「surface step」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing particulate phosphor comprises a preparation step S1 preparing the raw material solution for the particulate phosphor, a spraying and pyrolysis step S2, a surface processing step S3 and a light emission activating step S4.例文帳に追加

微粒子蛍光体の製造方法は、微粒子蛍光体の原料溶液の調整ステップＳ１と、噴霧熱分解ステップＳ２と、表面処理ステップＳ３と、発光活性化処理ステップＳ４とを含んでいる。 - 特許庁

The method for producing particulate phosphor comprises a preparation step (S1) preparing the raw material solution for the particulate phosphor, a spraying and pyrolysis step (S2), a surface processing step (S3) and a light emission activating step (S4).例文帳に追加

本発明の微粒子蛍光体の製造方法は、微粒子蛍光体の原料溶液の調整ステップ（Ｓ１）と、噴霧熱分解ステップ（Ｓ２）と、表面処理ステップ（Ｓ３）と、発光活性化処理ステップ（Ｓ４）とを含んでいる。 - 特許庁

The paste is applied to a surface of the conductive metal support (step S6), the resulting support is dried (step S7) and rolled (step S8), and, thereafter, the cutting of an electrode plate and connection of a lead are carried out (step S9) to obtain a positive electrode.例文帳に追加

そして、導電性金属支持体の表面にペーストを塗着（ステップＳ６）し、乾燥（ステップＳ７）および圧延（ステップＳ８）した後、極板の切断およびリードの接続を行って（ステップＳ９）、正極を得る。 - 特許庁

To provide a getting-on/out step device for a crawler type working machine, shifting a state in which a step opens to an outside surface of a side frame to a normal state of the step, and closing the step to the outside surface by external force when the external force is applied to the step from the outside of a traveling element.例文帳に追加

ステップがサイドフレームの外側面に対して開いた状態を、ステップの通常の状態にすることができ、走行体の外側方からステップに外力が与えられたときには、その外力によりステップを外側面に対して閉じさせることができるクローラ式作業機械の昇降用ステップ装置の提供。 - 特許庁

To provide a concrete uneven step casting method and a concrete uneven step casting device capable of finishing the upper surface and the lower surface of an uneven step with a high degree of accuracy by a simple execution method without being required for skill when the uneven step or a groove having uneven steps on both sides and a stair as a continuous body of the uneven step are formed by placing concrete.例文帳に追加

段差或いは両側に段差を有する溝、さらには段差の連続体である階段をコンクリート打ちで造成する際に、熟練を必要としない簡単な施工法で、段差の上面と下面と側面とを高精度に仕上げることができるコンクリート段差打ち工法及びコンクリート段差打ち具を提供する。 - 特許庁

A step part 18b is provided between the upper surface of a cavity in the first line and the upper surface of a cavity 17b in the second line.例文帳に追加

１列目のキャビティ１７ａの上面と２列目のキャビティ１７ｂの上面との間に段部１８ｂを設ける。 - 特許庁

A step (a) forms a recording layer 23 on one surface of a first substrate 21 and forms a recording layer 20 on the other surface.例文帳に追加

（ａ）で第１の基板２１の一方の面に記録層２３を形成し、他方の面に記録層２０を形成する。 - 特許庁

A wall surface 12 of a step formed by the stage part 11 and another principal surface is provided perpendicularly to the stage part 11.例文帳に追加

段部１１と他方の主面とによる段差の壁面１２は、段部１１に対して垂直に設けられている。 - 特許庁

A metal film for silicidizing is deposited on the principal surface of the wafer through sputtering, while including the surface of the conductive member (step 2).例文帳に追加

ウェハ主面上に導電部材上を含んでシリサイド化のための金属膜をスパッタ法で堆積する（ステップ２）。 - 特許庁

Each terminal plate 30 has a step 38 where the mount surface of the bias diode 50 is below its peripheral surface.例文帳に追加

端子板３０には、バイパスダイオード５０の載置面をその周りの面よりも下位とした段差部３８が形成されている。 - 特許庁

In the step S10, a crack K1 is developed in the preliminary modified region P1 between a reference surface and the surface of the wafer W.例文帳に追加

これにより予備改質領域Ｐ１内のクラックＫ１が基準面とウェハＷ表面との間に進展される。 - 特許庁

An ECU executes road surface determination processing to compute a rough road index of a road surface on which a vehicle travels (Step S10).例文帳に追加

ＥＣＵは、路面判定処理を実行して車両の走行する路面の悪路指数を演算する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

To prevent generation differentiation of a surface step height of a thermal insulation panel by chips generated when boring an anchor hole on a wall surface.例文帳に追加

