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substrate surfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 43285件
After a frozen body of a developer is mounted on the entire surface of a substrate, at least the surface side of the frozen body which is in contact with the substrate is molten to put the developer on the surface of the substrate.例文帳に追加
基板の表面全体に現像液の氷結体を載置した後、その氷結体の少なくとも基板との接触面側を融解させることにより、基板の表面に現像液を盛る。 - 特許庁
By a substrate surface detector 38, cross-sectional images of the body to be inspected, that comprises a substrate and electronic components, are image-analyzed to determine a surface image with a substrate surface displayed therein from among the cross-sectional images.例文帳に追加
基板表面検出部38は、基板および電子部品を含む被検査体の断面画像を画像解析し、前記断面画像の中から基板表面を映し出す表面画像を特定する。 - 特許庁
The LED lamp A1 comprises a substrate 10 and a plurality of LED modules 30 mounted on a top surface 10a of the substrate 10, and the top surface 10a of the substrate 10 is formed into a specular surface.例文帳に追加
基板10と、基板10の表面10aに搭載される複数のLEDモジュール30とを備えたLEDランプAであって、基板10の表面10aは、鏡面状に形成されている。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus that can prevent liquid, when processing one surface and end surface part (edge part) of a substrate with the liquid, from sneaking in the other surface, and to provide a substrate processing method.例文帳に追加
基板の一方の面と端面部分(エッジ部分)を液体により処理をする際に、他方の面側への液体の回り込みを防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁
The microminiature mirror device is provided with a substrate having a front surface and a plate which is parted from the front surface of the substrate, is substantially parallel in directions and defines a cavity from the front surface of the substrate as a result thereof.例文帳に追加
超小型鏡デバイスは、表面を有する基板と、基板の表面から離間されており実質的に向きが平行であり、その結果基板の表面との間にキャビティを定めるプレートとを備える。 - 特許庁
The apparatus for heat treatment installs the substrate W on an installing surface 99 by approaching the lower surface of the substrate W and an installing surface 99 for installing the substrate W in a non-parallel state with each other.例文帳に追加
本発明に係る熱処理装置は、基板Wの下面と、基板Wを載置する載置面99とを、互いに非平行な状態で近接させて、載置面99上に基板Wを載置する。 - 特許庁
The apparatus for the thermal processing of a substrate surface involves irradiating the substrate surface 32 with first and second images 150, 250 to process regions of the substrate surface 32 at a substantially uniform peak processing temperature along a scan path.例文帳に追加
通常基板表面32を第1および第2像150,250で照射して基板表面32の領域をスキャンパスに沿って実質的に均一なピーク処理温度で処理することを含む。 - 特許庁
To suppress warpage of a semiconductor substrate of a semiconductor device including a surface electrode formed on a top surface of a semiconductor substrate and a back electrode formed on a reverse surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の表面に形成されている表面電極と、半導体基板の裏面に形成されている裏面電極とを備えている半導体装置において、半導体基板の反りを抑制する。 - 特許庁
To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.例文帳に追加
酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁
Flatness of the surface of a silicon substrate is measured and silicon epitaxial layer whose thickness varies with a place is formed by a vapor phase epitaxial method in a substrate surface according to irregularities of a substrate surface.例文帳に追加
シリコン基板の表面の平坦度を測定し、基板表面の凹凸に応じて基板表面に気相エピタキシャル法により場所によって膜厚の異なるシリコンエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁
To mass-produce a structure for concentrating laser beams on the extremely small spot of a disk by simultaneously forming plural lenses on the upper surface of a substrate and plural air bearing surface structures on the lower surface of the substrate and cutting the substrate into individual heads.例文帳に追加
磁気光学又は光学ディスクからデータを読み出し及び又はそれらにデータを書き込むことを可能にしディスクの非常に小さいスポットにレーザービームを集中させる構造を提供する。 - 特許庁
Since the exposing light entering from the surface of the substrate is diffuse reflected on the rear surface of the substrate, reflectance of the exposing light is lowered on the rear surface of the substrate and the intensity of reflected light is reduced.例文帳に追加
