「vacuum processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To perform film deposition processing with high in-plane uniformity in an ALD in which a plurality of semiconductor wafers are arranged along the circumferential direction of a table in a vacuum chamber and two reactant gases are sequentially supplied to the surface of the substrates for film deposition.例文帳に追加

真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。 - 特許庁

The decompression means 4 has a steam ejector 16 having an inlet connected to the processing tank 2, the heat exchanger as a condenser to be connected to an outlet of the steam ejector 16, and a vacuum pump 19 connected to an outlet of the heat exchanger 17.例文帳に追加

減圧手段４は、処理槽２に吸入口が接続される蒸気エゼクタ１６、蒸気エゼクタ１６の吐出口に接続される凝縮器としての熱交換器１７、熱交換器１７の出口に接続される真空ポンプ１９を有する。 - 特許庁

To restore to a normal-pressure atmosphere in a short time while whirling of particles is suppressed when, for example, a nitrogen gas is guided into a reactive vessel for restoration to a normal pressure after, for example, film forming process is performed in a vacuum atmosphere using a vertical thermal processing device.例文帳に追加

例えば縦型熱処理装置を用いて真空雰囲気下で成膜処理を行った後、例えば窒素ガスを反応容器内に導入して常圧に戻すにあたって、パ−ティクルの巻き上がりを抑えながら短時間で常圧雰囲気に戻すこと。 - 特許庁

A nitrogen-containing chromium film is deposited on a base material 20 via a chromium film by performing the sputtering by using a chromium target for a target 22 in a vacuum processing chamber 12 of a processing apparatus 10, and then, sputtering is performed by using a carbon target for the target 22 to deposit a DLC film on the nitrogen-containing chromium film.例文帳に追加

処理装置１０の真空処理室１２内において、ターゲット２２としてクロムターゲットを使用してスパッタリングすることにより、母材２０上にクロム皮膜を介して窒素含有クロム皮膜を形成した後、ターゲット２２としてカーボンターゲットを使用してスパッタリングすることにより、窒素含有クロム皮膜上にＤＬＣ皮膜を形成する。 - 特許庁

To perform a suction recovery processing with high efficiency without enlarging a pump or increasing vacuum period of a pressure chamber in an inkjet recorder which performs the suction recovery processing by giving a negative pressure which is stored in the pressure chamber to a discharge port by driving the pump in order to eject an ink compulsorily from the discharge port.例文帳に追加

インクを吐出口から強制的に排出するために、ポンプの駆動により圧力室に貯めた負圧を吐出口に付与することで吸引回復処理を行うインクジェット記録装置において、ポンプの大型化や圧力室の減圧時間の増大を来たすことなく、効率の高い吸引回復処理を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus having a wafer support base adopting an electrostatic chuck system provided with a means for measuring the charged state of a wafer after plasma processing without causing defects in the process characteristics.例文帳に追加

従来の静電チャック方式のウェハ支持台上のウェハの帯電状態を測定する真空処理装置は電位センサを半導体ウェハの近傍に設置する構成であるため、電位センサ自身もエッチングされ、エッチングレート値や面内傾向特性に影響を与えると共に、このエッチングによってパーティクルを増加させる等のプロセス特性上の不具合が発生する。 - 特許庁

It is made possible to work without leaking the cutting effluent outside a water processing pad and further improve workability by using a dual cylinder vacuum water absorption processing pad, wherein the pad is equipped with a negative pressure space by making the cylinder dual, and equipped with several fine holes in the lower part of an inner cylinder to ease the cutting effluent pass through.例文帳に追加

円筒を二重にすることによる陰圧空間部分を設け、さらに内筒下部に適切に数箇所の切削廃水が通過し易い小穴を設けたバキューム式二重円筒吸水処理パッドを使用することにより、切削廃水を水処理パッド外部に漏らすことなく作業できるようになり、作業性が一層よくなった。 - 特許庁

A Co film formation method includes the steps of, while performing vacuum drawing in a processing chamber after disposing a base material S in the processing chamber 10, heating the base material at a predetermined temperature, vaporizing an organometallic material L in which ions or molecules having an alkyl group coordinate on cobalt, supplying the vaporized organometallic material onto the base material surface, and performing thermal decomposition of the organometallic material to deposit a Co film.例文帳に追加

