「substrate surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cleaning method of a substrate and a cleaning device of a substrate which can suppress damage on a semiconductor device or the like formed on the surface of a substrate, and can remove foreign matter from the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に形成された半導体デバイス等へのダメージを抑制し、基板の表面から、異物を除去することができる、基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置を提供する。 - 特許庁

Then, the substrate is rotated (step S22) and, after the substrate is preliminarily wetted (step S23), high pressure pure water is blown against the surface of the substrate in a step S24 and a nozzle is scanned to equally wash the entire surface of the substrate.例文帳に追加

そして、基板を回転させ（ステップＳ22）、前濡らし（ステップＳ23）を行った後に、ステップＳ24で高圧純水を基板表面に吹き付け、ノズルをスキャンさせて、基板表面全域を均等に洗浄する。 - 特許庁

This treating method is a substrate treating method, wherein the surface of the substrate S is treated with ozone water Lo, and in this method, the substrate S is heated and the high ozone concentration-ozone water Lo is fed to the surface of this substrate S at a low temperature.例文帳に追加

基板Ｓの表面をオゾン水Ｌｏで処理する基板処理方法であって、基板Ｓを加熱し、この基板Ｓの表面に低温でオゾン濃度の高いオゾン水Ｌｏを供給する。 - 特許庁

The respective space structures have a supporting substrate 24 having a first surface opposed to the first substrate and a second surface opposed to the second substrate, and a plurality of spacers 30 erected and installed on the supporting substrate.例文帳に追加

各スペーサ構体は、第１基板に対向した第１表面および第２基板に対向した第２表面を有した支持基板２４と、支持基板上に立設され複数のスペーサ３０と、を有している。 - 特許庁

A surface 1b opposite to a surface 1a opposite to the supporting substrate 2 of the semiconductor substrate 1 in which the supporting substrate 2 is stuck is processed, and the semiconductor substrate 1 is thinned to a predetermined thickness.例文帳に追加

支持基板２が貼り合わされた半導体基板１の支持基板２と対向する面１ａとは反対側の面１ｂを加工し、半導体基板１の厚さを所定の厚さまで薄厚化する。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an Si substrate 1, the SiGe layer SG formed on the surface of the substrate 1, and an implanted region 1a, into which hydrogen ions or helium ions are implanted near the surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上のＳｉＧｅ層ＳＧとを備え、前記Ｓｉ基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域１ａを有する。 - 特許庁

At the time of polishing a thin film formed on the surface of the substrate while the rear surface of the substrate is held, local stresses generated in the peripheral edge section of the substrate are reduced by a guide provided around the substrate.例文帳に追加

基板裏面を保持しながら表面に形成された薄膜を研磨する際に、基板周縁端部における局所的な応力を、基板周囲に設けられたガイドにより低減する。 - 特許庁

The first transparent substrate 1 and the second substrate 2 are detachably fixed so that the one surface of the first transparent substrate 1 faces the one surface of the second transparent substrate 2.例文帳に追加

そして、第１透明基板１の一方の表面と、第２透明基板２の一方の表面とが対向するように第１透明基板１と第２透明基板２とを着脱可能に固定する。 - 特許庁

The substrate transfer robot used for receiving and delivering a substrate between processing units has a robot hand to which a substrate support A for supporting the substrate in contact with the back surface of the substrate is fixed, and a robot hand equipped with substrate flexure prevention means which includes a substrate support B for supporting the substrate in contact with the back surface of the substrate.例文帳に追加

処理装置間で基板の受け取り、受け渡しを行う基板搬送ロボットであって、基板の裏面に接して基板を支持する基板支持体Ａを固定して備えたロボットハンドと、基板の裏面に接して基板を支持する基板支持体Ｂを有する基板たわみ防止手段を備えたロボットハンドと、を有することを特徴とする基板搬送ロボット。 - 特許庁

A sacrifice film 13 is deposited on the surface and rear surface of a semiconductor substrate 11 and is left behind only on the rear surface and a peripheral edge.例文帳に追加