これにより、基板表面から入射した露光光が基板裏面で乱反射されるので、基板裏面における露光光の反射率が低下して反射光の強度が減少する。 - 特許庁
The surface acoustic wave device is composed by arranging on the top surface of a substrate 2, with a surface acoustic wave element, having an excitation electrode 5 on one principal plane of a piezoelectric substrate 3 made to face the one principal plane of the piezoelectric substrate 3.例文帳に追加
基体2の上面に、圧電基板3の一方主面の上に励振電極5を設けた弾性表面波素子を、圧電基板3の一方主面を対向させた状態で配設してなる。 - 特許庁
To achieve a surface of an SiC substrate sufficiently cleaned by planarizing the surface of the SiC substrate with high accuracy sufficiently in a short time and by removing metal contamination or the like on the surface of the SiC substrate.例文帳に追加
十分に短い時間で、SiC基板表面を高精度に平坦化し、かつSiC基板表面のメタルコンタミ等を除去して十分に清浄なSiC基板表面を実現する。 - 特許庁
A thick layer of a rinse solution covers the whole of the substrate surface Wf that is subjected to a rinse process of delivering the rinse solution from a rinse nozzle 8 to the substrate surface Wf, and a paddle-like rinse layer 21 is formed on the substrate surface Wf.例文帳に追加
リンスノズル8からのリンス液の吐出によりリンス処理を受けた基板表面Wf全体にはリンス液が盛られた状態で付着して、いわゆるパドル状のリンス層21が形成される。 - 特許庁
A light scattering and reflecting substrate 110 is provided with a glass substrate 111 having a front surface and a back surface, and a scattering film 112 and a reflecting film 113 sequentially layered on the front surface of the glass substrate 111.例文帳に追加
光散乱反射基板110は、表面及び裏面を有するガラス基板111と、ガラス基板111の表面上に順に積層された散乱膜112及び反射膜113とを備える。 - 特許庁
A quartz substrate 22 is etched from the side of a rear surface to form a cavity 24 on the rear surface of the substrate 22 and a thin film supporting part 23 consisting of a part of the substrate 22 is formed on its upper surface.例文帳に追加
水晶基板22を裏面側からエッチングすることによって水晶基板22の裏面に空洞24を形成し、その上面に水晶基板22の一部からなる薄膜支持部23を形成する。 - 特許庁
To provide a fixture for holding a substrate wherein the surface treatment for a substrate is possible without changing the internal configuration of a vertical furnace, and the quality of the surface treated substrate is made uniform.例文帳に追加
縦型炉の内部形状を変えることなく基板の表面処理が可能で、表面処理される基板の品質を均一にする基板保持用治具を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate treatment apparatus capable of effectively achieving the uniformization of treatment on the whole surface of a substrate by preventing the stagnation of the treatment solution discharged to the surface of the substrate.例文帳に追加
基板表面上に吐出された処理液の滞留を防止し基板全面における処理の均一化を有効に達成できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
A second ceramic green sheet 7 is laminated on a surface of a green ceramic substrate 30 on which a surface conductors 32 of the green ceramic substrate 30 is formed, the second ceramic green sheet 7 subsequently being integrated with the green ceramic substrate 30.例文帳に追加
未焼成セラミック基板30の表面導体32を形成した面に、同時焼成により一体化される第2のセラミックグリーンシート7を積層する。 - 特許庁
When a LED emits light from a substrate end surface at the lateral side of the long hole, light is transmitted through the substrate, scattered by the rugged pattern, and then emitted from the surface side of the substrate.例文帳に追加
長孔の側方の基板端面からLEDを発光させると、光は基板中を伝わって凹凸パタ−ンで散乱して基板の表面側から出射する。 - 特許庁
A substrate made of glass, silicon or the like is used as the substrate of the partition plate for constituting the total reflection face on the surface of the partition plate, and a metal or the like may be spattered on the surface of the substrate.例文帳に追加
隔壁板の表面を全反射面とするためには、隔壁板の基板にガラスやシリコン等を用い、基板表面に金属などをスパッタすることもできる。 - 特許庁
To provide a resin protrusion layer formation method on a substrate mounting surface, capable of forming a resin protrusion layer on the substrate mounting surface without heating a substrate mounting table.例文帳に追加
基板載置台を加熱することなく基板載置面に樹脂突起物層を形成することができる基板載置面に樹脂突起物層を形成する方法を提供する。 - 特許庁