基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus having good maintainability when thin films are formed by arranging and mounting substrates in a rotating direction on a turntable in a vacuum container, forming a plurality of processing areas of reaction gas in the rotating direction of the substrates, and rotating the turntable to pass the substrates through the plurality of processing areas in order.例文帳に追加

真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて薄膜を形成するにあたり、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供すること。 - 特許庁

The method for obtaining an aloe vera gel food is provided by processing the natural aloe vera gel with a reduced pressure or vacuum drying device to concentrate active ingredients contained in the aloe vera gel, minimizing the destruction of enzymes by decreasing the heating time or temperature and performing a food processing by using a molt extract, honey of flower of the aloe vera or unrefined sugar cane liquid.例文帳に追加

天然のアロエベラゲルを減圧または真空乾燥装置により加工することにより、アロエベラゲルに含まれている有用成分を濃縮し、かつ加熱時間や加熱温度を減らすことにより酵素の破壊を最小限に止め、甘味の弱いモルトエキス、アロエベラの花の蜜もしくは未精製のサトウキビ汁を使用し、食品加工を行う。 - 特許庁

By contriving the structure of a flow rate control valve for adjusting adjust a gas flow rate installed at the upper part of the turbo molecular pump of the processing chamber of the vacuum processing device, the particulates are prevented from flowing back.例文帳に追加

真空処理装置の処理室のターボ分子ポンプの上部に設置されているガス流量を調節するために流量制御弁の構造を工夫することにより、微粒子が逆流するのを防止するようにすることで跳ね返り異物の低減ができ、かつ衝立を別途設置した場合の新たな異物発生源や新たな衝立部の清掃などの課題の解決が可能となる。 - 特許庁

The two or more types of process chambers are used to deposit the one or more silicon-containing layers and the one or more metal-containing layers in the same substrate processing system without breaking the vacuum, taking the substrate out of the substrate processing system to prevent surface contamination, oxidation, etc., such that additional cleaning or surface treatment steps can be eliminated.例文帳に追加

２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。 - 特許庁

The invention relates to the apparatus for transporting rod shaped articles 4 in the tobacco processing industries, equipped with at least one transporting drum 2 and at least one unloading drum 3 and capable of actuating holding vacuum to both drums to hold the articles 4, the holding vacuum acting on the transporting drum 2 is quenched from the transporting drum 2 in unloading the articles 4 by the unloading drum3.例文帳に追加

本発明は更に、少なくとも１個の搬送ドラム２と取り出しドラム３を備え、品物４を保持するために両ドラムにそれぞれ保持真空を作用させることができる、煙草加工産業の棒状品物４を搬送するための装置に関し、取り出しドラム３によって品物４を取り出す際に、搬送ドラム２に作用する保持真空を搬送ドラム２から消滅させるることが可能であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for monitoring an etching capable of detecting the correct end of etching of a product substrate without reducing the quantity of light of a light emitting spectrum of plasma, even if deposits are produced in a vacuum processing chamber by etching.例文帳に追加

エッチング処理によって付着物が真空処理室内で生成された場合でも、プラズマの発光スペクトルの光量が低下すること無く、製品基板の正確なエッチングの終点検出を行なうことが可能なエッチングモニター方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a molded article of a perfluoro-elastomer exhibiting good non-tackiness and non-adhesiveness even under a severe environment such as high temperature or vacuum and suitable as a rubber material especially for a semiconductor production apparatus, semiconductor transportation apparatus, food processing apparatus, medical part, etc.例文帳に追加

高温、真空といった厳しい環境下で良好な非粘着性や非固着性を発現し、特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品加工装置、医療部品等のゴム材料として好適なパーフルオロエラストマー成形体を提供する。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁

In a system performing plasma processing by exciting plasma in an enclosed vacuum chamber, beveling amount at the corner part of a lower electrode for mounting a substrate being processed is set higher than that at the corner part of the substrate being processed.例文帳に追加

