「surface passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive route may include patterned holes formed in a dielectric passivation layer 202B, a conductive anti-reflection coating, or a layer of conductive material formed on the surface or the rear surface of the anti-reflection coating.例文帳に追加

前記導電性経路は、例えば、誘電性パッシベーション層202B内のパターン形成された正孔か、導電性反射防止コーティングか、或いは反射防止コーティングの表面上か又は裏面上に形成された導電性材料の層を含むことができる。 - 特許庁

At this time, the two resistance bodies have the same resistance value and the same shape, the metal thin film is etched by using the etched insulating film for the mask as a mask and an insulating film for passivation is formed on the top surface.例文帳に追加

このとき２つの抵抗体は同じ抵抗値、同じ形になるようにし、エッチングしたマスク用絶縁膜をマスクとして、金属薄膜をエッチングし、表面にパッシベーション用の絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

Cu metallization is treated to reduce defects and effect passivation, and to reduce leakage between lines, by removing surface defects subsequent to CMP and barrier layer removal.例文帳に追加

欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Ｃｕメタライゼーションは、ＣＭＰおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。 - 特許庁

To obtain a resin sealed semiconductor device having a multilayer wiring structure in which a passivation film is protected against cracking due to a thermal stress being applied from resin to the surface of a semiconductor chip by temperature cycle.例文帳に追加

多層配線構造の樹脂封止型半導体装置において、温度サイクルによって樹脂から半導体チップ表面に加わる熱応力によるパッシベーション膜のクラック発生を防止する。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal separator enabling grinding of a surface rolling influence layer of a base material and at the same time applying a passivation treatment on a newborn face obtained.例文帳に追加

母材の表面圧延影響層の研削と同時に、ここで得られた新生面に対して不動態化処理を施すことを可能とした燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell that has improved passivation effect on an internal wall surface of a via hole formed in its semiconductor substrate, a solar cell module, and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板に形成された貫通孔の内壁面におけるパッシベーション効果を向上した太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The layer of pillar metal is reduced in diameter, the barrier layer is selectively removed from the surface of the layer of passivation, and thereafter the reflow of the solder metal is performed, thus completing the formation of the solder bump.例文帳に追加

ピラー金属層の直径を減少させ、パシベーション層の表面からバリヤー層を選択的に除去し、その後にはんだ金属のリフロー処理を行って、本発明のはんだバンプを完成させる。 - 特許庁

Negative fixed charges are introduced into a passivation film 23 covering the surface of a substrate 10 to surround a Schottky electrode 11 provided on an SiC substrate 10 of n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型半導体であるＳｉＣ基板１０上に設けられたショットキー電極１１を取り囲むように、基板１０表面を被覆するパッシベーション膜２３の中に負の固定電荷を導入する。 - 特許庁

An organic EL element 220 is made by laminating transparent electrodes 222, organic EL layers 224, and reflecting electrodes 226 in that order on the surface of a passivation film 209 covering the 1/4 wavelength plate 207.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２２０は、１／４波長板２０７を覆うパッシベーション膜２０９の表面に、透明電極２２２、有機ＥＬ層２２４および反射電極２２６をこの順番で積層してなる。 - 特許庁

A conductive particle 4 is connected by metallic bond with an electrode pad 2 of the bumpless IC chip, equipped with the electrode pad 2 on its surface and a passivation film 3 around the pad 2.例文帳に追加

表面に電極パッド２が設けられ、電極パッド２の周囲にはパッシベーション膜３が設けられているバンプレスＩＣチップの当該電極パッド２に、導電性粒子４を金属結合により接続する。 - 特許庁

The organic EL element 24 is covered with a passivation film 28 having light-transmitting property in a state covering the whole surface on the side of the first electrode 26 in such a manner that the organic EL layer 25 does not contact with the outside air.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２４は、第１電極２６側の全面が覆われる状態で、有機ＥＬ層２５が外気と接しないように、光透過性を有するパッシベーション膜２８で被覆されている。 - 特許庁

The interlayer insulating film 111 is formed only on the upper surface part of the organic passivation film 109, so that the stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the organic passivation film 109 and the interlayer insulating film 111 can be prevented from becoming excessive, and the peel-off between the interlayer insulating film 111 and the common electrode 110 can be prevented.例文帳に追加