A recession 4 opened to a first surface of a silicon substrate 3 is formed, and the first surface of the silicon substrate 3 and a silicon substrate 1 are pasted with each other through an insulating film 2.例文帳に追加
シリコン基板3の第1の面に開口する凹部4を形成し、シリコン基板3の第1の面とシリコン基板1を絶縁膜2を介して貼り合わせる。 - 特許庁
A clearance δ2 between the undersurface of the substrate 2 mounted on the substrate mounting surface, and the upper surface of the substrate support part of the tray 15 mounted on a tray support part 28 is around 0.2-0.3 mm.例文帳に追加
基板載置面に載置された基板2の下面と、トレイ支持部28に載置されたトレイ15の基板支持部の上面との隙間δ2が0.2〜0.3mm程度である。 - 特許庁
The liquid membrane is formed on the substrate surface Wf by supplying DIW (deionized water) onto the substrate surface Wf, while holding a substrate W with a spin chuck 2 in a substantially horizontal posture.例文帳に追加
スピンチャック2に基板Wを略水平姿勢で保持した状態で基板表面WfにDIWを供給して基板表面Wfに液膜を形成する。 - 特許庁
The function module 91 is bonded to the first major surface 52 side of the first substrate 51, and the second substrate 31 is bonded to the second major surface 53 side of the first substrate 51.例文帳に追加
第1基板51の第1主面52側には機能モジュール91が接合され、第1基板51の第2主面53側には第2基板31が接合される。 - 特許庁
The additive 3 is bonded to the surface of the polymeric material substrate 2 by anchoring the substrate affinity segment 5 to a surface layer of the polymeric material substrate.例文帳に追加
そして、添加剤3は、基材親和性セグメント5が高分子材料基材表面層にアンカリングすることにより高分子材料基材2の表面に結合している。 - 特許庁
To provide a substrate joining method capable of improving adhesive force between a substrate and a joined body by performing uniform surface treatment on the surface of the substrate.例文帳に追加
基材表面に均一な表面処理を施すことで基材と被接合体との接着力を向上させることができる基板接合方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and a device for treating substrate by which satisfactory treatment can be performed on the surface of a substrate in accordance with the surface condition of the substrate.例文帳に追加
基板の表面状態に応じた処理を行い、基板の表面に良好な処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor element 21 is flip-chip connected to at least one side of the substrate first major surface 42 and the substrate second major surface 43 in the resin substrate 41.例文帳に追加
樹脂基板41における基板第1主面42及び基板第2主面43の少なくとも一方の側には、半導体素子21がフリップチップ接続される。 - 特許庁
A hexagonal SiC substrate, with {11-20} surface set as a main surface, is used in an SiC substrate 90, and a trench groove 91 is formed in the SiC substrate.例文帳に追加
SiC基板90に{11−20}面を主表面とする六方晶SiC基板が用いられるとともにSiC基板90にトレンチ溝91が形成されている。 - 特許庁
A silicon substrate surface, where a memory cell transistor is formed in a silicon semiconductor substrate 11 is formed, is made lower than a silicon substrate surface where a select gate transistor is formed.例文帳に追加
シリコン半導体基板11内においてメモリセルトランジスタが形成されるシリコン基板面を、セレクトゲートトランジスタが形成されるシリコン基板面より低く形成する。 - 特許庁
The substrate 2 is electrostatically attracted on a substrate placement surface by a substrate attraction electrode 40, and the tray 15 is electrostatically attracted on the tray support surface by the tray attraction electrode 202.例文帳に追加
基板2は基板吸着電極40により基板載置面に静電吸着され、トレイ15はトレイ吸着電極202によりトレイ支持面に静電吸着される。 - 特許庁
The surface layer of a substrate is etched from the main surface of the substrate, thereby forming a steplike groove or ridge on at least one of the sides of the substrate.例文帳に追加
基板の表層部を、該基板の主表面からエッチングすることにより、少なくとも一方の側面が階段状になった溝または尾根状部分を形成する。 - 特許庁
The plastic substrate for the display element is characterized in that the substrate has a rugged surface of a prescribed glossiness on at least one surface of the substrate and a prescribed light transmittance.例文帳に追加
少なくとも一方の表面に所定の光沢度の凹凸面を有すると共に所定の光線透過率であることを特徴とする表示素子用プラスチック基板 。 - 特許庁
In an electronic substrate 1 in which an active region is provided on one surface 10a of the substrate 10, passive elements C, L are provided on the other surface 10b of the substrate 10.例文帳に追加
基板10の一方の面10aに能動領域が設けられる電子基板1であって、基板10の他方の面10bに受動素子C、Lを設ける。 - 特許庁
