「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper mirror 117 is contained in the pillar-shaped part 110 and includes a first semiconductor deposit layer 114 and a second semiconductor deposit layer 118 which is continuous with an outer side surface of the first semiconductor deposition layer 114.例文帳に追加

上部ミラー１１７は、柱状部１１０に含まれ、第１の半導体堆積層１１４と、第１の半導体堆積層１１４の外側面に連続する第２の半導体堆積層１１８とを含む。 - 特許庁

A lower electrode layer (first electrode) 103, a metal oxide layer 104 made of bismuth (Bi), titanium (Ti), and oxygen, and an upper electrode (second electrode) 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102.例文帳に追加

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、下部電極層（第１電極）１０３と、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された金属酸化物層１０４と、上部電極（第２電極）１０５とを備える。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element capable of forming an upper layer organic film containing an electron transportable polymer on a lower layer organic film without impairing the lower layer organic film even if a wet process is used.例文帳に追加

湿式法を用いても、下層有機膜を損傷することなく下層有機膜の上に、電子輸送性高分子を含む上層有機膜を形成することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed on the polysilicon thin film 3, and the gate electrode constituted of a two-layer structure of an upper layer metal thin film 6 and a lower layer microcrystal silicon thin film 5 is formed.例文帳に追加

そして、このポリシリコン薄膜３上にゲート絶縁膜４を形成し、このゲート絶縁膜４上に上層金属薄膜６及び下層マイクロクリスタルシリコン薄膜５の２層構造からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

Then a contact hole corresponding to the cobalt silicide film is formed in an inter-layer isolation film located to the upper layer, and a p well contact plug is arranged therein and connected to a power wire in the inter-layer isolation film.例文帳に追加

そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにＰウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。 - 特許庁

The pea gravel 7 is fixed by a double-layer structure comprising a lower soil pavement layer 5 in which a solidifying material for solidifying the soil is contained, and an upper soil pavement layer 9, so that the pavement structure retaining the relationship between the soil and the pea gravel can be obtained.例文帳に追加

土を固める硬化材が配合された下層の土舗装層５と上層の土舗装層９の２層構造によって玉砂利７を固定し、土と玉砂利の関係を保った舗装構造とする。 - 特許庁

A surface light-emitting laser element which keeps a lower section multi-layer film reflective mirror, an active layer, and an upper section multi-layer film reflective mirror stacked in this order on a semi-conductive board is arranged into an array form, and used to irradiate a laser beam.例文帳に追加

半導体基板上に、下部多層膜反射鏡と、活性層と、上部多層膜反射鏡とがこの順に積層された面発光レーザ素子をアレイ状に配置して使用し、レーザ光を照射する。 - 特許庁

The sand cover structure includes a lower sand-cover layer of fine-grained water-granulated blast furnace slag and an upper sand-cover layer of the water-granulated blast furnace slag which has a grain size larger than that of the fine-grained water-granulated blast furnace slag and is formed on the lower sand-cover layer.例文帳に追加

細粒高炉水砕スラグによる下部覆砂層と、細粒高炉水砕スラグよりも粒度の粗い高炉水砕スラグにより前記下部覆砂層の上に形成された上部覆砂層とを有する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor chip with a penetrating wiring, an element wiring layer 21 is formed on the front surface side of a substrate 20 or a wafer at first and the upper side of the element wiring layer 21 is covered by a protective layer 22 having an opening.例文帳に追加

貫通配線付き半導体チップの製造方法では、先ず、ウェハである基板２０の表面側に素子配線層２１を形成し、開口部を有する保護層２２によって素子配線層２１上を被覆する。 - 特許庁

The LC device has a substrate 100, a support layer 120 formed on the substrate, inductors formed on either the upper or lower side of the support layer, and capacitors formed in the opposite side of the support layer.例文帳に追加

ＬＣ素子は基板１００と、基板上に形成された支持層１２０と、支持層の上部及び下部のうちいずれか一つに形成されるインダクタＬ及び支持層のもう一つに形成されるキャパシタＣを有する。 - 特許庁

This makes the insulating layer 25 look to be as if it were formed adjacent to the inner side of the frame 19 when seen from the upper surface side, and the first conductive layer 21 is seen between the frame 19 and the insulating layer 25.例文帳に追加

