「strain difference」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a post-formable mulilayer optical film which includes a strain-induced refractive index difference, can be post-formed, can retain desired optical properties and includes at least one birefringent material and to provide a method of producing a post-formed article from the multilayer optical film.例文帳に追加

本発明により、歪誘発屈折率差を含む多層光学フィルムを二次成形するとともに、多層光学フィルムの所望の光学的特性を維持することを可能にする、少なくとも１つの複屈折材料を含む二次成形性多層光学フィルム、および多層光学フィルムから二次成形物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a molding method which reduces the molded object weight difference between the end part and central part of a mold in multi-impression molding of a sheet to suppress the weight/strength fluctuations between molded objects, and is capable of obtaining the molded object reduced in the strain of a printing pattern caused by molding, and a mold therefor.例文帳に追加

複数個取りのシート成形で、金型端部と中央部の成形体重量差を少なくし、成形体間の重量・強度変動を抑えると共に、印刷樹脂フィルムを積層したシートの成形においては、成形による印刷図柄の歪みが少ない成形体をうる成形方法及び金型を提供する。 - 特許庁

Each deformation of at least three spots of the vibrating measuring object portion is measured, by using at least three laser displacement gages mounted on one holder, and the strain caused by vibrational deformation generated in the measuring object is calculated by an operation device from the difference between each deformation measured by each laser displacement gauge.例文帳に追加

一つのフォルダーに取り付けた少なくとも３基のレーザ変位計を用いて振動する測定対象部位の少なくとも３箇所の変形を測定し、各レーザ変位計により計測した変位の差から測定対象物に発生している振動変形による歪みを演算装置により演算する。 - 特許庁

Volume variation dV is computed on the assumption that for each of the plurality of finite elements, volume sensitivity dΩ/dV, a frequency difference dΩ, the natural frequency Ω_1r of an estimated structure, strain energy density U' and kinetic energy density T' are in a relationship of dΩ/dV=(U'-T')/2Ω_1r.例文帳に追加

複数の有限な要素のそれぞれについての体積感度ｄΩ／ｄＶと、振動数差ｄΩと、推定構造物の固有振動数Ω_1rと、ひずみエネルギー密度Ｕ´と運動エネルギー密度Ｔ´とが、ｄΩ／ｄＶ＝（Ｕ´−Ｔ´）／２Ω_1rの関係になることを前提として、体積変化量ｄＶを演算する。 - 特許庁

This force transducer includes a column working as a spring and a column for measurement, difference in strength is disposed in the column for measurement, the creep phenomenon of a part of high strength is compensated using the fact that a large creep occurs in a part of low strength, and the strain gauge is arranged in the part where the creep is compensated.例文帳に追加

ばねとして働く柱と測定用柱を持ち、測定用柱に強度の差を設け、強度が小さい部分にクリープが大きく起きることを利用して強度の大きい部分のクリープ現象を補償し、ひずみゲージをクリープの補償された部分に配置することにより、クリープ誤差の課題を解決した。 - 特許庁

To provide a thermally conductive composite material whose thermal expansion coefficient can be controlled to the value in a wide range close to that of semiconductor chips and various electronic equipment members while maintaining its sufficient thermal conductivity and high rigidity, and which has no strain caused by a difference in the thermal expansion coefficient with the parts to be combined.例文帳に追加

十分な熱伝導率と高い剛性を保持しながら、熱膨張係数を半導体チップや種々の電子機器部材に近似の広範囲の値に制御することが可能で、組み合わせ部品との熱膨張係数の差による歪を発生することのない熱伝導性複合材料を提供する。 - 特許庁

Stress strain is suppressed by a difference between linear thermal expansion coefficients of the holding member 12 and the reinforcing member 14, and the reinforcing member 14 is preferably supported by support pieces 122a, 122b formed by cutting and raising a part of the holding member 12 from a viewpoint of suppressing heat transfer from the holding member 12 to the reinforcing member 14.例文帳に追加

ここで、保持部材１２と補強部材１４の線熱膨張係数の違いによる応力歪みを抑え、また保持部材１２から補強部材１４への伝熱を抑える観点から、保持部材１２の一部を切り起こして形成した支持片１２２ａ，１２２ｂによって、補強部材１４を支持するのが好ましい。 - 特許庁

The semiconductive belt includes: a base layer constituted of an elastic body, and a protective layer laminated on the base layer, wherein the layer thickness ratio of the protective layer to the base layer is ≤0.04, and also, a permanent tensile strain difference between the semiconductive belt body and the base layer is ≤0.6%.例文帳に追加

本発明の半導電性ベルトは、弾性体で構成される基材層と、該基材層上に積層された保護層とを有し、基材層の層厚に対する保護層の層厚の比が０．０４以下であると共に、半導電性ベルト本体の引張り永久歪みと、基材層の引張り永久歪みとの差が０．６％以下である。 - 特許庁

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。 - 特許庁

The four detection bars 33 are retracted by clamping a work W between the detector 1 for surface perpendicularity and the other side of an electrode tip 13, displacement of the plate spring 35 followed by this is detected by each of the four strain gauges 39, and a hitting angle of the welding gun to the work W is detected by difference in these detection values.例文帳に追加

