「surface orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An overlay for the sliding member 13 is formed on the surface of a lining material 12 and the overlay 13 is composed of a soft metal and the normal line of a crystallographically easy glide surface of the soft metal corresponds with the normal line of the surface of the lining material so that the easy glide surface is orientation-controlled so as to be parallel to the sliding direction.例文帳に追加

ライニング材１２表面に形成される摺動部材用オーバーレイ１３であって、このオーバーレイ１３が軟質金属からなり、この軟質金属の結晶学的な容易すべり面の法線が上記ライニング材表面の法線に一致して上記容易すべり面が摺動方向と平行になるように配向制御されたことを特徴とする。 - 特許庁

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁

If the spherical cam 52 rotates and moves, tilting of a cam follower 60 on the lower surface of a base plate 31 is changed, the base plate 31 is inclined, and the orientation of the miniature camera 30 is changed at each base plate 31.例文帳に追加

球状カム５２が回動されると、ベース板３１の下面のカムフォロワ６０の傾斜が変えられて、ベース板３１が傾斜されて、小型カメラ３０の向きがベース板３１毎変えられる。 - 特許庁

Since the thermoplastic resin beads with a radio wave absorbing material adhering to the surface thereof is used as the molding material, orientation in one direction of the radio wave absorbing material is regulated, and anisotropy can be minimized.例文帳に追加

また、表面に電波吸収材が付着した熱可塑性樹脂ビーズを成形材料として用いるので、電波吸収材の一方向への配向が規制され、異方性を抑制できる。 - 特許庁

To rub a sheet with respect to an orientation film, which has a structure such that the alignment film is laminated on the top surface of a continuous base material, at a large angle with respect to the direction of crossing length.例文帳に追加

連続基材表面に配向膜を積層した構造の配向膜付シートに対して、その長手方向に対して大きい角度で交差する方向にラビング処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

The polycrystalline semiconductor film, where the main orientation of a surface is nearly vertical to a direction for connecting the source and drain regions is {100}, is preferably adapted to the channel of the semiconductor device, thus obtaining the semiconductor device, having the high-quality polycrystalline semiconductor film on an insulator substrate.例文帳に追加

更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が｛１００｝である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。 - 特許庁

To provide a method for forming a CeO_2 thin film, capable of securing excellent orientation and surface smoothness and increasing deposition rate, the CeO_2 thin film, and an apparatus for forming the CeO_2 thin film.例文帳に追加

優れた配向性および表面平坦性を確保しつつ、成膜速度を上昇させることが可能なＣｅＯ_２薄膜の製造方法、ＣｅＯ_２薄膜およびＣｅＯ_２薄膜の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic field orientation device suitable for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium which has a smooth surface of a magnetic layer having high output and is satisfactorily perpendicularly oriented.例文帳に追加

磁性層表面が平滑で出力が大きく、十分に垂直配向がなされている垂直磁気記録媒体を製造するのに好適な磁場配向装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The tip part 9a is transformed to a worked induced martensitic phase and made ferromagnetic, and the magnetic field orientation is applied to form a repulsive magnetic field in an area opposite to the surface of the developing roller 3.例文帳に追加

先端部９ａは、加工誘起マルテンサイト相に変態させて強磁性化され、現像ローラ３の表面に対向する領域で、反発磁界を形成するように磁場配向が施される。 - 特許庁

Further, it is preferred that a polycrystal semiconductor film having a main orientation in plane {100} of a surface substantially perpendicular to a direction for coupling the source to the drain region is applied to the channel of the semiconductor device.例文帳に追加

更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が｛１００｝である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。 - 特許庁

An Si substrate 1 whose crystal face orientation is (100) plane is etched to expose (111) plane on a surface for forming a recess 1a on which a group III nitride semiconductor is laminated.例文帳に追加

結晶面方位が（１００）面のＳｉ基板１にエッチング処理を施し、（１１１）面を表面露出させて凹陥部１ａを形成し、該凹陥部１ａ上にＩＩＩ族窒化物半導体を積層する。 - 特許庁

Provided is an a-plane nitride semiconductor single crystal substrate characterized by having a major surface oriented to be an a-plane ({11-20}) and one to three flat side-surfaces in crystallographic orientations (orientation flats).例文帳に追加

