「surface passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a method for manufacturing solar cell device, with a reaer-surface passivation structure that allows formation of a back electrode without requiring formation of an opening in a passivation film and fine precision alignment with the opening and prevents deterioration of the silicon substrate during electrode formation.例文帳に追加

パッシベーション膜に対する開口の形成や精細な精度の位置合わせを必要とすることなく裏面電極を形成が可能で、電極形成時のシリコン基板の劣化が小さい裏面パッシベーション構造の太陽電池素子の製造方法を得ること。 - 特許庁

Otherwise, a passivation film 225 formed on the top surface on the element is formed up to the outer periphery of an end of the element, so as to coat the element, or the passivation film 225 is formed at the outer periphery of an end of the element so as to embed the element in the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、素子最表面に形成されるパッシベーション膜225を、素子端部の外周辺部まで素子を被覆するように形成するか、もしくはパッシベーション膜225を、素子端部の外周辺部にて半導体基板の内部に埋め込むように形成する。 - 特許庁

A recessed part is formed inside the opening part 22 by anisotropic wet etching, and anisotropic dry etching is applied until the inner surface of the recessed part reaches the substrate surface while using the first passivation layer 20 as an etching stop layer.例文帳に追加

異方性ウエットエッチングにより、開口部２２の内側に凹部を形成し、第一のパッシベイション層２０をエッチングストップ層として、凹部の内面を基板表面に達するまで異方性ドライエッチングする。 - 特許庁

An amorphous layer 42_2is formed by making globular particles impinge at a high speed on a surface treated with lead-free tin plating and a passivation coat 42_3 resulting from oxidization is formed on a surface of the amorphous layer 42_2.例文帳に追加

鉛フリーの錫めっきの表面に球状微粒子を高速で衝突させてアモルファス層４２_２を形成し、そのアモルファス層４２_２の表面に酸化による不動態被膜４２_３を形成する。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

A thermic welding layer is applied to bond a substrate and a resistor in face-to-face orientation, and a passivation layer is applied to partially cover the resistor, such that it consequently divides the surface not covered with the passivation layer in the resistor into two electrode zones.例文帳に追加

熱溶融接合層により基材と抵抗体とを対向接合させ、保護層を該抵抗体の一部の表面に被覆することで、該抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermo-conductive bonding layer is applied to bond a substrate with a fixed resistor in face-to-face orientation, and a passivation layer is applied to partially cover the fixed resistor, such that it divides the surface not covered with the passivation layer in the fixed resistor into two electrode zones.例文帳に追加

熱伝導接合層により基材と定抵抗体とを対向貼り合わせ、保護層を該定抵抗体の一部の表面に被覆することで、該定抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An element surface electrode 27 is formed on the interlayer insulating film 13, and a passivation film 15 having an opening 30 opened in part of the element surface electrode 27 is formed on the element surface electrode 27 and on the interlayer insulating film 13.例文帳に追加

層間絶縁膜１３上に素子面電極２７が形成され、素子面電極２７上及び層間絶縁膜１３上に、素子面電極２７の一部分が開口された開口部３０を有するパッシベーション膜１５が形成されている。 - 特許庁

By incorporating P, Si and B in the magnetic layer 3 a passivation film is formed on the surface of the protective layer side of the magnetic layer to incorporate a protective function also in the magnetic layer 3.例文帳に追加

磁性層３にＰ、Ｓｉ、Ｂを含ませることにより、磁性層表面の保護層側に不動態皮膜を形成し、磁性層３にも保護機能を持たせる。 - 特許庁

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it.例文帳に追加

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

A wide-area surface at the end of an Aluminum layer 123 is exposed to the outside, from the opening part of a protection film (passivation film) 13 at a top layer, and a bonding wire (not shown) is connected to it.例文帳に追加

アルミニウム層１２３端部の広域表面が最上層の保護膜（パッシベーション膜）１３の開口部より外部に露出し、図示しないボンディングワイヤが接続される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printing mask and a flip chip-type IC, by which the surface of a passivation layer can effectively be prevented from being damaged at the time of printing paste.例文帳に追加

ペーストの印刷時にパッシベーション層の表面に傷がつくことを有効に防止することが可能な印刷マスク及びフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solar cell which does not use a high-temperature process, such as thermal oxidation, and has the same surface passivation characteristic as thermal oxidation at low temperature.例文帳に追加

熱酸化法のような高温プロセスを用いず、低温で熱酸化法と同程度の表面パッシベーション特性をもつ太陽電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To form a wiring structure at a low cost and in a short lead time which has a passivation structure with a flat upper surface and is easily manufactured and excellent in insulating characteristics.例文帳に追加

製造が容易でかつ絶縁性に優れ、平坦な上面（表面）を持つパッシベーション構造を備えた配線構造を、低コストかつ短リードタイムで形成する。 - 特許庁

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

Then, an inorganic passivation layer and an organic EL element are formed in order on the overcoat layer 14b the surface of which has been flattened to manufacture the organic EL display.例文帳に追加

