such as an Al alloy is formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上面には、孔１２ａを覆ってバリア層１６を形成した後、スパッタ法によりＡｌ合金等の配線材層１８を形成する。 - 特許庁

To provide an indium target having stable sputterring characteristics in film formation rate, discharge voltage or the like from start to completion of sputtering and to provide a method for producing the indium target.例文帳に追加

スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM, ITS FORMING METHOD, MANUFACTURING PROCESS OF THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット - 特許庁

The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like.例文帳に追加

基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部３，４の曲率半径を大きくする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide sintered compact which does not generate a nodule, an arcing or the like when the oxide semiconductor device is formed and to provide a sputtering target.例文帳に追加

酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To improve the reliability of a contact by fully improving the coverage of a side-face portion in a fine contact hole, when forming a wiring layer through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法で配線層を形成するのにあたり、微小なコンタクト孔における側面部分のカバレッジを十分に向上させ、コンタクトの信頼性を高くする。 - 特許庁

(e) Coating devices that use the sputtering method and has a current density of 10 milliamperes per square centimeter or more for hourly deposition rates of 15 micrometers or more 例文帳に追加

ホ　スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The copper-nickel coated layers are either nickel silver, Constantan, or Monel metal and formed on the surfaces of the copper particles by e.g. a sputtering method.例文帳に追加

銅・ニッケル合金コ−ティング層は、洋白、コンスタンタンまたはモネルメタルのいずれかであって、例えば、スパッタリング法によって銅粉末粒子の表面に形成される。 - 特許庁

A conventional sputtering method is used, instead of such a technology as MOCVD, to form a solid capacitor, allowing a micro cell.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤなどの技術を使用せず従来から用いられているスパッタ法を用いて立体キャパシタを形成することができ、微細セルの実現が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target and for repairing it so that it can be used and reused in the physical vapor deposition of thin film onto a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子に薄膜を物理的蒸着する上で使用、かつ再使用するようスパッタターゲットを作り、かつ改修する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF REDUCING SPUTTERING BURN-IN TIME AND MINIMIZING SPUTTERED PARTICULATE, AND TARGET ASSEMBLY USED THEREUPON例文帳に追加

スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ - 特許庁

To provide a method for forming a thin film by plasma assisted sputtering, which deposits a crystallized and highly dense thin-film on a substrate having a large area, and to provide a film-forming apparatus.例文帳に追加

大面積の結晶化膜、高緻密膜の薄膜を基板上に堆積するプラズマ支援スパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a brazing filler metal coating method by which a work with a large area such as a sputtering target can uniformly be coated with a low melting point brazing filler metal (e.g., indium).例文帳に追加

スパッタリングターゲットのような大面積の被加工物に低融点ロウ材低融点ロウ材（インジウム等）を均一に塗布できるロウ材塗布方法を得る事。 - 特許庁

To provide a film-forming method which can efficiently form a film on a flexible substrate that is continuously sent, by using a gas-flow sputtering technique, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for uniformly covering a particle surface with a thin film by using a sputtering or vapor deposition technique, and to provide an apparatus to be used therefor.例文帳に追加

スパッタリング又は蒸着により粒子表面に薄膜を均一にコーティングすることができる方法及びこの方法に用いる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color selection mechanism body in which generating of a welding sputtering can be suppressed, and to raise quality stability of a CRT.例文帳に追加

溶接スパッタの発生を抑えることができる色選別機構体の製造方法を提供し、ＣＲＴの品質安定性を向上させる。 - 特許庁

And the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, which is characterized in that the solidifying/forming temperature is 900-1050°C, is also provided.例文帳に追加

また、上記固化成形温度を９００〜１０５０℃とすることを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

This method comprises arranging substrates 130 in several positions on a side of the target 121 in the facing-target type sputtering apparatus 10, and simultaneously forming the films on these substrates 130.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置１０のターゲット１２１の側方の複数箇所に基板１３０を配置し、これらの基板１３０に対し同時に成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target material for Ni-W based interlayer, used for interlayer film in a perpendicular magnetic memory medium.例文帳に追加

本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method by which a thin film of high quality can be deposited on a substrate consisting of a polymer film or a material having a high thermal expansion coefficient.例文帳に追加

高分子フィルムや熱膨張係数の大きな材料からなる基板上に高品質な薄膜を形成し得るスパッタリング方法の提供。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM, METHOD OF PRODUCING THE TARGET, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH PROTECTIVE FILM DEPOSITED BY USING THE TARGET例文帳に追加

