「tic」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To measure a frequency difference Δy between oscillators having a normalized frequency deviation of 0.1 Hz or less by a simple constitution with the same degree of accuracy as that of the DMTD method without the need for an s-r converter or an expensive TIC.例文帳に追加

s-r変換器や高価なTICを用いることなく、規格化周波数偏差が0.1Hz以下の発振器間の周波数差Δуを簡単な構成で従来のDMTD法と同程度の精度で測定すること。 - 特許庁

In the titanium sheet having excellent press formability and surface luster, a TiC-containing layer is persent in the vicinity of the surface of base titanium, and the thickness of the TiC-containing layer is ≥300 Å.例文帳に追加

素地チタンの表面近傍にＴｉＣ含有層が存在し、且つ該ＴｉＣ含有層の厚さが３００Å以上であることを特徴とするプレス成形性及び表面光沢に優れたチタン板。 - 特許庁

Tic-tac-toe is a simple game, and yet it is not trivial to implement it as a CGI application. 例文帳に追加

三目並べは単純なゲームだが, それを CGI アプリケーションとして実現するのは些細なことではではない - 研究社 英和コンピューター用語辞典

Maximum grain diameter of TiC of the contact material for vacuum valve composed of Cu at 50 vol.% or less and a balance consisting of the TiC is set at 10 μm so as to restrict the generation of the excessive cutting current value.例文帳に追加

５０ｖｏｌ％以下のＣｕと残部がＴｉＣからなる真空バルブ用接点材料の、ＴｉＣの最大粒径を１０μｍ以下とすることにより、過大な裁断電流値の発生を抑制できる。 - 特許庁

Various other embodiments may also include CTI processors (160), which can be adapted to generate CTI image data, and/or TIC processors (170), which can be adapted to generate TIC image data.例文帳に追加

様々な別の実施形態はさらに、ＣＴＩ画像データを作成するように適応させ得るＣＴＩプロセッサ（１６０）、及び／またはＴＩＣ画像データを作成するように適応させ得るＴＩＣプロセッサ（１７０）を含む。 - 特許庁

The spacer for the magnetic disk l includes a sintered compact containing Al_2O_3, TiC, and MgO, wherein the sintered compact includes 35 to 55 wt.% of MgO to the total weight of Al_2O_3, TiC, and MgO.例文帳に追加

本発明に係る磁気ディスク用スペーサは、Ａｌ_2Ｏ_3、ＴｉＣ、及び、ＭｇＯを含む焼結体を有し、焼結体はＡｌ_2Ｏ_3、ＴｉＣ、及び、ＭｇＯの全重量に対して、ＭｇＯを３５〜５５重量％含む。 - 特許庁

The inclusion of the TiC-based compound is confirmed by that a finding the diffraction line peaks at 2θ=36.2°, 42.3°, and 61.6° by X-ray diffraction method of the obtained Ti-C-based material correspond to (111), (200), and (220) in TiC.例文帳に追加

ＴｉＣ系化合物の含有は、得られたＴｉ−Ｃ系材料のＸ線回折法による、２θ＝36.2°、42.3°、および61.6°の回折線ピークがＴｉＣにおける(111)、(200)、および(220)に対応することにより確認された。 - 特許庁

In the contact material for vacuum valve using VC or/and TiC as arc-proof components and Cu as a conductive component, the amount of C is regulated to ≥85% of the theoretical C content in VC or/and TiC.例文帳に追加

ＶＣまたは／及びＴｉＣを耐弧成分とし、Ｃｕを導電成分とした真空バルブ用接点材料において、Ｃ量をＶＣまたは／及びＴｉＣ中の理論Ｃ含有量に対して８５％以上とする。 - 特許庁

In the surface modifying method, carbon powder is mixed into an electric discharge machining solution for TiC surface modifying, and electric discharge machining is performed, by which an object made of stainless steel is subjected to TiC surface modifying.例文帳に追加

ＴｉＣ表面改質のための放電加工液中に炭素粉末を混入させて放電加工を行うことにより、ステンレス鋼製対象物をＴｉＣ表面改質する表面改質方法。 - 特許庁

The grains are typically made of any of Al4C3, TiC, AlN, TiN or TiB2.例文帳に追加

典型的には、前記粒子はＡｌ_4 Ｃ_3 、ＴｉＣ、ＡｌＮ、ＴｉＮおよびＴｉＢ_2 のいずれか１種の粒子である。 - 特許庁

The titanium alloy contains the fine particles of both TiB and TiC dispersed in the metal matrix.例文帳に追加

