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vacuum processingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1012件
To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber.例文帳に追加
通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。 - 特許庁
In the case of the wide area etching step, a selective power is impressed between both electrodes 30 and 12 for producing etching plasma in almost the whole area of a chamber at the first relatively low voltage and relatively wide electrode intervals while in the case of the local area etching step, the vacuum processing reactor can be adjusted at the second relatively high voltage and relativelly narrow electrode intervals.例文帳に追加
広域エッチングの場合、エッチング用プラズマをチャンバのほぼ全域にわたって生成するために、両電極間に選択した電力を印加し、比較的低い第１の圧力で、且つ比較的大きな電極間隔にし、次に局部エッチングの場合、比較的高い第２の圧力で、且つ比較的小さい電極間隔に調整することができる装置である。 - 特許庁
To provide a mold capable of producing a molded product holding more excellent flatness and transparency than heretofore by re-examining the structure of the mold used for the molding and improving a material to be used or a processing method in the sheet like olefine based resin vacuum molding by which it is difficult conventionally to obtain the mold product holding the flatness and the transparency in a flat part.例文帳に追加
これまで平面部の平滑度と透明度とを維持した成形品を得る事が困難とされていた、真空成形におけるシ−ト状のオレフィン系樹脂成形において、成形する金型構造を見直し、使用する材料又は加工方法を改善し、従来よりも優れた平滑度と透明度とを維持した成形品の製造ができる金型を提供する。 - 特許庁
To provide a workpiece stage which includes a pedestal with a concave portion for supplying vacuum and a suction plate having a plurality of through-holes to be attached to the concave portion for sucking a workpiece, and includes a sealing elastic body on the periphery of the sucking plate in order to suck and hold the warped workpiece and inexpensive and facilitates processing, and to provide an exposure apparatus using the workpiece stage.例文帳に追加
真空を供給する凹部を有する基台と、この凹部上に取り付ける複数の貫通孔を形成した吸着板とを備えたワークを吸着保持するワークステージにおいて、反りが生じているワークを吸着保持するために吸着板の周辺部にシール用弾性体を設けた安価で加工の容易なワークステージおよびそのワークステージを使った露光装置を提供すること。 - 特許庁
This sheet feeder feeding the paper sheet to a processing part from the paper sheet stack 56 has a paper sheet tray holding the sheet stack 56; an air plenum 58 disposed above the sheet stack 56, sucking up the sheet from the sheet stack 56 when a pressure inside the plenum 58 is a vacuum; and the sheet fluffer 140 blowing air into between the individual sheets in the sheet stack 56.例文帳に追加
本発明の用紙スタック５６から処理部へ用紙を給送する用紙給送装置は、用紙スタック５６を保持する用紙トレイと、用紙スタック５６の上方に配置されていて、プレナム内に真空圧があるとき用紙スタックから用紙を吸い上げる空気プレナム５８と、用紙スタック５６の個々の用紙間に空気を吹き込む用紙浮揚装置１４０とを備えている。 - 特許庁
The processing method comprises applying powers, having two different frequencies from high-frequency power sources 6, 9 to a cathode 3 with a substrate 2 mounted thereon, monitoring the two frequencies concerning a voltage in a vacuum reaction chamber 1 during etching, using impedance probes 4, 7 and taking the time point as an etching end point, when the voltage time change ratio of the two frequencies is changed greatly.例文帳に追加
被処理基体２を載置するカソード３に二つの異なる周波数を有する電力を高周波電源６，９により印加し、エッチング時の真空反応室１内の電圧に関して上記二つの周波数についてインピーダンスプローブ４，７によりそれぞれモニタし、二つの周波数の電圧の時間変化の比が大きく変化した時点をエッチングの終点とする。 - 特許庁
A substrate transfer mechanism for transferring the substrate 63 continuously in vacuum processing chambers connected in series, has a CCD camera 103 which photographs the substrate support mechanism 50 transferred in a state of holding the substrate 63, and measures a position where the substrate support mechanism 50 holds the substrate 63 from a picture photographed by the CCD camera 103 to detect the substrate support mechanism 50 whose substrate support position is abnormal.例文帳に追加