面直度検出具１と溶接ガンの他方の電極チップ１３との間で、ワークＷを挟持することで、４つの検知棒３３が後退し、これに伴う板ばね３５の変位を４つの歪みゲージ３９がそれぞれ検出し、この検出値の相違により溶接ガンのワークＷに対する打角を検知する。 - 特許庁

Even if slippage caused by thermal expansion difference between the sheet 20 and the frame 30 is also generated as electrodes facing between the devices 50, 60 are electrically connected, since the sheet 20 can be expanded and contracted to the frame 30, generation of strain in the sheet 20 also can be suppressed.例文帳に追加

また、両デバイス５０，６０の間で対向する電極同士を電気的に接続している状態でシート２０とフレーム３０との間に熱膨張差に起因するずれが生じたとしても、フレーム３０に対してシート２０が伸縮することができるため、やはりシート２０の歪みの発生を抑制することができる。 - 特許庁

When sensing a reference physical quantity, the constant currents Ia and Ib made to flow by the constant current source 11 and the constant current source 12 are adjusted so that an electric potential difference ΔVout, that is, offset voltage of respective connecting points a and b of the strain gauges Ra and Rb and the constant current sources 11 and 12 becomes zero.例文帳に追加

そして、基準の物理量をセンシング時に定電流源１１及び定電流源１２が流す定電流Ｉａ、Ｉｂを調整することにより、歪ゲージＲａ、Ｒｂと定電流源１１、１２のそれぞれの接続点ａ、ｂの電位差ΔＶｏｕｔ、つまりオフセット電圧が零になるようにする。 - 特許庁

The hydrangea-originated aluminum-accumulating gene is identified by the following process: from hydrangea as a highly aluminum-accumulating plant, its calyx-derived cDNA library is prepared; a gene candidate involved in aluminum accumulation is narrowed down by observing the expression difference based on the analysis of the gene sequence and the microarray analysis; and by conducting an aluminum tolerance test using an aluminum-sensitive sprouting yeast strain.例文帳に追加

アルミニウム高集積植物であるアジサイから、ガク片由来cDNAライブラリーを作製し、その遺伝子配列の解析とマイクロアレイ解析による発現差をみてアルミニウム集積に関わる遺伝子の候補を絞り、アルミニウム感受性出芽酵母株を用いたアルミニウム耐性試験により、アジサイ由来のアルミニウム集積遺伝子を同定した。 - 特許庁

To provide a honeycomb body for energization heating which includes both an electrode part enabling uniform heating and the enhancement of crack resistance in a part thereof having low volume resistivity and a heating part resisting the generation of thermal strain by controlling a thermal expansion difference with a heater and having excellent crack resistance, and can arbitrarily change the volume resistivity, and its manufacturing method.例文帳に追加

均一な加熱ができ、さらに、体積抵抗率が低い電極部分においては耐クラック性を向上させた電極部分と、ヒーター部分との熱膨張差を制御可能しながら熱歪みを発生し難く、かつ耐クラック性に優れた発熱部とを兼ね備える通電発熱用ハニカム体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality nitride semiconductor layer as well as a gallium nitride layer, a semiconductor element and a semiconductor device, which are capable of manufacturing a high performance device by the nitride semiconductor layer, and to provide the manufacturing method of them by reducing the occurrence of strain and stress due to the difference of thermal expansion coefficient between the nitride semiconductor and a substrate.例文帳に追加

窒化物半導体と基板の熱膨張係数の差に由来する歪と応力の発生を低減し、高品質の窒化物半導体層並びに前記窒化物半導体層により高性能なデバイスを作製することが可能な窒化ガリウム層、半導体素子及び半導体デバイスおよびそれらの作製方法を提供すること。 - 特許庁

A bending strain is given to a superconductor to release deformation on the inner-diameter side of the coil in a high magnetic field part, thereby reducing the fall of the critical current on the inner-diameter side of the coil due to thermal deformation caused by a difference in temperature between the generation temperature of the superconductor and the operation temperature of the superconducting coil.例文帳に追加

超電導導体に曲げ歪を印加して高磁場部に存在するコイル内径側の歪を緩和することにより、超電導導体の生成温度と超電導コイルの運転温度との温度差によって生ずる熱歪に基づくコイル内径側の臨界電流値の低下を軽減する超電導コイルの臨界電流値を向上させる方法。 - 特許庁

The prescribed temperature range is a temperature range of a degree free from heat strain generated on the refrigerant heater 50 caused by the temperature difference ΔT between the cooling water inflow temperature Twin and the plate temperature Tp or permitting its magnitude, when a three-way valve 90 is switched and controlled to allow the engine cooling water to flow into the refrigerant heater 50 or when the inflow Gin of the engine cooling water is increased.例文帳に追加

この所定の温度範囲は、三方弁９０を切替制御して冷媒加熱器５０へエンジン冷却水を流入させたとき、あるいは、エンジン冷却水の流入量Ｇｉｎを増加したときに、冷却水流入温度Ｔｗｉｎとプレート温度Ｔｐとの温度差ΔＴによって冷媒加熱器５０に熱ひずみが発生しない、あるいはその大きさを許容できる程度の温度範囲である。 - 特許庁