金属組織中にＴｉＢの微粒子とＴｉＣの微粒子の両方を分散させて含有するチタン合金。 - 特許庁

To provide a TiC-based cermet body which has an improved hardness and an improved resistance to plastic deformation.例文帳に追加

硬度が向上しそして塑性変形に対する抵抗性が増したＴｉＣ系サーメット本体を提供する。 - 特許庁

The method for modifying the surface of the stainless steel material comprises the steps of: subjecting the surface of the stainless steel material to electric discharge machining while using a Ti-containing electrode; and successively subjecting the discharge-machined surface of the stainless steel material to electron beam machining to form a TiC-diffused modified layer.例文帳に追加

ステンレス系材料の表面に、Tiを含む電極を用いた放電加工、及び電子ビーム加工を順次行って、TiCが拡散された改質層を形成することを特徴とするステンレス系材料の表面改質方法。 - 特許庁

To provide a method for peeling a hard film where, when a hard film of TiN, TiC, TiCN, DLC or the like applied to the surface of a metal, a semiconductor, ceramics or plastics is peeled, only the applied film can be peeled without damaging the substrate stock.例文帳に追加

金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離することができる硬質膜の剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing for a field emission type elec tron source capable of improving reliability and an electron emission characteris tic.例文帳に追加

電子放出特性および信頼性を向上できる電界放射型電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

The titanium silicon carbide sintered compact comprises titanium silicon carbide (Ti_3SiC_2) obtained by the pressure sintering of raw materials such as titanium hydride (TiH_2) powders, titanium carbide (TiC) powders and silicon (Si) powders or silicon carbide (SiC) powders.例文帳に追加

バインダーとしての役割を担う水素化チタン(TiH_2)粉と炭化チタン(TiC)粉の加圧焼結により得られたチタン炭化物(Ti_(２−ｘ)C, 但しｘ＝0〜1)からなることを特徴とするチタン炭化物焼結体及び水素化チタン(TiH_2)粉、炭化チタン(TiC)粉及び珪素(Si)粉末又は炭化珪素(SiC)粉末を原料とし、加圧焼結により得られたチタンシリコン炭化物(Ti_3SiC_2)からなることを特徴とするチタンシリコン炭化物焼結体。 - 特許庁

Both TiC and TiN are added to a sintered compact and TiN is made to preferentially exist on the surface of the sintered compact.例文帳に追加

ＴｉＣとＴｉＮを共に焼結体中に含ませ且つＴｉＮを焼結体の表面に優先的に存在させる。 - 特許庁

The interface reactive layer 5 is made of TiC, Cr3C7 or the like formed by interaction between the abrasive grains 3 and the binder 4.例文帳に追加

界面反応層５は、砥粒３と結合材４との反応によって形成される、ＴｉＣ、Ｃｒ_3Ｃ_7等からなるものである。 - 特許庁

Next, annealing is performed at a temperature of 400°C to react Ti with diamond and form TiC layers 133A and 133B (Fig. 1(c)).例文帳に追加

次に、４００℃でアニールを行いＴｉをダイヤモンドと反応させて、ＴｉＣ層１３３Ａ、１３３Ｂを形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

USE OF COX-2 INHIBITOR FOR TREATMENT OF SCHIZOPHRENIA, DELUSIONAL DISORDER, AFFECTIVE DISORDER, AUTISM OR TIC DISORDER例文帳に追加

精神分裂病、妄想障害、情動障害、自閉症またはチック障害の治療のためのＣＯＸ−２阻害薬の使用 - 特許庁

Chlorine-based gas is introduced into a 1st chamber 1 to generate plasma, and an insulating layer formed by using alumina or AL2O3.TiC is etched.例文帳に追加

第１チャンバ１内に、塩素系ガスを導入してプラズマを生成し、アルミナ又はアルチックを用いてなる絶縁層をエッチングする。 - 特許庁

A layer of an all proportional solid solution Ti (C, N) of TiN and TiC is formed between the titanium-containing layer and the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

チタン含有層と窒化物半導体層との間にＴｉＮとＴｉＣの全率固溶体Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）の層が形成される。 - 特許庁

A sintered body containing at least one of SiC and B_4C, Al_2O_3, and TiC is used as the spacer material for the flat panel display.例文帳に追加

