「super- lattice」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OXIDE SEMICONDUCTOR SUPER-LATTICE AND DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

酸化物半導体超格子およびこれを用いたデバイス - 特許庁

SWITCHING DEVICE WITH SUPER LATTICE AND WITHOUT INSULATOR BARRIER例文帳に追加

超格子を用いた絶縁体障壁のないスイッチ装置 - 特許庁

To provide a thermoelectric transducer having a super-lattice structure and a high thermoelectric performance.例文帳に追加

超格子構造を有する熱電性能が高い熱電変換素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A super lattice semiconductor element having an intrinsic semiconductor (i) layer 15 having a super lattice structure in which barrier layers 21 and quantum well layers 22 are alternately and repeatedly laminated is provided between two electrodes 11 and 12.例文帳に追加

２つの電極１１，１２間に、障壁層２１と量子井戸層２２とが交互に繰り返して積層形成してなる超格子構造を有する真性半導体ｉ層１５を有する超格子半導体素子を備える。 - 特許庁

The P-side clad layer and the N-side clad layer are formed of a super lattice equipped with nitride semiconductor layers containing at least Al or an AlxGa1-xN/GaN super lattice.例文帳に追加

ｐおよびｎ側クラッド層は少なくともＡｌを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、例えばＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ／ＧａＮの超格子とできる。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

In an avalanche photodiode in which a super-lattice structure serves as an avalanche multiplying layer, the barrier layer and well layer of the super-lattice layer are set optimal in thickness.例文帳に追加

超格子構造をアバランシェ増倍層とするアバランシェフォトダイオードにおいて、該超格子層のバリア層とウェル層の膜厚を最適に選択する。 - 特許庁

Formation of a two-dimensional electronic gas region by forming the conductive layer into a super-lattice structure reduces conduction resistance of the conductive layer.例文帳に追加

導電性層を超格子構造として二次元電子ガス領域を形成することで、導電性層の導通抵抗をより低減させることができる。 - 特許庁

A refractive index of the AlxGa(1-x)N core layer 20 is larger than the average refractive index of the super-lattice clad layers 18, 21 of n-type and p-type.例文帳に追加

Ａｌ_x Ｇａ_(1-x) Ｎコア層２０の屈折率は、ｎ型及びｐ型の超格子クラッド層１８、２１の平均屈折率よりも大きい。 - 特許庁

The p-type guide layer 16 has a super lattice structure wherein a p-type AlGaN layer and p-type GaN layer are alternatively repeatedly stacked a plurality of times.例文帳に追加

ｐ型ガイド層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層を交互に複数回繰り返し積層した超格子構造を有している。 - 特許庁

Next, integrated circuits (600, 850) are completed, and at least a part of the ferroelectric layer super-lattice material film is included in constituent elements (604, 872) of the integrated circuits.例文帳に追加

次いで、集積回路（600、850）が完成され、集積回路の構成要素（604、872）中に層状超格子材料膜の少なくとも一部が含まれる。 - 特許庁

The semiconductor element has a semiconductor super lattice layer 7 formed by using a substrate provided with a recess or a projection with periodicity in a major surface, and a semiconductor multilayer film 101 including an active layer 5 formed on the semiconductor super lattice layer 7.例文帳に追加

半導体素子は、主面に周期性を有する凹部又は凸部を設けた基板を用いて形成された半導体超格子層７と、半導体超格子層７の上に形成された活性層５を含む半導体多層膜１０１とを備えている。 - 特許庁

Further, a phosphorus oxide layer or a boron oxide layer is formed between the zinc oxide base semiconductor well layer and the oxide barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice.例文帳に追加

また、本発明にかかる酸化物半導体超格子は、上記酸化亜鉛系半導体井戸層と上記酸化物障壁層の間にリン酸化物層またはホウ素酸化物層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A digital graded semiconductor layer will have a super lattice of alternating GaN quantum wells and AlGaN barrier layers, with the GaN quantum wells decreasing in thickness as the AlGaN barriers increase in thickness.例文帳に追加

デジタル的勾配半導体層は、交互するＧａＮ量子井戸及びＡｌＧａＮ障壁層の超格子を有し、ＡｌＧａＮ障壁の厚さが増加するにつれて、ＧａＮ量子井戸の厚さが減少する。 - 特許庁

The liquid is dried, sintered, and annealed, and a thin film (506, 860) of a ferroelectric layer super-lattice material, such as strontium bismuth tantalite is formed on the substrate.例文帳に追加