層間絶縁膜１１１は有機パッシベーション膜１０９の上面部にのみ形成されているので、有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１１１との熱膨張係数の差に起因するストレスが過大になること防止することが出来、層間絶縁膜１１１とコモン電極１１０と間の剥離を防止することが出来る。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加

本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。 - 特許庁

Thus, the removed surface caused by irradiation of laser beam to the passivation film 7, the low-dielectric-constant film 4 and the wiring 5 is covered with the protective film 9, so that a falling object can be surely prevented from being caused from the removed surface at the early stage, as much as possible.例文帳に追加

これにより、パッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われるので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。 - 特許庁

The sealing resin layer 5 covers up surfaces of the passivation film 2, the stress relaxing layer 3, and the rewiring 4, and in addition, wraps around a side surface from the surfaces of them to fill up the groove 11 of the semiconductor chip 1.例文帳に追加

封止樹脂層５は、パッシベーション膜２、応力緩和層３および再配線４の表面を覆い尽くし、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ１の溝１１を埋め尽くしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device which can reduce the number of manufacturing steps of a photoelectric conversion device having an impurity region on the side surface of a semiconductor substrate covered with a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜で覆われた半導体基板の側面に不純物領域を有する光電変換装置の製造工程数を少なくすることの可能な光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A transparent conductive film TCF for which an ITO is suitable is formed in an upper layer of the insulating film consisting of the gate insulating film GI and the passivation film PAS including the dent on the upper surface of the wiring inspection terminal GL-P.例文帳に追加

配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上面の凹部を含んでゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳからなる絶縁膜の上層にＩＴＯを好適とする透明導電膜ＴＣＦが形成される。 - 特許庁

A conductive layer 9 is formed so that it covers the end face of a semiconductor chip, namely, it is in contact with a back surface electrode 7, entirely covers the end face of an n^+-type substrate 1 and an n^--type drift layer 2, and reaches a passivation film 6.例文帳に追加

半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ^+型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。 - 特許庁

By this structure, the step width of a recessed region on the surface of the passivation film 29 is relieved, a local increase in the thickness of a bonding resin 3 is prevented, and abnormal bonding resin appearance due to thermal stress is prevented.例文帳に追加

この構造により、パッシベーション膜２９表面の窪み領域の段差幅が緩和され、接着樹脂３が局所的に厚くなることを防止し、熱応力による接着樹脂の外観異常が防止される。 - 特許庁

First, the interface layer is formed on the substrate surface for which hydrogen passivation has been carried out, and after, a high-k film is formed by depositing one or more high-k dielectric films on the interface layer.例文帳に追加

また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、１つ以上のｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜を堆積することによって、ｈｉｇｈ−ｋ膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

Aluminum gate wiring 32 is disposed in a groove 30 for gate wiring formed in the silicon substrate 10 from its top surface side, electrically connected to the polysilicon gate electrode 17, and coated with a passivation film 33.例文帳に追加

アルミゲート配線３２が、シリコン基板１０の上面側から作り込まれたゲート配線用溝３０内に配置されるとともにポリシリコンゲート電極１７と電気的に接続され、パッシベーション膜３３にて被覆されている。 - 特許庁

Conductive particles 4 are connected by metallic bonding with the electrode pads 2 of a bumpless semiconductor device provided with the electrode pads 2 on the surface and a passivation film 3 around the electrode pads 2.例文帳に追加

表面に電極パッド２が設けられ、電極パッド２の周囲にはパッシベーション膜３が設けられているバンプレス半導体装置の当該電極パッド２に、導電性粒子４を金属結合により接続する。 - 特許庁

The EL panel 10 of a preferable embodiment has a structure of a substrate 2, an EL element 4, a passivation film 5 provided on the upper surface, a protective layer 6 covering the EL element 4, and a sealing plate 8 in this order.例文帳に追加

好適な実施形態のＥＬパネル１０は、基板２、ＥＬ素子４、その上面に設けられたパッシベーション膜５、ＥＬ素子４を覆う保護層６、及び、封止板８をこの順に備えた構成を有している。 - 特許庁

By oxidizing the surface layer of a polysilicon layer Sn to be an n-type layer formed on a polysilicon substrate Sp to be a p-type layer by using plasma and depositing a silicon nitride film by CVD treatment thereafter, passivation films A1 and A2 are formed on the surface layer of the polysilicon layer Sn.例文帳に追加

ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

An embodiment of the present invention provides a solar cell module including: a solar cell including an electrode pattern on at least one surface; and a parylene coating layer forming a light-transmitting passivation film on at least a front surface of the solar cell.例文帳に追加

本発明の一実施形態によると、少なくとも一面に電極パターンが形成された太陽電池セルと、太陽電池セルの少なくとも前面上に光透過性パッシベーション膜を形成するパリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）コーティング層と、を含んでなる太陽電池モジュールが提案される。 - 特許庁

To provide a high current density electrolysis method by which the generation of the passivation of an anode, the deposition of slime onto the surface of a cathode, the formation of knobs (granular copper) and wrinkly ruggedness on the surface of the cathode are eliminated, and moreover, the production increase of copper high in purity is made possible without increasing electrolytic cells.例文帳に追加

アノードの不動態化の発生、カソード表面へのスライムの付着、カソード表面でのこぶ（粒銅）やしわ状の凹凸の生成がなく、しかも純度の高い銅の増産が電解槽の増設なしで可能となる銅の高電流密度電解法を提供する。 - 特許庁

On the upper surface of a passivation film 3 of silicon oxide, or the like, which is provided on the upper surface of a silicon substrate 1 excepting the peripheral part thereof, first and second insulating films 5 and 9 and first and second interconnections 8 and 12 formed of the low dielectric constant material such as BCB and the like are laminated alternately.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。 - 特許庁

This sensor for surface shape recognition is equipped with an earth 106 having an exposure part formed in a lattice shape on a passivation film surface on an inter-layer insulating film 104 formed on a lower-layer insulating film 102 on a semiconductor substrate 101, and a sensor electrode 105 of, for example, 80 μm square are arranged at the center parts of a square.例文帳に追加

半導体基板１０１上の下層絶縁膜１０２上に形成された層間絶縁膜１０４上に、パシベーション膜表面において露出部が格子状に形成されたアース１０６を備え、マスの中央部にたとえば８０μｍ角のセンサ電極１０５が配置される。 - 特許庁

A layer can be formed by exposing the low-dielectric-constant layer to the plasma of an inert gas to densify the low-dielectric-constant layer, by exposing the low-dielectric-constant layer to nitrating plasma to form a passivation nitride surface 236 on the layer 234 or by depositing a thin passivation layer 236 on the low-dielectric-constant layer to reduce oxygen diffusion therein.例文帳に追加

層は、低誘電率の層を不活性ガスのプラズマに暴露して低誘電率の層を高密度化するか、低誘電率の層を硝化プラズマに暴露して層２３４上にパッシベーション窒化物表面２３６を形成するか、或いは低誘電率層２３４上に薄いパッシベーション層２３６を堆積してその中の酸素拡散を低減することにより、形成可能である。 - 特許庁

To prevent a defective overlap-type TCP semiconductor device caused by damage to a passivation film or an oxide film by a method, wherein stress is less developed on the primary surface of a semiconductor chip in a stage where potting resin is cured.例文帳に追加

オーバーラップ型ＴＣＰ半導体装置において、ポッティング樹脂のキュアの段階で発生する半導体チップ主面への応力を低減し、これによってパッシベーション膜や酸化膜が破壊されることによるチップの不良を防止する。 - 特許庁

A conductive bump construction for IC (Integrated Circuit) construction has a passivation layer such as silicon oxide/nitride silicon stack, which is formed on each upper surface of IC conductive contact pads (e.g., Al pads).例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）構成体用の導電性バンプ構成体が、シリコン酸化物／窒化シリコンスタック等のパッシベーション層を有しており、それはＩＣの導電性コンタクトパッド（例えば、Ａｌパッド）の各々の上表面上に形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a second resist layer 30 opening on the pad electrode 23 is used as a mask to etch the first and second passivation films 25 and 26 and the cap metal layer 24 on the pad electrode 23, thereby exposing the surface of the pad electrode 23.例文帳に追加

その後、パッド電極２３上で開口する第２のレジスト層３０をマスクとして、パッド電極２３上で第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６及びキャップメタル層２４をエッチングしてパッド電極２３の表面を露出する。 - 特許庁