ＳｉＣ及びＢ_４Ｃの少なくとも一方と、Ａｌ_２Ｏ_３と、ＴｉＣと、を含む焼結体を平面パネルディスプレイ用スペーサ基材とする。 - 特許庁

(2) In the phase transition type optical recording medium mentioned in (1), the nitride is AIN and/or GeN and the carbide is TiC and/or SiC.例文帳に追加

（２）窒化物がＡｌＮ及び／又はＧｅＮ、炭化物がＴｉＣ及び／又はＳｉＣである（１）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁

Disclosed is a method for peeling a hard film where, when the hard film of TiN, TiC, TiCN, DLC or the like applied to the surface of a metal, a semiconductor, ceramics or plastics is peeled, by emitting a femtosecond laser, only the applied film is peeled without damaging the substrate stock.例文帳に追加

金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、フェムト秒レーザを照射することにより、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離するようにしたことを特徴とする硬質膜の剥離方法。 - 特許庁

When the medical image 702 set with the ROI and the TIC image 802 on the ROI are simultaneously displayed on the same screen, either of the medical image or the TIC image pointed 902 by an observer is displayed to expand its screen occupation rate larger than the other.例文帳に追加

ＲＯＩが設定された医用画像（７０２）とＲＯＩに関するＴＩＣ画像（８０２）を同一画面に同時に表示するにあたって、医用画像とＴＩＣ画像のうち観察者によりポインティング（９０２）された方の画面占積率が大きくなるように表示する。 - 特許庁

This blood analysis apparatus 10 gives a labeled substance in the blood of the subject P, and analyzes the time intensity curve (TIC) for every pixel or a region of interest of time-series images collected by imaging an intended portion of the subject by a medical modality 11 in time series.例文帳に追加

被検体Ｐの血液中に標識物質を与えて当該被検体の所望部位を医用モダリティ１１により経時的に撮像して収集した時系列の画像のピクセル毎または関心領域毎の時間濃度曲線（Time Intensity Curve: TIC）を解析する血流解析装置１０が提供される。 - 特許庁

The blood flow analyzer 10 analyzes a time intensity curve (TIC) for each of the pixels or the regions of interest of the image of a time series which is collected by time coursely imaging a desired section of a subject by a medical modality 11 by giving labeled substance to the blood of the subject P.例文帳に追加

被検体Ｐの血液中に標識物質を与えて当該被検体の所望部位を医用モダリティ１１により経時的に撮像して収集した時系列の画像のピクセル毎または関心領域毎の時間濃度曲線（Time Intensity Curve: TIC）を解析する血流解析装置１０が提供される。 - 特許庁

Then, the generated TIC images and ultrasonic characteristic images are arranged side by side and displayed on a screen so that the time bases correspond to each other.例文帳に追加

そして、生成されたＴＩＣ画像と超音波特性画像とを時間軸が互いに対応するように画面に並べて表示させる。 - 特許庁

The intermediate layer 20 is made of silicone (Si), tungsten (W), titanium carbide (TiC), silicone carbide (SiC) or chromium carbide (CrC), etc.例文帳に追加

その中間層２０は、シリコン（Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化珪素（ＳｉＣ）あるいは炭化クロム（ＣｒＣ）等によって形成する。 - 特許庁

As the carbide, TiC is suggested when the metallic powder is Ni, and WC is suggested when the metallic powder is Cu.例文帳に追加

前記炭化物としては、金属の粉末がＮｉである場合、ＴｉＣを、金属の粉末がＣｕである場合、ＷＣを挙げることができる。 - 特許庁

The top surface of the W plug 20 is coated with the laminated film comprising an SiC film 21 and a TiC/TiSi layer 26 whose thickness is not larger than about ten-odd nano-meters.例文帳に追加

ＳｉＣ膜２１とＴｉＣ／ＴｉＳｉ層２６とからなる十数ｎｍ程度以下の積層膜で、Ｗプラグ２０の上面を覆う。 - 特許庁

The substrate 11 is a crystal substrate of Al_2O_3, the first thin film layer 12 is a thin film of AlN, and the second thin film layer 13 is a thin film of TiC.例文帳に追加

基板１１はＡｌ_２Ｏ_３の結晶基板であり、第１薄膜層１２はＡｌＮの薄膜とされ、第２薄膜層１３はＴｉＣの薄膜とされている。 - 特許庁

An arc surface of the contact material includes 50 vol.% or more of the TiC, and ratio of the Cu is increased step by step toward the back surface of the arc surface.例文帳に追加