液体は乾燥、焼成およびアニールされ、基板上にストロンチウムビスマスタンタル酸塩などの層状超格子材料の薄膜（506、860）が形成される。 - 特許庁

To provide a super-lattice semiconductor light emitting device for increasing the degree of freedom of element design, and for increasing the kinds of emission wavelength to be obtained.例文帳に追加

従来例に比較して素子設計の自由度を大きくし、かつ得られる発光波長の種類を多くすることが可能な超格子半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

A GaN (0001) or an AlN (0001) single crystal film, or a super-lattice structure of the GaN (0001) and the AlN (0001) is formed on a Si (110) substrate via a 2H-AlN buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 - 特許庁

By this constitution, a super- lattice amplifying layer can be reduced in film thickness without deteriorating a multiplication factor and increasing a dark current, and the avalanche photodiode can be improved in response speed and reduced in operating voltage.例文帳に追加

この構成により、増倍率を低下させることなく、さらには暗電流を増やすことなく、超格子増倍層の膜厚を薄くすることが可能となり、応答速度を速くできるうえに動作電圧も低くできる。 - 特許庁

This capacitor solves the problem outlined above via a substantially smooth lower electrode construction, without hillocks that combines the laminar super lattice materials.例文帳に追加

層状超格子材料と組み合わせて用いる実質的に平滑な、すなわちヒロックのない下部電極を提供することによって、上記で略述した問題を克服する。 - 特許庁

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

To provide a super lattice semiconductor light emitting device whose light emission wavelength is variable in which the fluctuation of luminous intensity can be made smaller than that of an element in a conventional example, and a high speed operation can be attained with low power consumption.例文帳に追加

発光強度の変動が従来例の素子より少なく、かつ低消費電力で高速動作が可能である発光波長可変の超格子半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

Highly-accurate length measurement calibration capable of specifying the calibration position can be realized by forming a mark or a label for specifying the calibration position near a super-lattice pattern of the standard member for device calibration.例文帳に追加

装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。 - 特許庁

To enhance emission characteristics by forming a nitride semiconductor layer having a large band gap doped with p-type dopant and a nitride semiconductor layer having a small band gap alternately thereby forming a super lattice structure in a contact layer and lowering the working voltage of a light emitting element.例文帳に追加

動作電圧を低減し、汎用されている電源電圧を用いて安定に動作可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The optical rotation sensor 11 is achieved by applying a photocatalytic and super-hydrophilic coating 21 to a surface of the cord wheel 6 in which a lattice 7 is formed.例文帳に追加

この光学式回転センサ１１は、コードホイール６における格子７の形成面に光触媒超親水性のコーティング２１を施したものである。 - 特許庁

The p type super lattice cap layer 20 is comprised of four-cycle-laminate of a first layer 20a which is a GaN and a second layer 20b which is an AlGaN formed on the first layer 20a.例文帳に追加

ｐ型超格子キャップ層２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１層２０ａと該第１層２０ａの上に形成された窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなる第２層２０ｂとが４周期分積層されて構成されている。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the HBT provided with a GaAs base layer 6 and an emitter layer 5 consisting of InGa or AlGaAs, a super lattice spacer layer 11 consisting of AlGaAs/GaAs is inserted between the base layer 6 and the emitter layer 5 to improve a current amplification factor β.例文帳に追加

ＧａＡｓベース層６とＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層５を備えたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層６とエミッタ層５との間に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓより成るスーパーラティススペーサー層１１を挿入し、電流増幅率βを向上させる。 - 特許庁

The medical material is a medical material to remove or deactivate a super antigen and/or cytokine and has a spin-lattice relaxation time (T_1^H) of a hydrogen nucleus observed by a solid high resolution carbon nucleus magnetic resonance method is 1.2 second or less.例文帳に追加

スーパー抗原および／またはサイトカインを除去あるいは不活化する医療用材料であって、固体高分解能炭素核磁気共鳴法によって観測される水素核のスピン−格子緩和時間（Ｔ_１^Ｈ）が１．２秒以下であることを特徴とする医療用材料。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a multilayer structure comprising an n-AlInP clad layer, super-lattice active layer section, p-AlInP first clad layer, GaInP etching stop layer, p-AlInP second clad layer, GaInP protective layer, and p-GaAs contact layer.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層、超格子活性層部、ｐ−ＡｌＩｎＰ第一クラッド層、ＧａＩｎＰエッチングストップ層、ｐ−ＡｌＩｎＰ第二クラッド層、ＧａＩｎＰ保護層、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層構造を備える。 - 特許庁

