「surface orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The invention is most effectively used if the Si surface of a bonding interface has a different surface orientation as, for example, the Si surface with (100) orientation is bonded to the Si surface with (110) orientation.例文帳に追加

例えば、（１００）配向を有するＳｉ表面が（１１０）配向を有するＳｉ表面に接合されるときのように、接合境界面のＳｉ表面が異なる表面配向を有するときに、最も有利になるように用いられる。 - 特許庁

The surface of the silicon layer 200 is a plane orientation of other than (111) plane.例文帳に追加

シリコン層２００は、表面が（１１１）面以外の面方位である。 - 特許庁

Each of the vibrating arm part pieces 21-23 has an upper surface formed of a plane with the plane orientation (111) and a lower surface facing the upper surface and formed of a plane with the plane orientation (111).例文帳に追加

その振動腕部片２１〜２３のそれぞれは、面方位（１１１）面からなる上面と、その上面と対向し面方位（１１１）面からなる下面と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having different surface orientations (namely, hybrid surface orientation).例文帳に追加

別々の表面配向（すなわちハイブリッド表面配向）を有する半導体基板を提供する。 - 特許庁

An orientation auxiliary layer 55 is laminated over the whole surface on a diaphragm 58.例文帳に追加

配向補助層５５は、振動板５８上の全面に積層されている。 - 特許庁

On the first main surface, a plurality of rough parts each having a plane orientation of {0001} are formed, and the second main surface has a plane orientation of {1-101}.例文帳に追加

第１主面には、それぞれの面方位が｛０００１｝面である複数の凹凸部が形成され、第２主面は面方位が｛１−１０１｝面である。 - 特許庁

The zinc oxide thin film exhibits c-axial orientation mainly in the substrate side and a-axial orientation in the surface side to have piezoelectric property.例文帳に追加

この酸化亜鉛薄膜は、基板側において主としてｃ軸配向し、表面側でａ軸配向が現れ、圧電性を有する。 - 特許庁

The cellulose acylate film has a surface where an in-plane orientation in a portion from 0 to 3 μm in depth from the surface is lower than an in-plane orientation in a portion from 3 to 10 μm in depth from the surface.例文帳に追加

フィルムの少なくとも一方の面の、表面から０〜３μｍの面内配向が、３〜１０μｍの面内配向よりも低いことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁

To form a mesa which is excellent in smoothness and has an etching surface with a desired orientation.例文帳に追加

エッチング面は所望の方位を持ち平滑性に優れたメサを形成する。 - 特許庁

An insulation film 103 is located on the side surface orientation of the first electrode portion 102.例文帳に追加

第一電極部１０２側面方向には、絶縁膜１０３が位置する。 - 特許庁

In the manufacturing method of wafer, the crystal orientation accuracy of orientation flat is improved by processing only an orientation flat end surface of ingot formed by cutting the orientation flat mechanically or wafer formed by slicing the orientation flat, in a wet-etching with an anisotropy wet-etching liquid suitable for a material of the wafer and an orientation flat direction desired to be used.例文帳に追加

本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a holder in a body to be inspected and a crystal orientation measuring apparatus for accurately measuring a crystal surface to the orientation flat of a wafer and preventing the orientation flat from being damaged.例文帳に追加

ウェハのオリフラに対する結晶面のずれを正確に測定することが可能で，オリフラの損傷を防止できる，被検査体のホルダー及び結晶方位測定装置を提供する。 - 特許庁

Measurement of the orientation rate of the crystal orientation of all the crystal gains 110 forming the stacked body 100 showed that the C surface has an orientation rate of 90% or more at ± 10°.例文帳に追加

積層体１００を構成する全結晶粒１１０の結晶方位の配向率を計測すると、Ｃ面が±１０°で９０％以上の配向率をもつことがが確認された。 - 特許庁

To change orientation of character display to an upper surface monitor, according to posture of a camera.例文帳に追加

カメラの姿勢に応じて上面モニタへの文字の表示向きを変更すること。 - 特許庁

Further, the surface orientation parameter preferably lies in the range of 0.95 to 1.05.例文帳に追加

また、表面配向パラメータが０．９５〜１．０５の範囲内であることがより好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR GENERATING DETAIL DIRECTED HIERARCHICAL REPRESENTATION OF ORIENTATION OF SURFACE OF GRAPHICS MODEL例文帳に追加

グラフィックス・モデルのサーフェスの向きのディテール指向の階層表現を生成する方法 - 特許庁

The molecular orientation on the surface of the network structure 3, in the composite membrane 5, is so arranged as to have the same orientation with the liquid crystal 4 that comes into contact with the resin surface.例文帳に追加

