「surface passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Resin projections 12 are formed on a surface of the passivation film 26 and inside electrode pad arrays 24a.例文帳に追加

そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR PASSIVATION OF SURFACE OF COATED METAL BAND AND DEVICE FOR APPLICATION OF PASSIVE LAYER ON METAL COATED STEEL BAND例文帳に追加

メッキを施された金属帯の不動態化方法およびメッキを施された帯鋼に不動態化層を塗布する装置 - 特許庁

A reference resistor 5 comprising the nano-structure carbon material whose surface is covered with a passivation film is disposed on one surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１の一表面上には、表面がパッシベーション膜により覆われたナノ構造炭素材料からなる基準用抵抗体５が配設されている。 - 特許庁

Gaseous ozone of 10-50 vol.% gaseous ozone concentration is allowed to act on a metal surface at 60-150°C to apply passivation treatment to the metal surface.例文帳に追加

オゾンガス濃度が１０〜５０vol％のオゾンガスを６０〜１５０℃の温度範囲で金属表面に作用させて、金属表面を不動態化処理するように構成した。 - 特許庁

The bump 40 integrally has a first portion 41 for covering the entire upper surface of the pad 22; a second portion 42 entering the entire space between the internal surface of the opening 32 of the passivation film 30 and the external surface of the pad 22; and a third portion 43 to be placed on the passivation film 30.例文帳に追加

バンプ４０は、パッド２２の上面全体を覆う第１の部分４１と、パッシベーション膜３０の開口３２の内面とパッド２２の外面との間のスペース全体に入り込む第２の部分４２と、パッシベーション膜３０に載る第３の部分４３と、を一体的に有する。 - 特許庁

On the surface of a bare chip IC 10, an Al pad 11, a passivation film 12 and under-bump metal layers (UBM1 and UBM2) are formed.例文帳に追加

ベアチップＩＣ１０の表面上にはＡｌパッド１１、パッシベーション膜１２、及びUnder Bump Metal層（ＵＢＭ１，ＵＢＭ２）が形成されている。 - 特許庁

Further, passivation is performed on the outermost surface of the lower semiconductor DBR 103 exposed by forming separating grooves 152.例文帳に追加

そして、分離用の溝１５２を形成することによって露出した下部半導体ＤＢＲ１０３の最表面を不動態化する。 - 特許庁

The nanoparticle formulation includes at least one low-soluble vascularization inhibitor and at least one surface passivation agent.例文帳に追加

少なくとも１種の低溶解性血管新生抑制剤および少なくとも１種の表面安定剤を含むナノ粒子組成物。 - 特許庁

A semiconductor device includes an uppermost layer metal 1, a passivation film 2 for covering the upper surface of the chip, and a polyimide resin 3.例文帳に追加

半導体装置は、最上層メタル１およびチップ上面を覆うパッシベーション膜２およびポリイミド樹脂３を有している。 - 特許庁

Formation of a passivation layer (11) which is to be left between the individual contacts on the surface of the substrate may be added optionally to the method.例文帳に追加

随意に、基板表面の個々の接点の間に残ることになるパッシベーション層（１１）を、この方法の間に加えてもよい。 - 特許庁

A second dielectric film (passivation film) 26 is formed in a center part of an upper surface of a connecting pad 23 which is exposed in an opening part 24 of a dielectric film 25 when a first dielectric film (passivation film) 25 is formed.例文帳に追加

絶縁膜２５の開口部２４において露出された接続パッド２３の上面の中心部には、第２の絶縁膜２６が、第１の絶縁膜（パッシベーション膜）２５の形成と同時に形成されている。 - 特許庁

A first passivation layer 22 is applied on a semiconductor device 12 and a base dielectric laminate 42, which has a thickness greater than that of the first passivation layer, is affixed to a first surface 18 of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス１２上に第１のパッシベーション層２２が施工され、ベース誘電体積層体４２が、半導体デバイスの第１の表面１８に付加され、第１のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。 - 特許庁

The passivation film 9 is so formed as to be contacted with the mesa structure 20, the wiring electrode 11 is formed on a portion of the contact layer 8 and on the passivation film 9. and further, the n-side electrode 12 is formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

パッシベーション膜９は、メサ構造体２０に接して形成され、配線電極１１は、コンタクト層８の一部およびパッシベーション膜９上に形成され、ｎ側電極１２は、基板１の裏面に形成される。 - 特許庁

The Na-diffusion inhibiting capacity of the passivation film 11 is in the range of ≤2,000 ppm and the passivation film 11 has a surface resistance of 1.0×107 to 1.0×1015 Ω/(square), preferably, 1.0×107 to 1.0×1012 Ω/(square).例文帳に追加

パッシベーション膜１１のＮａ拡散防止性能は２０００ｐｐｍ以下であり、パッシベーション膜１１の表面抵抗は１．０×１０^7〜１．０×１０^15Ω／□、好ましくは１．０×１０^7〜１．０×１０^12Ω／□である。 - 特許庁