そして、この表面が平坦化したオーバーコート層１４ｂ上に無機パッシベーション層および有機ＥＬ発光素子を順次形成して有機ＥＬディスプレイを製造する。 - 特許庁

To provide a passivation treatment method, capable of preventing deterioration of a chromium surface of a mask regardless of cleaning with a chemical solution such as ozone water.例文帳に追加

本発明は、オゾン水等の薬液で洗浄してもマスクのクロム表面の劣化を防止することができる不動態処理方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

On a rear surface 2b of a thin silicon substrate 2, a light shielding film 5 composed of a metal or an alloy with a thermal expansion coefficient nearly equal to that of the passivation film 6 formed on a circuit forming surface is formed.例文帳に追加

薄型のシリコン基板２の裏面２ｂに、回路形成面に形成されているパッシベーション膜６の熱膨張係数とほぼ同じ熱膨張係数を有する金属あるいは合金からなる遮光膜５を形成する。 - 特許庁

On one surface, a passivation film 8 is formed to which an aperture 8a to expose an electrode pad 3 is formed over the relevant one surface of a wafer W on which an active layer 2 and the electrode pad 3 are formed.例文帳に追加

一方表面に、活性層２および電極パッド３が形成されたウェハＷの当該一方表面を覆い、電極パッド３を露出する開口８ａが形成されたパッシベーション膜８が形成される。 - 特許庁

To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加

多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a wiring structure which is easy to be manufactured and excellent in insulation and equipped with a passivation structure with a flat top surface (surface), is formed at a low cost and in a short lead time, and a wiring structure with small wiring resistance and high bonding tolerance.例文帳に追加

製造が容易でかつ絶縁性に優れ、平坦な上面（表面）を持つパッシベーション構造を備えた配線構造を、低コストかつ短リードタイムで形成する、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The element surface of the semiconductor chip 6 is faced to the flexible substrate 1, and the protruding electrodes 7 disposed on the element surface smash through the passivation film 5 such that the electric continuity between the protruding electrodes 7 and the inner connecting electrodes 4 is attained.例文帳に追加

半導体チップ６の素子面をフレキシブル基板１に対向させ、素子面に設けられた突起電極７に保護膜５を突き破らせることにより、突起電極７と内部接続電極４との導通を得る。 - 特許庁

To obtain high surface passivation effect and to shorten a film deposition time, with respect to film depositing processing wherein a silicon nitride thin film is deposited on a semiconductor element by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。 - 特許庁

In a scribe region 3, the cap metal layer 32 connected to the lower wire 25 is formed between the surface of the third interlayer insulating film 27 and the passivation film 33.例文帳に追加

一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

Four layers of low-permittivity films 4 and the same number of layers of wiring 5 are alternately formed on the upper surface of a semiconductor wafer 21, and a passivation film 7 formed of silicon nitride or the like is formed on top of it.例文帳に追加

半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜４および同数層の配線５を交互に形成し、その上に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor chip 20 is provided with an electrode 24 and a bump 26 installed on the electrode 24 and a passivation film 28 constituted of radio materials on a surface on which an integrated circuit 22 is formed.例文帳に追加

半導体チップ２０は、集積回路２２が形成された面に、電極２４及び電極２４上に設けられたバンプ２６並びに無機材料からなるパッシベーション膜２８を有する。 - 特許庁

Sufficient protective strength and corrosion resistance can be given to the surface of the magnetic recording medium by the carbon protective film 4 and the passivation film of the magnetic layer 3.例文帳に追加

炭素保護膜４及び磁性層３の不動態皮膜により、保護層を極薄にしても十分な保護強度及び耐食性を磁気記録媒体表面にもたらすことができる。 - 特許庁

The top surface of these pads 6 and test pads 8 is selectively covered with passivation film 12, and bumps 10 are formed on the pads 6 via barrier layer 9.例文帳に追加

これらバンプ用パッド６および検査用パッド８の直上は、選択的にパッシベーション膜１２が開口され、そのバンプ用パッド６上にバリア層９を介してバンプ１０が形成される。 - 特許庁

To provide a passivation film contributing ensuring long-term reliability of a semiconductor laser by suppressing the deterioration of an output end surface of the semiconductor laser whose oscillation wave length is of 980 nm band.例文帳に追加

発振波長９８０nm帯域の半導体レーザの出力端面の劣化を抑制し、当該半導体レーザの長期信頼性の確保に資するパッシベーション膜の提供を目的とする。 - 特許庁

To one bonding pad 12 of a semiconductor chip 10 side, a first opening 13a and a second opening 13b are formed in a passivation film 13 which covers the surface of the bonding pad 12.例文帳に追加

半導体チップ１０側の一つのボンディングパッド１２に対しその表面を覆うパッシベーション膜１３に第１の開口部１３ａと第２の開口部１３ｂが形成されている。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 on the surface on the passivation film 20 side avoids the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４を避けるように形成されてなる。 - 特許庁