A bright-annealed stainless steel sheet is subjected to electrolytic treatment in a nitric acid aqueous solution so as to perfectly remove the uneven BA film, and simultaneously, passivation treatment is performed, thus a new oxide film is formed on the surface of the stainless steel sheet.例文帳に追加

光輝焼鈍したステンレス鋼板を硝酸水溶液中で電解処理して不均一なＢＡ皮膜を完全に除去すると同時に不動態化処理を行い、ステンレス鋼板の表面に新たな酸化皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition which is excellent in moldability, resistance to passivation cracking, resistance to temperature cycle, resistance to solder cracking, is suitable for sealing microscopically wired semiconductor elements, and also is suitable for sealing small and thin packages for surface packaging.例文帳に追加

成形性、耐パッシベーションクラック性、耐温度サイクル性、耐半田クラック性に優れ、微細配線半導体素子の封止用に適し、且つ表面実装用の小型・薄型パッケージの封止に適したエポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A large number of holes 24 are made by etching in the central part of a transistor of a passivation film 22 on the drain electrode D and the source electrode S of an output transistor formed with an ordinary thickness by LSI fabrication process and a highly conductive metal film 25 of gold or aluminum is deposited on the entire surface thereof.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程で通常の薄さに作成された出力トランジスタのドレインの電極Ｄとソースの電極Ｓの上のパシベーション膜２２のトランジスタの中央部位置にエッチングにより多数の孔２４を設ける。 - 特許庁

Electric elements of high quality (e.g. inductor, capacitor or resistor) are formed on a passivation layer 18 or a surface of a thick polymer layer 20.例文帳に追加

本発明は、高品質の電気素子（例えばインダクター、コンデンサ、または抵抗器）をパッシベーション層１８の上にまたは厚いポリマー層２０の表面上にさらに作製することによって、本一部継続出願の特許請求の範囲を拡大している。 - 特許庁

The surface-emitting laser element 10 has a substrate 1, reflecting layers 2, 6, cavity spacer layers 3, 5, an active layer 4, a selectively oxidized layer 7, a contact layer 8, a passivation film 9, a wiring electrode 11, and an n-side electrode 12.例文帳に追加

面発光レーザ素子１０は、基板１と、反射層２，６と、共振器スペーサー層３，５と、活性層４と、選択酸化層７と、コンタクト層８と、パッシベーション膜９と、配線電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。 - 特許庁

The method for removing the silica-base scale adhering to the metal surface is characterized by (1) cleaning the silica-base scale including silica and/or silicate adhering to the metal surface with a cleaning liquid containing fluoride, and subsequently (2) passivating the metal surface with a passivation liquid containing fluoride and peroxide.例文帳に追加

金属表面に付着したシリカおよび／又は珪酸塩を含むシリカ系スケールに対して、（１）フッ化物を含む洗浄液を用いて該スケールを洗浄し、次いで（２）フッ化物及び過酸化物を含む不働態化処理液を用いて金属表面を不働態化することを特徴とする金属表面に付着したシリカ系スケールの除去方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes an electrode formed on the surface of a semiconductor layer, and additional electrode that is formed on the electrode and can be soldered to a leadframe, and a passivation film that is formed to cover the electrode together with the additional electrode and wherein an opening is provided on the surface of the additional electrode to cover the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表面に形成された電極と、該電極上に形成され、リードフレームとはんだ付け可能な付加電極と、該付加電極とともに該電極を覆い、かつ、該半導体層を覆うように該付加電極の表面に開口部を設けて形成されたパッシベーション膜とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Passive films are formed on a surface of chrome plated layer on the opening side end of a piston and inside a micro crack formed by a passivation process in which an anodic oxidation coating layer is formed on the surface of a piston base body made of aluminum alloy and a chrome plated layer is formed on the anodic oxidation coating layer to be immersed in nitric acid solution.例文帳に追加

アルミニウム合金製のピストン基体の表面に陽極酸化皮膜層を形成し、該陽極酸化皮膜層上にクロムめっき層を形成した後、硝酸溶液に浸漬する、不動態化処理によりピストンの開口側端面のクロムめっき層の表面およびマイクロクラックの内部に不動態皮膜を形成する。 - 特許庁

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method.例文帳に追加

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。 - 特許庁

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。 - 特許庁