これにより、上面側から見た場合、枠部１９の内側に隣接して絶縁層２５が形成されているように見え、枠部１９と絶縁層２５の間には、第１導電層２１は見られない。 - 特許庁

To increase luminous efficiency in a semiconductor light-emitting element where at least an n-type nitride semiconductor layer, a luminous layer, and a p-type nitride semiconductor layer are laminated on a substrate, and an irregular structure is provided on an upper surface.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。 - 特許庁

In order to use an MR effect, the lower magnetic layer is formed on the entire surface of the substrate, and the cavities formed in the alumina layer on the lower magnetic layer are filled with an upper magnetic material to form a nano-sized contact.例文帳に追加

本発明は、ＭＲ効果を利用するために、基板の全面に下部磁性層を形成し、の上のアルミナに形成された空孔部に上部磁性体を充填させることによって、微小サイズのコンタクトを形成する。 - 特許庁

Embedded parts 47 and 48 connect two power supply layers formed at a distance in an X direction in an upper layer of the insulation encapsulation layer with the top face of the transparent conductive layer outside the encapsulated closed region B1.例文帳に追加

埋め込み部４７及び４８は、封止閉領域Ｂ１の外側においてＸ方向に離隔して絶縁封止層の上層に形成された２つの給電層と透明導電層の上面を連絡する。 - 特許庁

To provide an anti-static polyester film having an anti-static layer capable of enhancing a mold-releasing property without deteriorating the anti-static effect even in a case of forming a silicone resin layer on the upper surface of the anti-static layer.例文帳に追加

帯電防止層の上層にシリコン樹脂層を形成する場合も、帯電防止効果が劣ることなく、離型物性を向上できる帯電防止層を備えた帯電防止性ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

Gate wiring is a three-layered film, and mean wiring width of the maximum wiring width and the minimum wiring width of at least either of the upper layer and the lower layer is made to differ from as mean wiring width of the maximum wiring width and the minimum wiring width in the middle layer.例文帳に追加

ゲート配線に、上層と下層の少なくとも何れか一方の配線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、または、上層と下層の配線幅が異なる二層膜を用いる。 - 特許庁

The confectionery 10 has a belt-like shape, and has a three-layer structure where an upper-layer langue-de-chat dough 11 and a lower-layer langue-de-chat dough 13 are superposed on each other and filling (chocolate, in this case) is sandwiched between both of the dough.例文帳に追加

菓子１０は、帯状の形状であり、上層のラングードシャ生地１１と下層のラングードシャ生地１３が重ねられて、両生地の間に充填物（この例ではチョコレート）１５が挟まれた３層構造である。 - 特許庁

To relate to a method for forming a stack of layers including a lower metal layer, an intermediate dielectric layer, and an upper metal layer on a semiconductor substrate, in particular, to provide a method for forming a metal-insulator-metal capacitor structure.例文帳に追加

下部金属層、中間誘電体層、および上部金属層を含む層のスタックを、半導体基板上に形成する方法に関し、特に、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a gloss imparting layer cast on the upper part of the ink receiving layer is provided, and it is compatible with the ink absorbing properties by the ink receiving layer of the synthetic amorphous silica to surely obtain the specified gloss of the photographic tone.例文帳に追加

また、インク受理層の上部にキャスト処理された光沢付与層を設け、上記合成非晶質シリカのインク受理層によるインク吸収性と両立して所定の写真調光沢が確実に得るようにした。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁

A solid state image sensor 21 comprises: a photodiode layer 25 where photoelectric conversion elements converting received light into charges are arranged planarly; and a conductor structure layer 24 arranged on the upper surface of the photodiode layer 25.例文帳に追加

固体撮像素子２１は、受光した光を電荷に変換する光電変換素子が平面的に配置されたフォトダイオード層２５と、フォトダイオード層２５の上面に配置される導体構造体層２４とを備える。 - 特許庁

Anisotropic etching is performed on the condition that the upper layer insulating films 7, 10 be removed from the lower layer insulating film 6 at a high selection ratio, and a SC 11 is formed so as to open to the lower layer insulating film 6 (B).例文帳に追加

下層絶縁膜６に対して上層絶縁膜７および１０を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行って下層絶縁膜６に開口するＳＣ１１を形成する（図３（Ｂ））。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, with which changes in the contact resistance value between the upper metal layer and the lower metal layer can be minimized, by preventing etching of the lower metal layer, when forming a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a swollen part swollen from the end edge of an opening of an insulation film formed on the upper side of the collector region is formed at the opening of a base leading layer, and the swollen part connects the intrinsic base layer to the base leading layer.例文帳に追加