The thermoelectric transducer 1 has a super-lattice structure 20 formed by alternately laminating first layers 11 containing Si and second layers 12 containing Ge and Au, and both the first and second layers 11, 12 are amorphous.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１であって、超格子構造２０は、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層することにより形成され、第１の層１１および第２の層１２はいずれもアモルファスである熱電変換素子。 - 特許庁

A bottom insulating layer 14, a layer of a super-lattice structure having a sandwich structure in which intermediate insulating layers 16A, 16B are inserted into between electronic accumulated layers 15A, 15B and 15C, a top insulating layer 17, and a gate electrode 18 are laminated sequentially on the upper surface of a channel region.例文帳に追加

チャネル領域の上面に、ボトム絶縁層１４と、電子蓄積層１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃの間に中間絶縁層１６Ａ，１６Ｂを介挿させサンドイッチ構造とした超格子構造の層と、トップ絶縁層１７と、ゲート電極１８とを順次積層する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, an n-type GaN contact layer 2, an n-type AlInGaN/AlGaN super lattice layer 3, an active layer 4, a p-type AlGaN block layer 8, and a p-type GaN contact layer 5 are formed, and an n-type electrode 7 and a p-type electrode 6 are provided.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing a gasoline fraction by contacting a high aromatic hydrocarbon oil with a hydrocracking catalyst utilizes a catalyst containing in a frame resistant carrier as a hydrocracking catalyst 40 mass% or more of a super stable Y type zeolite having a specific lattice constant, crystallinity, an acid amount, and absorbance of an OH group satisfying a specific formula.例文帳に追加

高芳香族炭化水素油を、水素化分解触媒と接触させることによって、ガソリン留分を製造する方法において、水素化分解触媒として、耐火性担体に、特定の格子定数、結晶化度、酸量、及び特定の式を満たすＯＨ基の吸光度を有する、超安定Ｙ型ゼオライトを４０質量％以上含有する担体を用いる触媒を使用する。 - 特許庁

The oxide semiconductor super-lattice comprises an oxide barrier layer (LiGaO_2 barrier layer 12 for example) containing a zinc oxide base semiconductor well layer (ZnO well layer 11, for example) and an LA base alkaline metal while at least either phosphorus or boron is added into the zinc oxide base semiconductor well layer.例文帳に追加

本発明にかかる酸化物半導体超格子は、酸化亜鉛系半導体井戸層（たとえばＺｎＯ井戸層１１）とＩＡ族アルカリ金属を含有する酸化物障壁層（たとえばＬｉＧａＯ_２障壁層１２）を含むものであり、該酸化亜鉛系半導体井戸層中にリン、ホウ素の少なくともいずれかが添加されていることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a channel region formed on the surface of the semiconductor substrate, source and drain regions respectively formed on both sides of the channel region of the semiconductor region, a gate insulating film so formed as to cover the channel region, and a gate electrode formed on the insulating film, wherein the gate insulating film is formed by a super-lattice single-crystal insulator film.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板の表面に形成されたチャネル領域と、このチャネル領域の両側の前記半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が超格子単結晶絶縁体膜で形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。 - 特許庁

By placing a plurality of evaporation sources in different places, the apparatus can form a thin film in which a plurality of materials are mixed, a thin film in which layers of a plurality of materials are arrayed in a lattice shape, or a thin film in which monomolecular layers of a plurality of materials are stacked in the film thickness direction and substantially form a super-multilayer structure of monomolecular.例文帳に追加

複数の蒸発源を異なる位置に配置することにより、複数の材料が混合した薄膜、複数の材料の層が格子状に配列した薄膜、若しくは複数の材料の単分子層が膜厚方向に積層した薄膜であって実質的に単分子超多層構造した薄膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

At the time of impressing a reverse bias voltage to the super lattice semiconductor light emitting element, carriers are injected by making incident excitation lights, and electrons are moved from the Γ level of the quantum well layer 22 through the X level of the barrier layer 21 to the Γ level of the quantum well layer 22 in the next stage, and the electrons are recombined with holes so as to emit light.例文帳に追加

超格子半導体発光素子に対して逆バイアス電圧を印加したときに、励起光を入射することによりキャリアを注入して、電子を量子井戸層２２のΓ準位から障壁層２１のＸ準位を介して次段の量子井戸層２２のΓ準位に遷移させかつ電子を正孔と再結合させて発光させる。 - 特許庁