壁面にアンカー穴を穿孔する際に生じる切り粉による断熱パネル等の面段差の発生を防止する。 - 特許庁

A surface treatment step is applied to the surface of the semiconductor substrate 51, which is exposed by the self-aligned contact hole 71.例文帳に追加

自己整列コンタクトホール７１によって露出された半導体基板５１の表面に表面処理工程を適用する。 - 特許庁

At least, a step 20 for preparing a substrate with an insulation layer on a surface, a step 24 for applying ultraviolet rays to the surface of the insulation layer, a step 26 for performing the oxidation treatment of the surface of the insulation layer after applying ultraviolet rays, and a step 29 for providing a conductor layer on the insulation layer after the oxidation treatment, are included.例文帳に追加

少なくとも表面に絶縁層を有する基板を準備するステップ２０と、絶縁層表面に紫外光を照射するステップ２４と、紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処理するステップ２６と、酸化処理後の絶縁層上に導体層を設けるステップ２９とを含む。 - 特許庁

The bonding method comprises a step for carrying out surface modification treatment of the surface of a silicone rubber, a step for applying the adhesive for silicone rubbers onto the silicone rubber subjected to surface modification treatment, a step for arranging a member to be bonded onto the adhesive for silicone rubbers and a step for carrying out curing treatment of the adhesive for silicone rubbers.例文帳に追加

また、シリコーンゴムの表面を表面改質処理する工程と、表面改質処理されたシリコーンゴム上にシリコーンゴム用接着剤を塗布する工程と、シリコーンゴム用接着剤上に被接着部材を配置する工程と、シリコーンゴム用接着剤を硬化処理する工程とを有する接着方法とする。 - 特許庁

The method comprises: a step of forming a CMOS source, a drain region, and a well region sandwiched inbetween; a step of depositing a surface channel on the upper surface of the well region; a step of forming a high k dielectric on the surface channel; and a step of forming a gate electrode on the high k dielectric.例文帳に追加

この方法は、ＣＭＯＳソースおよびドレイン領域と、間に挟まれたウェル領域とを形成する工程と、ウェル領域の上の表面上に表面チャネルを堆積する工程と、表面チャネルの上に高ｋ誘電体を形成する工程と、高ｋ誘電体の上にゲート電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

After a surface of a step of the step-like element is supplied by etching a specified area of the substrate, the surface corresponding to the side wall of the step-like element generated by the etching is etched to correct the angle of the surface corresponding to the side wall.例文帳に追加

又、基板の或る領域をエッチングすることによって階段状要素の或る段の面を供給した後に、エッチングにより生じた階段状要素の側壁に相当する面をエッチングすることによって側壁に相当する面の角度を修正する。 - 特許庁

In the step (C), the surface of the metallic material is irradiated with the light including the ultraviolet light.例文帳に追加

工程（Ｃ）：金属材料の表面に、紫外線を含む光を照射する工程。 - 特許庁

The substrate holding member moves on the Y step surface table in a scan direction with a long stroke.例文帳に追加

基板支持部材は、Ｙステップ定盤上でスキャン方向に長ストロークで移動する。 - 特許庁

The step parts 24 are provided at positions which do not overlap with a device surface 2 of a rib wafer 10.例文帳に追加

段差部２４は、リブウェハ１０のデバイス面２と重ならない位置に設けられている。 - 特許庁

The circumference of an opening on a plate rear surface of the front support plate is formed into a step part of a concentric circle.例文帳に追加

前支持プレートのプレート後面の開口周囲を同心円の段部に形成する。 - 特許庁

The method includes a grinding/lapping step of grinding and lapping its floated surface for a block.例文帳に追加

ブロックに対しその浮上面を研削およびラッピングする研削・ラッピング工程を備える。 - 特許庁

In an element portion forming step, a capacitor element portion 4 is formed on the upper surface portion of the substrate 1.例文帳に追加

素子部形成工程では、基板１の上面部にコンデンサ素子部４を形成する。 - 特許庁

The computer 11 determines the progressive surface shape data of the rear face in accordance with the specifications (step S3).例文帳に追加

コンピュータ１１は、仕様に基づいて後面の累進面形状データを求める(ステップS3)。 - 特許庁

A step 30 is provided in an outer circumferential surface 12a of a drive shaft 12 for rotating a control plate 9 to move, and a throttle part 40 of a constant gap is provided between an upper step surface of the step 30 and an inner wall surface of a sleeve 14 for slidably containing the drive shaft 12.例文帳に追加

制御プレート９を回転移動させるための駆動軸１２の外周面１２ａに段差３０を設け、段差３０の上段面と該駆動軸１２をスライド可能に収納するスリーブ１４の内壁面との間を一定のすきまの絞り部４０とする。 - 特許庁