半導体基板１１の表裏面に犠牲膜１３を成膜し、裏面と周辺エッジ部のみ犠牲膜を残す。 - 特許庁

HIGH-STABILITY AND HIGH-COUPLING SURFACE ACOUSTIC WAVE SUBSTRATE, SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER USING THE SAME AND SURFACE ACOUSTIC WAVE FUNCTION ELEMENT例文帳に追加

高安定高結合弾性表面波基板とそれを用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子 - 特許庁

To provide a surface electrometer capable of measuring surface potential of measurement domain of a semiconductor substrate, surface of which insulating film is formed over, at high accuracy.例文帳に追加

表面に絶縁膜が形成された半導体基板の測定領域の表面電位を高精度に測定する。 - 特許庁

The wiring substrate 41 includes a surface facing a side of the plurality of transducers 11 and a back surface which is on the opposite side of the surface.例文帳に追加

配線基板４１は、複数の振動子１１側を向く表面と表面の反対側の背面とを有する。 - 特許庁

The first substrate 11 has a first surface 111 and a second surface 112 opposite to the first surface 111.例文帳に追加

第１の基板１１は、第１表面１１１および第１表面１１１の反対側の第２表面１１２を有する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 has a first surface 1a which is an element forming surface, and a second surface 1b on the opposite side.例文帳に追加

半導体基板１は、素子形成面である第１の面１ａ及びその反対側の第２の面１ｂを有する。 - 特許庁

In a semiconductor device 10, a semiconductor substrate 11 has a first surface and a second surface facing the first surface.例文帳に追加

半導体装置１０では、半導体基板１１は第１の面と、第１の面に対向する第２の面を有している。 - 特許庁

A holder 103a has one surface S1 for holding a substrate 20 and the other surface S2 opposite to the one surface S1.例文帳に追加

ホルダ１０３ａは、基板２０を保持する一方面Ｓ１と、一方面Ｓ１と反対の他方面Ｓ２とを有する。 - 特許庁

The transparent substrate 11 comprises a first surface 111, and a second surface 112 opposing to the first surface 111.例文帳に追加

透明基板１１は、第１表面１１１と、第１表面１１１に対向する第２表面１１２と、を有する。 - 特許庁

A corner portion 13 at the surface side in the end portion 15 of the surface side of the substrate 10 is formed to a shape of curved surface.例文帳に追加

上記基板１０の表側端部１５における表面側角部１３は曲面状に形成されている。 - 特許庁

A ruggedness layer 17 wherein the part of the surface of the layer is rugged is provided on the lower side surface of the back surface side transparent substrate 2.例文帳に追加

背面側透明基板２の下側表面には、その表面の一部を凹凸にした凹凸層１７を設ける。 - 特許庁

The substrate 1 contacts a cooling surface by the surface 3 and the section 20 located inside the surface.例文帳に追加

基板１は環状の漏洩防止面３及びその内側に位置する接触保持部２０により冷却面と接する。 - 特許庁

The substrate includes a first surface, a second surface conceptually divided into multiple areas, and a third surface.例文帳に追加

基板は、第１の表面、概念的に複数の領域に分割された第２の表面、及び第３の表面を有する。 - 特許庁

The gallium nitride substrate 10 includes a front surface 12 subjected to mirror polishing, and a rear surface 14 opposite to the front surface 12.例文帳に追加

窒化ガリウム系基板１０は、鏡面研磨された表面１２と、表面１２とは反対側の裏面１４とを備える。 - 特許庁

The reflection surface does not protrude to the surface even when cleaning the surface of the transparent substrate 12, thereby improving the cleaning efficiency.例文帳に追加

また、透明基板１２の表面を清掃する際にも、表面に突出していないので、清掃の効率も向上する。 - 特許庁

The substrate chemical processing sections 31-34 supply the processing liquid to the substrate W directing the surface downward under horizontal attitude from below and process the circumferential edge part on the lower surface (surface) and upper surface (rear surface) selectively.例文帳に追加

