「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for machining a compacted article formed by filling a raw material powder into a metal container and applying hot compaction, particularly a method for machining a sputtering target material.例文帳に追加

本発明は、金属製の容器に原料粉末を充填し、熱間固化成形した成形体の機械加工に関し、特にスパッタリングターゲット材の機械加工方法を提供する。 - 特許庁

As for the method of forming a deposited film using a vacuum treatment system in a sputtering method provided with a load lock chamber, a substrate is loaded from the load lock chamber to a vacuum vessel while glow discharge is held.例文帳に追加

ロードロック室を備えるスパッタリング法に真空処理装置を用いた堆積膜の形成方法において、グロー放電を維持したまま基体をロードロック室から真空容器へロードする。 - 特許庁

Consequently, stable conductor film deposition only by the sputtering method is facilitated, and there are provided the low-cost planar antenna with a reduced loss and the method of manufacturing the planar antenna.例文帳に追加

本発明を用いることにより、スパッタ法のみによる安定な導体膜形成を容易にし、かつ損失が少ない安価な平面アンテナ及び製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a conductive transparent compound thin film which has a sufficiently low resistivity and is difficult to provide in the conventional reactive sputtering method, and to provide a method of producing the conductive transparent compound thin film.例文帳に追加

従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPUTTER TARGET, SPUTTER TARGET, SPUTTERING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加

スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁

To provide a method for producing an oxide thin film by which a film having high biaxial orientation can be formed when producing the oxide thin film by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.例文帳に追加

ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the light shielding layer 7 is also formed by an in-mold coating method using a mold, the light shielding layer 7 can be inexpensively and simply formed in comparison with other methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or a heat transfer method.例文帳に追加

しかも、本発明では、型を用いる型内塗装によって遮光層７を形成することとしたので、例えばスパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法、熱転写法などの他の方法と比較して低コストかつ簡単に遮光層７を形成することができる。 - 特許庁

The method of the present invention comprises a target production step S21 for producing a target for sputtering, which contains photocatalytic apatite, a sputtering step S22 for forming a photocatalytic apatite film on a substrate by a sputtering method using the target, and a burning step S23 for burning the photocatalytic apatite so as to improve the photocatalytic activity of the photocatalytic apatite film formed on the substrate.例文帳に追加

本発明の方法は、光触媒アパタイトを含む、スパッタリング用のターゲットを作製するためのターゲット作製工程Ｓ２１と、ターゲットを用いたスパッタリング法により、基材に対して光触媒アパタイトを成膜するためのスパッタリング工程Ｓ２２と、基材に成膜された光触媒アパタイトの光触媒活性が向上するように当該光触媒アパタイトを焼成するための焼成工程Ｓ２３とを含む。 - 特許庁

A non-catalyst metallic layer 2 which comprises Ti as a main component is formed on a catalyst metal substrate 1 comprising a catalyst metal such as Ni, Co, Fe or the like by a film forming method such as an electron beam vapor deposition method and a sputtering method.例文帳に追加

Ｎｉ、ＣｏまたはＦｅ等の触媒金属からなる触媒金属基板１上に、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の成膜法によりＴｉを主成分とする非触媒金属層２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, setting more accurately the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method.例文帳に追加

ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an R-Fe-B vertical magnetic anisotropy thin-film magnet, which can be sharply improve both of its coercive force and its residual magnetic flux density by a film-forming method using a sputtering method, and to provide a manufacturing method of the magnet.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜方法において、保磁力と残留磁束密度の両方を著しく向上させることが可能なR‐Fe‐B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the method of manufacturing the substrate for the oxide superconductor, a reactivity DC sputtering method using metal targets 14a, 15a is used as a method of forming cap layer on an IBAD substrate 7.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、ＩＢＡＤ基材７上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット１４ａ、１５ａを用いる反応性ＤＣスパッタ法を用いる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which has excellent machinability and is capable of forming a compound film that mainly contains Cu and Ga, and a method for producing same.例文帳に追加

機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A conductive coating film is formed on the surface of a substrate 2 consisting of insulating material by such vapor deposition as CVD, PVD and a sputtering method.例文帳に追加

絶縁性材料からなる基材２の表面にＣＶＤ法や、ＰＶＤ法、スパッタリングなどの蒸着法によって導電性被膜を形成する。 - 特許庁

To improve the uniformity in the film thickness of a film deposited on a substrate by reducing variation in the film thickness caused by the rotation of the substrate and the rotation of a magnet as for a sputtering method.例文帳に追加

基板回転と磁石回転による膜厚バラツキを減少し、基板に堆積する膜の膜厚均一性を向上することを目的としている。 - 特許庁

To form a film composed of compounds of a material which is different from a substrate by a reactive sputtering method on the surface of the substrate in a state of a better film quality.例文帳に追加

基体（基板）とは異なる材料の化合物からなる膜を、より膜質の良い状態で、基体表面に反応性スパッタ法で形成する - 特許庁

Foreign matters stuck at the time of forming the laminated constitution by a sputtering method are removed to reduce the number of foreign matters stuck to the surface to 20 or smaller per cm^2.例文帳に追加