複合膜５内の網目状構造体３の表面の分子配向は、樹脂表面に接する液晶４の配向と同様な向きとなるように配設される。 - 特許庁

The plane orientation of the main surface of the quantum well active layer 105 is (1-101).例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０５の主面の面方位は（１−１０１）である。 - 特許庁

A pretilt angle formed by the surface of the orientation film 22 and liquid crystal molecules 50a is smaller than a pretilt angle formed by the surface of the orientation film 16 and the liquid crystal molecules 50a.例文帳に追加

配向膜２２の表面及び液晶分子５０ａがなすプレチルト角は、配向膜１６の表面及び液晶分子５０ａがなすプレチルト角より小さい。 - 特許庁

The inner wall surfaces of the trench 5 comprise a first inner wall surface 5s_1 having a plane orientation of (100) and a second inner wall surface 5s_2 having a plane orientation of (110).例文帳に追加

トレンチ５の内側壁面は、面方位が（１００）である第１の内側壁面５ｓ_１と、面方位が（１１０）である第２の内側壁面５ｓ_２とを含んでいる。 - 特許庁

The symbol may be on any vertical surface of the product, as well as in any orientation on the bottom surface of the product.例文帳に追加

シンボルは、製品のどんな垂直面上に及び製品の底面上にどんな方向で存在しても良い。 - 特許庁

The semiconductor device is deposited on the substrate having a surface orientation of an angle of 0.05°or more different from a (0001) surface of GaN or AlN.例文帳に追加

半導体素子をGaNまたはAlNの(0001)面より0.05度以上角度の異なる面方位の基板上に堆積する。 - 特許庁

In the antiferromagnetic layer 53, the crystal orientation of the crystalline surface (002) is carried out in parallel with the surface of the base layer.例文帳に追加

反強磁性層５３では下地層の表面に平行に（００２）結晶面が結晶配向される。 - 特許庁

ZnO SELF-SUPPORTED CRYSTAL FILM HAVING HIGH C-AXIS ORIENTATION AND HIGH SPECIFIC SURFACE AREA AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

高ｃ軸配向高比表面積ＺｎＯ結晶自立膜及びその作製方法 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD, ORIENTATION FILM FORMING METHOD, PRIMER TREATMENT METHOD, AND LIQUID REPELLENT FILM FORMING METHOD例文帳に追加

表面処理方法、配向膜の形成方法、プライマー処理方法、撥液膜形成方法 - 特許庁

Thereafter, the two-dimensional distribution data K2 of the crystal orientation related to the measuring surface S2 is obtained.例文帳に追加

その後、測定面Ｓ２に関する結晶方位の二次元分布データＫ２が得られる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED ON SILICON SURFACE WITH <100> ORIENTATION, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

＜１１０＞方位のシリコン表面上に形成された半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

In the formula, ΔP represents surface orientation degree, and Δn represents birefringence.例文帳に追加

２≦ΔＰ／Δｎ≦７（上記式中、ΔＰは面配高度、Δｎは複屈折率を意味する） - 特許庁

According to this invention, the lamination surface of the crystal layer 1 can be subjected to the (111) orientation by using the orientation layer 3 as a base.例文帳に追加

本発明によれば、配向層３を下地として用いることにより、結晶層１の積層面を（１１１）配向させることができる。 - 特許庁

The web 19 is subjected to proximity orientation in the machine direction at the orientation ratio corresponding to the ratio of the surface speeds of orientation rollers 25a and 25b to an orientation point- fixing roller 24 after being heated, and the oriented web is heat-treated to provide the nonwoven fabric oriented in the machine direction.例文帳に追加

ウェブ１９は、加熱された後に延伸点固定ローラ２４と延伸ローラ２５ａ，２５ｂとの表面速度の比に応じた延伸倍率で縦方向に近接延伸され、その後、熱処理されることで縦延伸不織布３０が作製される。 - 特許庁

In the oxidizing or nitriding treatment of the orientation control layer 13, a surface of the orientation control layer 13 is exposed to a treatment gas containing O_2 gas and/or N_2 gas.例文帳に追加

配向制御層１３の酸化あるいは窒化処理は、配向制御層１３の表面をＯ_2ガスあるいは／およびＮ_2ガスを含む処理ガスに曝す。 - 特許庁

A source drain region 103 with its plain orientation of the surface as a (111) plain is selectively formed on the upper layer of the silicon substrate 100 with its plain orientation as (100) plain.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板１００の上層部に表面の面方位が（１１１）面のソース・ドレイン領域１０３が選択的に形成される。 - 特許庁