Preferably, a gold (Au)-made conductive bump is formed on the passivation layer and makes electrical contact with the upper surface region which extends via the opening in the passivation and to which the contact pad is exposed.例文帳に追加

好適には金（Ａｕ）からなる導電性バンプが該パッシベーション層の上に形成されて該パッシベーションにおける開口を介して延在し該コンタクトパッドの露出されている上表面区域と電気的に接触している。 - 特許庁

A wiring 14 is laid on the passivation film 10 and the wiring 14 is connected to the aluminum pad 12 and is laid around to the upper side of the insulating passivation film 10 on the rear surface side electrode 22 on the rear surface side along the side surfaces of the semiconductor substrate 4.例文帳に追加

パッシベーション膜１０の上には配線１４が施されており、この配線１４はアルミニウムパッド１２に接続し、半導体基板４の側面に沿って裏面側の裏面側電極２２上の絶縁性のパッシベーション膜１０の上にまで引き回されている。 - 特許庁

A pixel electrode is positioned on a bottom surface of the via hole and in contact with the exposed source electrode or drain electrode and extends onto the surface of the passivation insulating layer.例文帳に追加

ビアホールの底に露出されたソース電極またはドレーン電極に接する画素電極が位置するが、画素電極は、パッシベーション絶縁膜上へ延長される。 - 特許庁

The level difference of a passivation film 36 is thus reduced over the surface of a substrate 1 to reduce variations in film thickness of a silicone resin 38.例文帳に追加

基板１上全面におけるパッシベーション膜３６の段差幅を小さくし、シリコーン樹脂３８の膜厚のばらつきを小さくする。 - 特許庁

To work at a low cost a hole including an excellent working surface on a passivation film in steps for manufacturing a solar cell having a PERC structure.例文帳に追加

ＰＥＲＣ構造の太陽電池の製造工程において、パッシベーション膜に良好な加工面を有する穴を低コストで加工する。 - 特許庁

The apparatus 100 for manufacturing the semiconductor device forms a pattern of the passivation film selectively on the cleaned wafer surface by using inkjet technique.例文帳に追加

製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing a crack that occurs on a passivation film, relating to a semiconductor device in which a conductive member is connected to the surface of a bonding pad exposed from an opening part formed at the passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜に形成された開口部から露出するボンディングパッドの表面に導電性部材を接続する半導体装置において、パッシベーション膜に発生するクラックを抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible printed circuit board which restrains generation of pin holes especially on a passivation and can improve non-tuck nature (non-adhesiveness) of a surface of the passivation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

特に保護膜にピンホールが発生するを抑制するとともに、前記保護膜の表面の非タック性（非粘着性）を向上させることが可能なフレキシブルプリント基板及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A peripheral solder base 16 is connected to and fixed on the wiring 14 on the passivation film 10 formed on the rear surface side electrode 22 while a central solder base 18 is formed on the rear surface side electrode 22, on which the passivation film 10 is not formed.例文帳に追加

裏面側電極２２上に形成されているパッシベーション膜１０上の配線１４上には、周辺はんだベース１６が接続固定されており、パッシベーション膜１０が形成されていない裏面側電極２２上には中央はんだベース１８が形成されている。 - 特許庁

Then, a passivation film 25 covering a part of the surface of the second division Pad electrode 15b is formed, and a non- division Pad electrode 30a covering the surface of the first and second division Pad electrodes 15a and 15b not covered with the passivation film 25 is formed.例文帳に追加

そして、第２の分割Ｐａｄ電極１５ｂの表面の一部を覆うパッシベーション膜２５が形成され、このパッシベーション膜２５で覆われていない第１、第２の分割Ｐａｄ電極１５ａ、１５ｂの表面を覆う非分割Ｐａｄ電極３０ａが形成されている。 - 特許庁

The coated pigment includes an inorganic substrate 12 with surface-anchoring groups, optionally coated with a passivation layer 15, and a manganese oxide nanoparticles layer 18 coating the substrate.例文帳に追加

場合によっては不動態化層１５で被覆された、表面固定基を有する無機基材１２を、酸化マンガンナノ粒子層１８で被覆する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of inexpensively manufacturing a solar cell having a passivation film on a rear surface of a substrate and excellent photoelectric conversion efficiency in a simple step.例文帳に追加

基板の裏面にパッシベーション膜を有する光電変換効率に優れた太陽電池を簡略な工程で安価に得ること。 - 特許庁

A passivation layer is formed at an opening formed at such a portion on the RDL, and an upper front surface and a sidewall portion of the RDL are exposed at an opening.例文帳に追加

パッシベーション層はこれに形成される開口によりRDL上に形成され、RDLの上表面と側壁部分は、開口により露出する。 - 特許庁

A back surface exposure process is executed and a photoresist layer 212 is patterned on this passivation layer with the use of the gate and the source/drain terminal as a mask.例文帳に追加

裏面露光プロセスを実行して、このパシベーション層上に、前記ゲート、ソース／ドレイン端子をマスクとして用いて、フォトレジスト層２１２をパターン化する。 - 特許庁

A second passivation layer 44 which is plane on the front surface is formed on the color filters 43 from the material contg. the silicon nitride or the silicon oxide.例文帳に追加