To uniformly form a dense CVD thin film on the surface of a non- conductive substrate by uniformly applying an RF bias on the surface of the substrate on a non-contact state with the substrate.例文帳に追加
非導電性の基板に対して非接触で、RFバイアスをその基板表面に均一に印加して緻密なCVD薄膜をその表面に均一に形成する。 - 特許庁
To provide an apparatus and a method for the treatment of a substrate wherein a treatment defect on the surface of a square substrate is suppressed and the surface of the square substrate can be treated uniformly.例文帳に追加
角型基板上面の処理不良を抑え、角型基板上面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁
Reversal units RT for reversing one surface and the other surface of the substrate W are arranged in lamination at the upper side of the substrate placement section PASS5 and the lower side of the substrate placement section PASS6.例文帳に追加
基板載置部PASS5の上側および基板載置部PASS6の下側に、基板Wの一面と他面とを反転させる反転ユニットRTが積層配置される。 - 特許庁
Consequently, the substrate W is positioned at the substrate processing position P3 and the circumferential edge on the lower surface of the substrate W faces the opposing surface 5b of a spin base 5 under proximate state.例文帳に追加
こうして、基板Wが基板処理位置P3に位置決めされ、基板Wの下面周縁部とスピンベース5の対向面5bとが近接状態で対向配置される。 - 特許庁
An electronic component 10 is disposed on a surface of a substrate 1, and the electronic component 10 is fixed on the substrate 1 partially away from the surface of the substrate 1.例文帳に追加
基板1の表面に電子部品10が配置され、電子部品10はその一部が基板1の表面と離間した状態で基板1に固定されている。 - 特許庁
The electrostatic chuck for receiving a substrate in a substrate processing chamber comprises a ceramic puck having a substrate receiving surface and an opposing backside surface with a plurality of spaced apart mesas.例文帳に追加
基板処理チャンバ内で基板を受容する静電チャックは、基板受容面と、複数の隔置されたメサを有する対向する裏面とを有するセラミックパックを備えている。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for processing a substrate capable of preferably drying the substrate surface at low cost when drying a substrate surface wet with a processing liquid.例文帳に追加
処理液で濡れた基板表面を乾燥させる際に低コストで基板表面を良好に乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing method and an apparatus capable of removably processing a resist film formed on the surface of a substrate without damaging the surface of the substrate.例文帳に追加
基板の表面のレジスト膜を、基板の表面にダメージを与えることなく除去可能な状態にすることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁
A groove is formed on the oxide substrate adjacent to an active region, the groove is extended from the first main surface of the oxide substrate to the first main surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
作動領域に近接する酸化物基板に溝を形成し、この溝が酸化物基板の第1主表面から半導体基板の第1主表面まで延びている。 - 特許庁
To provide a substrate stage which needs only a small flat processing area of an upper surface for actually installing a substrate even when a large installation surface is necessary by the upsizing of the substrate.例文帳に追加
基板の大型化によって広い載置面が必要となっても,基板を実際に載置する上面の平坦加工面積が狭小で済む,基板ステージを提供する。 - 特許庁
In order to achieve it, the substrate which supports the light emitting diodes 54-58 is formed into a stepped substrate 52, and a reflective surface is formed on the rear surface of the stepped substrate 52.例文帳に追加
それを達成するために、発光ダイオード54〜58を支える基板を階段状基板52にし、この階段状基板52の後面に反射面を形成した。 - 特許庁
The substrate unit has a substrate body 10, a first chip placement region 11 provided on an upper surface of the substrate body, and a second chip placement region 12 provided on the upper surface of the substrate body.例文帳に追加
基板ユニットは、基板本体10と、基板本体の上表面に設けられる第1のチップ載置領域11と、基板本体の上表面に設けられる第2のチップ載置領域12と、を有する。 - 特許庁
To form a film made of a compound of materials which are different from materials of a substrate on the surface of a substrate through reactive sputtering method, while a compound of materials of which the substrate is made is not formed on the substrate surface.例文帳に追加
基板表面に基板を構成する材料の化合物を形成することなく、基板とは異なる材料の化合物からなる膜を、基板表面に反応性スパッタ法で形成する。 - 特許庁
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