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surface stepの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6410件
The method includes a step (102) of providing a substrate article having a surface; a step (104) of thermally spraying a coating material onto the surface of the substrate article, wherein a surface of contact between the coating material and the substrate article is a bond section; and a step (106) of nondestructively testing the coated article.例文帳に追加
本方法は、表面を有する基体物品を準備する段階(102)と、皮膜材料を該皮膜材料と基体物品との間の密着面がボンド部となるように該基体物品の表面上に溶射する段階(104)と、被覆物品を非破壊検査する段階(106)とを含む。 - 特許庁
The method for measuring an electric resistance of a GaN substrate comprises a step (S10) of preparing a GaN substrate whose surface is at least partially an N surface, a step (S20) of contacting a plurality of electrode terminals on the N surface of the GaN substrate, and a measuring step (S30).例文帳に追加
この発明に従ったGaN基板の電気抵抗測定方法は、表面の少なくとも一部がN面となっているGaN基板を準備する工程(S10)と、GaN基板のN面に複数の電極端子を接触させる工程(S20)と、測定工程(S30)とを備える。 - 特許庁
The resin molded article manufacturing method comprises a molding step of forming a resin-made base, a predetermined processing step of generating cracks on a surface of the formed base, and a laminating step of providing a resin layer capable of recognizing the cracks from the outer surface side on an outer surface of the base with the cracks.例文帳に追加
樹脂製の基台を成形する成形工程と、成形した基台の表面にひびを発生させる所定の処理工程と、ひびが生じた基台の外面に、ひびが外面側より認識できる樹脂層を設ける積層工程とから樹脂成形品の製造方法を構成した。 - 特許庁
The method is provided with the step I of providing the silicon base material provided with the upper surface, the step II of forming the amorphous region on the upper surface by exposing the upper surface to halogen species, and the step III of forming the dielectric layer on the amorphous region.例文帳に追加
本方法は、I 上表面を備えたシリコン基材を設けるステップ、II 上表面をハロゲン種(halogen species)に被曝させることによって、上表面においてアモルファス領域を形成するステップ、及びIII アモルファス領域上に誘電体層を形成するステップを含む。 - 特許庁
The number of secondary electrons is increased up to the electric charge which is fully read out from the whole surface of MCP by the second step and the third step of MCP.例文帳に追加
2段目及び3段目のMCPにより、MCP全面で十分に読み出し可能な電荷量まで二次電子数を増倍させる。 - 特許庁
If a main scanning operation is a first time main scanning operation (Yes at step S1), a recording surface is scanned by means of a recording head 62 (step S2).例文帳に追加
当該主走査動作が1回目の主走査動作ならば(ステップS1でYes)、記録ヘッド62にて記録面を走査する(ステップS2)。 - 特許庁
To detect the occurrence of a damage to a polishing surface of a wafer during a polishing step of the wafer in a manufacturing step of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加
半導体集積回路装置の製造工程であるウエハの研磨工程中にウエハの研磨面に傷が発生したことを検出する。 - 特許庁
Before performing the drawing step, a scrap removing step of scrapping off and removing aluminum scrap 1 deposited on the surface of the aluminum stock tube 10 is performed.例文帳に追加
引抜工程を行う前に、アルミニウム素管10の表面に付着するアルミニウムカス1をこすり落として除去するカス除去工程を行う。 - 特許庁
In the second film-forming step, an oil-repellent second film 105 is formed on an uneven surface of the first film 103 after the post-irradiation step.例文帳に追加
第2の成膜工程では、後照射工程後の第1の膜103の凹凸面に撥油性を有する第2の膜105を成膜する。 - 特許庁
The computer 11 selects and decides left and right roughly common outer surface shapes in accordance with the specifications (step S2), and displays them on the display device 13 (step S3).例文帳に追加
コンピュータ11は、仕様に基づいて左右ほぼ共通の外面形状を選択、決定し(ステップS2)、表示装置13に表示する(ステップS3)。 - 特許庁
After polysilicon is etched to form a dummy gate (step S1), an exposed surface after etched is, for example, thermally oxidized to form a diffusion preventing film (step S2).例文帳に追加
ポリシリコンをエッチングしてダミーゲートを形成した後(ステップS1)、エッチング後の露出表面を例えば熱酸化して拡散防止膜を形成する。 - 特許庁
The groove 12 is formed through an etching step performed for exposing a gate layer to the surface and another etching step performed for separating elements from each other.例文帳に追加
ダイシング溝12は、ゲート層を表面に露出するためのゲート出しエッチング工程と、素子を分離するためのエッチング工程で形成される。 - 特許庁