また、接点材料の被アーク面を５０ｖｏｌ％以上のＴｉＣとし、被アーク面の裏側の面に向かって、Ｃｕの割合を段階的に増加させる。 - 特許庁

Since the B_4C abrasive grain 20 having high hardness is particularly used as a conductive abrasive grain, grinding performance is little reduced as compared with TiC and WC.例文帳に追加

特に、導電性砥粒として高硬度のＢ_4 Ｃ砥粒２０が用いられているため、ＴｉＣやＷＣに比較して研削性能の低下が少ない。 - 特許庁

In this fine machining tool 10, at least a portion 1a contributing to the machining of the tool is composed of unitary single crystal TiC.例文帳に追加

本発明の微細加工用工具１０は、工具の少なくとも加工に寄与する部分１ａが単一の単結晶ＴｉＣより構成されている。 - 特許庁

This contact material is manufactured by mixing the TiC powder at 75-90 vol.% and Cu at 10-25 vol.%, molding it, and infiltrated with Cu.例文帳に追加

この接点材料は、ＴｉＣ粉末７５〜９０ｖｏｌ％とＣｕ１０〜２５ｖｏｌ％とを混合した後、成形し、Ｃｕを溶浸して製造する。 - 特許庁

The high-temperature hard particles 4 are anyone of cBN, TiC, TiN, TiB_2, SiC, Cr_3C_2, WC, ZrO_2 and Al_2O_3 or a mixture thereof.例文帳に追加

高温硬質粒子４は、ｃＢＮ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＢ_２、ＳｉＣ、Ｃｒ_３Ｃ_２、ＷＣ、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３のいずれか又はこれらの混合物である。 - 特許庁

To provide an image generating system, capable of forming the realis tic image of a displayed object, such as flames with few processing load, a program, and an information storage medium.例文帳に追加

炎などの表示物のリアルな画像を、少ない処理負荷で生成できる画像生成システム、プログラム及び情報記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

A porous material TiC/Ir obtained via a combustion/synthesis reaction is adopted as a material for electrodes 2, 3 for decomposing the wastewater 11.例文帳に追加

廃水１１を分解処理するための電極２、３として燃焼合成反応によって得られた多孔質材料のＴｉＣ／Ｉｒを採用した。 - 特許庁

To provide a blood flow analyzer which can provide an indication which quantitatively expresses the hemodynamics without measuring the artery TIC of a subject.例文帳に追加

被検体の動脈ＴＩＣを測定せずに、その血流動態を定量的に表す指標を提供することができる血流解析装置を提供する。 - 特許庁

The transition metal is Ni, Fe, Co, V, Mo, a Ni-Zr alloy, etc., and the carbide is TiC, WC, ZrC, Cr3C2, etc., as ingredients of sintering additives.例文帳に追加

助剤成分である遷移金属は、Ｎｉ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ｖ,Ｍｏ,Ｎｉ−Ｚｒ合金等、炭化物は、ＴｉＣ,ＷＣ,ＺｒＣ,Ｃｒ_３Ｃ_２等である。 - 特許庁

Also, ultrasonic characteristic images indicating the characteristics of the ultrasonic waves successively transmitted to the region of interest are generated so as to correspond to the time base of the TIC images.例文帳に追加

また、ＴＩＣ画像の時間軸に対応するように、関心領域に順次送信された超音波の特性を表す超音波特性画像を生成する。 - 特許庁

To provide a TiC base Ti-Si-C-based composite ceramic sufficiently utilizing the characteristics of TiC such as high hardness, light weight, high conductivity and high thermal conductivity, having remarkably improved toughness and sintering resistance and further simultaneously improving other characteristics and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＴｉＣの持つ特性すなわち、高硬度、軽量、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに靭性、難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるＴｉＣ基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The cemented carbide end mill has, at its edge portion, a first coating film layer of titanium carbide (TiC) or titanium aluminum nitride(TiAlN), and additionally over the first layer, a second coating film layer of a titanium carbide system (TiC/C) with similar physical properties to those of diamond or a silicon carbide system amorphous film (SiC/C) with similar physical properties to those of diamond.例文帳に追加

超硬エンドミルの刃部に、第一層に炭化チタン（ＴｉＣ）又は窒化アルミチタン（Ｔi ＡｌＮ）コーティング膜を形成し、その上にダイヤモンドに似た物性を持つ炭化チタン系（ＴｉＣ／Ｃ）又はダイヤモンドに似た物性を持つ炭化珪素系の非晶質膜（ＳｉＣ／Ｃ）の第二層コーティング膜を付加した。 - 特許庁