さらに、ベース引出し層の開口に、コレクタ領域の上面に形成した絶縁膜の開口部の端縁よりも張出した張出し部を形成し、この張出し部で、真性ベース層とベース引出し層とを接続する。 - 特許庁

To provide a reflector having a reflection layer in which even when a substance corroding the reflection layer intrudes through edges or flaws or cracks in upper and lower layers, corrosion in the whole reflection layer is prevented.例文帳に追加

反射層を有する反射体において、反射層を腐食する物質がエッジもしくは上下層の傷やクラックなどから進入した場合に、反射層全体が侵食されるのを防止する反射体を提供すること。 - 特許庁

The upper-face part 71 of the rear cover 7 includes a front-layer cover part 14c, provided with a long hole group 13f and a rear-layer cover part 14d which is juxtaposed with the front layer cover part 14c and is provided with a round hole group 13e.例文帳に追加

リアカバー７は、その上面部７１において、長孔群１３ｆが設けられた表層カバー部１４ｃと、表層カバー部１４ｃに並設され、丸孔群１３ｅが設けられた裏層カバー部１４ｄとを有する。 - 特許庁

The passivation film 109 of an upper portion of the multi-layer structure of the inter layer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104 and a cap layer 125 connecting with the seal ring 104 is formed on the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁

The organic layer 5 is made to be pinched between the lower part electrode 4, and on the light absorbing layer 9 part where the organic layer 5 has been removed, the upper part electrode 6 connected to the auxiliary wiring N is formed on the substrate 2.例文帳に追加

下部電極４との間に有機層５を狭持させると共に有機層５が除去された光吸収層９部分において補助配線Ｎに接続された上部電極６を、基板２上に形成する。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

Then, an epitaxial layer 4 is formed on the upper layer of the n-type silicon substrate, and the light-receiving part 6 and a vertical potential transfer 7 are formed within the epitaxial layer 4, and a transfer electrode 8 and a light-shielding film 10 are also formed therein.例文帳に追加

その後、ｎ型シリコン基板の上層にエピタキシャル層４を形成し、このエピタキシャル内に受光部６及び垂直電荷転送部７を形成すると共に、転送電極８及び遮光膜１０を形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 31 having an upper surface(111) is prepared, a buffer layer 34 composed of Si_xGe_1-x layer(0<x≤1) is formed on the silicon substrate 31, and a nitride single crystal 35 is formed on the buffer layer 34.例文帳に追加

上面に（１１１）面を有するシリコン基板３１を用意し、シリコン基板３１の上面にＳｉ_xＧｅ_1-x層（０＜ｘ≦１）から成るバッファ層３４を形成し、バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を形成する。 - 特許庁

In the CPP type magnetic detecting element, the upper and lower portions of the fixed magnetic layer 23 having an artificial ferristructure are sandwiched by non-magnetic metal magnetostriction enhancement layer 22 and a non-magnetic material layer 24 having a lattice constant that is larger than that of Cu.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子において、人工フェリ構造の固定磁性層２３の上下を非磁性金属製の磁歪増強層２２と、Ｃｕよりも格子定数の大きい非磁性材料層２４で挟む。 - 特許庁

A white dielectric layer 11 is formed on the inner face of this barrier rib, and a phosphor layer 12 is formed on the upper face of the glass substrate 5 and on the side face of the bridge part on the dielectric layer 11.例文帳に追加

そして、この隔壁の内面に白色誘電体層１１を形成し、この白色誘電体層１１上におけるガラス基板５の上面上及びブリッジ部の側面上に蛍光体層１２を形成する。 - 特許庁

A resin-impregnated pattern layer may be formed by infiltrating a resin in the pattern paper 6 wherein the lower printing layer is formed by gravure printing and the upper printing layer is formed thereon by ink jet printing.例文帳に追加

また，グラビア印刷により下部印刷層が形成され，その表面にインクジェット印刷により上部印刷層が形成されてなるパターン紙に樹脂を含浸させて前記樹脂含浸パターン層が形成されていてもよい。 - 特許庁