In the surface oxidation step and the sintering step, a millimeter wave sintering apparatus (or a discharge plasma sintering apparatus) is used as a heating means.例文帳に追加
この際、表面酸化工程と焼結工程において、加熱手段としてミリ波焼結装置(又は放電プラズマ焼結装置)を用いる。 - 特許庁
A gettering sink 4 is formed by a multiphoton absorption step, and thereafter a silicon wafer 2 is subjected to mirror-surface polishing (a polishing step as shown in Fig.4(b)).例文帳に追加
多光子吸収工程によってゲッタリングシンク4を形成した後で、シリコンウェーハ2を鏡面研磨する(ポリッシング工程:図4(b)参照)。 - 特許庁
The bookbinding method comprises a step of printing on a first surface of continuous paper, a step of putting a second surface of the paper in an adherable state, a step of folding the paper and putting it in a fanfold state so that the second adherable surface of the paper is made opposite, and a step of adhering the second surface in the fanfold state.例文帳に追加
連続紙の第1の面に印刷するステップと、 前記連続紙の第2の面を接着可能な状態とするステップと、 前記連続紙の接着可能な状態の第2の面が対向するように、前記連続紙を折り畳んでファンフォールドの状態とするステップと、 前記ファンフォールドの状態で前記第2の面を接着するステップと、 を含んでなる、製本方法である。 - 特許庁
The method for manufacturing the electrostatic chuck includes a step for preparing the plate-like ceramics dielectric substrate, a step for providing a groove that has a bottom surface shape corresponding to the substrate shape on one surface of the ceramics dielectric substrate, a step for forming the film electrode on the bottom surface of the groove, and a step where one surface is bonded to the support substrate through an adhesive layer.例文帳に追加
板状のセラミックス誘電体基材を準備する工程と、セラミックス誘電体基材の一方の面に基板形状に応じた底面形状を有する溝を加工する工程と、溝の底面上に膜状電極を形成する工程と、接着剤層を介して上記一方の面と支持基材とを接着する工程とを有する静電チャックの製造方法である。 - 特許庁
An erected surface section 15 is provided to the front of the bottom surface section 11 contacted to a lower step surface F1 and, at the same time, the inclined plane section 16 is provided between the upper part of the erected surface section 15 and the rear side of the bottom surface section 11.例文帳に追加
下段面F1に接地する底面部11の前部に起立面部15が設けられるとともに、起立面部15の上部と底面部11の後部との間に傾斜面部16が設けられている。 - 特許庁
This side part 23 is furnished with a first surface 25 to ground on the lower step surface F1, a second surface connected to this first surface 25 and a third surface 27 positioned between these first and second surfaces 25, 26.例文帳に追加
このサイドパーツ23は、下段面F1に接地する第1の面25と、この第1の面25に連設された第2の面と、これら第1及び第2の面25,26の間に位置する第3の面27とを備える。 - 特許庁
This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.例文帳に追加
面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁
Thus, an operator M can step forwards with small steps respectively between a ground surface G and the step 24 for getting-on-and-off, between the step 24 and the auxiliary step 25 and between the auxiliary step 25 and the floor plate 22, and can get on and off to and from a driver's seat 10 rapidly and safely.例文帳に追加
これにより、オペレータMは、地面Gと乗降用ステップ24との間、乗降用ステップ24と補助ステップ25との間、補助ステップ25と床板22との間を、それぞれ小さな歩幅をもって踏み進むことができ、運転席10に迅速かつ安全に乗降することができる。 - 特許庁
An evaluation site for judging the nature of an iron oxide layer is selected (step S1); and the nature of the iron oxide layer is evaluated (step S7) based on the measurement results of a layer thickness (step S4), layer electrical characteristics (step S5), and a layer surface color (step S6).例文帳に追加
鉄酸化皮膜の性状を判定する評価部位を選定し(ステップS1)、皮膜鉄成分量(ステップS3)、皮膜厚さ(ステップS4)、皮膜電気的特性(ステップS5)および皮膜表面色(ステップS6)の計測結果に基づいて、鉄酸化膜の性状評価を行う(ステップS7)。 - 特許庁
The method also comprises a step of removing a surface oxide layer 50 formed on the layer 5.例文帳に追加
さらに、エミッタ層5上に形成された表面酸化層50を除去する工程とを有する。 - 特許庁
On the basis of the copied and set block data, the surface shape of the work is measured (step S4).例文帳に追加
複写設定したブロックデータに基づいてワークの表面形状を測定する(ステップS4)。 - 特許庁
The recessed step part 3 is arranged in a lower part of the side surface of a glazed ceramic Western-style toilet bowl 1.例文帳に追加
施釉された陶器製の洋風便器1の側面の下部に凹段部3設けられている。 - 特許庁
The inner surface of the copper tube is preferably cleaned with water or organic solvent or the like after the heating step.例文帳に追加