主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a TiN hard film material in which orientation is controlled to (111) and having high lubricity on the surface of a base material such as special steel, tool steel, alloy steel and carbon steel for energy saving corresponding to the environment.例文帳に追加

環境対応の省エネルギーのため超鋼、工具鋼、合金鋼及び炭素鋼などの基材表面に（１１１）配向制御した高潤滑性を有したＴｉＮ硬質被膜材を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor infrared radiation detecting element, in which a light absorption layer is laminated on a compound semiconductor substrate composed of GaAs or InP, the face orientation of the compound semiconductor substrate surface is set to (111)A plane.例文帳に追加

GaAs又はInPからなる化合物半導体基板上に光吸収層を積層した半導体赤外線検出素子において、前記化合物半導体基板表面の面方位を(111)A面とした。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor wafer wherein a cleavage plane is formed with high yield, in a wafer in which an orientation flat or an index flat is formed by the cleavage surface, and also to provide its cleavage method.例文帳に追加

オリエンテーションフラットまたはインデクスフラットが劈開面で形成されるウェハにおいて、その劈開面を高歩留りに形成することのできる化合物半導体ウェハ及びその劈開方法を提供すること。 - 特許庁

A liquid crystal shutter material 14 end-sealed with liquid crystal molecules to be switched in orientation according an impressed voltage is disposed on the display surface side of a display 6 for displaying characters, images, etc., in the cellular phone 1.例文帳に追加

携帯電話機１において、文字や画像などを表示するディスプレイ６の表示面側に、印加電圧に応じて配向を切替える液晶分子が封止されてなる液晶シャッタ材１４を配設した。 - 特許庁

This porous film is characterized by being obtained by an orientation treatment at least uniaxially of a film made from a resin composition comprising a polyolefin resin and an inorganic filler surface-treated with a hydroxycarboxylic acid compound.例文帳に追加

ポリオレフィン樹脂とヒドロキシカルボン酸類で表面処理された無機充填剤との樹脂組成物からなるフィルムを、少なくとも一軸方向に延伸処理してなることを特徴とする多孔性フィルム。 - 特許庁

To provide a high-luminance light emitting diode allowing a surface roughening method to be used in any cases regardless of materials/plane orientation and preventing the occurrence of failure in the characteristics.例文帳に追加

材料・面方位によらずいかなる場合にも粗面化手法を用いることができ、特性の不具合が発生するのを防止できる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a highly reliable tag information management apparatus and antenna for tag information management capable of reading or writing information on a radio tag regardless of the orientation of the radio tag surface.例文帳に追加

無線タグの面がいずれの方向に向いていても、無線タグの情報の読み取り又は書き込みが可能となり、もって信頼性の高いタグ情報管理装置及びタグ情報管理用アンテナを得る。 - 特許庁

The semiconductor device 111 includes, on the upper surface thereof, a current collapse suppression film 125 constituted of molecules whose molecular orientation is controlled so that the positive charge part of permanent bipole in the molecule is faced downward.例文帳に追加

半導体装置１１１は、上面に、分子内永久双極子の正電荷部分が下向きになるよう分子配向が制御された分子から構成される電流コラプス抑制膜１２５を備える。 - 特許庁

To provide a device for cleaning inside a duct usable regardless of the angle of orientation of the duct with respect to a duct having a circular cross section various in size and changed in diameter on the way and capable of cleaning the inner surface of the duct.例文帳に追加

様々な大きさの、また、途中で径が変化する円形断面のダクトに対して、ダクトの配向角度にかかわらず使用可能な、ダクト内面を清掃できるダクト内清掃装置。 - 特許庁

In this imaging device, the opposite surface of the first chip and the readout circuit of the second chip are arranged in an orientation where they oppose each other, and terminals of the through-wiring are electrically joined to terminals of the readout circuit.例文帳に追加

この撮像素子は、上記の第１チップの反対面と、上記の第２チップの読み出し回路とが対向する向きに配置され、貫通配線と読み出し回路との端子間が電気的に接合される。 - 特許庁

To prevent the reduction of degree of orientation caused by a magnetic field of a direction inclined with respect to a disk surface when a magnetization easy axis is oriented in a disk peripheral direction by forming a magnetic layer in the magnetic field.例文帳に追加