光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットの製造方法並びに該ターゲットを使用して保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

To provide a target of silicon for sputtering in which warpage caused by stress stain is reduced, and a bonding defect, target cracking or the like are hard to occur, and to provide its production method.例文帳に追加

応力歪みによる反りが少なく、ボンディング不良やターゲット割れ等が生じ難いシリコンのスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a carbon film depositing method by which a carbon film with which no contaminant is mixed can be deposited without sputtering the structure member of a CVD(chemical vapor deposition) device.例文帳に追加

ＣＶＤ装置の構造部品をスパッタリングすることなく、汚染物の混入がないカーボン膜を形成できるカーボン膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In formation of a capacity extending over a capacity part, a capacity contact part, and a cell contact part, a sputtering device using the ALD method, for example, should preferably be used.例文帳に追加

なお、容量部、容量コンタクト部およびセルコンタクト部にまたがる容量の形成には、ＡＬＤ法などによるスパッタ装置を用いることが好ましい。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method using a magnetic substance having thickness suitable for mass production as a target, good in productive efficiency, low in the cost and excellent in cost effectiveness.例文帳に追加

量産に適した厚みをもつ磁性体をターゲットとして用い、生産効率がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk and a method for manufacturing the substrate so that a magnetic film can be easily formed by sputtering on the glass substrate for a magnetic disk.例文帳に追加

磁気ディスク用ガラス基板面に磁性膜をスパッター法により形成するのが容易な磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, a reflection layer of gold is formed by a sputtering method on this light absorption layer and further the surface thereof is provided with a protective layer consisting of a UV curing resin.例文帳に追加

つぎに、この光吸収層の上にスパッタ法で金の反射層を形成し、さらにその上に紫外線硬化樹脂からなる保護層を設けた。 - 特許庁

To provide a method for producing a lithium phosphate sintered compact capable of obtaining a bulk body free from macrosized internal defects and having high density, and to provide a sputtering cathode.例文帳に追加

マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

The seed layer 12 is a group III nitride compound semiconductor, has its film thickness set to 21 to 40 nm, and is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁

An Ni layer is formed on the Si substrate by a sputtering method, and Ni_3N layer is formed by heat-treating it at 500 to 900°C in an ammonia air flow.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にスパッタ法でＮｉ層を形成し、アンモニア気流中５００〜９００℃で熱処理することによりＮｉ_3Ｎ層を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method includes a cleaning process, a sputtering process, an electroplating process, an etching process, and an electroless plating process.例文帳に追加

製造方法としては、洗浄工程Ｗと、スパッタリング工程Ｓと、電解メッキ工程ＥＰと、エッチング工程Ｅと、無電解メッキ工程ＣＰとからなる。 - 特許庁

To provide a tantalum sputtering target which provides good film uniformity and can improve the quality of a sputtered film, and to provide a method for production of the target.例文帳に追加

膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A two-layered electrode film is produced by forming a thin Ni alloy film on a ceramic substrate by a sputtering method which uses the target.例文帳に追加

また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にＮｉ合金薄膜を形成することにより、２層電極膜を作製する。 - 特許庁

The gas sensitive membrane, in particular, out of the gas sensitive membrane, the catalyst cluster and the partially poisoned body constituting the element is preferably formed by a sputtering method.例文帳に追加

素子を構成するガス感応膜、触媒クラスタ及び部分被毒体のうちの特にガス感応膜はスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁

Island-shaped sensitizers (catalysts) 4 comprising platinum (Pt) or the like are arranged on the center part uniformly by a sputtering method or the like, to thereby form a sensor domain 7.例文帳に追加

その中央部に白金（Ｐt）などからなる島状の増感体（触媒）４をスパッタリング法などで均一に配置し、センサ領域７を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cold cathode discharge tube by connecting electrodes made of sputtering resistant metal with internal lead at a temperature with no harmful overheat effect.例文帳に追加

耐スパッタリング性のある金属で形成された電極を過熱弊害の生じない温度で内部リードに接合して冷陰極放電管を製造する。 - 特許庁

An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method.例文帳に追加

基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁

Furthermore, an about 300 nm thick electrode 15 comprising titanium and aluminum is formed on the potential reduction layer 14 with a sputtering method.例文帳に追加

続いて、スパッタ法により、ポテンシャル低減層１４の上に、厚さが約３００ｎｍのチタンとアルミニウムとの積層膜からなる電極１５を形成する。 - 特許庁