密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する下部電極の角部の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vacuum treating apparatus for diffusing reaction gas across the whole surface of a substrate to be treated with uniform distribution by easily and quickly adjusting and controlling the feeding of reaction gas at the changing of the dimensions or processing condition of the substrate to be treated.例文帳に追加

被処理基板の寸法や処理条件などの変更に際しても反応ガスの供給を容易、且つ迅速に調節制御して、被処理基板の表面全体にわたり反応ガスを均等な分布で分散させることのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device that improves reliability and durability thereof by preventing or suppressing the generation of a reflection wave from a high-frequency power flowing through a high-frequency power supply transmission line connected to a discharge electrode with a simple and inexpensive configuration.例文帳に追加

簡素で安価な構成により、放電電極に繋がる高周波給電伝送路を流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して信頼性および耐久性を向上させることのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus 1 includes: two process chambers PC1, PC2 and three load-lock chambers LL1, LL2, LL3 which are alternately connected in series; and a transferring device which transfers a plurality of carriers, only between the process chamber PC1(PC2) and the load-lock chambers LL1(LL2, LL3) which are adjacent to each other.例文帳に追加

真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a vacuum vessel 1 which has a substrate 14 arranged within it and plasma processes the substrate 14, and a dust-excluding electrode 31 arranged under the substrate 14 for forming a slant isoelectric surface over the substrate 14.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、内部に基板１４を配置して、基板１４に対するプラズマ処理を行なうための真空容器１と、傾斜する等電位面を基板１４の上方に形成するために基板１４の下側に配置されたダスト排除電極３１とを備える。 - 特許庁

To provide a conveyance system capable of efficiently and rapidly executing a cooling process of a processing object after recovering a vacuum evaporant, and thereby remarkably improving production efficiency of metal for reuse; and to provide a tray and a carbon rail.例文帳に追加

真空蒸発物回収後の処理品の冷却処理を効率よく短時間の内に行うことができ、以て再利用のための金属の生産効率を大幅に向上させることができる搬送システム、トレー及びカーボンレールを提供することを課題とする。 - 特許庁

A processing gas is introduced into the vacuum chamber 10, plasma is generated by an electric field between the RF electrode 30 and the grounding electrode 12, and the translucent member 22 charged to a negative auto-bias potential Vf is cleaned by ions in the plasma.例文帳に追加

真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 - 特許庁

To provide a method of forming an NiSi film capable of forming a silicide film of good coverage on the bottom face or the side surface of a trench and a hole pattern, and to provide a method of forming a silicide film, a method of forming a metal film for silicide anneal, a vacuum processing apparatus, and a deposition apparatus.例文帳に追加

トレンチ及びホールパターンの底面や、側面に被覆カバレッジ性の良好なシリサイド膜を形成できるＮｉＳｉ膜の形成方法及びシリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、並びに成膜装置の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical recording medium comprises processes of continuously cleaning a substrate surface and laminating at least recording layers of a phase transition type on the substrate subjected to cleaning processing under high vacuum substrate.例文帳に追加

基板表面を清浄化する清浄化処理と、該清浄化処理を施した前記基板上に少なくとも相変化型の記録層を積層する積層処理とを、高真空下で連続して施す工程を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

A vacuum processing device has an exchange mechanism 120 for exchanging gas heated by the heating source such as a coil and/or a controller 93 in a controller box 9 to gas of the lower temperature than the temperature of its gas for cooling the inside of the controller box 9.例文帳に追加

真空搬送装置は、コントローラボックス９内を冷却するために、コントローラボックス９内でコイル及び／または制御器９３等の発熱源により熱せられた気体を、その気体の温度より低い温度の気体に交換する交換機構１２０を備えている。 - 特許庁

To provide a surface discharge type plasma display panel requiring no expensive vacuum processing device when forming a protective layer to cover a dielectric layer, having capability to substantially shortening an aging process after a panel is sealed, and having remarkably improved productivity and production costs.例文帳に追加

誘電体層を被覆する保護層の形成に際して高価な真空プロセス装置を必要とせず、パネル封着後のエージング工程を大幅に短縮することができ、生産性とコストが著しく改善された面放電型プラズマディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device constituted of an enclosure with a plurality of separated chambers formed inside, a gas distribution assembly arranged at each process chamber, a gas source connected to the separated chambers, and a power source device connected to each gas distribution assembly.例文帳に追加