The inner layer has a columnar structure having the aspect ratio of 3 or more, and has a titanium including layer composed of TiCN where any of respective orientation indexes of TC(220), TC(311) and TC(422) of a (220) surface, a (311) surface and a (422) surface of a crystal takes a maximum value of the orientation index.例文帳に追加

内層は、アスペクト比3以上の柱状組織を有し、結晶の(220)面、(311)面、(422)面の各配向性指数TC(220)、TC(311)、TC(422)のいずれかが配向性指数の最大値をとるTiCNからなるチタン含有層を具える。 - 特許庁

Thereby, as the surface of the orientation film 15 draws gently-sloping inclination at the parts where the spacers present, the uniform orientation treatment of the whole parts including the parts where the spacers are present can be carried out in a process for performing orientation processing to the orientation film 15.例文帳に追加

これにより、配向膜１５の表面がスペーサ２１が存在する箇所においてなだらかな傾斜を描くので、配向膜１５に配向処理を行う工程において、スペーサ２１が存在する部分を含めて全体に均一に配向処理を行うことができる。 - 特許庁

The field-effect transistor is provided with the substrate 1 wherein a surface of predetermined plain orientation is made a main surface 1b and it is formed so that a channel (30) is formed on a different plain orientation surface 1c different from that of the main surface.例文帳に追加

電界効果トランジスタが、所定の面方位の面を主面１ｂとする基板１を備え、前記基板上に、前記主面の面方位と異なる面方位の面である異面方位面１ｃにチャネル（３０）が形成されるように形成されている。 - 特許庁

A part of a crystal body C is cut in a desired crystal orientation and the crystal orientation of the cut surface of the crystal body is measured by the X-ray crystal orientation measuring instrument and, thereafter, the cut surface of the crystal body is determined on the basis of the measured result to cut the crystal body along the desired crystal orientation.例文帳に追加

所望の結晶方位で切断する結晶体Ｃは、その一部が切り出され、上記のＸ線結晶方位測定装置によって、その切断面における結晶方位が測定され、その後、測定結果により前記結晶体の切り出し面を決定して所望の方位に沿って結晶体の切断が行なわれる。 - 特許庁

Further, an orientation film 126 is formed covering the surface of the common electrode 123 and the spacers 125.例文帳に追加

そして、コモン電極１２３及びスペーサ１２５の表面を覆う配向膜１２６を形成する。 - 特許庁

The silicon substrate 20 having a (100) plane on the surface and a b-axis at an OF (orientation flat) part is used.例文帳に追加

（１００）面を表面に有し、ＯＦ（オリフラ）部にｂ軸を有するシリコン基板２０を使用する。 - 特許庁

To obtain and observe in-vivo image including three-dimensional information or surface orientation information.例文帳に追加

３次元情報または表面配向情報を含む生体内画像を取得および観察する。 - 特許庁

The semiconductor structure provides a pair of semiconductor surface regions of different crystallographic orientation.例文帳に追加

この半導体構造は、異なる結晶方位の一対の半導体表面領域を提供する。 - 特許庁

Two faces except the bottom surface of the beam 1a are composed of a crystal plane orientation of (111) plane.例文帳に追加

梁１ａの底面以外の２面は結晶面方位が（１１１）面で構成されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, a side surface 11a of an upper part 11U of a ridge part 11 is a side surface where a plane orientation of a {111}A surface appears.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、リッジ部１１が有するリッジ上部１１Ｕの側面１１ａは、｛１１１｝Ａ面の面方位が出ている側面である。 - 特許庁

The major surface of the substrate 101 is tilted in an angle range of 0.35 degrees or more and 0.7 degrees or less with respect to a surface orientation (0001).例文帳に追加

基板１０１の主面は、面方位の（０００１）面に対して０．３５°以上且つ０．７°以下の範囲で傾斜している。 - 特許庁

The orientation flat surface 4 can be processed while mounted on a reference surface 6a, and can also be coupled with the optical waveguide substrate.例文帳に追加

オリフラ面４を基準面６ａ上に載せて加工を行うことができ、また光導波路基板と結合することができる。 - 特許庁

The inkjet paper of the form paper type is characterized by setting the absolute value of a fiber orientation angle measured by an optical type fiber orientation tester (FOT) of the surface and the back surface of the inkjet paper to be ≤5°, and a fiber orientation ratio thereof to be ≤1.7.例文帳に追加

フォーム用紙タイプのインクジェット用紙において、前記インクジェット用紙の表面及び裏面の光学式配向性試験機（ＦＯＴ）で測定した繊維配向角の絶対値を５度以下、繊維配向比を１．７以下に設定して成ることを特徴とするインクジェット用紙。 - 特許庁