基板薬液処理部３１〜３４は、表面を下方に向けた水平姿勢の基板Ｗに対して、下方から処理液を供給し、その下面（表面）および上面（裏面）の周縁部を選択的に処理する。 - 特許庁

The integrated sensor device has a first substrate including a surface section, and a second substrate combined with the surface of the first substrate in a laminated structure, and a cavity is specified between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

集積化センサ装置は、表面部分を含む第１の基板および積層構成で第１の基板の表面部分に結合される第２の基板を備え、そこでは空洞が、第１の基板と第２の基板との間に規定される。 - 特許庁

A disk-shaped substrate 7 is attached to a substrate holding section 5a of the substrate holder 5 and further, annular permanent magnets 8A and 8B aligned in the central axes to the substrate 7 are arranged on the surface of the substrate 7 on the side opposite to its deposition surface.例文帳に追加

この基板ホルダ５の基板支持部５ａに円板状の基板７を取り付け、さらに、基板７の成膜面に対する反対側の面に、基板７と中心軸が一致するリング状の永久磁石８Ａ，８Ｂを配置する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an Si layer (or an Si substrate) 100 formed on a main surface of an insulator substrate 101, wherein the insulator substrate 101 is a sapphire substrate 101 and the main surface of the insulator substrate 101 is a face (c).例文帳に追加

絶縁体基板１０１の主面上にＳｉ層（またはＳｉ基板）１００を有する半導体装置１０において、絶縁体基板１０１はサファイア基板１０１であり、絶縁体基板１０１の主面はｃ面である。 - 特許庁

To provide a substrate supporting device capable of preventing deviation of mounting position by providing a supporting member having a surface abutting against a substrate in the inside of a vacuum pat to support the substrate placed on a substrate placing surface to prevent the substrate from being bent.例文帳に追加

本発明は、バキュームパットの内側に基板との当接面を有する支持部材を設け、基板載置面に載置された基板がたわまないように支持し、搭載位置のずれのない基板支持装置を提供するものである。 - 特許庁

The substrate for the surface acoustic wave element includes (a) a piezoelectric substrate 12 and (b) a support substrate 14 whose one of the principal surfaces 14a is pasted on a principal surface 12b of the piezoelectric substrate 12 and whose linear expansion coefficient is smaller than that of the piezoelectric substrate 12.例文帳に追加

（ａ）圧電基板１２と、（ｂ）一方の主面１４ａが圧電基板１２の一方の主面１２ｂと貼り合わせられ、圧電基板１２の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持基板１４とを備える。 - 特許庁

A housing 3 which holds a circuit substrate 6 has a conductor housing 11 disposed at one substrate surface side of the circuit substrate 6, and an insulating housing 12 disposed at the substrate surface side of opposite side of the circuit substrate 6 in combination.例文帳に追加

回路基板６を収容する筐体３は、回路基板６の一基板面側に配置される導体筐体部１１と、回路基板６の反対側の基板面側に配置される絶縁体筐体部１２とが組み合わされて成る。 - 特許庁

To provide each adsorption pat capable of preventing the sticking of foreign matter which is not desired on the surface of a substrate upon desorption of the substrate in a substrate treatment method where only the surface of the substrate is treated with a chemical, and to provide a substrate treatment device comprising the same.例文帳に追加

基板表面のみを薬液で処理する基板処理方法において、基板の脱離の際に基板表面に所望しない異物の付着を防止し得る吸着パット及びこれを有する基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Both surfaces of the sidewall surface and the chamfered surface of the end surface of the glass substrate are ground by bringing the outer periphery end surface of the glass substrate into contact with the inner periphery of the grindstone and relatively moving the glass substrate and the grindstone.例文帳に追加