複数の分離されたチャンバが内部に形成されたエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、分離チャンバに接続されたガス源、および各ガス分配アセンブリに接続された電源装置によって構成される真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of maintaining accurate measurement without having to recalibrate a secondary electron multiplying element measuring system, and a vacuum processing device that precludes the operation from stopping for recalibration that accompanies changes in the measurement accuracy of the secondary electron multiplying element.例文帳に追加

二次電子増倍素子の測定系を再校正することなく正確な測定を維持できる方法を提供すること及び二次電子増倍素子の測定精度の変化に伴う再校正のために運転が停止されることがない真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

When belt-like work Wb is conveyed, and a 1st exposure area in a 1st row comes to a projecting position on a work stage 3, the work Wb is vacuum-sucked and a mask M and the work Wb are aligned to apply exposing processing to the 1st exposure area.例文帳に追加

帯状ワークＷｂを搬送し、第１列目の第１の露光領域がワークステージ３上の投影位置にくると、帯状ワークＷｂを真空吸着し、マスクＭと帯状ワークＷｂの位置合わせを行い第１の露光領域の露光処理を行う。 - 特許庁

The transducer type vacuum gauge includes a body 1 attachable to a measuring object, and sensor parts 2, 22, a power supply part E for supplying power necessary for pressure measurement and a control part C for processing an output from the sensor part and instructing pressure are integrally assembled to the body 1.例文帳に追加

測定対象物に装着自在な本体１を備え、この本体に、センサ部２、２２と圧力測定に必要な電力を供給する電源部Ｅと、センサ部からの出力を処理して圧力を指示する制御部Ｃとが一体に組み付けられている。 - 特許庁

The processing box is heated under a vacuum to vaporize the metal vaporized material, vaporized metal atoms are stuck on a sintered magnet surface, and the stuck metal atoms are diffused to grain boundaries and/or a grain boundary phase of the sintered magnet.例文帳に追加

そして、真空中にて処理箱を加熱して金属蒸発材料を蒸発させ、蒸発した金属原子を焼結磁石表面に付着させ、前記付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the adsorption material comprises steps of: carbonizing the wood in vacuum or under inert atmosphere at 400-800°C; activating processing of the carbonized wood and imparting the hydrophilic groups to the activated wood.例文帳に追加

この吸着材料を製造する方法は、木材を真空中または不活性雰囲気中において４００〜８００℃にて炭化する工程、上記炭化された木材を賦活処理する工程、および上記賦活処理された木材に親水基を付与する工程を含む。 - 特許庁

To provide a biaxially stretched styrenic resin sheet which is capable of providing a good molded article that has excellent optical characteristics, exhibits sufficient reproducibility of a mold shape and punchability of a molded article in a radiation heating vacuum pressure molding method, and is free from thickness deviation, without generating a gelatinous substance during extrusion processing, is capable of having a heating time range of one second or more, and exhibits excellent productivity during secondary processing.例文帳に追加

押出加工時にゲル状物質が発生することなく、光学特性に優れ、輻射加熱式圧空真空成形法において金型再現性や成形品の打抜き性が充分で且つ偏肉のない良好な成形品が得られ、加熱時間の範囲が１秒以上得られる、二次加工時の生産性に優れた二軸延伸スチレン系樹脂シートの提供。 - 特許庁

The method includes steps of forming a material layer which is used for the magnetoresistance effect element 23, forming the magnetoresistance effect element 23 by processing at least a part of the material layer, and forming a protecting film 24 covering sides of the magnetoresistance effect element 23 under consistent vacuum condition within a device which is formed by processing at least a part of the material layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、磁気抵抗効果素子２３となる材料層を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工し、磁気抵抗効果素子２３を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工した装置内において、真空一貫状態で、磁気抵抗効果素子２３の側面を覆う保護膜２４を形成する工程と具備する。 - 特許庁

The system comprises a chamber 110 having a processing part for plasma vacuum processing, a moving means 111 which moves horizontally between the chamber and a subchamber 140 arranged horizontally to it via a gate valve 141 to move workpieces, and a holder 141 which is arranged in the subchamber and can store the workpieces in two stages and move vertically.例文帳に追加