加熱工程後、水又は有機溶剤等で銅管内面を洗浄することが好ましい。 - 特許庁
A powder resin is then adhered to the front surface of the base material 3 by electrostatic coating (a adhering process step).例文帳に追加
次に、静電塗装によって基材3の表面に粉末樹脂を付着させる(付着工程)。 - 特許庁
To provide an endmill capable of suppressing the occurrence of chattering and reducing a step on a machined wall surface.例文帳に追加
びびりの発生を抑えるとともに加工壁面の段差を小さくできるエンドミルを提供する。 - 特許庁
A substrate stage device has a substrate held by a substrate holding member mounted on a Y step surface table.例文帳に追加
基板ステージ装置は、Yステップ定盤上に搭載された基板支持部材に基板が保持される。 - 特許庁
Thereafter, the rinse agent at 3°C is supplied onto the substrate to clean the surface of the substrate (step S4).例文帳に追加
その後、基板上に3℃のリンス液を供給して、基板の表面を洗浄する(ステップS4)。 - 特許庁
That is, the front surface of the metal wiring of the pad opening is physically etched (step S3).例文帳に追加
すなわち、上記パッド開口部の金属配線表面を物理的にエッチングする(処理S3)。 - 特許庁
To provide a multi-step process for depositing a material into high aspect ratio features onto a substrate surface.例文帳に追加
基板表面の高アスペクト比フィーチャへ材料を堆積する多数ステップのプロセスを提供する。 - 特許庁
The via hole 6v and the surface of the insulating layer 6 are cleaned by organic solvent C ((E)step).例文帳に追加
ビアホール6vおよび絶縁層6の表面が有機溶剤Cで洗浄される((E)工程)。 - 特許庁
A Ti plating layer 31 is formed on a surface of an Ni group metal base 11 (step S1).例文帳に追加
Ni基金属基板11の表面上にTiめっき層31を形成する(ステップS1)。 - 特許庁
Surface roughness of the wafer is increased by polishing the on-axis silicon substrate in the polishing step 104.例文帳に追加
オンアクシスシリコン基板を研磨ステップ104で研磨して、ウェーハの表面粗さを増大させる。 - 特許庁
The cover 5 includes a plane portion 33 for covering the groove portion 21 and the lower surface 26B of the step portion 26.例文帳に追加
カバー5は、溝部21と段差部26の下面26Bを覆う平面部33を有する。 - 特許庁
The corrosion surface shape of a corrosion structure is three-dimensionally measured without contact (step 2).例文帳に追加
腐食構造物の腐食表面形状を、非接触式、かつ三次元にて測定する(ステップ2)。 - 特許庁
The torn surface 29 includes a step 26 provided on an end face 24a of the InGaN layer 24.例文帳に追加
割断面29は、InGaN層24の端面24aに設けられた段差26を含む。 - 特許庁
The engaging arm 44 includes a receptacle 44a extending toward an opposite direction to a bottom surface of the step 22.例文帳に追加
係合アーム44は段差22の底面と反対方向に延びる受け部44aを有する。 - 特許庁
The first step sticks a surface of a wafer on which a semiconductor element is formed to a support substrate.例文帳に追加
第1工程は、半導体素子が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせる。 - 特許庁
A first step part 16 (first projection part 17) is formed on an outer surface of the first foaming member.例文帳に追加
第1発泡部材の外面には、第1段部16(第1突出部17)が形成されている。 - 特許庁
A step 3b higher than a floor surface 1 and lower than the top face 5a is projected from the side wall.例文帳に追加
床面1より高く、上面5aより低いステップ3bが側壁から突出している。 - 特許庁
Next, the oil repellent coating film layer is formed on a surface of the silicone oxide layer (Step S16).例文帳に追加
次に酸化シリコーン層の表面に撥油性を有する被膜層を成層する(ステップS16)。 - 特許庁
To obtain a pearl excellent in acid resistance and having high surface hardness in a culturing step.例文帳に追加
耐酸性に優れ且つ表面硬度の高い真珠を養殖段階で得られるようにする。 - 特許庁
Thereby, a step for polishing the projecting surface, on which laser light is made incident, can be made unnecessary.例文帳に追加
これにより、レーザー光を入射する凸型面を研磨する工程を不要とすることができる。 - 特許庁
In the coating step, the surface of the nozzle plate base 11A is coated with the fluorine silane coupling agent.例文帳に追加
塗布工程では、ノズルプレート基材11Aの表面にフッ素系シランカップリング剤が塗布される。 - 特許庁
Thereafter, vulcanization is performed so as to form the silicone film on the outer circumferential surface of the urethan sponge (step 5).例文帳に追加
その後、加硫処理を行い、ウレタンスポンジの外周面にシリコン皮膜を形成する(ステップ5)。 - 特許庁
A clip seat 23 and a guide surface 27 are coupled via a step 25 to build up the bridge 19.例文帳に追加
クリップ着座部23とガイド面部27とを段差部25を介して連結して橋梁部19を構成する。 - 特許庁
An engagement step part 57 is formed on the side surface of a lock gear 4 opposite to the search member 101.例文帳に追加
探索部材101と対向するロックギヤ5の側面に係合段部57が形成される。 - 特許庁
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