その後、上面が平面である第２パシベーション層がカラーフィルタ上に窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成される。 - 特許庁

The first dielectric layer may be omitted so as to form a wide and thick interconnection network on the surface of the passivation layer attached onto the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 - 特許庁

A device forming layer 18 is formed on the upper surface of a semiconductor element 14 of a semiconductor device 50, and a passivation layer 26 is laminated on the surface of the layer 18.例文帳に追加

半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。 - 特許庁

And an insulating film 22 extending on the main surface of the semiconductor chip along the main surface 20a and the side surface 20b of the passivation film is formed so that a second region 35 along the end of the main surface out of the first region remains.例文帳に追加

そして、このパッシベーション膜の主表面２０ａ及び側面２０ｂに沿って半導体チップの主表面上へと延在し、かつ第１の領域のうち主表面の端に沿う第２の領域３５が残存するように、絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁

Because of the projections and recesses on the surface of the organic passivation film 109, an adhesive force is enhanced by the increase in an adhesion area between the organic passivation film 109 and the interlayer dielectric 111, whereby the reliability of a liquid crystal display panel is improved.例文帳に追加

有機パッシベーション膜１０９表面の凹凸によって有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１０９との接着面積が増加することによって接着力が向上し、液晶表示パネルの信頼性が向上する。 - 特許庁

An insulation film 116 filling space between metal patterns to flatten its top surface, and a step is executed such that a passivation layer 112 is laminated thereon and selectively etched to expose bonding pads.例文帳に追加

次いで、メタルパターン間を充填する絶縁膜１１６を積層してその上面を平坦化してから、この上にパッシベーション層１１２を積層する。 - 特許庁

To provide a high-current density electrolysis method for copper, which can inhibit passivation of an anode and deposition of slime onto the surface of a cathode, without filtrating an electrolytic solution.例文帳に追加

電解液のろ過なしでアノード不働態化及びカソード表面へのスライム付着を抑制できる銅の高電流密度電解法を提供する。 - 特許庁

A passivation film 13 and a protective film 14 are formed on the mounting surface 11F such that the central area of each bonding pad 12 is open.例文帳に追加

また、実装面１１Ｆには、パッシべーション膜１３と保護膜１４とがボンディングパッド１２の中央領域を開口するように形成されている。 - 特許庁

An inner surface of the heat treatment apparatus is covered with an oxide passivation film, and has a center average roughness Ra of ≤1 μm.例文帳に追加

加熱処理装置の内表面を酸化物不働態膜によって覆うと共に、当該内表面の表面粗さを中心平均粗さＲａで１μｍ以下にする。 - 特許庁

To provide a method for passivation treatment of a metal surface, having no effect on a corrosion-resistant and non-heat-resistant packing and excellent in workability.例文帳に追加

耐食性を有するが非耐熱性であるパッキンに影響を与えないで作業性に優れた金属表面の不動態化処理方法を提供する。 - 特許庁

On the passivation film 3 of a semiconductor chip 2, a columnar post 8 is formed which has a substantially fixed sectional shape parallel to the top surface of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

半導体チップ２のパッシベーション膜３上に、半導体チップ２の表面と平行な断面形状がほぼ一定である柱状のポスト８が形成される。 - 特許庁

The amount machined per one machining pulse is stabilized without receiving an influence of the passivation of the surface of the object to be machined advancing during the off time t_2.例文帳に追加

また、オフ時間ｔ_２中に進行する被加工物表面の不動態化の影響を受けず、１加工パルスあたりの加工量を安定化させることができる。 - 特許庁

Moreover a plurality of bump holding pads 18 encircling this conductive pad 17 are formed on a PV(passivation) film 13 on the circuit forming surface 11a.例文帳に追加

また、回路形成面１１ａ上のＰＶ膜１３上には、複数のバンプ保持パッド１８が通電パッド１７の周囲を囲むようにして形成されている。 - 特許庁

The surface of the first base film contacting the insulating layer is oxidized by the moisture emitted from the insulating layer to form a passivation film 13a.例文帳に追加

絶縁層から放出された水分により、絶縁層と接する第１の下地膜の表面が酸化されてパッシベーション膜１３ａが形成される。 - 特許庁

To provide an electro-chemical machining method for stably machining a fine shape at a high accuracy without receiving an influence of passivation of a surface to be machined.例文帳に追加

加工対象面の不動態化の影響を受けず、微細な形状を高精度に安定して加工することのできる電解加工方法を提供する。 - 特許庁

After under-filling the electronic module with a polymer material, the polyamine on the surface of the passivation 5 reacts with the under-fill material 15 while the under-fill material 15 is cured.例文帳に追加

ポリマー材料で電子モジュールをアンダーフィルした後、パッシベーションの表面上のポリアミンは、アンダーフィル材料の硬化中にアンダーフィル材料と反応する。 - 特許庁

The second surface passivation film is formed of a material having a melting point higher than that of each of the gate electrode, the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

前記第２表面パッシベーション膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極よりも融点が高い材料で形成される。 - 特許庁