Further, an isolation layer 4 formed of a porous cellulose film and a synthetic resin film is provided on the upper side of the electromotive layer 3, and further an anode electrode layer 5 made of a conductive metal is provided on it.例文帳に追加

さらに起電層３の上部には多孔質セルロース膜、合成樹脂膜で形成される隔絶層４が備えられ、さらにその上部には導電性金属からなる負極電極層５が備えられる。 - 特許庁

The resistor 3 comprises a plurality of resistor layers 3a and 3b of different specific resistance formed in layer on a substrate 2 wherein the resistor layer 3a of higher specific resistance is formed on the upper layer side.例文帳に追加

抵抗体３が、基板２上に積層された比抵抗の異なる複数の抵抗層３ａ，３ｂからなり、かつ、各抵抗層３ａ，３ｂのうち比抵抗の大きな抵抗層３ａが上層側に形成されてなること。 - 特許庁

Preferably, the layer is composed of the upper layer of a cerium- zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio of 1/1 to 6/1 and the lower layer of a cerium-zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio of 2/3 to 3/2.例文帳に追加

好ましくは、前記層が２層からなり、上層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が６／１〜１／１であり、下層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が３／２〜２／３である。 - 特許庁

The capacitor in a semiconductor device can be manufactured by a simple process, wherein an aluminum nitride layer acting as an insulating layer is formed, by applying a plasma containing nitrogen on the upper part of an aluminum layer in the capacitor region.例文帳に追加

半導体素子内のキャパシタはキャパシタの領域のアルミニウム層の上部に窒素を含有したプラズマを用いて絶縁層として働く窒化アルミニウム層を形成する簡単な工程で製作することができる。 - 特許庁

The capacitor 3 comprises a lower electrode 4 formed on the isolation layer 2, an isolation layer 5 formed on the lower electrode 4, and an upper electrode 6 formed on the isolation layer 5.例文帳に追加

コンデンサ３は、絶縁分離層２上に形成される下側電極４と、この下側電極４上に形成される絶縁分離層５と、この絶縁分離層５上に形成される上側電極６とを含んでいる。 - 特許庁

An organic thin film 16 containing an organic luminescence layer is formed on the upper-layer data electrode 14, and a plurality of scanning electrodes 17 are formed so that they may intersect perpendicularly with the lower-layer data electrodes 12 on the organic thin film 16.例文帳に追加

上層データ電極１４上に有機発光層を含む有機薄膜１６が形成され、有機薄膜１６上に下層データ電極１２と直交するように複数本の走査電極１７が形成される。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1 includes a semiconductor layer 2 cleaved into square shapes, an electrode 3 formed on the upper surface 2a of the semiconductor layer 2, and an electrode 4 formed on the lower surface 2b of the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、正方形状に壁開された半導体層２と、半導体層２の上面２ａに形成された電極３と、半導体層２の下面２ｂに形成された電極４とを備える。 - 特許庁

A seed layer 30 is constituted so as to have lamination structure in which a lower part seed layer 21 constituted by tantalum (Ta) and an upper part seed layer 31 constituted by nickel chrome alloy (NiCr) are laminated in this order.例文帳に追加

タンタル（Ｔａ）により構成された下部シード層２１およびニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）により構成された上部シード層３１がこの順に積層された積層構造を有するようにシード層３０を構成する。 - 特許庁

The resist substrate 4 is characterized in that the resist layer 2 is formed on the substrate 1 and a photomask layer 3 adheres on an upper surface of the resist layer 2.例文帳に追加

本発明によって、基板１上にレジスト層２が形成されたレジスト基板４であって、前記レジスト層２の上面に密着するフォトマスク層３を具備することを特徴とするレジスト基板４が提供される。 - 特許庁

The lower electrode layer 103 made of a conductive thin film composed of ruthenium (Ru) and nitrogen (N), the metal oxide layer 104, and an upper electrode 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102.例文帳に追加

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。 - 特許庁

When viewed from an upper face electrode 20 side; a region where the high dielectric layer 16 is held between electrodes, and a region may exist where the high dielectric layer 16 and the low dielectric layer 18 are held between the electrodes.例文帳に追加

上面電極２０側から見ると、高誘電率層１６が電極間に挟まれた領域と、高誘電率層１６及び低誘電率層１８が電極間に挟まれた領域とが存在するようになる。 - 特許庁