プラズマ真空処理するための処理部を有するチャンバ１１０と、前記チャンバに対し水平方向にゲートバルブ１０１を介して配設されたサブチャンバ１４０との間で水平方向に移動して処理対象を移動させる移動手段１１１と、前記サブチャンバ内に配設されており、前記処理対象を２段に収納可能で、垂直方向に移動可能なホルダ１４１とを備える。 - 特許庁

A vacuum processing device generally constituted of an enclosure with a plurality of separated chambers formed inside, a gas distribution assembly arranged at each process chamber, a gas source connected to the plurality of separated chambers, and a power source device connected to each gas distribution assembly are provided.例文帳に追加

内部に形成された複数の分離された処理室を有するエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、複数の分離された処理室に接続されたガス源と、各ガス分配アセンブリに接続された電源とによって一般に構成される真空処理装置を提供する。 - 特許庁

In this vacuum processing method, reversing time as to minimize the residual charges at the termination of electrostatic attraction is obtained previously, so that during the formation of a film, the polarity of magnetism of a voltage applied to chuck electrodes 5 and 6 is reversed once at the previously obtained reversing time.例文帳に追加

本発明の真空処理方法では、静電吸着終了時に残留電荷が最小になるような反転時刻を予め求めておき、成膜処理中に、予め求められた反転時刻で、チャック電極５、６に印加する電圧の極性を１回反転させている。 - 特許庁

The micro testpiece processing and observation device are equipped with a focused ion beam optical system and an electron optical system in an identical vacuum device, and separate a micro testpiece including the desired region of the testpiece by a charged particle beam forming process, and have a probe for sampling the micro testpiece separated.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The transformer oil in which the additive powder is dispersed is pressurized to a high pressure and then atomized into a decompressed vacuum deaerating tank from an atomizing nozzle to be dissolved while the additive powder and transformer oil are given a shock, so the processing time up to complete dissolution becomes short.例文帳に追加

添加剤粉末を分散させた変圧器油を高圧に加圧し、噴霧ノズルから減圧した真空脱気槽中に噴霧することにより、添加剤粉末と変圧器油に衝撃を与えながら溶解させるようにしたため、完全溶解までの処理時間が短くなった。 - 特許庁

In a vacuum atmosphere, at least one of a front substrate 11 and a back substrate is faced to a processing electrode 34 equipped with linear members 36, and an electric field is applied between at least the one substrate and the linear members to subject the substrate(s) to a breakdown voltage treatment.例文帳に追加

真空雰囲気中で、前面基板１１および背面基板の少なくとも一方の基板と線状部材３６を備えた処理電極３４とを対向させ、少なくとも一方の基板と線状部材との間に電界を印加してこの基板を耐圧処理する。 - 特許庁

A workpiece 18 is processed with a plasma in a vacuum plasma processing chamber 10 by exciting the plasma at three or more frequencies 52, 54, and 56 such that the excitation of the plasma by the three or more frequencies simultaneously causes several different phenomena to occur in the plasma.例文帳に追加

３以上の周波数５２，５４，５６でプラズマを励起し、それによって、その前記３以上の周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物１８が真空プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマで処理される。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, as well as a probe 72 separating a minute sample including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

Since the molten metal of spheroidal graphite cast iron is modified by the vacuum processing, a casting of spheroidal graphite cast iron of fine structure and high strength can be obtained by pressurizing and rapidly cooling the molten metal of cast iron present at the low-temperature range including the semi-solidification temperature range in the die.例文帳に追加

真空処理により球状黒鉛鋳鉄の溶湯が改質されるため、半凝固温度域を含む低温域の鋳鉄溶湯を金型内で加圧及び急速冷却することにより、微細な組織で高強度の球状黒鉛鋳鉄の鋳造品を得ることができる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus that suppresses a decrease in film quality at the periphery of a substrate due to distribution of film formation conditions by increasing the flow rate of exhaust gas discharged from a slit between discharge electrodes by reducing an exhaust gas flow of gas having not contributed to film formation and flowing to the periphery of the substrate.例文帳に追加

製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。 - 特許庁