直列に連結された真空処理室内で連続的に基板６３を搬送する基板搬送機構は、基板６３を保持した状態で移送される基板支持機構５０を撮影するＣＣＤカメラ１０３を有しており、ＣＣＤカメラ１０３によって撮影された映像から基板支持機構５０が基板６３を支持する位置を測定し、基板支持位置が異常な基板支持機構５０を検出する。 - 特許庁
The surface processing method has a third step to introduce an ion source 31 of a gaseous carbon cluster into a vacuum chamber 12 in which the workpiece 32 is contained without using a carrier gas, subsequently to apply a high frequency voltage to the ion source and making it into plasma to generate a carbon cluster ion 33, and to apply a negative voltage to the workpiece 32 and to ion process it by making its surface irradiated with the carbon cluster ion 33.例文帳に追加
被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 - 特許庁
In the oxidation method whereby the surface of the workpieces W, on which at least the nitride film is exposed, is oxidized in a processing vessel 8 accommodating a plurality of the workpieces W concurrently, the nitride film is oxidized by mainly using hydroxyl active species and oxygen active species in a vacuum atmosphere under a process pressure of 133 Pa or below at a process temperature of 400°C.例文帳に追加
一度に複数枚の被処理体Ｗを収容できる処理容器８内にて、表面に少なくとも窒化膜が露出している被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いると共に、プロセス圧力を１３３Ｐａ以下に設定し、且つプロセス温度を４００℃以上に設定して前記酸化を行なう。 - 特許庁
When releasing a load lock chamber to an atmosphere by gas introduction from a feed pipe, the vacuum processing apparatus starts evacuating the load lock chamber using an exhaust pipe when the pressure in the load lock chamber rises up to predetermined first pressure, and stops the evacuation using the exhaust pipe when the pressure in the load lock chamber rises up to second pressure higher than the first pressure.例文帳に追加
上記目的を達成するために、給気管からのガス導入によるロードロック室の大気開放のときに、ロードロック室内の圧力が所定の第１の圧力まで上昇したときに、排気管を用いたロードロック室内の排気を開始し、第１の圧力より高い第２の圧力まで、ロードロック室内の圧力が上昇したときに、排気管を用いた排気を停止する真空処理装置を提案する。 - 特許庁
This method of manufacturing the metal diaphragm 1 includes a melting step of cleaning an alloy to a high level by vacuum melting, a cold wire drawing processing step ofprocessing the alloy molten in the melting step into a bar shape, a cutting step of cutting a bar stock processed in the bar shape into a disk shape rectangularly to the center line, and a molding step of press-molding a disk material cut into the disk shape.例文帳に追加
本発明は、合金を真空溶解により高清浄度化する溶解工程と、前記溶解工程で溶解された前記合金を棒状に加工する冷間伸線加工工程と、前記棒状に加工された棒材をその中心線に対し直角に円盤形状に切断する切断工程と、前記円盤形状に切断された円盤材をプレス成形する成形工程とを有することを特徴とするメタルダイアフラム１の製造方法である。 - 特許庁
The hydroxyapatite film is firmly fixed on the surface of the metal substrate by applying a decomposition product of the hydroxyapatite to form an extremely thin film in a short period of time under high vacuum as a pre-processing coating in the initial stage of the coating to prevent the oxidation of the surface of the metal substrate and then passing steam or a steam mixed gas and applying hydroxyapatite under such atmosphere.例文帳に追加
ハイドロキシアパタイトを基体金属表面に必要とされる最低限の薄膜にコーティングするため、レーザーアブレーション法にてコーティングを行なうこととし、コーティングの初期において高真空中でハイドロキシアパタイトの分解生成物を短時間、極く薄く前処理コーティングして該基体金属表面の酸化を防止し、その後水蒸気または水蒸気混合ガスを流入し、この雰囲気中でハイドロキシアパタイトのコーティングを行なうことにより、ハイドロキシアパタイト膜を強固に固着させることが出来る。 - 特許庁
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