スパッタリング法により積層構成を形成した際に付着した異物を除去して、該面の異物付着数を２０個／ｃｍ^2以下とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target which consists of substantially In, Sn, Mg and O, and can restrain arcing.例文帳に追加

実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなり、アーキングの発生を抑制できるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a sputtering system capable of improving the film quality and uniformity in film thickness of a film deposited on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性を向上できるようにした成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To improve tact time and to stably obtain a deposited film of high quality by reducing the influence of the instability in discharge at the initial stage in a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法における初期の放電不安定性の影響を低減し、タクトタイムを向上させるとともに、良質な堆積膜を安定して得る。 - 特許庁

Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.例文帳に追加

また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a barrier film having tantalum as a main component by sputtering while suppressing damages of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The molding die having the shape of the very small optical waveguide can be obtained at low cost by the method for forming a molding die by using the sputtering system.例文帳に追加

またスパッタ装置を用いた成形型の作製方法によると、微細な光導波路の形状をもつ成形型を低コストで得ることができる。 - 特許庁

This mirror 10 is formed with an Ag film 2 and a Cu film 3 on the rear face 1A of a glass substrate 1 by a sputtering method and the corrosion prevention coating film 4 is formed thereon.例文帳に追加

ガラス基板１の裏面１Ａにスパッタリング法によりＡｇ膜２及びＣｕ膜３を形成し、この上に防食塗膜４を形成した鏡１０。 - 特許庁

To provide a film deposition method for improving the adhesion between a thin film and a plastic film when depositing the thin film onto the plastic film by sputtering.例文帳に追加

プラスチックフィルム上にスパッタリングで薄膜を形成する際、薄膜とフィルムとの密着性を向上させるための成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputtering target capable of joining a backing plate increased in size with a target member with excellent quality and high efficiency.例文帳に追加

大形化したバッキングプレートとターゲット部材との接合を、高品質で、かつ高能率に行うことが可能なスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.例文帳に追加

生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a powder of lithium phosphate of β phase as a target.例文帳に追加

また、固体電解質２６は、β相のリン酸リチウムの粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a spark plug which prevents occurrence of sputtering, a blow hole and a crack in laser welding between an electrode chip and an electrode base material.例文帳に追加

電極チップと電極基材とのレーザ溶接において、スパッタやブローホール、クラックの発生を抑制できるスパークプラグの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a mixed powder of lithium phosphate and lithium oxide as a target.例文帳に追加

また、固体電解質２６は、リン酸リチウム及び酸化リチウムの混合粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁

To form a thin film on an oxide semiconductor film by a sputtering method while suppressing plasma damage on the oxide semiconductor film with high film in-plane uniformity.例文帳に追加

スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。 - 特許庁

By this, an insulating film excellent in insulation characteristic can be formed at a high film forming rate by a sputtering method.例文帳に追加

したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system using an inexpensive magnetic field forming part with a simple structure, and to provide a film deposition method using the same.例文帳に追加

安価でかつ簡易な構造の磁界形成部を用いたマグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device of sputtering suitable for forming a film with small internal stress, especially suitable for forming a film on a large sized substrate.例文帳に追加

内部応力の少ない膜を成膜するのに適し、特に大型基板の成膜に適するスパッタリング方法とその装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The uniform carbon protective film 4 can be formed on a magnetic layer 3 by the ECR sputtering method though the protective film 4 is extremely thin and has ≤5 nm thickness.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法を用いると、５ｎｍ以下の極薄でありながら均一な炭素保護膜４を磁性層３上に形成することができる。 - 特許庁

This method can eliminate an oxide film 13 in an impurity metal, in the seed film 4 formed on the wiring material film 5 by the re-sputtering or the like.例文帳に追加

リスパッタリングによって配線材料膜５上に形成されたシード膜４中の不純物金属の酸化膜１３を除去することができる。 - 特許庁

To obtain the distribution of film thickness and the uniformity of the film thickness to be required at the time of forming a film on a substrate in a sputtering method and a device therefor.例文帳に追加

スパッタリング方法およびその装置において、基板を成膜する際、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得ることを目的とする。 - 特許庁

First, the Al_2O_3 layer 102, AlO_xN_ylayer 103, and AlN layer 104 are formed, for example, with the sputtering method on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ_2Ｏ_3層１０２、ＡｌＯ_xＮ_y層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a plasma display panel with a low discharge voltage and having a high sputtering resistance, and to provide a method and device for manufacturing the plasma display panel.例文帳に追加

放電電圧が低く、高い耐スパッタ性を有するプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition method where a thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of a gaseous starting material having weak surface adsorption power.例文帳に追加

表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

ROLL-UP TYPE SPUTTERING SYSTEM OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM USING THE SAME例文帳に追加

ディスク型記憶媒体用フィルム基板の巻取り式スパッタリング装置及びこの装置を用いたディスク型記憶媒体用フィルム基板の製造方法 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which enable pre-treatment such as pre-sputtering in a vacuum vessel to be performed without arranging complicated shutter mechanism.例文帳に追加

複雑なシャッター機構を設けることなく真空槽内のプリスパッタ等の前処理が可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