磁界中で磁性層を形成することによりディスク周方向に磁化容易軸を配向させるに際し、ディスク表面に対し傾いた方向の磁界による配向度の低下を防ぐ。 - 特許庁

In the case that the crystal growth axis orientation is <100>, there are four crystal habit lines (h1-h4), and the silicon bar (core wire) 12 is cut out such that the surface forms an off-angle θ in a specific range with the crystal habit line.例文帳に追加

結晶成長軸方位が＜１００＞の場合、晶壁線（ｈ１〜ｈ４）は４本となるが、シリコン棒（芯線）１２は、その面が、晶壁線と特定範囲のオフアングルθを成すように切り出される。 - 特許庁

To provide rare earth element-iron based magnet powder having excellent orientation properties by a magnetic field since angulation is not present on the surface and it is covered with a film of a phosphate, and also having excellent weatherability, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

表面に角張りがなく燐酸塩の皮膜で覆われているので磁界による配向性に優れ、かつ耐候性に優れた希土類元素−鉄系磁石粉およびその製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal device capable of covering the bottom of a recess of a surface insulator film with an insulator film without deteriorating an orientation control force of an inorganic oriented film.例文帳に追加

無機配向膜の配向規制力を損なうことなく、表面絶縁膜の凹部の底部を絶縁膜で覆うことのできる液晶装置の製造方法、および液晶装置を提供すること。 - 特許庁

A coating rate on the surface of the MgO film 18a is 10% or below, and the plurality of MgO crystal particles 18b are arranged so as to make orientation of faces opposite to a discharge space be equal.例文帳に追加

また、ＭｇＯ膜１８ａの表面の被覆率は１０％以下であり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、放電空間と対向する面の配向が揃うように配置されている。 - 特許庁

To provide a film forming method of a liquid crystal substance by which loss of a coating liquid is less, flow orientation is eliminated, a uniform alignment state is formed in a coating surface and unevenness in optical characteristics is not generated.例文帳に追加

塗布液の損失が少なく、流動配向がなく、塗布面内に均一な配向状態を形成する光学特性にムラを生じない液晶性物質の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing an electro-optic device, which can form a film having a uniform orientation while imparting electric conduction to a terminal portion of a substrate surface; a method for manufacturing the electro-optic device; and a masking member.例文帳に追加

基板表面の端子部の導通を得ながら、かつ均一な配向膜を成膜することができる電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及びマスク部材を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which is suitable for manufacturing a p-type transistor of high-speed operation and has a surface with a plane orientation [011], low manufacturing cost and sufficient bonding strength, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

表面の面方位が｛０１１｝であり、製造コストが低く、接合強度が十分であって、高速動作のｐ型トランジスタの製造に好適な半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a combustion device varying the orientation of flame of burners 19 to a furnace vertical direction according to the combustion conditions, such as the load and making design temperature of a rear transfer surface equivalent to that in conventional cases.例文帳に追加

バーナ１９の火炎の向きを負荷などの燃焼条件に応じて火炉上下方向に可変として、後部伝面の設計温度を従来と同等にできる燃焼装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a langasite single crystal wafer which has triple rotation Euler's angles, and which has both excellent surface-acoustic-wave characteristics and extremely excellent and stable accuracy of orientation working, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

三重回転のオイラー角を持ち良好な弾性表面波特性と極めて安定かつ良好な方位精度加工を両立するランガサイト単結晶ウエーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is formed by nitriding the crystal orientation (010) or field (001) of gallium oxide single crystal substrate, and forming a gallium nitride crystal on a surface of the gallium oxide single crystal substrate.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板の結晶方位（０１０）または（００１）面を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。 - 特許庁

To improve electrical characteristic of a semiconductor device by forming the device in an epitaxial layer on a silicon carbide substrate wherein minute irregularities, unevenness of its surface is suppressed by defining crystal plane orientation of the substrate.例文帳に追加

基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。 - 特許庁

The grain-oriented electromagnetic steel sheet contains silicon and has the ceramic film on the surface, wherein the ceramic film is composed of granular crystals which have an isotropic crystal orientation and a relative density of 98%.例文帳に追加

表面に、セラミック被膜をそなえる含珪素方向性電磁鋼板において、該セラミック被膜として、結晶方位が等方的でかつ相対密度が98％の粒状結晶で構成されているものを用いる。 - 特許庁

As the carbon nanotube thin film formed by this method has a reduced planar orientation state along the surface of the material to be coated being in an unoriented random state, conduction of electricity and heat is facilitated effectively.例文帳に追加