In the surface processing treatment of the GaN-based semiconductor substrate, mechanical polishing for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (cutting step, wrapping step), and then chemical gas phase etching for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (CVE step).例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理において、ＧａＮ系半導体基板の表面に対して機械的研磨を行い（研削工程、ラッピング工程）、その後、ＧａＮ系半導体基板表面に対して化学的気相エッチングを行う（ＣＶＥ工程）。 - 特許庁

The transistor is manufactured through a step of removing surface roughness smaller than a mean free path.例文帳に追加

平均自由行程よりも小さい表面粗さを取り除く工程を経て製造する。 - 特許庁

To form a step terrace structure on the surface of a zinc oxide single crystal substrate (ZnO wafer).例文帳に追加

酸化亜鉛単結晶基板（ＺｎＯウエファー）の表面にステップ・テラス構造を形成する。 - 特許庁

A surface of a graphite substrate is processed to form a nano-meter order irregular structure (Step 301).例文帳に追加

グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する（ステップ３０１）。 - 特許庁

The whole fat area is extracted from the body surface interest area 72 (step S43).例文帳に追加

体表関心領域７２内から全体脂肪領域を抽出する（ステップＳ４３）。 - 特許庁

The arc side surface of the step 43 is directed to the user standing on the floor of the photographing space.例文帳に追加

ステップ４３の弧側の側面は撮影空間の床に立つ利用者に向けられている。 - 特許庁

This method comprises a step for laminating a layer of a substrate 11 by a polyurethane resin on the surface of the substrate 11, a step for polishing the surface of an article 1 with bismuth oxychloride powder and a step for providing a clear payer 12 on the surface of the substrate 11 after polishing.例文帳に追加

この方法は、用品１の表面にポリウレタン樹脂等により下地１１層を積層する工程と、下地層１１の表面を酸塩化蒼鉛粉末で研磨する工程と、研磨後の下地層１１表面にクリア層１２を設ける工程とを含む。 - 特許庁

An exposure shot for performing exposure treatment is selected, and the surface step of the exposure shot is measured.例文帳に追加

露光処理を施す露光ショットを選択し，露光ショットの表面段差を計測する。 - 特許庁

The step (a) forms the dielectric layer 2 on the surface of the metallic base material 1.例文帳に追加

工程（ａ）では、金属製の基材１の表面上に誘電体層２を形成する。 - 特許庁

N atoms 4 on the surface of the semiconductor layer 1 exposed by this step are removed.例文帳に追加

この工程によって露出した半導体層１の表面のＮ原子４を除去する。 - 特許庁

A metal film of aluminum or aluminum base alloy is formed on a wafer surface (step 52a).例文帳に追加

ウエハの表面にアルミニウムまたはアルミニウム系合金の金属膜を成膜する（ステップ５２ａ）。 - 特許庁

A wiring layer is selectively formed on a main surface of a wiring support base material (a step S1).例文帳に追加

配線支持基材の主面に配線層を選択的に形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

A surface of the first sample T is observed by an electron microscope (step S14).例文帳に追加

前記第１試料Ｔの表面を電子顕微鏡によって観察する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

In step 106, flux of etching suppression precursor gas is supplied to the substrate surface.例文帳に追加

ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。 - 特許庁

The coupling surface processing step includes an OH radical increasing step S100 for increasing OH radicals on the coupling surface, and a moisture reducing step S120 for reducing moisture by heating the coupling surface whereon the OH radicals are increased, at a temperature within the range of 50 to 200°C.例文帳に追加

結合面処理工程は、結合面のＯＨ基を増加させるＯＨ基増加工程Ｓ１００と、ＯＨ基が増加した結合面を５０℃〜２００℃の範囲内の温度で加熱して水分量を低減する水分量低減工程Ｓ１２０とを含む。 - 特許庁

A pneumatic tire 10 has a step difference 24 in a tire equatorial surface position of a tread 18.例文帳に追加

空気入りタイヤ１０は、トレッド１８のタイヤ赤道面位置において段差２４を有する。 - 特許庁

A step part 22 is formed circumferentially at an upper end of an inner wall surface 27 of an agitation vessel part 21.例文帳に追加

攪拌容器部21の内壁面27の上部に全周に亘って段差部22を形成する。 - 特許庁

In the border weaving step, a stopper 65 is engaged with an abutment surface 64 of a stop lever 60.例文帳に追加

ボーダ織り工程では、ストッパー６５がストップレバー６０の当接面６４に係合する。 - 特許庁

By calculating a projection distance to the surface to be projected from a focus adjusted value (step S1002), a zoom adjusted value is detected (step S1003).例文帳に追加

フォーカス調整値から被投影面までの投影距離を算出し（ステップＳ１００２）、ズーム調整値を検出する（ステップＳ１００３）。 - 特許庁