The metal pattern 54a-n has a secured part and a free part 60a-n bent outward formed on the surface of the substrate 40 by removing a part of a passivation/release layer 48.例文帳に追加

メタルパターン５４ａ〜ｎは、パッシベーション／リリース層４８の一部を除去することで、基板４０の表面に固定された固定部と基板面に外に曲がったフリー部６０ａ〜ｎが形成される。 - 特許庁

The first moisture resistant ring 13 is constituted of a ring pad 31 which arrives from the surface of the semiconductor substrate 21 to a passivation film 28, a ring contact 32, and the structure of a ring plug 33.例文帳に追加

第１耐湿リング１３は、半導体基板２１の表面からパッシベーション膜２８まで達するリングパッド３１、リングコンタクト３２、およびリングプラグ３３の構造体から構成される。 - 特許庁

In one chip LSI with a logic region and a memory region, a passivation film of a chip surface has a two-layer structure (64, 65) in the memory region and a one-layer structure (65) in the logic region.例文帳に追加

ロジック領域及びメモリ領域を有する１チップＬＳＩにおいて、チップ表面のパッシベーション膜が、メモリ領域で２層構造（６４、６５）、ロジック領域で１層構造（６５）である。 - 特許庁

Thereby, a hydrogen supply volume from the passivation film 8 to a semiconductor front surface part can be separately controlled at the pixel portion 11A and the peripheral circuit part 11B by sinter treatment which applies heat.例文帳に追加

これによって、熱をかけるシンター処理で画素部１１Ａと周辺回路部１１Ｂでパッシベーション膜８から半導体表面部への水素供給量を別々に制御できる。 - 特許庁

This coloring combined with the roughness of a surface passivation layer makes the tone change unnoticeable between the openings or portions of the electrode patterns resulting from the integrating processing.例文帳に追加

また前記の着色は、表面パッシベーション層の凹凸と相俟って、集積化加工に伴う開孔や電極パターンの部分間での色調変化を目立たなくすることができる。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 10 includes a substrate 11, a comb-shaped cathode electrode 12 and an anode electrode 13, an organic semiconductor layer 14 having photoelectric conversion function, and a surface passivation layer 15.例文帳に追加

光電変換素子１０は、基板１１、櫛歯状の陰極電極１２及び陽極電極１３、光電変換機能を有する有機半導体層１４、表面保護層１５を備える。 - 特許庁

The surface of the light metal alloy is coated with a galvanic film containing Sn through a galvanic intermediate film, after steps of passivation cleaning and chemical metal coating.例文帳に追加

軽金属合金表面に対し不動態化洗浄工程および化学的金属被覆工程後にガルバニック中間被膜を介してＳｎを含有するガルバニック被膜が塗布される。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 in the surface on the passivation film 20 side is arranged on the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４上に配置されるように形成されてなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a back electrode solar cell capable of reducing a recombination current due to passivation properties on the light-receiving surface side by reducing the number of steps.例文帳に追加

工程数を低減して、受光面側のパッシベーション性に起因した再結合電流を低減することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

Four layers of low-dielectric-constant film 4 and the same number layers of wiring 5 are formed alternatively on the upper surface of a semiconductor wafer 21, and a passivation film 7, made of silicon nitride or the like, is formed thereon.例文帳に追加

半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜４および同数層の配線５を交互に形成し、その上に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜７を形成する。 - 特許庁

A passivation film 20' facing circuit elements is formed on the main surface 12a of a wafer semiconductor chip 12' having the circuit elements so as to expose a first region 30 along the end of the main surface out of main surfaces.例文帳に追加

回路素子を具えるウェハ状の半導体チップ１２’の主表面１２ａ上に、回路素子と対向するパッシベーション膜２０’を、主表面のうち該主表面の端に沿う第１の領域３０を露出させるように形成する。 - 特許庁

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination.例文帳に追加

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。 - 特許庁

A deposited semiconductor surface layer is treated and annealed in the alkyl environment of a chemical vapor deposition chamber to passivate the surface layer of a semiconductor, by combining an adhesive alkyl termination chemical object to silicon on the semiconductor surface layer to accelerate the passivation of the surface.例文帳に追加

蒸着した半導体表面層は、表面の脱ヒドロキシル化を促進する目的で、半導体表面層上で、シリコンに付着アルキル終端化学的物体を結合することによって半導体の表面層を不動態化するために、化学蒸着チャンバのアルキル環境内で処理され、焼き鈍される。 - 特許庁

The solid image-pickup device having on a silicon substrate 1 a light receiving portion 2 for performing a photoelectric conversion, a shielding film 4 so provided above the light receiving portion 2 as not to cover it, and a passivation film 5 for covering the shielding film 4 and the light receiving portion 2, wherein the top surface of the passivation film 5 is made flat.例文帳に追加

シリコン基板１上に光電変換を行う受光部２と、前記受光部２の受光面を覆うことなく設けられた遮光膜４とを有し、前記遮光膜４と前記受光部２とを覆うパッシベーション膜５を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシベーション膜５の上面が平坦であることを特徴とする。 - 特許庁