上記砥石の内周側にガラス基板の外周側端面を接触させ且つガラス基板と砥石とを相対的に移動させることにより、ガラス基板の端面の側壁面及び面取面の両方の面を研削加工する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises: a semiconductor substrate 11, a heat sink (radiator) mounted on the upper surface (second main surface) of the semiconductor substrate 11, and wiring 14 or the like formed on the lower surface (first main surface) of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上面（第２主面）に搭載されたヒートシンク（放熱体）と、半導体基板１１の下面（第１主面）に形成された配線１４等を具備している。 - 特許庁

Because the front surface and the back surface of the substrate are cleaned with the cleaning liquid CL, the ice grains IG in the cleaning liquid CL uniformly act on the substrate to uniformly process the front surface and the back surface of the substrate.例文帳に追加

そして、この洗浄液ＣＬにより基板の表面や裏面を洗浄しているため、洗浄液ＣＬの氷粒ＩＧが基板に対して均一に作用して基板の表面や裏面を均一に処理することができる。 - 特許庁

A metal plate 2 having a surface (surface A) of corresponding shape to the rear surface of a substrate 1 corresponding to circuit components T1 and T2 arranged on the surface of the substrate 1 is provided between the substrate 1 and a heat sink 3.例文帳に追加

基板１の表面に配される回路部品Ｔ１、Ｔ２に応じた当該基板１の裏面の形状に対応する形状を有した面（Ａ面）を有する金属製の板２を、当該基板１とヒートシンク３との間に設けた。 - 特許庁

A member 20 having nearly the same refractive index as that the substrate 3 has is provided on the -Z-side surface of the substrate 3 so that no terahertz pulsed light reflecting surface may be formed between the -Z-side surface of the member 20 and the +Z-side surface of the substrate 3.例文帳に追加

基板３と略同じ屈折率を有する部材２０が、基板３の−Ｚ側に、部材２０の−Ｚ側の面と基板３の＋Ｚ側の面との間にテラヘルツパルス光の反射面を形成しないように、設けられる。 - 特許庁

When this oxide film 43 is removed, the surface density of pits existing on the surface of the substrate 41 is becomes not more than the facial density of pits existing on the surface of the substrate 41 before the oxidizing treatment, and the depth of pits existing on the surface of the substrate 41 becomes 50 nm or smaller.例文帳に追加

この酸化膜を除去すると、基板表面に存在するピットの面密度が前記酸化処理前の基板表面に存在する面密度以下となり、また基板表面に存在するピットの深さが５０ｎｍ以下となる。 - 特許庁

SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER ELEMENT, BASE SUBSTRATE FOR SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER ELEMENT, AND SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER DEVICE WITH SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER ELEMENT例文帳に追加

弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波フィルタ素子用ベース基板及び弾性表面波フィルタ素子を備える弾性表面波装置 - 特許庁

The protective surface is positioned near a height position, on the other surface located on the opposite side to one surface of an arm part that faces the mounting surface of the probe substrate.例文帳に追加

保護面は、プローブ基板の取付け面に対向するアーム部の一方の面と反対側の他方の面の高さ位置の近傍に位置する。 - 特許庁

To provide a process for the surface processing of a diamond substrate keeping the flatness of the processing surface.例文帳に追加

被加工面の平坦性を保持可能なダイヤモンド基板表面加工方法を提供とする。 - 特許庁

A recessed groove 5 is formed to the surface of a base material using a rear 3 as a substrate mounting surface.例文帳に追加

裏面３を下地材取付面とする基材１の表面２に、凹入溝５を形成する。 - 特許庁

The integrated circuit 30 is provided with the substrate 10 with an etching surface and a non-etching surface.例文帳に追加

集積回路３０は、エッチング表面および非エッチング表面を有する基板１０を備える。 - 特許庁

An optical substrate 50 having a structured prismatic surface 54 and an opposing structured lenticular surface 52.例文帳に追加

光学基板５０は表裏に角柱構造化面５４及びレンチキュラー構造化面５２を有する。 - 特許庁

Then an SiO2 film is formed on the surface of the substrate 10 as a surface protective film 26.例文帳に追加

次に、半導体基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜を表面保護膜２６として形成する。 - 特許庁