この方法によって製膜されたカーボンナノチューブ薄膜は、被被覆材面に沿った面配向状態を低減し、ランダムに無配向しているので、電気や熱の伝導が有効に行われる。 - 特許庁

The film is formed from a resin having butylene terephthalate as a main constituent unit and a resin having ethylene terephthalate as a main constituent unit and has the degree of surface orientation of 0.05-0.11.例文帳に追加

ブチレンテレフタレートを主たる構成単位とする樹脂とエチレンテレフタレートを主たる構成単位とする樹脂とからなり、面配向度が０．０５〜０．１１であることを特徴とする金属板被覆用フィルム。 - 特許庁

To change an orientation of zinc oxide whereby an oxide semiconductor thin film layer excels in a heat resistance and surface smoothness, it is intended to suppress a leakage current and enhance a current drive capability, and a pixel electrode excels in a micro processability, thereby highly micronizing pixels.例文帳に追加

酸化亜鉛の配向を変化させることで、酸化物半導体薄膜層は、耐熱性、表面平滑性に優れたものとし、リーク電流の抑制、電流駆動能力の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a thin film semiconductor device which is excellent in electrical properties (semiconductor characteristic), such as mobility, etc. , with this in which a surface orientation is controlled and it has a crystal structure of single crystal.例文帳に追加

面方位が制御され、しかも単結晶の結晶構造を有し、これによって移動度等の電気的特性（半導体特性）に優れた薄膜半導体装置を製造し得る、方法を提供する。 - 特許庁

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

Since crystal orientation varies from the interior of the sintered body toward the surface thereof through the above diffraction intensity ratios I(101)/I(210), lower fracture toughness on the surface and higher processing efficiency are achieved as compared to the case where diffraction intensity ratios I(101)/I(210) in the interior of a sintered body and on the surface thereof are <1.例文帳に追加

回折強度の比Ｉ（101）／Ｉ（210）を上述のようにすることによって、内部から表面に向かって結晶の配向性が変化するので、内部および表面における回折強度の比Ｉ（101）／Ｉ（210）が１よりも小さい場合に比べて、表面における破壊靱性は低くなり、加工効率が高くなる。 - 特許庁

A fiber submerged angle arithmetic means 3 obtains a fiber submerged angle based on the orientation property of the vector field in each point on a cut surface on an image forming surface decided by the parameter when the three- dimensional vector field is cut and defines the fiber submerged angle in each point on the image forming surface.例文帳に追加

繊維潜り角演算手段３では、前記パラメータにより決定される画像形成面で、前記３次元ベクトル場を切断したときに切断面上の各点におけるベクトル場の配向性に基づいて繊維潜り角を求め、前記画像形成面上の各点に繊維潜り角を定義する。 - 特許庁

Namely, the stable orientation state of such a support member 131 is based on effective support/fastening action by the link plate 101 as an outer attachment reinforcement member surface-contacted with an outer surface of the support member 131, supporting this by a wide surface and not provided conventionally, and the bushing 110 not provided conventionally.例文帳に追加

即ち、この様な支持部材１３１の安定的な配向状態は、支持部材１３１の外側面に面接触してこれを広面より支持する、従来具備されていなかった外付補強部材としてのリンクプレート１０１と、従来具備されていなかったブッシュ１１０とによる効果的な支持締結作用に基づいている。 - 特許庁

In the method of manufacturing a silicon carbide film by epitaxially growing silicon carbide on the surface of a single crystal substrate while succeeding the crystal orientation of the substrate, the whole or a part of the substrate surface is provided with a plurality of projections and recesses running parallel to one another in one direction, and silicon carbide is grown on the substrate surface.例文帳に追加

単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法において、 前記基板表面の全部又は一部に１方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させる。 - 特許庁

In the Schottky diode 10, where a Schottky electrode 15 is joined to a 4H-type SiC semiconductor 13, the orientation of an SiC semiconductor 13 that comes into contact with the Schottky electrode 15 should have a {03-38} surface, or a surface at an off angle that is within 10° from the surface.例文帳に追加

本発明は、４Ｈ型のＳｉＣ半導体１３にショットキー電極１５が接合されてなるショットキーダイオード１０において、ショットキー電極１５と接するＳｉＣ半導体１３の面方位が、｛０３−３８｝面、またはこの面から１０°以内のオフ角を有する面であることを特徴としている。 - 特許庁